专利名称：液晶显示装置的断线的修复方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示装置的断线的修复方法。
背景技术：
传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图 像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示装置(LCD)具有(也称彩 膜基板)和下基板(也称阵列基板)，彼此有一定间隔和互相正对，形成在两个 基板上的多个电极相互正对，液晶夹在上基板和下基板之间，电压通过基板上 的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图 像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液 晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源，根据液晶分子的排列控制从背光 源入射的光量从而显示图像。在两块偏光片之间夹有玻璃基板、彩色滤光片、 电极、液晶层和薄膜晶体管，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物 质。背光源发出的光线经过下偏光片，成为具有一定偏振方向的偏振光。晶体 管控制电极之间所加电压，而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向，偏 振光透过相应的彩膜色层后形成单色偏振光，如果偏振光能够穿透上层偏光片， 则显示出相应的颜色；电场强度不同，液晶分子的偏转角度也不同，透过的光 强不一样，显示的亮度也不同，通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示 五颜六色的图像。
LCD装置包括彩膜基板和阵列基板，以及通过滴下方法而形成于该彩膜基 板和阵列基板之间的液晶层。阵列基板板包括多条选通线，这些选通线以固 定间隔沿第一方向布置；多条数据线，这些彩:据线以固定间隔沿垂直于第一方 向的第二方向布置；多个像素电极以矩阵结构布置在由交叉的选通线和数据线 所限定的像素区域内以及多个薄膜晶体管，这些薄膜晶体管能够提供给选通 线的数据而将信号从数据线传递给像素电极。彩膜基板包括黑色矩阵(BM: black matrix),该黑矩阵防止光从第一基板的除了像素区域外的部分发出；红绿蓝彩膜用于显示彩色光，以及公共电极,用于形成显示所需电场。在相互贴 合的玻璃基板之间有保持盒厚的间隔物。
在实际产品的制造过程中，断线不良占到了总体不良比重很大。为了提高生 产的良品率通常是对导通不良的导线进行修复。在阵列工艺过程中，通过不同 的检测设备在做完各导线层后进行开路短路方面的测量，以及时发现不良，及 时进行修复，由于在刚做完金属层进行的测量和修复，因而可以得到比较好的
导通效率和信赖性结果。上述修复方法一般为激光的切割和激光CVD (Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)。通过对局部的金属或者导电图形进行切割 可以修复部分由于残留金属或导电物造成的短路，通过对局部进行激光CVD可 以将断开的导线进行连接，以修复该断线。
上述断线修复是在金属导线层形成后，绝缘膜尚未形成前进行，激光CVD形 成的金属直接覆盖于导线表面，因而有比较好的接触特性。但是当导线表面形 成绝缘膜之后上述修复方法无法适用，并且在工程内存在着相当大的断线漏检 几率， 一旦在覆盖绝缘膜后发现存在断线，则只能依靠特殊设计及后续工艺来 对断线进行修复。针对目前在阵列侧对已经完成绝缘膜覆盖的断线进行修复的 方式简单说明如下首先找出阵列侧已经完成绝缘膜覆盖的断线发生的地方， 其次利用高能激光对断线处两侧金属上方的绝缘膜进行打击，以去除表面的绝 缘膜，漏出导电层，然后通过激光CVD在表面覆盖金属导电膜而使得原先断开 的导线导通。但是从上至下的激光打击的方法有会使导电层导电介质在高温下 容易与环境气体发生反应会在高温下容易被气化或受热不均飞溅而导致导电介 质缺失而影响接触特性等缺点。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置的断线的修复方法，该断线的 修复方法通过保护导电层与修复导电层连接，防止发生断线的导线被激光所损 坏。
为达到上述目的，本发明提供一种液晶显示装置的断线的修复方法，该液 晶显示装置包括多条相互平行的栅极线，和该些栅极线交叉排列的多条数据线， 分别通过一第一接触孔、 一第二接触孔与对应的一栅极线、 一数据线连接的一薄膜晶体管，位于第一接触孔上覆盖一保护导电层，该保护导电层与所述栅极 线接触连接，当所述栅极线发生断线时，其实质性特点在于，其对栅极线进行
修复的方法包括以下步骤通过检测设备检测出栅极线的断线发生的位置；通 过沉积设备在保护气体的保护下对栅极线断线区域进行一修复导电层的淀积。
优选地，所述修复导电层覆盖断线处直至断线处相邻两侧晶体管的第一接 触孔，该两个第一接触孔填满所述修复导电层。
优选地，所述沉积设备为激光化学气相沉积设备。
优选地，所述栅极线形成于一玻璃基板上， 一第一绝缘层覆盖该栅极线。
优选地，所述修复导电层的材料为鴒金属。 本发明的另 一技术方案是提供一种液晶显示装置的断线的修复方法，该液 晶显示装置包括多条相互平行的栅极线，和该些栅极线交叉排列的多条数据线， 分别通过一第一接触孔、 一第二接触孔与对应的一栅极线、 一数据线连接的一 薄膜晶体管，位于第二接触孔上覆盖一保护导电层，该保护导电层与所述数据 线接触连接，当所述数据线发生断线时，其实质性特点在于，其对数据线进行 修复的方法包括以下步骤通过检测设备检测出数据线的断线发生的位置；通 过沉积设备在保护气体的保护下对数据线断线区域进行一修复导电层的淀积。
优选地，所述修复导电层覆盖断线处直至断线处相邻两侧晶体管的第二接触 孔，该两个第二接触孔填满所述修复导电层。
优选地，所述沉积设备为激光化学气相沉积设备。
优选地，所述栅极线形成于一玻璃基板上， 一第一绝缘层覆盖该栅极线。
优选地，所述修复导电层的材料为鴒金属。 本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优 点和积极效果本发明的修复方法在数据线或栅极线需要进行断线修复的地 方，采用激光CVD等设备淀积修复导电层，利用该淀积的修复导电层通过接触 孔将断线部进行电气连接，从而可以将已经断线的部分重新连接起来，起到修 复作用，提高液晶显示装置产品的良率。
图1为栅极线发生断线的液晶显示装置示意6图2为沿图l中a-a'方向的剖^L图3为对栅极线断线进行修复的液晶显示装置示意图4为沿图3中b-b，方向的剖^见图5为沿图3中c-c，方向的剖i见图6为数据线发生断线的液晶显示装置示意图7为沿图6中d-d，方向的剖视图8为沿图6中e-e'方向的剖^见图。
具体实施例方式
以下将结合附图对本发明的液晶显示装置的断线的修复方法作进一 步的详 细描述。
图1为栅极线发生断线的液晶显示装置示意图；如图1所示，该液晶显示 装置包括多条相互平行的栅极线1，和栅极线1交叉排列的数据线3,由一栅极 线1和一数据线3围成的一像素电极PX，对应一像素电极PX形成的一薄膜晶体 管T (Thin Film Transistor， TFT )，该薄膜晶体管T分别通过第一接触孔9、 第二接触孔8与栅极线1、数据线3连接，薄膜晶体管T内具有一沟道部7。图 2为沿图l中a-a，方向的剖视图，由图2可以看出，栅极线1形成于一玻璃基 板12上， 一第一绝缘层13覆盖该栅极线1,该薄膜晶体管T形成于第一绝缘层 13之上， 一第二绝缘层14覆盖该薄膜晶体管T，该薄膜晶体管T通过第三接触 孔10与像素电极PX连接，数据线3与有源层11和第二接触孔8上的导电层连 接，第一接触孔9和第二接触孔8上覆盖一保护导电层5，该保护导电层5与栅 极线1接触连接。
图3为对栅极线断线进行修复的液晶显示装置示意图；图4为沿图3中b-b， 方向的剖3见图；图5为沿图3中c-c，方向的剖3见图；如图3、图4、图5所示， 当栅极线1的一处101发生断线时，可以通过以下的修复方法对断线的栅极线1 进行修复首先通过检测设备，如SIMADZU产的测试设备PS5000、 0HT产的GX-3 设备等，检测出栅极线的断线发生的位置；通过激光化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition, CVD)设备在保护气体的保护下对断线区域进行修复导电 层102的淀积， 一般该淀积修复导电层102为金属材料，并且以鴒金属最为普遍，该修复导电层102覆盖断线处直至相邻两侧晶体管T的第一接触孔9，在该 两个第一接触孔9部位填满修复导电层102使得栅极线1与该修复导电层102 相导通，从而发生断线的栅极线1跨越断线处通过修复导电层102重新导通。
图6为数据线发生断线的液晶显示装置示意图，如图6所示，该液晶显示 装置与图1显示的液晶显示装置类似，其主要不同之处在于图6显示的液晶 显示装置中数据线3在一处IOI发生断线。图7为沿图6中d-d，方向的剖^L图， 图8为沿图6中e-e，方向的剖视图，如图7、图8所示，本发明的修复方法通 过以下步骤对数据线进行修复首先通过检测设备，如SIMADZU产的测试设备 PS5000、 0HT产的GX-3设备等，检测出数据线3的断线发生的位置；通过激光 化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition, CVD)设备在保护气体的保护下 对数据线3的断线区域进行修复导电层102的淀积， 一般该淀积修复导电层102 为金属材料，并且以钨金属最为普遍，该修复导电层102覆盖断线处相邻两侧 晶体管T的第二接触孔8，在该两个第二接触孔8部位填满修复导电层102使得 数据线3与该修复导电层102相导通，从而发生断线的数据线3跨越断线处通 过修复导电层102重新导通。
本发明的修复方法在数据线或栅极线需要进行断线修复的地方，采用激光 CVD等设备淀积修复导电层，利用该淀积的修复导电层通过接触孔将断线部进行 电气连接，从而可以将已经断线的部分重新连接起来，起到修复作用，提高液 晶 显示装置产品的良率。
以上介绍的仅仅是基于本发明的较佳实施例，并不能以此来限定本发明的 范围。任何对本发明的装置或方法作本技术领域内熟知的步骤的替换、组合、 分立，以及对本发明实施步骤作本技术领域内熟知的等同改变或替换均不超出 本发明的揭露以及保护范围。
权利要求
1. 一种液晶显示装置的断线的修复方法，该液晶显示装置包括多条相互平行的栅极线，和该些栅极线交叉排列的多条数据线，分别通过一第一接触孔、一第二接触孔与对应的一栅极线、一数据线连接的一薄膜晶体管，位于第一接触孔上覆盖一保护导电层，该保护导电层与所述栅极线接触连接，当所述栅极线发生断线时，其特征在于，其对所述栅极线进行修复的方法包括以下步骤通过检测设备检测出所述栅极线的断线发生的位置；通过沉积设备在保护气体的保护下对所述栅极线断线区域进行一修复导电层的淀积。
2. 如权利要求l所述的液晶显示装置的断线的修复方法，其特征在于，所 述修复导电层覆盖断线处直至断线处相邻两侧晶体管的第一接触孔，该两个第 一接触孔填满所述^^复导电层。
3. —种液晶显示装置的断线的修复方法，该液晶显示装置包括多条相互平 行的栅极线，和该些栅极线交叉排列的多条数据线，分别通过一第一接触孔、 一第二接触孔与对应的一栅极线、 一数据线连接的一薄膜晶体管，位于第二接 触孔上覆盖一保护导电层，该保护导电层与所述数据线接触连接，当所述数据 线发生断线时，其特征在于，其对数据线进行修复的方法包括以下步骤通过检测设备检测出所述数据线的断线发生的位置；层的淀积。
4. 如权利要求3所述的液晶显示装置的断线的修复方法，其特征在于，所 述修复导电层覆盖断线处直至断线处相邻两側晶体管的第二接触孔，该两个第 二接触孔填满所述修复导电层。
5. 如权利要求1或3所述的液晶显示装置的断线的修复方法，其特征在于， 所述沉积设备为激光化学气相沉积设备。
6. 如权利要求1或3所述的液晶显示装置的断线的修复方法，其特征在于， 所述栅极线形成于一玻璃基板上， 一第一绝缘层覆盖该栅极线。
7. 如权利要求1或3所述的液晶显示装置的断线的修复方法，其特征在于，所述修复导电层的材料为鸽金属。
全文摘要
本发明涉及一种液晶显示装置的断线的修复方法，该液晶显示装置包括多条相互平行的栅极线，和该些栅极线交叉排列的多条数据线，分别通过一第一接触孔、一第二接触孔与对应的一栅极线、一数据线连接的一薄膜晶体管，位于第一接触孔上覆盖一保护导电层，该保护导电层与所述栅极线接触连接，当所述栅极线发生断线时，其中，其包括以下步骤通过检测设备检测出栅极线的断线发生的位置，然后通过沉积设备在保护气体的保护下对栅极线断线区域进行一修复导电层的淀积。本发明的修复方法采用激光CVD等设备淀积修复导电层，利用该淀积的修复导电层通过接触孔将断线部进行电气连接，从而提高液晶显示装置产品的良率。
文档编号G02F1/13GK101441373SQ20071017094
公开日2009年5月27日 申请日期2007年11月23日 优先权日2007年11月23日
发明者锋 秦 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司