阵列基板和具有其的显示设备的制作方法

专利名称：阵列基板和具有其的显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及阵列基板和具有该阵列基板的显示设备，更具体而言涉及能 够提高开口率的阵列基板。
背景技术：
显示设备包括多个像素，以显示图像。液晶显示设备包括其上形成有对 应于像素的像素区域的阵列基板以及与阵列基板耦合的对立基板。像素区域可以由设置于阵列基板上的信号线界定。对立基板装备有设置 于其上的光阻挡构件，以阻挡从像素之间通过的光。为了增大光通过每一像 素的面积，可以减小光阻挡构件的尺寸。不过，由于在将阵列基板与对立基 板耦合时阵列基板和对立基板之间发生失准，光阻挡构件可能会具有足以防 止漏光的尺寸。于是，需要技术来提高像素开口率并防止阵列基板和对立基板之间的失准。发明内容本发明的实施例提供了一种能够提高开口率并防止其失准的阵列基板 以及具有该阵列基板的显示设备。在本发明的示范性实施例中，阵列基板包括栅极线、数据线、薄膜晶体 管、像素电极、存储线和浮置电极。所述栅极线设置于基板上。所述数据线与所述栅极线绝缘并与之交叉。 多个像素区域相对于栅极线包括第 一子区域和第二子区域。所述薄膜晶体管 形成于每个所述像素区域中。所述像素电极形成于所述薄膜晶体管上并电连 接到所述薄膜晶体管。所述存储线形成于所述基板上并位于每一所述像素区 域的第一边界，同时与所述栅极线隔开。所述浮置电极形成于所述基板上并 位于每一所述像素区域的第二边界，同时与所述栅极线和所述存储线隔开。在本发明的示范性实施例中，显示设备包括第一基板、多个像素区域、薄膜晶体管、像素电极、存储线、浮置电极和第二基板。所述第 一基板包括栅极线和多个与所述栅极线绝缘并与之相交的数据 线。所述像素区域相对于栅极线包括第一子区域和第二子区域。所述薄膜晶 体管形成于每个所述像素区域中。所述像素电极形成于所述薄膜晶体管上并 电连接到所述薄膜晶体管。所述存储线形成于所述第一基板上并位于每一所 述像素区域的第一边界，同时与所述栅极线隔开。所述浮置电极形成于所述 第一基板上并位于每一所述像素区域的第二边界，同时与所述栅极线和所述 存储线隔开。所述第一基板与所述第二基板耦合。根据上述内容，该阵列基板和显示设备可以防止光阻挡构件和像素区域 之间失准并提高像素区域的开口率，由此实现高质量图像。


可以结合附图通过以下说明更详细地理解本发明的示范性实施例，附图中图1为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图； 图2为示出了图1的像素的等效电路图； 图3为示出了图1的光阻挡构件的平面图； 图4A为沿图1的线I-I'截取的截面图； 图4B为沿图1的线II-n'截取的截面图；图5为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图； 图6为示出了图5的像素的等效电路图； 图7为示出了图5的光阻挡构件的平面图； 图8为沿图5的线III-in'截if又的截面图；图9为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图； 图10为图9的"A，，部分的放大图；以及 图11为沿图9的线IV-IV'截取的截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实 施例。应当理解，当称诸如层、膜、区域或基板的元件在另一元件"上"时， 它可以直接位于另一元件上，或者也可以存在中间元件。图1为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图。 参考图1，液晶显示设备包括其上形成有多个像素区域PA的第一基板100、与第一基板100相对的第二基板200以及设置在第一和第二基板100 和200之间的液晶层(如图4A所示)。第一和第二基板100和200可以彼此 面对。第一基板100包括彼此隔开预定距离的多个像素电极170，第二基板 200包括形成于其上的公共电极240。根据施加到第一和第二像素电极171 和172上的电压极性，将每个像素电极170分成第一像素电极171和第二像 素电极172。将每个像素区域PA分成其中形成第一像素电极171的第一像 素区域PA1和其中形成第二像素电极172的第二像素区域PA2。第一基板100包括各种导电图案，例如栅极线130、存储线131和132、 浮置电极136和137以及数据线150。栅极线130沿行方向延伸，将像素区域PA分成两部分。存储线131和 132包括第一存储线131和第二存储线132,其间为栅极线130。第一存储线 131包括干线(mainline)131a和副线(subline)131b。第二存储线132包括干线 132a和副线132b。干线131a和132a基本平行于栅极线130延伸,副线131b 和132b分别从干线131a和132a分支出来并垂直于干线131a和132a延伸。相对于栅极线130,第一浮置电极136形成于其中形成有第一存储线131 的区域中，第二浮置电极137形成于其中形成有第二存储线132的区域中。 第一和第二浮置电极136和137基本平行于副线131b和132b。沿着栅极线130交替地形成第一存储线131的副线131b和第一浮置电 极136。沿着栅极线130交替地形成第二存储线132的副线132b和第二浮置 电极137。第一存储线131的副线131b和第二浮置电极137相对于栅极线 130对称地设置。第二存储线132的副线132b和第一浮置电极136相对于栅 极线130对称地设置。数据线150沿基本垂直于栅极线130的方向延伸。数据线150与副线 131b和132b、第一浮置电极136和第二浮置电极137部分重叠。图2为示出了图1的像素的等效电路图。参考图2，多条栅极线130沿行方向延伸，第一和第二存储线131和132, 多条数据线150沿列方向延伸。像素被分成形成于第一像素区域PA1中的第一组PG1和形成于第二像 素区域PA2中的第二组PG2。沿着行和列方向交替设置第一组PG1的像素和第二组PG2的像素。换言之，第i行中所包括的奇数编号的像素属于第一 组PG1，第i行中所包括的偶数编号的像素属于第二组PG2。反之，第i+l 行中所包括的偶数编号的像素属于第一组PG1，第i+l行中所包括的奇数编 号的像素属于第二组PG2。第 一组PG1中的每个像素包括第 一薄膜晶体管Tl 、第一液晶电容器Clcl 和第一存储电容器Cstl。第一薄膜晶体管Tl包括连接至栅极线130中的对 应栅极线的对册电极130g、连接至数据线150中的对应数据线的源电极150s 和连接至第一液晶电容器Clcl的漏电极150d。第一液晶电容器Clcl包括连接至漏电极150d的第一像素电极171、公 共电极240和设置在第一像素电极171和公共电极240之间的液晶层。第一存储电容器Cstl连接到第一液晶电容器Clcl。第一存储电容器Cstl 由形成于第一基板100上的有源层110 (在图4B中示出)、第一存储线131 和设置于有源层110和第一存储线131之间的绝缘层120 (图4B中示出) 形成。第二组PG2中的每个像素包括第二薄膜晶体管T2、第二液晶电容器Clc2 和第二存储电容器Cst2。第二薄膜晶体管T2包括连接至栅极线130的栅电 极130g、连接至数据线150的源电极150s和连接至第二液晶电容器Clc2的 漏电才及150d。第二液晶电容器Clc2包括连接至漏电极150d的第二像素电极172、公 共电极240和设置在第二像素电极172和公共电极240之间的液晶层。第二存储电容器Cst2连接到第二液晶电容器Clc2。第二存储电容器Cst2 由形成于第一基板IOO上的有源层、第二存储线132和设置于有源层和第二 存储线132之间的绝缘层形成。当第一和第二晶体管Tl和T2响应于从栅极线130施加的栅极电压而被 导通时，数据电压被施加到像素电极170,公共电压被施加到公共电极240, 从而因为数据电压和公共电压之间的电位差在像素电极170和公共电极240 之间形成电场。液晶层的液晶分子根据电场沿各种方向排列。液晶分子具有 各向异性折射率并依据其配向方向而具有各种光透射率。于是，液晶显示设 备利用电场控制液晶分子的配向方向，以对应于光透射率显示图像。在液晶显示器工作期间，施加到像素电极170的数据电压的极性在每一 帧相对于公共电压反转。当液晶分子沿一个特定方向排列时，液晶分子可能被劣化。每帧数据电压极性反转称为反转驱动方法。作为反转驱动方法，可以采用帧反转方法、线反转方法和点反转方法。 帧反转方法在每一 帧相对于直流型公共电压反转数据电压的极性，线反转方 法在每条线或至少两条线相对于交流型公共电压反转数据电压的极性，而点 反转方法在每个像素反转数据电压的极性。在示范性实施例中，当液晶显示设备采用点反转方法时，第一组PG1中的像素所接收的数据电压的极性不同于施加到第二组PG2中的像素的数 据电压的极性。更具体而言，当在预定帧期间将正极性(+)的数据电压施加到 第一组PG1中的像素时，在该预定帧期间将负极性(-)的数据电压施加到 第二组PG2中的像素。反之，当在下一帧期间将负极性(-)的数据电压施 加到第一组PG1中的像素时，将正极性(+)的数据电压施加到第二组PG2中 的像素。点反转方法可以适于防止抖动现象，即只要帧变化的时候屏幕就会 抖动的现象。在液晶显示器工作期间，将对应于第一和第二存储电容器Cstl和Cst2 的每个的交流电压施加到第一和第二存储线131和132。当交流电压从低电 平变到高电平时，由第一存储电容器Cstl升高第一液晶电容器Clcl中的充 电电压。于是，第一存储电容器Cstl可以提高第一液晶电容器Clcl的电荷 保持时间。当交流电压从低电平变到高电平时，由第二存储电容器Cst2升 高第二液晶电容器Clc2中的充电电压。因此，第二存储电容器Cst2可以提 高第二液晶电容器Clc2的电荷保持时间。在操作液晶显示器时，液晶分子可能会在像素之间不正常地配向。于是， 在像素之间形成光阻挡构件,使得光不会通过不正常配向的液晶分子。每一 像素的开口率取决于形成于像素间的光阻挡构件尺寸。图3为示出了图1的光阻挡构件的平面图。参考图3,第一和第二存储线131和132、及第一和第二浮置电极136 和137充当光阻挡构件。在矩形第一像素区域PA1中，相对于栅极线130 将第一存储线131的干线131a设置在第一像素区域PAl的上边缘，其对应 于栅极线130的行方向。第一存储线131的副线131b和第一浮置电极136 位于第一像素区域PA1的两上-侧边缘，其对应于垂直于栅极线130的行方 向的列方向。相对于栅极线130将第二存储线132的干线132a设置在第一 像素区域PA1的下边缘，其对应于^fr极线130的行方向。第二存储线132的副线132b和第二浮置电极137位于第一像素区域PA1的两下-侧边缘，其 对应于垂直于栅极线130的行方向的列方向。在第二像素区域PA2中，分别相对于栅极线130将第一和第二存储线 131和132的干线131a和132a设置在第二像素区域PA2的上和下边缘，其 对应于栅极线130的行方向。副线131b和第一浮置电极136位于第二像素 区域PA2的上-侧边缘，副线132b和第二浮置电极137位于第二像素区域PA2 的下-侧边缘。在示范性实施例中，第二像素区域PA2中的第一存储线131 的副线131b、第二存储线132的副线132b、第一浮置电极136和第二浮置 电极137设置得与第一像素区域PA1中相反。第一和第二存储线131和132、第一和第二浮置电极136和137包括具 有不透明属性的导电材料。导电材料可以包括金属，例如铬、铜、铝、钼或 其合金。由于第一和第二存储线131和132以及第一和第二浮置电极136和 137具有不透明属性，因此可以将第一和第二存储线131和D2及第一和第 二浮置电极136和137用作光阻挡构件。第一和第二存储线131和132、以及第一和第二浮置电极136和137形 成于其上形成有像素区域PA的第一基板100上。当光阻挡构件位于像素区 域PA之间时，与在第二基板200上形成光阻挡构件相比可以防止不对准。 由于可以防止失准，因此可以减小光阻挡构件的尺寸，由此提高液晶显示器 的开口率。图4A为沿图1的线I-r截取的截面图，以及图4B为沿图1的线n-n'截取的截面图。参考图4A，液晶显示设备包括第一基板100、第二基板200和设置于第 一和第二基板100和200之间的液晶层300。在示范性实施例中，有源层IIO形成于第一基板IOO上。通过对多晶硅 层构图形成有源层IIO。可以直接向第一基板IOO上淀积多晶硅层，或者可 以在向第一基板IOO上淀积非晶硅之后通过晶化非晶硅形成多晶硅层。有源 层110包括其中注入了杂质的源极区110s和漏极区110d。有源层110由栅极绝缘层120覆盖。可以利用等离子体增强化学气相淀积方法在第一基板100上形成栅极绝缘层120。栅电极130g形成于栅极绝缘层120上并对应于源极区和漏极区110s和110d之间。栅电极130g被形成于第一基板100上的第一绝缘间层140覆盖。连接至源极区110s的源电极150s和连接至漏极区110d的漏电极150d形成于第一绝缘间层140上。第一 薄膜晶体管Tl (或第二薄膜晶体管T2)包括源电极150s、漏电极150d和 栅电极130g。如上所述，第一薄膜晶体管Tl具有顶栅极结构，其中栅电极130g位于 有源层110上方。不过，第一薄膜晶体管Tl不限于顶栅极结构，可以应用 到栅电极130g位于有源层110下方的底^f册极结构。第一薄膜晶体管Tl被第二绝缘间层160覆盖。第一像素电极171 (或 第二像素电极)形成于第二绝缘间层160上。通过对诸如氧化铟锡或氧化铟 锌的透明导电层构图形成第一像素电极171。第一像素电极171通过接触孔 161电连接到第一薄膜晶体管Tl的漏电极150d。参考图4B,在第一基板100上对应于像素区域PA之间形成第一存储电 容器Cstl (或第二存储电容器Cst2)。第一存储电容器Cstl由有源层110、 第一存储线131和栅极绝缘层120形成。第一浮置电极136 (或第二浮置电 极137)形成于栅极绝缘层120上，与第一存储线131的副线131b隔开。栅 极绝缘层120设置在第一浮置电极136和第一基板100之间。在形成了第一 存储电容器Cstl和第一浮置电极136的第一基板100上依次形成第一绝缘 间层140、数据线150和第二绝缘间层160。在第二绝缘间层160上根据像 素区域PA交替地形成第 一和第二像素电极171和172 。由于根据点反转方法，第一和第二像素电极171和172接收具有彼此不 同极性的数据电压，因此在第一和第二像素电极171和172之间形成电场。 电场扭曲液晶层300的液晶分子的排列，由此劣化了第一和第二像素电极 171和172之间区域中的显示质量。因此，为了阻挡光通过采用点反转驱动 方法的液晶显示器的第一和第二像素电极171和172之间的区域，被用作光 阻挡构件的第一和第二存储线131和132以及第一和第二浮置电极136和 137需要具有足以阻挡光的尺寸。在示范性实施例中，采用线反转驱动方法 的液晶显示器的光阻挡构件可以具有大约7微米到大约8微米范围内的宽 度，优选大约为7.5微米。在示范性实施例中，采用点反转驱动方法的液晶 显示器中的光阻挡构件具有大约9微米到大约IO微米范围内的宽度，优选 大约为9.5微米。于是，被用作采用点反转驱动方法的液晶显示器的光阻挡构件的副线 131b和132b以及第一和第二浮置电极136和137具有大约9.5微米的宽度。点反转驱动方法下光阻挡构件的宽度比线反转驱动方法下光阻挡构件的宽度大2微米左右，从而像素区域PA的开口率可以减少大约2微米。根据副线131b和132b宽度的增加，可增大第一和第二存储电容器Cstl 和Cst2的电容。于是，可以延长第一和第二液晶电容器Clcl和Clc2的充电 时间。图5为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图。在 图5中，相同的附图标记表示与图1中相同的元件，因此将省略对相同元件 的具体描述。参考图5,液晶显示设备包括第一基板100和面对第一基板100的第二 基板200。第一基板100包括多个像素区域PA。像素电极170形成于像素区 域PA中。根据施加到其上的电压极性，将每个像素电极170分成第一像素 电极171和第二像素电极172。将每个像素区域PA分成其中形成第一像素 电极171的第一像素区域PA1和其中形成第二像素电极172的第二像素区域 PA2。交替设置三个第一像素区域PA1和三个第二像素区域PA2。第一基板100包括栅极线130、存储线131和132以及浮置电极136和 137。栅极线130横跨像素区域PA。存储线131和132包括第一存储线131 和第二存储线132。第一存储线131包括干线131a和副线131b,第二存储 线132包括干线132a和副线132b。浮置电极136和137基本平行于副线131b 和132b。类似于第一和第二像素区域PA1和PA2，交替设置第一存储线131 的三个副线131b和三个第一浮置电极136,也交替地设置第二存储线132 的三个副线132b和三个第二浮置电极137。第一存储线131的副线131b和 第二浮置电极137相对于栅极线130对称地设置，并且第二存储线132的副 线132b和第一浮置电极136相对于栅极线130对称地设置。数据线150沿相对于栅极线130垂直的方向延伸。数据线150与副线 131b和132b、第一和第二浮置电极136和137部分地重叠。图6为图5的像素的等效电路图。参考图6,将像素分成形成于第一像素区域PA1中的第一组PG1和形成 于第二像素区域PA2的第二组PG2。交替地设置第一组PG1中的三个像素 和第二组PG2中的三个像素。第一组PGl中的每个像素包括第一薄膜晶体管Tl、第一液晶电容器Clcl 和第一存储电容器Cstl。第二组PG2中的每个像素包括第二薄膜晶体管T2、第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2。液晶显示器操作时，第一组PG1中的像素接收的数据电压的极性不同于 施加到第二组PG2中的像素的数据电压极性。换言之，对液晶显示器施加点 反转驱动方法，其中，沿着行方向每三个像素反转施加到像素电极170的数 据电压极性，从而可以防止抖动现象。液晶显示器可以包括光阻挡构件，以 阻挡通过像素区域PA之间的不正常配向的液晶分子的光。图7为示出了图5的光阻挡构件的平面图。参考图7，第一存储线131、第二存储线132、第一浮置电极136和第二 浮置电极137充当光阻挡构件。干线131a和132a分别设置在第一像素区域 PA1的上下边缘。在三个相继的第一像素区域PA1中，第一像素区域PA1 的两个像素区域具有左右对称性，第一像素区域PA1的一个像素区域具有左 右不对称性。第一存储线131的副线131b相对于栅极线130位于所述两个 像素区域PA1的所述两上-侧边缘，第二浮置电极137相对于栅极线130位 于第一像素区域PA1的所述两个像素区域的两下-侧边缘。第一存储线131 的副线131b位于左右不对称的第一像素区域PAl的所述一个像素区域的左 上-侧边缘，第二浮置电极137位于左右不对称的第一像素区域PA1的所述 一个像素区域的左下-侧边缘。第一浮置电极136位于左右不对称的第一像 素区域PA1的所述一个像素区域的右上-侧边缘，第二存储线132的副线132b 位于左右不对称的第一像素区域PA1的所述一个像素区域的右下-侧边缘。在三个相继的第二像素区域PA2中，干线131a和132a分别位于第二像 素区域PA2的上下边缘。在三个相继的第二像素区域PA2中，第二像素区 域PA2的两个像素区域具有左右对称性，第二像素区域PA2的一个像素区 域具有左右不对称性。换言之，浮置电极136相对于栅极线130位于左右对 称的第二像素区域PA2的两个像素区域的两上-侧边缘，第二存储线132的 副线132b位于第二像素区域PA2的两个像素区域的两下-侧边缘。第一浮置 电极136位于左右不对称的第二像素区域PA2的一个像素区域的左上-侧边 缘，第二存储线132的副线132b位于左右不对称的第二像素区域PA2的一 个像素区域的左下-侧边缘。第一存储线131的副线131b位于左右不对称的 第二像素区域PA2的一个像素区域的右上-侧边缘，第二浮置电极137位于 左右不对称的第二像素区域PA2的 一个像素区域的右下-侧边缘。图8为沿图5的线m-m'截取的截面图。参考图8,有源层110、栅极绝缘层120、第一存储线131的副线131b、 第一浮置电极136、第一绝缘间层140、数据线150、第二绝缘间层160、第 一像素电极171和第二像素电极172形成于第一基板100上。黑矩阵210、滤色器220、平坦化层230和公共电极240形成于第二基 板200上。对应于像素区域PA之间形成黑矩阵210。黑矩阵210可以包括 例如金属或有机材料，以支援形成于第一基板IOO上的光阻挡构件。当光阻 挡构件足以阻挡光时，可以从第二基板200去除黑矩阵210。滤色器220可以包括例如沿像素区域PA交替设置的红色、绿色和蓝色 滤色器，以显示彩色图像。形成于像素区域PA之间的黑矩阵210防止红色、 绿色和蓝色滤色器导致红、绿和蓝色混合。平坦化层230使第二基板200的表面平坦化，以防止黑矩阵210和滤色 器220之间的台阶差，而公共电极240形成于平坦化层230上。在图1到图8中，已经描述了采用lxl点反转或3xl点反转驱动方法的 液晶显示器的光阻挡构件作为本发明的示范性实施例。不过，可以将光阻挡 构件应用于采用超过3xl点反转驱动方法的液晶显示器。图9为示出了根据本发明的示范性实施例的液晶显示设备的平面图。在 图9中，相同的附图标记表示与图l和5中相同的元件，因此将省略对相同 元件的具体描述。参考图9，液晶显示设备包括第一基板IOO和与第一基板IOO相对设置 的第二基板200。第一基板IOO包括多个区域PA。像素电极170形成于像素 区域PA中。根据施加到其上的电压极性，将每个像素电极170分成第一像 素电极171和第二像素电极172。将每个像素区域PA分成其中形成第一像 素电极171的第一像素区域PA1和其中形成第二像素电极172的第二像素区 域PA2。交替地设置三个第一像素区域PA1和三个第二像素区域PA2,并且 液晶显示器采用3xl点反转驱动方法。第一基板100包括栅极线130、第一和第二存储线131和132、第一和 第二浮置电极136和137以及数据线150。图10为图9的"A"部分的放大图。参考图10，数据线150可以具有不均匀的宽度。数据线150具有第一宽 度Wl且沿着垂直于栅极线130的方向延伸。在^J极线130和第一浮置电极 136彼此相邻的区域中，数据线150的第一宽度Wl扩展到第二宽度W2。第一宽度W1比第一浮置电极136的宽度窄，而第二宽度W2基本对应于第 一浮置电极136的宽度。在数据线150具有第二宽度W2的区域中栅极线130和第一浮置电极 136彼此间隔开，使得栅极线130和第一浮置电极136不会彼此电短接。由 于在栅极线130和第一浮置电极136彼此隔开的区域中数据线150具有比第 一宽度Wl宽的第二宽度W2，因此数据线150可以防止通过栅极线130和 第一浮置电极136之间的区域漏光。可以扩展数据线150的宽度以阻挡光通过栅极线130和第二浮置电极 137之间的区域、栅极线130和副线131b和132b之间的区域、第一存储线 的干线131a和第一浮置电极136之间的区域以及第二存储线的干线132a和 第二浮置电极137之间的区域。虽然数据线150的宽度未扩展，但对应于像素区域PA之间形成于第二 基板200上的黑矩阵210 (图11中示出)可以防止漏光。图11为沿图9的线IV-IV'截取的截面图。参考图11,栅极绝缘层120形成于第一基板IOO上，第一浮置电极136 形成于栅极绝缘层120上。第一浮置电极136与相邻的第一浮置电极隔开， 其间为像素区域PA。在形成了第一浮置电极136的第一基板100上依次形 成第一绝缘间层140、数据线150、第二绝缘间层160、第一像素电极171 和第二像素电极172。第二基板200包括黑矩阵210、滤色器220、平坦化层230和公共电极 240。液晶层300设置在第一和第二基板100和200之间。第一浮置电极136具有随其在栅极绝缘层120上的位置而不均匀的宽 度。如图ll所示，当把第一浮置电极136分成左第一浮置电极1361和右第 一浮置电极136r时，左第一浮置电极1361具有第三宽度W3,右第一浮置 电极136r具有比第三宽度W3窄的第四宽度W4。参考图9,左第一浮置电极1361位于第一像素区域PA1和第二像素区域 PA2之间，右第一浮置电极136r位于第二像素区域PA2之间。利用点反转驱动方法，与第一像素区域PA1之间或第二像素区域PA2 之间形成的电场相比，在第一和第二像素区域PA1和PA2之间形成了强电 场，因为第一和第二像素电极171和172分别接收不同极性的数据电压。由 于电场的作用，会在第一和第二像素区域PA1和PA2之间不正常配向大部分液晶分子，从而左第一浮置电极136具有足以阻挡光通过不正常配向液晶分子的宽度。不过，在第二像素区域PA2之间(或第一像素区域PA1之间) 形成了比强电场弱的电场，因为第二像素电极172接收具有相同极性的数据 电压。因此，在第二像素区域PA2之间(或第一像素区域PA2之间)没有 这么多的不正常配向的液晶分子，从而右第一浮置电极136r具有比第三宽 度W3窄的第四宽度W4是足够的。在示范性实施例中，第三宽度W3在大 约9微米到大约10微米的范围内，优选约为9.5微米。第四宽度在大约7 微米到大约8微米的范围内，优选大约为7.5微米。虽然在图11中未示出，当第二浮置电极137、第一存储线的副线131b 和第二存储线的副线132b位于第一和第二像素区域PAl和PA2之间时，它 们中的每个都具有第三宽度W3。当第二浮置电极137、第一存储线的副线 131 b和第二存储线的副线132b位于第 一像素区域PA1之间或第二像素区域 PA2之间时，它们中的每个都具有第四宽度W4。如上所述，由于位于第一像素区域PA1之间或第二像素区域PA2之间 的光阻挡构件的宽度减小了 ，因此可以将液晶显示器的开口率增大光阻挡构 件减小的宽度。根据上述内容，该阵列基板和显示设备可以防止光阻挡构件和像素区域 之间失准并提高像素区域的开口率，由此实现高质量图像。虽然已经参考附图在此描述了本发明的示范性实施例，应当理解，本发 明不限于这些示范性实施例，本领域的普通技术人员可以在其中作出各种其 他的变化和修改而不脱离本发明的范围或精神。所有这些变化和修改都将包 括在如所附权利要求所定义的本发明的范围内。本申请要求享有2007年1月30日提交的韩国专利申请No.2007-09496 的优选权，在此全文引入其内容以做参考。
权利要求
1.一种阵列基板，包括形成于基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘的多条数据线；薄膜晶体管，形成于包括第一子区域和第二子区域的像素区域中；形成于所述薄膜晶体管上的像素电极，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；形成于所述基板上的存储线，所述存储线与所述栅极线隔开并位于所述像素区域的第一边界；以及形成于所述基板上的浮置电极，其中所述浮置电极与所述栅极线和所述存储线隔开，并位于所述像素区域的第二边界。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所迷存储线包括第一和第二 存储线，每一所述存储线均具有基本平行于所述栅极线的干线以及从所述干 线分支出来并位于所述第一和第二子区域的边界处的副线，所述浮置电极包 括基本平行于所述副线且位于所述第一和第二子区域的边界处的第一和第 二浮置电极，所述第 一存储线的副线和所述第二浮置电极关于所述栅极线对 称设置，且所述第二存储线的副线和所述第一浮置电极关于所述栅极线对称 设置。
3. —种显示设备，包括第一基板，包括栅极线和多条与所述栅极线绝缘的数据线； 薄膜晶体管，形成于具有第 一子区域和第二子区域的像素区域中； 形成于所述薄膜晶体管上的像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶 体管；与所述栅极线隔开的存储线，其中所述存储线位于所述像素区域的第一 边界；与所述栅极线和所述存储线隔开的浮置电极，所述浮置电极位于所述像 素区域的第二边界；以及与所述第 一基板耦合的第二基板。
4. 根据权利要求3所述的显示设备，其中所迷存储线包括第一和第二出来并位于所述第 一和第二子区域的边界处的副线，所述浮置电极包括基本 平行于所述副线且位于所述第一和第二子区域的边界处的第一和第二浮置 电极，所述第 一存储线的副线位于关于所述栅极线对应于所述第二浮置电极 的区域中，且所述第二存储线的副线位于关于所述栅极线对应于所述第 一浮 置电极的区域中。
5. 根据权利要求4所述的显示设备，其中所述第一和第二浮置电极垂 直于所述栅极线，所述第一存储线的副线和所述第二浮置电极关于所述栅极 线对称设置，且所述第二存储线的副线和所述第一浮置电极关于所述栅极线 对称设置。
6. 根据权利要求5所述的显示设备，其中所述像素区域包括第一组和 第二组，所述第一和第二组沿所述栅极线交替设置，并且所述像素电极包括形成于所述第一组的像素区域中的第一像素电极；以及 形成于所述第二组的像素区域中的第二像素电极，向所述第二像素电极 施加的数据电压的极性与施加到所述第一像素电极的数据电压极性相反。
7. 根据权利要求6所述的显示设备，其中所述数据线沿所述像素区域 的第一边界或第二边界在垂直于所述栅极线的方向延伸，并包括对应于所述 第 一组的像素区域的第 一数据线和对应于所述第二组的像素区域的第二数 据线。
8. 根据权利要求7所述的显示设备，其中所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管，其包括从所述栅极线分支出来并位于所述第一子区域 中的第一栅电极、从所述第一数据线分支出来并与所述第一栅电极部分重叠 的第一源电极以及与所述第一源电极隔开并电连接到所述第一像素电极的 第一漏电极；以及第二薄膜晶体管，其包括从所述栅极线分支出来并位于所述第二子区域 中的第二栅电极、从所述第二数据线分支出来并与所述第二栅电极部分重叠 的第二源电极以及与所述第二源电极隔开并电连接到所述第二像素电极的 第二漏电极。
9. 根据权利要求8所述的显示设备，还包括设置在所述第 一基板和所述第 一栅电极之间以及所述第 一基板和所述 第一存储线之间的第一有源层；以及设置在所述第 一基板和所述第二栅电极之间以及所述第 一基板和所述 第二存储线之间的第二有源层。
10. 根据权利要求9所述的显示设备，其中所述第一有源层包括掺有杂 质且分别对应于所述第一源电极和所述第一漏电极的第一源极区和第一漏 极区，所述第二有源层包括掺有所述杂质且分别对应于所述第二源电极和所 述第二漏电极的第二源极区和第二漏极区。
11. 根据权利要求9所述的显示设备，还包括由所述第一有源层和与所述第一有源层交叠的所述第一存储线形成的 第一存储电极；以及由所述第二有源层和与所述第二有源层交叠的所述第二存储线形成的第二存储电极。
12. 根据权利要求6所述的显示设备，其中所述第一组的像素区域和所 述第二组的像素区域通过一个像素交替地形成。
13. 根据权利要求12所述的显示设备，其中所述副线包括与所述第一 和第二浮置电极的宽度相同的宽度。
14. 根据权利要求13所述的显示设备，其中所述宽度在大约9微米到 大约IO微米的范围内。
15. 根据权利要求6所述的显示设备，其中所述第一组的像素区域和所 述第二组的像素区域通过至少两个像素交替地形成。
16. 根据权利要求15所述的显示设备，其中形成于所述第一组的像素 区域和所述第二组的像素区域之间的所述副线、所述第一浮置电极和所述第 二浮置电极具有第一宽度，形成于所述第一组的像素区域之间和所述第二组 的像素区域之间的所述副线、所述第一浮置电极和所述第二浮置电极具有小 于所述第一宽度的第二宽度。
17. 根据权利要求16所述的显示设备，其中所述第一宽度在大约9微 米到大约IO微米的范围内，所述第二宽度在大约7微米到大约8微米的范 围内。
18. 根据权利要求4所述的显示设备，其中所述第一和第二存储线、所 述第 一和第二浮置电极和所述数据线包括阻挡光的导电材料。
19. 根据权利要求18所述的显示设备，其中所述数据线包括第一宽度 从而与所述副线、所述第一浮置电极和所述第二浮置电极交叠，并在如下区域中的至少一个区域中具有大于所述第一宽度的第二宽度所述栅极线和所 述副线之间的分隔区域、所述栅极线和所述第一或第二浮置电极之间的分隔 区域以及所述干线和所述第 一或第二浮置电极之间的分隔区域。 20.根据权利要求3所述的显示设备，还包括形成于所述第二基板上的滤色器，所述滤色器对应于所述像素区域；以及形成于所述滤色器上的公共电极。
全文摘要
本发明提供一种阵列基板，包括形成于基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘的多条数据线；包括第一子区域和第二子区域的像素区域；形成于所述像素区域中的薄膜晶体管；形成于所述薄膜晶体管上的像素电极，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；形成于所述基板上的存储线，所述存储线与所述栅极线隔开并位于每一所述像素区域的第一边界；以及形成于所述基板上的浮置电极，所述浮置电极与所述栅极线和所述存储线隔开，并位于所述像素区域的第二边界。
文档编号G02F1/136GK101236974SQ20081000887
公开日2008年8月6日 申请日期2008年1月30日 优先权日2007年1月30日
发明者张暎珠, 李素贤, 金一坤 申请人:三星电子株式会社