专利名称：具有不同基板厚度差的显示面板制造方法
技术领域：
本发明有关于一种显示面板制造方法；具体而言，本发明有关于一种具 有不同基板厚度差的显示面板制造方法。
背景技术：
随着薄型显示器需求量的提升，显示面板薄型化的技术开发在近年来日 益重要。显示面板薄型化的技术包含有以物理方式的研磨方法与以化学方式 的蚀刻方法。对于化学蚀刻方法而言，其技术成熟度也日趋成熟。以有机发 光二极管显示面板为例，显示面板的厚度及其相对厚度差往往是评价整体品 质的一大考虑。因此目前在此一领域中，如何有效及弹性地调整显示面板的 厚度及其相对厚度差异，已成为工程师们积极研发的目标。目前，以化学蚀刻方法而言，显示面板的两个外表面是同时进行化学蚀 刻，因此显示面板的第一基板与第二基板的厚度差是无法在化学蚀刻步骤进 行调整，必须借助物理研磨方法来调整基板厚度差。然而在显示面板制造过 程加入物理研磨方法不只会增加成本对于制造工艺的规划也增加不确定性， 甚至物理研磨方法常造成基板刮痕。因此，如何通过化学蚀刻方法制造出基 板厚度差的显示面板即成为目前研发的方向。发明内容本发明的目的在于提供一种显示面板制造方法，能弹性地生产不同基板 厚度差的显示面板。本发明的显示面板制造方法步骤包含组立第一基板与第二基板；设置 抗蚀刻层于第一基板的外表面；以及在第一基板的抗蚀刻层与第二基板的外 表面进行第一蚀刻。如上所述的显示面板制造方法，其中附着该抗蚀刻层的方法包含选自气 相沉积法、贴附法、涂布法、喷洒法其中之一。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层的材质选自含蜡材质与 氮硅化合物其中之一。如上所述的显示面板制造方法，其中该第一基板与该第二基板间具有零 以上的初始厚度差，并在该第一蚀刻后使该第一基板与该第二基板间具有第 一厚度差，其中该第一厚度差相异于该初始厚度差。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤包含决定该抗 蚀刻层的厚度以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗刻蚀层相对该第一基板与该第 二基板具有蚀刻速率比值，该抗蚀刻层设置步骤包含决定该抗蚀刻层的材质 以调整该蚀刻速率，以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。如上所述的显示面板制造方法，其中该蚀刻速率范围在0.5pm/min至 20jim/min之间。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤包含化学性 或物理性附着方式将可移除的膜层附着于该第一基板与该第二基板的至少 一个外表面；以及形成该抗蚀刻层于该可移除的膜层上；其中，在该第一蚀 刻后移除该可移除的膜层。如上所述的显示面板制造方法，其中该可移除的膜层附着步骤包含以静 电力方式将该可移除的膜层附着于该第一基板与该第二基板的至少一个外 表面。如上所述的显示面板制造方法，进一步包含在该抗蚀刻层设置步骤前在 该第一基板与该第二基板的外表面进行初始蚀刻。如上所述的显示面板制造方法，进一步包含在该第一蚀刻步骤后在该第 一基板与该第二基板的外表面进行第二蚀刻。如上所述的显示面板制造方法，其中该初始蚀刻、该第一蚀刻与该第二 蚀刻包含以氟化物进行化学蚀刻。如上所述的显示面板制造方法，其中该组立步骤进一步包含密封该第一 基板与该第二基板的侧边间隙。本发明还提供一种显示面板制造方法，包含下列步骤组立第一基板与 第二基板，其中该第一基板与该第二基板间具有零以上的初始厚度差；设置 抗蚀刻层于该第一基板的外表面；对具有设置该抗蚀刻层的该第一基板与该第二基板的外表面进行第一蚀刻阶段；使该第一基板与该第二基板间具有第一基板厚度差，其中该第一厚度差相异于该初始厚度差；以及在该第一基板与该第二基板的外表面进行第二蚀刻阶段。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤包含决定 该抗蚀刻层的厚度以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗刻蚀层相对该第一基板与该第 二基板具有蚀刻速率比值，该抗蚀刻层设置步骤包含决定该抗蚀刻层的材质 以调整该蚀刻速率，以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。如上所述的显示面板制造方法，其中该第一蚀刻阶段步骤以及该第二蚀 刻阶段步骤包含以氟化物进行化学蚀刻。如上所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤包含化学性 或物理性附着方式将可移除的膜层附着于该第一基板与该第二基板的至少 一个外表面；形成该抗蚀刻层于该可移除的膜层上；以及，在该第一蚀刻阶 段后移除该可移除的膜层。如上所述的显示面板制造方法，其中该第二蚀刻阶段为初始蚀刻，并于 该抗蚀刻层设置步骤前于该第一基板与该第二基板的外表面进行该初始蚀 刻。如上所述的显示面板制造方法，其中该组立步骤进一步包含密封该第一 基板与该第二基板的侧边间隙。本发明能够调整显示面板上下基板的厚度，以产生不同厚度的显示面板。
图1为本发明的显示面板制造方法实施例流程图；图2a为本发明的基板组立步骤的实施例示意图；图2b为本发明的抗蚀刻层设置步骤的实施例示意图；图2c为本发明的第一蚀刻步骤的实施例示意图；图3为本发明的显示面板制造方法实施例流程图；图4a为本发明的抗蚀刻层设置步骤的实施例示意图；图4b为本发明的抗蚀刻层设置步骤的另一实施例示意图；图4C为本发明的第一蚀刻步骤的实施例示意图；图4d为本发明的第一蚀刻步骤的另一实施例示意图；图5为本发明的显示面板制造方法实施例流程图；图6a为本发明的初始蚀刻步骤的实施例示意图；图6b为本发明的抗蚀刻层设置步骤的实施例示意图；图6C为本发明的抗蚀刻层设置步骤的另一实施例示意图;图6d为本发明的第一蚀刻步骤的实施例示意图；图6e为本发明的第一蚀刻步骤的另一实施例示意图；图7为本发明的显示面板制造方法实施例流程图；图8为本发明的第二蚀刻步骤的实施例示意图。其中，附图标记说明如下 100第一基板200第二基板300抗蚀刻层310可移除的膜层410驱动电滤元件层420滤光层500框胶具体实施方式
本发明提供一种显示面板制造方法，以及应用此制造方法制成具有不同 厚度差的显示面板。在优选实施例中，本发明的显示面板为液晶显示面板 (LCD)。然而在不同实施例中，本发明的显示面板亦可包含有机发光二极管 显示面板。此外，在不同实施例中，本发明的显示面板也可包含高分子有机 发光二极管(PLED)显示面板。本发明的显示面板可应用于各式种面板显示 屏、家用的平面电视、个人计算机及笔记本电脑的平板型监视器、移动电话 及数码相机的显示屏等。如图l所示为本发明的显示面板制造方法的实施例流程图。步骤4001 包含组立第一基板与第二基板。步骤4003包含设置抗蚀刻层于第一基板的 外表面。步骤4005包含在第一基板的抗蚀刻层与第二基板的外表面进行第一蚀刻。以下通过多个不同实施方式说明各步骤。如图2a所示的实施例中，显示面板主要包含第一基板100、第二基板 200、驱动电路元件层410以及滤光层420。在此实施例中，驱动电路元件层 410设置于第二基板200内表面而滤光层420则设置于第一基板100内表面; 第一基板100与第二基板200的材质优选为玻璃；然而在其它实施例中，基 板材质可为聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate， PET)、聚 甲基丙烯酸甲酯(poly-methyl methacrylate， PMMA)、聚碳酸脂 (poly隱carbonate， PC)、聚苯乙烯(poly-styrene， PS)、以上材质的混和物 或其它透光材料。此外，第一基板100优选采用与第二基板200相同的材质; 然而在不同实施例中，第一基板100与第二基板200亦可分别使用不同的材 质。如图2a所示的实施例中，滤光层420包含彩色滤光片。驱动电路元件 层410则包含薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor,TFT);然而在不同实施例中， 驱动电路元件层410也可为其它具有类似功能的电路型式，例如MIM-TFD 电路。而形成薄膜晶体管的方式优选包含非晶硅制造工艺(amorphous silicon; a-Si)、低温多晶硅制造工艺(Low Temperature poly-silicon; LTPS)及其它可提 供类似功效的制造工艺。接着请同时参阅图1与图2a 图2c，图1为本发明的显示面板制造方法 实施例流程图，图2a为本发明的基板组立步骤的实施例示意图，图2b为本 发明的抗蚀刻层设置步骤的实施例示意图，图2c为本发明的第一蚀刻步骤 的实施例示意图。组立第一基板100与第二基板200的组立步骤4001包含 密封第一基板100与第二基板200的侧边间隙，其中优选以框胶500，在本 发明中，优选用UV胶将第一基板100与第二基板200的侧边密封；然而在 不同实施例中，亦可以其它不同方式来组立第一基板100与第二基板200。 在此实施例中，第一基板100与第二基板200间具有零以上的初始厚度差(I D2-D1 I ^0， Dl为第一基板IOO的厚度；D2为第二基板200的厚度)；换 言之，第一基板100与第二基板200可具有相同的初始厚度或相异的初始厚 度。如图2b所示的实施例，抗蚀刻层300设置于第一基板100的外表面。 抗蚀刻层300优选由含腊材质、氮硅化合物或其它具抗侵蚀性的材质形成。9抗蚀刻层300可以为完全抗蚀刻材质或部分抗蚀刻材质；亦即抗蚀刻层300 可完全不受药剂侵蚀或以预设速率以内的速度受到侵蚀或消耗。此外，抗蚀刻层300优选以气相沉积法、贴附法、涂布法、喷洒法或其它具有类似功效 的方式将抗蚀刻层300设置于第一基板100的外表面。如图2b所示，当第 一基板100的内表面设置有滤光层420时，第一基板100即作为滤光层基板 使用。此时滤光层基板的外表面设置有抗蚀刻层300;因此作为滤光层基板 的第一基板100的外表面会受保护不受蚀刻。然而在不同实施例中，也可以 将抗蚀刻层300设置在第二基板200上，此时抗蚀刻层300则附着于驱动电 路元件层基板的外表面上。此外，视制造工艺设计需要，抗蚀刻层300亦可 以同时设置于滤光层基板以及滤光层基板以外的基板。接着在第一蚀刻步骤4005中，对设置抗蚀刻层300的第一基板100与 第二基板200进行第一蚀刻。蚀刻用的化学材料优选包含各式的氟化物，例 如氟化氢或氟化铵等。由于第一基板100表面设有抗蚀刻层300，因此可避 免或延迟第一基板100受到蚀刻，而第二基板200则在此同时受蚀刻而使基 板厚度减少。如图2c所示的第一实施例中，在进行蚀刻步骤4005后，在此 实施例中，抗蚀刻层300会受到侵蚀并消耗以至于对其保护的第一基板100 最终也会受到侵蚀，而使第一基板100的厚度Dl变成dl;同时第二基板也 因第一蚀刻使其厚度由D2变成d2。因此第一基板100与第二基板200间的 厚度差由初始厚度差(I D2-D1 I ^0)改变为第一厚度差(I d2-dl I ^0)。第 一厚度差可以为零或其它数值，但需与初始厚度差相异(I d2-dl I ^ I D2-D1 I )。然而在不同实施例中，抗蚀刻层300亦可不受侵蚀或以较慢速率 受到侵蚀，以保护第一基板100完全不受侵蚀而维持其厚度为Dl。当以氮硅化合物作为抗蚀刻层300的材质时，氮硅化合物本身亦会在蚀 刻制造工艺中受到侵蚀，而渐渐减少其厚度。此时为控制初始厚度差与第一 厚度差的差异，抗蚀刻层设置步骤4003中可进一步包含决定抗蚀刻层300 的厚度以改变第一厚度差与初始厚度差的差值(I I d2-dl I - I D2-D1 I I )。 在抗蚀刻层300材质相同时，抗蚀刻层300的厚度增加即可延迟抗蚀刻层300 被完全侵蚀的时间；换言之，可通过增加抗蚀刻层300的厚度来延迟第一基 板IOO表面起始蚀刻的时间，以增加第一厚度差与初始厚度差的差值。对于部分可被蚀刻的抗蚀刻层300而言，抗蚀刻层300相对于第一基板100与第二基板200具有蚀刻速率比值；以优选实施例而言，蚀刻速率比值 可为氟化氢蚀刻有抗蚀刻层300速率与氟化氢蚀刻玻璃速率的比值。以氟化物进行第一蚀刻时，第一蚀刻的蚀刻玻璃速率范围优选在0.5um/min至 2(^m/min之间。为调整第一厚度差与初始厚度差的差值，抗蚀刻层设置步骤 4003亦可通过决定抗蚀刻层300的材质以调整蚀刻速率，以改变抗蚀刻层 300完全消耗及第一基板起始蚀刻的时点。例如当抗蚀刻层300的材质优选 为氮硅化合物时，氮硅化合物相对于氟化氢的蚀刻速率可调整为六百分之一 至二分之一之间。如图2c所示的实施例，在第一蚀刻步骤4005后第一基板 100与第二基板200产生第一厚度差(I d2-dl I >0)，此时抗蚀刻层300也因 为第一蚀刻步骤而被蚀刻殆尽；然而，抗蚀刻层300材质不同也会使蚀刻结 果有所不同，例如使用蚀刻速率比值更小的材质会使第一厚度差加大；然而 在其它的实施例中，抗蚀刻层300在第一蚀刻步骤后也可残留以待的后制造 工艺步骤进行。图3所示为本发明的显示面板制造方法的另一实施例流程图。在此实施 例中，步骤4003进一步包含步骤4003a、步骤4003b以及步骤4003c。步骤 4003a包含以化学性或物理性附着方式将可移除的膜层附着于第一基板与第 二基板的至少一个外表面。步骤4003b包含形成抗蚀刻层于可移除的膜层上。 步骤4003c包含在第一蚀刻后移除可移除的膜层。步骤4003a优选以静电力 方式将可移除的膜层附着于第一基板与第二基板的至少一个外表面。以下说 明各步骤。如图4a所示的第二实施例中，可移除的膜层310以静电力附着方式设 置于第一基板IOO(厚度为Dl)的外表面；然而在其它不同实施例中，可移除 的膜层310能以其它化学性或物理性附着方式设置于第一基板100与第二基 板200(厚度为D2)的至少一个外表面。在优选实施例中，膜层310可以塑料 材质形成，例如聚碳酸酉旨(Polycarbonate,PC)材质。如图4b所示的第二实施例 中，形成抗蚀刻层300于可移除的膜层310上，其中抗蚀刻层300的材质优 选选自含蜡材质与氮硅化合物其中之一 。当使用含蜡材质为抗蚀刻层300时， 抗蚀刻层300通常会残留使受到抗蚀刻层保护的滤光层基板与驱动电路元件 层基板的基板厚度不变，换言之，具有以含蜡材质为抗蚀刻层的基板，经过 第一蚀刻步骤后该基板厚度与该初始厚度一致。如图4c所示的实施例中，在第一蚀刻步骤后第一基板100与第二基板200产生第一厚度差(I d2-Dl I )。因抗蚀刻层300的功能使第一基板100的 厚度与其原始厚度相同，而使第一厚度差相异于初始厚度差(I d2-Dl I # I D2-D1 |);换言之，抗蚀刻层300决定了基板是否蚀刻而产生上述基板厚度 差的效果。最后，如图4d所示，在第一蚀刻后移除抗蚀刻层300与可移除 的膜层310。由于抗蚀刻层300形成于膜层310上，因此仅需自第一基板IOO 或第二基板200上分离膜层310，即可一并取下残存的抗蚀刻层300。在优 选实施例中，可以人工或自动方式将膜层310自第一基板100或第二基板200 上撕下，或以冲洗等其它方式将膜层310取下。图5所示为本发明的显示面板制造方法的另一实施例流程图。本发明的 显示面板制造方法进一步包含步骤5001。通过步骤5001，在抗蚀刻层设置 步骤4003前，在第一基板100与第二基板200的外表面进行初始蚀刻。步 骤4003则包含步骤4003a、步骤4003b以及步骤4003c。步骤4003a以化学 性或物理性附着方式将可移除的膜层附着于第一基板与第二基板的至少一 个外表面。通过步骤4003b，形成抗蚀刻层于可移除的膜层上。通过步骤 4003c，在第一蚀刻后移除可移除的膜层。以下说明各步骤。如图6a所示的第三实施例中，首先进行初始蚀刻步骤5001，在未覆盖 抗蚀刻层300的第一基板100与第二基板200的外表面进行初始蚀刻，使两 者的初始厚度均减少(由Dl变为Dl';由D2变为D2')。在优选实施例中，两 者于初始蚀刻后的初始厚度差仍然不变(I D2-D1 I = I D2'-D1' I );然而在不 同实施例中，例如当第一基板100与第二基板200的材质不同时，则两者在 初始蚀刻中减少的厚度会有所不同。接着如图6b所示，在附着膜层步骤4003a 中优选以静电方式设置可移除的膜层310于第一基板100的外表面。如图6c 所示，接着在形成抗蚀刻层步骤4003b中，在可移除的膜层310上设置抗蚀 刻层300。如图6d所示，在第一蚀刻步骤4005后，第一基板100与第二基 板200产生第一厚度差(I d2-Dl' I )。因抗蚀刻层300的功能使第一基板100 的厚度与其原始厚度相同，而使第一厚度差相异于初始厚度差(I D2-D1 I = I D2'-D1' I ^ I d2-Dl' I )。最后，在第一蚀刻后进行移除膜层步骤4003c 中，移除抗蚀刻层300与可移除的膜层310，如图6e所示。图7所示为本发明的显示面板制造方法的另一实施例流程图。本发明的显示面板制造方法进一步包含步骤5003。通过步骤5003，在第一蚀刻步骤 4005后在第一基板(厚度Dl变为dl)与第二基板(厚度D2变为d2)的外表面 进行第二蚀刻。蚀刻用的化学材料优选包含各式的氟化物，例如氟化氢或氟 化铵等。在此实施例中，在移除抗蚀刻层300与可移除的膜层310后，始于 第一基板100与第二基板200的外表面进行第二蚀刻步骤5003，如图8所示。 在此步骤中，由于第一基板100与第二基板200的外表面均无抗蚀刻层300 的设置，因此均会受到蚀刻而减少厚度，因此第一基板100厚度由dl变为 dl'而第二基板200厚度由d2变为d2'。在优选实施例中，此步骤所产生的第 二厚度差与第一厚度差的差值为零(I d2-dl I - I d2'-dl' I =0);换言之，第二 蚀刻步骤同步减少第一基板100及第二基板200的厚度，因此不具有改变上 述基板厚度差的效果，但却能提供制造工艺上更弹性地调控显示器基板总厚 度的效果。在不同实施例中，例如当第一基板100与第二基板200的材质不 同时，则两者在第二蚀刻中减少的厚度亦可不同。本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明 的范例。必须指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地， 包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包含于本发明的范围 内。
权利要求
1、一种显示面板制造方法，包含下列步骤组立第一基板与第二基板；设置抗蚀刻层于该第一基板的外表面；以及在该第一基板的该抗蚀刻层与该第二基板的外表面进行第一蚀刻。
2、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，其中附着该抗蚀刻层的方 法包含选自气相沉积法、贴附法、涂布法、喷洒法其中之一。
3、 如权利要求2所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层的材质选 自含蜡材质与氮硅化合物其中之一。
4、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，其中该第一基板与该第二 基板间具有零以上的初始厚度差，并在该第一蚀刻后使该第一基板与该第二 基板间具有第一厚度差，其中该第一厚度差相异于该初始厚度差。
5、 如权利要求4所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤 包含决定该抗蚀刻层的厚度以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。
6、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，其中该抗刻蚀层相对该第 一基板与该第二基板具有蚀刻速率比值，该抗蚀刻层设置步骤包含决定该抗 蚀刻层的材质以调整该蚀刻速率，以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差 值。
7、 如权利要求6所述的显示面板制造方法，其中该蚀刻速率范围在 0.5(xm/min至20|im/min之间。
8、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步骤 包含.-化学性或物理性附着方式将可移除的膜层附着于该第一基板与该第二基板的至少一个外表面；以及形成该抗蚀刻层于该可移除的膜层上；其中，在该第一蚀刻后移除该可 移除的膜层。
9、 如权利要求8所述的显示面板制造方法，其中该可移除的膜层附着步骤包含以静电力方式将该可移除的膜层附着于该第一基板与该第二基板 的至少一个外表面。
10、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，进一步包含在该抗蚀刻层设置步骤前在该第一基板与该第二基板的外表面进行初始蚀刻。
11、如权利要求1所述的显示面板制造方法，进一步包含在该第一蚀刻 歩骤后在该第一基板与该第二基板的外表面进行第二蚀刻。
12、 如权利要求10或11所述的显示面板制造方法，其中该初始蚀刻、 该第一蚀刻与该第二蚀刻包含以氟化物进行化学蚀刻。
13、 如权利要求1所述的显示面板制造方法，其中该组立步骤进一步包 含密封该第一基板与该第二基板的侧边间隙。
14、 一种显示面板制造方法，包含下列步骤组立第一基板与第二基板，其中该第一基板与该第二基板间具有零以上 的初始厚度差；设置抗蚀刻层于该第一基板的外表面；对具有设置该抗蚀刻层的该第一基板与该第二基板的外表面进行第一 蚀刻阶段；使该第一基板与该第二基板间具有第一基板厚度差，其中该第一 厚度差相异于该初始厚度差；以及在该第一基板与该第二基板的外表面进行第二蚀刻阶段。
15、 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步 骤包含决定该抗蚀刻层的厚度以改变该第一厚度差与该初始厚度差的差值。
16、 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该抗刻蚀层相对该 第一基板与该第二基板具有蚀刻速率比值，该抗蚀刻层设置步骤包含决定该 抗蚀刻层的材质以调整该蚀刻速率，以改变该第一厚度差与该初始厚度差的 差值。
17、 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该第一蚀刻阶段步 骤以及该第二蚀刻阶段步骤包含以氟化物进行化学蚀刻。
18、 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该抗蚀刻层设置步 骤包含化学性或物理性附着方式将可移除的膜层附着于该第一基板与该第二 基板的至少一个外表面；形成该抗蚀刻层于该可移除的膜层上；以及， 在该第一蚀刻阶段后移除该可移除的膜层。
19、 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该第二蚀刻阶段为初始蚀刻，并于该抗蚀刻层设置步骤前于该第一基板与该第二基板的外表面 进行该初始蚀刻。
20、如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中该组立步骤进一步 包含密封该第一基板与该第二基板的侧边间隙。
全文摘要
本发明提供一种具有不同基板厚度差的显示面板制造方法，供调整显示面板上下基板的厚度，以产生不同厚度的显示面板。显示面板制造方法包含下列步骤组立第一基板与第二基板、设置抗蚀刻层于第一基板的外表面并进行第一蚀刻。由于第一基板表面设有抗蚀刻层，因此可避免或延迟第一基板受到蚀刻。第二基板则在此同时受蚀刻而使基板厚度减少，以改变第一基板与第二基板间厚度的差异。
文档编号G03F7/00GK101261444SQ20081009352
公开日2008年9月10日 申请日期2008年4月23日 优先权日2008年4月23日
发明者储中文, 刘昱辰, 林朝成, 王书志 申请人:友达光电股份有限公司