摄像模块的制作方法

专利名称：摄像模块的制作方法
摄储块
相关申请的交叉引用
本申请基于美国专利法第119条要求韩国专利申请No. 10-2007-0119373 (于2007年11月21日提交)、No. 10-2007-0122755 (于 2007年11月29日提交)、No. 10-2007-0127457 (于2007年12月10曰提 交)、No. 10-2007-0127693 (于2007年12月10日提交)和No. 10-2007-0127694 (于2007年12月10日提交)的优先权，这些申请通过 引用全部结合于此。
背景技术：
近来随着通信技术和数字信息处理技术的t艮，新出现了集成有各种 功能如信息处理和计算、通信、图像信息输^/输出的便携式终端。
上述便携式终端的例子有配备有数字摄像和通信功能的个人数字助 理(PDA)、具有附加数字摄像功能的移动电话以及个人多媒体播放器 (PMP )。
另外，由于数字摄像技术和信息存储能力的H高性能数字摄^#
块被广泛安^各种应用设备上。

发明内容
各实施例提供一种摄<1^块。
在一个实施例中，摄^M^块包括:透镜筒；与透镜单元耦合的支持部 件；图像传感器，用于将通过透镜的光转换成电信号；以及与支持部件耦 合的陶乾板，该陶瓷板具有凹进部分，图像传感器插入该凹进部分中。
在另一实施例中，摄^ 块包括透镜筒；包括红外线(IR)截止 滤光器的支持部件，该支持部件与透镜单元耦合；图像传感器，用于将通 过透镜的光转换成电信号；与支持部件耦合的陶瓷板，该陶瓷板的一个表 面具有第一凹进部分；以及插入到第一凹进部分的图l象信号处理器(ISP )。
在又一实施例中，摄^^块包括包括至少一个透镜的透镜单元；以及与透镜单元耦合的陶瓷板;该陶瓷板包括图像传感器和IR截止滤光器; 其中，图像传感器插入到陶瓷板中。
一个或多个实施例的细节在附图和以下说明中进行描述。根据该说明 和附图以及根据权利要求书，将容易理解其他特征。


图1到图3是根据第一实施例到第三实施例的招WI^块的侧剖视图。 图4是根据第四实施例的摄H^块的侧剖视图。
图5是陶瓷板的俯视图。
图6到图8是根据第五实施例到第七实施例的摄#^块的侧剖视图。 图9到图18是根据第八实施例到第十七实施例的摄^^块的侧剖视图。
图19到图25是根据第十八实施例的摄^ 块的侧剖视图和俯视图。
图26是根据第十八实施例的摄^^块的侧剖视图。
图27到图32是根据第十九实施例到第二十一实施例的摄^ 块的侧 剖视图。
具体实施例方式
在下文中，将参考

根据各实施例的摄^^块。
图l是根据第一实施例的摄^^块的侧剖视图。
如图1所示，摄^^块包括透镜单元20、支持部件30和陶瓷板(PCB)60。
透镜单元20包括具有透镜的透镜筒22和与透镜筒22耦合的致动器23。
至少一个透镜21耦合到透镜筒22，且透镜21将光收集到图像传感 器41。
与透镜筒22耦合的致动器23通过调整透镜21的位置控制焦点，并 实现自动聚焦和光学变焦功能。压电器件、步进电动机和音圏电动机 (VCM)被用作致动器23。支持部件30布置在透镜单元20的底部，且包括红外线(IR)截止 滤光器31。
陶资板60包括用于将光转换成电信号的图像传感器41。
陶资板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，并且通过 高温共烧陶瓷(HTCC)或低温共烧陶瓷(LTCC)制造方法制造。
根据HTCC制造方法，通过陶乾和金属的共烧方法以高于大约 1300°C的温度形成基底。根据LTCC制造方法，通过陶乾和金属的共烧 方法以大约800°C到大约1000°C的温度形成基底。
第一基底60a形成的厚度为大约150nm到大约200jim，且第二基底 60b包括大小与图^象传感器41的大小相同的孔。该孔穿过要形成图《象传 感器41的区域。
另外，通过将第一基底60a与第二基底60b耦合形成第一凹进部分 101，且图像传感器41被插入到第一凹进部分101中。
在该实施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出为一层。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通过堆叠多个基底形成，并且在该多个 基底上可以形成电路图案。
由于陶瓷板60是通过在第一基底60a上形成第二基底60b (其中耦 合有具有孔的一个基底或多个基底)或者将具有孔的已制成的第二基底
60b与第一基底60a耦合形成的，所以图像传感器41与第一凹进部分101 的大小对应。
在图像传感器41安^陶瓷板60上之后，图像传感器41的位置是 固定的。
在这里，由于在第一凹进部分IOI的底部布置有粘性材料50a,所以 陶资板60能够与图像传感器41耦合。
粘性材料50a可以由环氧树脂形成。
通过将图像传感器41插入到陶瓷板60中形成的第一凹进部分101 中，摄^^块的总高度能够减小插入到第一凹进部分101中的距离。
此外，由于第一凹进部分101是形成在陶瓷板60中的，所以不需要 附加的传感器识别标记用于附着图 <象传感器41 。
因为图像传感器41是插入到陶乾板60中形成的第一凹进部分101中的，所以不会发生图像传感器41的倾斜和移位变化。
此外，在陶瓷板60上形成有第一垫51且在图像传感器41上形成有 第二垫52。第一垫51和第二垫52通过第一线55的掩^而相互电连接。
图2是根据第二实施例的摄^^块的侧剖视图。
在图l和图2中，相似的附图标记表示相似的元件，为了简洁将省略 其具体i兌明。
如图2所示，根据第二实施例的摄#^块包括透镜单元20、支持部 件30和陶资板60。
陶乾板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，并且通过 HTCC或LTCC制造方法制造。
第一基底60a形成的厚度为大约150fim到大约200jim，且第二基底 60b包括大小与图〗象传感器41的大小相同的孔。该孔穿过要形成图〗象传 感器41的区域。
另外，通过将第一基底60a与第二基底60b耦合形成第一凹进部分 102，图像传感器41被插入到第一凹进部分102中。
在这里，第一凹进部分102的高度可以与图像传感器41的高度相同。
也就是说，因为在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差， 所以第二基底60b和图像传感器41布置在同一平行平面上。
在该实施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出为一层。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通过堆叠多个基底形成，并且在该多个 基底上可以形成电路图案。
由于陶瓷板60是通过在第一基底60a上形成第二基底60b (其中耦 合有具有孔的一个基底或多个基底)或者将具有孔的已制成的第二基底 60b与第一基底60a耦合形成的，所以图4象传感器41与第一凹进部分102 的大小对应。
在图像传感器41安装在陶瓷板60上之后，图像传感器41的位置被 固定。
在这里，在第一凹进部分102的底部布置有粘性材料50b，陶瓷板60 与图像传感器41耦合。
粘性材料50b可以由环氧树脂形成。由于图像传感器41插入到陶瓷板60中形成的第一凹进部分102中， 所以摄^^块的总高度能够减小插入到第一凹进部分102中的距离。
此外，由于第一凹进部分102形成在陶瓷板60中，所以不需要附加 的传感器识别标记用于附着图4象传感器41 。
因为图像传感器41插入到陶资板60中形成的第一凹进部分102中， 所以不会发生图像传感器41的倾斜和移位变化。
此外，在陶资板60上形成有第一垫51且在图像传感器41上形成有 第二垫52。第一垫51和第二垫52通过第一线55的掩^而相互电连接。
图3是根据第三实施例的摄^^块的侧剖视图。
在图2和图3中，相似的附图标记表示相似的元件，为了简洁将省略 其具体i兌明。
如图3所示，形成在陶瓷板60和图像传感器41上的第一垫51和第 二垫52可以通过第一传导带57相互连接。
也就是说，由于第一凹进部分104的高度与图像传感器41的高度相 同，所以在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差，并且第二基 底60b和图《象传感器41布置在同一平行平面上。
因为在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差，所以第一垫 51和第二垫52通过第一传导带57完全相互连接。
此外，第一垫51和第二塾52之间的距离变短。
如果第 一垫51和第二垫52通过打线结合(wire bonding)相互连接， 则它们需要在它们之间保持预定间隔。
但是，根据该实施例，第一垫51和第二垫52是通过传导带而不是打 线结合相互连接的，所以第一垫51和第二垫52之间的间隔可以减小。
也就是i兌，第一垫51可以移向图《象传感器41，而第二垫52可以移 向图像传感器41的边缘。
由于第一垫51和第二垫52之间的间隔减小，所以能够减小陶瓷板60 的大小。
按照根据上述第 一到第三实施例的摄^^块，因为图像传感器插入到 陶资;tl^底中形成的凹进部分中，所以摄^^块的总高度能够减小凹进部 分的高度。此外，由于凹进部分形成在陶瓷板中，所以不需要附加的传感器识别 标记用于附着图像传感器。
因为图像传感器插入到陶瓷板60中形成的凹进部分中，所以不会发 生图像传感器的倾斜和移位变化。
此外，因为在陶瓷板和图像传感器之间没有高度差，所以形成在陶瓷 板上的第一垫通过传导带与形成在图像传感器上的笫二垫连接。由于在第 一垫和第二垫之间的间隔减小，所以能够减小陶瓷板的大小。
图4是根据第四实施例的摄^^块的侧剖视图。图5是陶瓷板的俯视图。
在图3和图4中，相似的附图标记表示相似的元件，为了简洁将省略 其具体i兌明。
如图4所示，根据第四实施例的摄^^块包括透镜单元20、支持部 件30和陶资板60。
陶瓷板60包括用于将光转换成电信号的图像传感器。图5是陶瓷板 60的俯视图。
陶资板60包括相互耦合的第一基底60a和第二基底60b，其通过 HTCC或LTCC制造方法制造。
第一基底60a形成的厚度为大约150jim到大约200nm，并且在布置 图像传感器41的区域中形成有至少一个第一孔25。
第一孔25穿过图像传感器41下面的第一基底60a。因此，从图像传 感器41产生的热能够散发到外部，且能够防止由热引起的器件劣化。
在第二基底60b中形成有第二孔。第二孔的大小与与图傳_传感器41 相同，并且穿过形成图4象传感器41的区域。
此外，通过将第一基底60a和第二基底60b耦合形成第一凹进部分 104，并且图4象传感器41插入到第一凹进部分104中。
在该实施例中，第一基底60a和第二基底60b被示出为一层。但是， 第一基底60a和第二基底60b可以通过堆叠多个基底形成，并且在该多个 基底上可以形成电路图案。
构成第一基底60a的多个基底在其中形成有至少一个孔之后被堆叠。 因此，形成具有第一孔25的第一基底60a。通过在第一基底60a上形成第二基底60b (其中至少一个基底与第二 孑L耦合)或者将具有第二孔的已制成的第二基底60b与第一基底60a耦合， 陶瓷板60具有第一凹进部分104。
在图像传感器41安装在陶瓷板60上之后，图像传感器41的位置不变。
在这里，在第一凹进部分104的侧壁布置有粘性材料50d，使得陶瓷 板60与图像传感器41耦合。
由于第一孔25布置在第一凹进部分104的下方，所以粘性材料50d 布置在第一凹进部分104的侧壁上以便不阻塞第一孔25。
粘性材料50d可以由环氧树脂形成。
由于图像传感器41是插入到陶乾板60中形成的第一凹进部分104 中的，所以摄^^块的总高度能够减小插入到第一凹进部分104中的距 离。
此外，由于第一凹进部分104形成在陶资板60中，所以不需要附加 的传感器识别标记用于附着图《象传感器41。
此外，由于在陶瓷板60的图〗象传感器41所在区域中形成有至少一 个第一孔25，所以从图像传感器41产生的热能够歉义到外部。
此外，由于图像传感器41插入到陶瓷板60的第一凹进部分104中， 所以不会发生图像传感器41的倾斜和移位变化。
而且，在陶资板60上形成有第一垫51且在图像传感器41上形成有 第二垫52。第一垫51和第二垫52通过第一线55的掩^而相互电连接。
图6是根据第五实施例的摄^^块的侧剖视图。
在图4和图6中，相似的附图标记表示相似的元件，为了简洁将省略 其具体^兑明。
如图6所示，根据第五实施例的摄^^块包括透镜单元20、支持部 件30和陶乾板60。
陶乾板60包括第一基底60a和第二基底60b的堆叠层。
第一基底60a形成的厚度为大约150nm到大约200nm，并且在布置 图《象传感器41的区域中形成有至少一个第一孔25。
第一孔25布置在图像传感器41下面并穿过第一基底60a。因此，从图像传感器41产生的热能够散发到外部，并能够防止由热引起的器件劣 化。
在第二基底60b中形成有第二孔。第二孔的大小与与图像传感器41 的大小相同，并且穿过形成图傳_传感器41的区域。
此外，通过将第一基底60a和第二基底60b耦合形成第一凹进部分 105，并且图4象传感器41插入到第一凹进部分105中。
在这里，第一凹进部分105的高度可以与图像传感器41的高度相同。
也就是说，在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差，第二 基底60b和图像传感器41布置在同一平行平面上。
在该实施例中，第一基底60a和第二基底60b作为一个层示出。然而， 可以通过堆叠多个基底来形成第一基底60a和第二基底60b，并且可以在 该多个基底上形成电路图案。
通过在第一基底60a上形成第二基底60b (其中至少一个基底与第二 孔耦合)、或者通过将已经制造好的具有第二孔的第二基底60b与第一基 底60a耦合，陶资板60具有第一凹进部分105。
在图像传感器41安装在陶瓷板60上之后，图像传感器41的位置不 发生改变。
另外，在第一凹it部分105的侧壁上布置粘性材料50e，用于将陶瓷 板60与图像传感器41耦合。
由于第一孔25布置在第一凹进:部分105下方，因此将粘性材料50e 形成在第一凹进部分105的侧壁上，以1更不阻塞第一孔25。
粘性材料50e可以用环氧树脂形成。
由于图像传感器41插入到形成在陶瓷板60中的第一凹进部分105 中，因此摄#^块的总体高度可以减小插入到第一凹进部分105的距离。
另外，由于第一凹进部分105形成在陶瓷板60中，因此附着图像传 感器41不需要附加传感器识别标记。
另夕卜，通it^布置陶瓷板60的图像传感器41的区域内形成至少一个 第一孔25，图像传感器41产生的热可以散发到外部。
由于图像传感器41插入到形成在陶瓷板60中的第一凹进部分105 中，因此图像传感器41不会出现倾斜和移位变化。另外，在陶瓷板60上形成第一垫51，在图像传感器41上形成第二 垫52。因此，第一垫51和第二垫52可以通过第一线55的掩^而彼此电 连接。
图7是根据第六实施例的摄#^块的侧剖视图。
在图6和7中，类似的附图标记表示类似的元件，为了简要，省略其 详细描述。
如图7所示，形成在陶瓷板60和图像传感器41上的第一垫51和第 二垫52可以通过传导带57彼此电连接。
也就是说，由于第一凹进部分106的高度与图像传感器41相同，因 此在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差。因此，第二基底60b 和图4象传感器41布置在同一平行平面上。
由于在第二基底60b和图像传感器41之间没有高度差，第一垫51 和第二垫52可以简单地通过传导带57彼此连接。
另外，可以减小第一垫51和第二垫52之间的距离。
如果，第一和第二垫51和52通过打线结合彼此连接，则需要在它们 之间保持预定间隔。
然而，在该实施例中，由于第一垫51通过传导带57而不是打线结合 连接到第二垫52，因此可以减小第一垫51和第二垫52之间的间隔。
也就是i兌，第一垫51可以向图《象传感器41移动，第二垫52可以向 图像传感器41的边缘移动。
因为第一垫51和第二垫52之间的距离减小，所以陶瓷板60的尺寸 可以减小。
在上述根据第四至第六实施例的摄^^块中，通过将图像传感器插入 到陶瓷板的凹进部分中，摄<|^块的总体高度可以减小凹进部分的高度。
另外，由于第一凹进部分形成在陶乾板中，因此附着图像传感器不需 要附加传感器识别标记。
由于图像传感器插入到形成在陶瓷板中的第一凹进部分中，因此图像 传感器不出现倾斜和移位变化。
另外，通it^要布置陶瓷板的图像传感器的区域内形成至少 一个孔， 图像传感器产生的热可以散良到外部。由于在陶瓷板和图像传感器之间没有高度差，陶瓷板上的第 一垫通过 传导带电连接到图像传感器上的第二垫。另外，由于第一垫和第二垫之间 的间隔减小，因此陶资板的尺寸可以减小。
图8是根据第七实施例的摄^^块的侧剖视图。
如图8所示，根据第七实施例的摄^^块包括透镜单元20、支持部 件30和陶资板61。
在图7和8中，类似的附图标记表示类似的元件，为了简要，省略其 详细描述。
透镜单元20包括具有透镜的透镜筒22和耦合到透镜筒22的致动器23。
陶瓷板61包括用于将光转换为电信号的图像传感器41、以及用于处 理图像信号的图像信号处理器(ISP， image signal processor )。
图像传感器41布置在红外线(IR, infrared ray)截止滤光器31和 ISP43之间。
陶瓷板61包括彼此耦合的第 一基底61a和第二基底61b ，通过HTCC 或者LTCC制造方法制造。
第二基底61b包括第一孔。第一孔具有与ISP 43相同或者类似的尺 寸，并且穿过要形成ISP43的区域。
另外，通过将第一基底61a与第二基底61b耦合而形成第一凹进部分 107，由此可以将ISP43插入到第一凹进:部分107中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板61的前表面是第一表面61c，其后表 面是第二表面61d时，在第一表面61c上形成第一凹进部分107。
在该实施例中，第一基底61a和第二基底61b作为一个层示出。然而， 可以通过堆叠多个基底来形成第一基底61a和第二基底61b，并且可以在 该多个基底上形成电路图案。
在陶瓷板61中，在第一基底61a上形成第二基底61b (其中形成具 有第一孔的一个基底或者多个基底)，或者将已经制造好的具有第一孔的 第二基底61b耦合到第一基底61a。因此，ISP43具有与第一凹进部分107 相对应的尺寸。
在ISP 43安装在陶瓷板61上之后，ISP 43的位置不发生改变。在ISP 43上形成间隔物42和图《象传感器41。
间隔物42调节ISP43和图像传感器41之间的间隔。
在ISP 43上形成第一垫51，在陶瓷板61上形成第二垫52。第一垫 51和第二垫52通过第一线55的接合而彼此连接。
另外，在图《象传感器41上形成第三垫53，在陶乾板61上形成第四 垫54。第三垫53和第四垫54通过第二线56的^^彼此连接。
就此而言，间隔物42的厚度可以根据用于将第一垫51电连接到第二 垫52的第一线55的高度而改变，其范围可以从大约200nm至大约 250,。
另外，在图像传感器41和间隔物42之间形成第一粘性材料50g,在 ISP43和间隔物42之间形成第二粘性材料50h。由此，将ISP43掩^到 图像传感器41。
此外，在第一凹进部分107的底部上形成第三粘性材料50i，使得ISP 43可以附着到陶瓷板61。
第一至第三粘性材料50g、 50h和50i可以由环氧树脂或者双面带形成。
图9是根据第八实施例的摄^^:的陶瓷板的侧剖视图。省略了摄像 模块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图8和9中，类似的附图标记表示类似的元件，为了简要，省略其 详细描述。
陶瓷板62包括彼此耦合的第一基底62a和第二基底62b，通过HTCC 或者LTCC制造方法制造。
第二基底62b包括第二孔。第二孔具有与ISP 43相同或者类似的尺 寸，并且穿过要形成ISP43的区域。
另夕卜，通过将第一基底62a与第二基底62b耦合而形成第一凹进部分 108，由此ISP43可以插入到第一凹进部分108中。
就此而言，第一凹进部分108的高度与ISP43相同。
也就是说，由于在第二基底62b和ISP 43之间没有高度差，因此第 二基底62b和ISP43布置在同一平行平面上。
当耦合到支持部件30的陶瓷板62的前表面是第一表面62c,其后表面是第二表面62d时，在第一表面62c上形成第一凹进部分108。
在该实施例中，第一基底62a和第二基底62b作为一个层示出。然而， 可以通过堆叠多个基底来形成第一基底62a和第二基底62b，并且可以在 该多个基底上形成电路图案。
在陶瓷板62中，在第一基底62a上形成第二基底62b (其中形成具 有第二孔的一个基底或者多个基底)，或者将已经制造好的具有第一孔的 第二基底62b耦合到第一基底62a。因此，ISP43具有与第一凹进部分108 相对应的尺寸。
在ISP43安装在陶资板62上之后，ISP 43的位置不发生改变。 在ISP 43上形成图像传感器41。
另外，第一垫51和第二垫52可以通过第一传导带57彼此电连接， 第三垫53和第四垫54可以通过第二线56的^^彼此电连接。
此外，在图像传感器41和ISP 43之间形成第一粘性材料50j，使得 ISP43、图像传感器41和陶瓷板62彼此^。
就此而言，虽然在上述的第二实施例中在ISP 43和图像传感器41之 间形成粘性材料，但是可以仅在ISP43和陶瓷板62之间布置第一粘性材 料50j。
也就是说，通过在ISP43和图像传感器41之间形成间隔，ISP产生 的热可以散义到外部。
此外，在第一凹进部分108的底部上布置第二粘性材料50k，使得陶 资板62附着到ISP43。
第一和第二粘性材料50j和50k可以由环氧树脂或者双面带形成。
由于ISP43插入到陶瓷板62的第一凹进部分108中，因此通过减小 形成ISP43的附加空间可以实现纟聂H^块的小型化。
图10是根据第九实施例的摄^^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了摄 H^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图9和10中，类似的附图标记表示类似的元件，为了简要，省略 其详细描述。
陶资板63包括彼此耦合的第 一基底63a和第二基底63b，通过HTCC 或者LTCC制造方法制造。另外，通过将第一基底63a与第二基底63b耦合形成第一凹进部分 109，由此ISP43可以插入到第一凹进部分109中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板63的前表面是第一表面63c,其后表 面是第二表面63d时，在第一表面63c上形成第一凹进部分109。
就此而言，第一凹进部分109的高度与ISP43相同。
也就是说，在第二基底63b和ISP43之间没有高度差，第一表面63c 和ISP 43布置在同 一平行平面上。
在该实施例中，第一基底63a和第二基底63b作为一个层示出。然而， 可以通过堆叠多个基底来形成第一基底63a和第二基底63b，并且可以在 该多个基底上形成电路图案。
在ISP43安装在陶资板63上之后，ISP43的位置不发生改变。
另夕卜，ISP43通ittt"阵列(BGA， ball grid array)方式安^^t陶瓷板 63上，使得ISP43通过球59电连接到陶瓷板63。
第三垫53和第四垫54可以通过第二线56的M彼此电连接。
此外，在图像传感器41和ISP 43之间形成第一粘性材料501，使得 ISP43、图像传感器41和陶瓷板63掩^。
就此而言，虽然在该实施例中在ISP 43和图傳》传感器41之间形成粘 性材料，但是可以仅在ISP43和陶瓷板63之间形成第一粘性材料501。
第一粘性材料501可以由环氧树脂或者双面带形成。
由于ISP43插入到形成在陶瓷板63中的第一凹进部分109中，可以 减小形成ISP43的附加空间。因此，可以实现^WI^块的小型化。
图11是根据第十实施例的摄#^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了摄 ^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图lO和ll中，类似的附图标记表示类似的元件，为了简要，省略 其详细描述。
陶资板64包括彼此耦合的第一基底64a、第二基底64b和第三基底 64c，通过HTCC或者LTCC制造方法制造。
将第一基底64a、第二基底64b和第三基底64c耦合以形成第二凹进 部分110和第一凹进部分111。图像传感器41可以插入到第二凹进部分 110中，ISP43可以插入到第一凹进部分111中。当耦合到支持部件30的陶瓷板64的前表面是第一表面64d，其后表 面是第二表面64e时，在第一表面64d上形成第二凹进部分110，在第二 凹进部分110下方形成第一凹进部分111。
就此而言，第一凹进部分lll的高度与ISP43相同。
也就是说，插入到第二基底64b中的ISP43与ISP43上的图像传感 器41接触。
在该实施例中，第一、第二和第三基底64a、 64b和64c作为一个层 示出。然而，可以通过堆叠多个基底来形成第一、第二和第三基底64a、 64b和64c，并且可以在该多个基底上形成电路图案。
在ISP43安装在陶资板64上之后，ISP43的位置不发生改变。
另外，ISP43通过BGA方式安装在陶瓷板64上，使得ISP43通过 球59与陶瓷板64电连接。
第三垫53和第四垫54可以通过第二线56的^^彼此电连接。
此外，在图像传感器41和ISP43之间形成第一粘性材料50m，使得 ISP43、图像传感器41和陶瓷板64彼此^。
就此而言，虽然在该实施例中在ISP43和图像传感器41之间布置了 粘性材料，但是可以仅在ISP 43和陶瓷板64之间布置第一粘性材料50m。
第一粘性材料50m可以由环氧树脂或者双面带形成。
由于图像传感器41插入到形成在陶瓷板64中的第二凹进部分110 中，摄^^块的总体高度可以减小插入到第二凹进部分110中的距离。
另外，由于ISP 43插入到形成在第二凹进部分110下方的第一凹进 部分111中，因此形成ISP 43的附加空间和摄^^块的高度可以减小。 因此，可以实现摄^^块的小型化。
另外，由于第二凹进部分110形成在陶瓷板64中，附着图傳*传感器 41不需要附加传感器识别标记。
由于图像传感器41插入到形成在陶瓷板64中的第二凹进部分110 中，图像传感器41不发生倾斜和移位变化。
图12是根据第十一实施例的摄#^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图11和图12中，类似的附图标记表示类似的元件，并为求简洁省略对其详细说明。
陶资板65包括彼此耦合的第一基底65a、第二基底65b和第三基底 65c,陶资板65通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底65a、第二基底65b和第三基底65c被耦合以形成第二凹进 部分112和第一凹进部分113。图像传感器41可插入第二凹进部分112 中，且ISP43可插入第一凹进部分113中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板65的前表面是第一表面65d，且其后 表面是第二表面65e时，第二凹进部分112形成在第一表面65d上，且第 一凹进部分113形成在第二凹进部分112以下。
就此而言，第一凹进部分113的高度与ISP 43的高度相同，且第二 凹进部分112的高度与图像传感器41的高度相同。因此，图像传感器41 和第三基底65c布置在同一平行平面上。
在该实施例中，第一、第二和第三基底65a、 65b和65c被示为一层。 然而，第一、第二和第三基底65a、 64b和65c可通过堆叠多个基底形成， 且在该多个基底上可形成电路图案。
第三垫53和第四垫54通过第二传导带58彼此电连接，ISP 43通过 BGA方式安装在陶资板65上，使得ISP 43通过球59电连接到陶瓷板65 。
另外，第一粘性材料50n布置在图像传感器41和ISP43之间，使得 ISP43、图像传感器41和陶资板65彼此^^。
在该实施例中，粘性材料布置在ISP43和图像传感器41之间，但是 第 一粘性材料50n可仅布置在图像传感器41和陶瓷板65彼此接触的区域 上。
第一粘性材料50n可由环氧树脂或双面带形成。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板65中的第二凹进部分112 中，摄#^块的整个高度可减小插入第二凹进部分112中的距离。
另外，由于在陶资板65和图像传感器41之间不存在高度差，因此形 成在陶瓷板65上的第四垫54和形成在图〗象传感器41上的第三垫53通过 传导带彼此连接。因为第三垫53和第四垫54之间的间隔可减小，所以陶 资板65的尺寸可减小。
而且，由于ISP 43被插入形成在第二凹进部分112以下的第一凹进 部分113中，要形成ISP 43的另外的空间和摄^^块的高度可减小。因此，可实现摄^^块的小型化。
另外，由于在陶瓷板65中形成第二凹进部分112,因此不需要另外 的传感器识别标记附着图像传感器41。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板65中的第二凹进部分112 中，因此不会出现图像传感器41的倾斜和移位变化。
图13是根据第十二实施例的摄^^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄像漠块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图12和图13中，类似的附图标记表示类似的元件，并为求简洁省 略对其详细说明。
陶瓷板66包括彼此耦合的第一基底66a、第二基底66b和第三基底 66c，并且陶乾板66通过HTCC和LTCC制造方法来制造。
第一基底66a、第二基底66b和第三基底66c被耦合以形成第二凹进 部分114和第一凹进部分115。图4象传感器41可插入第二凹进部分114 中，且ISP43可插入第一凹进部分115中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板66的前表面是第一表面66d且其后表 面是第二表面66e时，第二凹进部分114形成在第一基底66d上，且第一 凹进部分115形成在第二凹进部分114以下。
就此而言，第一凹进部分115的高度与ISP 43的高度相同，且第二 凹进部分114的高度与图像传感器41的高度相同。因此，图像传感器41 和第一表面66d布置在同一平行平面上。
在该实施例中，第一、第二和第三基底66a、 66b和66c示为一层。 然而，第一、第二和第三基底66a、 66b和66c可以通过堆叠多个差^底而 形成，且在该多个基底上可形成电路图案。
第一垫51和第二垫52通过第一传导带57彼此连接，且第三垫53 和第四垫54通过第二传导带58彼此连接。
另外，第一粘性材料50o布置在图像传感器41和ISP43之间，且第 二粘性材料50p布置在ISP43和陶瓷板66之间。因此，ISP43、图像传 感器41和陶资板66彼此接合。
尽管在第六实施例中粘性材料布置在ISP43和图像传感器41之间， 第 一粘性材料50o可仅形成在图像传感器41和陶资板66彼此接触的区域 上。第一和第二粘性材料50o和50p可由环氧树脂或双面带形成。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板66中的第二凹进部分114 中，因此摄^^块的整个高度可减小插入第二凹进部分114中的距离。
另外，由于在第三基底66c和图像传感器41之间以及在第二基底66b 和ISP 43之间不存在高度差，因此第二垫52和第四垫54分别通过第一 和第二传导带57和58电连接到形成在陶资板66中的第一垫51和第二垫 52。
由于第一垫51和第二垫52之间的间隔以及第三垫53和第四垫54 之间的间隔减小，因此陶瓷板65的尺寸可减小。
而且，因为ISP 43被插入形成在第二凹进部分114以下的第一凹进 部分115中，所以可减小要形成ISP43的另外的空间和摄^b^块的高度。 因此，可实现摄^ 块的小型化。
另外，因为第二凹进部分114形成在陶资板66中，所以不需要另外 的传感器识别标记附着图像传感器41。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板66中的第二凹进部分114 中，因此不会出现图像传感器41的倾斜和移位变化。
图14是根据第十三实施例的摄^^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图13和图14中，类似的附图标记表示类似的元件，且为求简洁省 略其详细说明。
陶乾板67包括彼此耦合的第一基底67a、第二基底67b和第三基底 67c，且陶瓷板67通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底67a、第二基底67b和第三基底67c被耦合以形成第二凹进 部分116和第一凹进部分117。图像传感器41可插入第二凹进部分116 中，且ISP43可插入笫一凹进部分117中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板67的前表面是第 一表面67d且其后表 面是第二表面67e时，第二凹进部分116形成在第一表面67d上，且第一 凹进部分117形成在第二表面67e上。
在该实施例中，第一、第二和第三基底67a、 67b和67c示为一层。 然而，第一、第二和第三基底67a、 67b和67c可通过堆叠多个基底而形 成，且在该多个基底上可形成电路图案。第一垫51和第二垫52通过第一线55彼此电连接，且第三垫53和第 四垫54通过第二线56彼此电连接。
第一粘性材料50q形成在第二凹进部分116的底部以将图〗象传感器 41与陶资板67接合，第二粘性材料50r形成在第一凹进部分U7的底部 以将ISP 43与陶瓷板67掩^。
第一和第二粘性材料50q和50r可由环氧树脂或双面带形成。
摄^^块的整个高度可减小图像传感器41和ISP43插入形成在陶瓷 板67中的第二凹进部分116和第一凹进部分117中的距离。
另夕卜，由于ISP43被插入第一凹进部分117中，可减小要形成ISP43 的另外的空间和摄^^块的高度。因此，可实现摄<|^块的小型化。
而且，由于第二凹进部分116形成在陶瓷板67中，因此不需要另外 的传感器识别标记附着图《象传感器41。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板67中的第二凹进部分116 中，因此不会出现图像传感器41的倾斜和移位变化。
图15是根据第十四实施例的摄H^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图14和图15中，类似的附图标记表示类似的元件并为求筒洁省略 对其详细说明。
陶乾板68包括彼此耦合的第一基底68a和第二基底68b，且陶资板 68通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底68a和第二基底68b被耦合以形成第一凹进部分118。 ISP 43 可被插入第一凹进部分118中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板68的前表面是第一表面68c且其后表 面是第二表面68d时，第一凹进部分118形成在第二表面68d上。
在该实施例中，第一基底68a和第二基底68b示为一层。然而，第一 基底68a和第二基底68b可通过堆叠多个基底而形成，且在该多个基底上 可形成电路图案。
第三垫53和第四塾54通过第二线56彼此电连接。而且，ISP43通 过BGA方式安装在陶乾板68上，使得ISP43通过球59电连接到陶乾板 68。而且，第一粘性材料50s形成在图像传感器41的底部，使得图像传 感器41掩^到陶瓷板68。
第一粘性材料50s可由环氧树脂或双面带形成。
因为ISP 43被插入第一凹进部分118，所以可减小要形成ISP 43的 另外的空间和摄^^块的高度。因此，可实现摄#^块的小型化。
图16是根据第十五实施例的摄H^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄^t^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图15和16中，类似的附图标记表示类似的元件，且为求简洁省略 对其详细说明。
陶瓷板69包括彼此耦合的第一基底69a、第二基底69b和第三基底 69c，且陶瓷板69通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底69a、第二基底69b和第三基底69c耦合以形成第二凹进部 分119和第一凹进部分120。图l象传感器41可插入第二凹进部分119中， 且 ISP43可插入第一凹进部分120中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板69的前表面是第一表面69d且其后表 面是第二表面69e时，第二凹进部分119形成在第一表面69d上，且第一 凹进部分120形成在第二表面69e上。
在该实施例中，第一、第二和第三基底69a、 69b和69c示为一层。 然而，第一、第二和第三基底69a、 69b和69c可通过堆叠多个基底而形 成，且在该多个基底上可形成电路图案。
第三垫53和第四垫54通过第二线56彼此电连接，且ISP 43通过 BGA型态安装在陶瓷板69上,使得ISP 43通过球59电连接到陶乾板69。
而且，第一粘性材料50t布置在第二凹进部分119的底部，使得图像 传感器41接合到陶瓷板69。
第一粘性材料50t可由环氧树脂或双面带形成。
摄^ 块的蒼本高度可由于图像传感器41和ISP 43插入形成在陶瓷 板69中的第二凹进部分119和第一凹进部分120中的距离而减小。
由于ISP 43被插入第一凹进部分120中，因此可减小要形成ISP 43 的另外的空间和摄^^块的高度。因此，可实现摄^ 块的小型化。
另外，由于第二凹进部分119形成在陶瓷板69中，因此不需要另外的传感器识别标记附着图像传感器41。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板69中的第二凹进部分119 中，因此不会出现图4象传感器41的倾斜和移位变化。
图17是根据第十六实施例的摄^^块的陶瓷板的侧剖视图。省略了 摄^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图16和17中，类似的附图标记表示类似的元件，并为求简洁省略 对其详细"i兌明。
陶资板70包括彼此耦合的第一基底70a、第二基底70b和第三基底 70c，并陶瓷板70通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底70a、第二基底70b和第三基底70c被耦合以形成第二凹进 部分121和第一凹进部分122。图像传感器41可插入第二凹进部分121 中，且ISP43可插入第一凹进部分122中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板70的前表面是第一表面70d且其后表 面是第二表面70e时，第二凹进部分121形成在第一表面70d上，且第 一凹进部分122形成在第二表面70e上。
第二凹进部分121的高度与图像传感器41的高度相同，第一凹进部 分122的高度与ISP43的高度相同。因此，图像传感器41和笫一表面70d 布置在同一平行平面上。ISP43和第二表面70e布置在同一平行平面上。
在该实施例中，第一、第二和第三基底70a、 70b和70c示为一层。 然而，第一、第二和第三基底70a、 70b和70c可通过堆叠多个基底而形 成，且在该多个基底上可形成电路图案。
第一垫51和第二垫52通过第一传导带57彼此电连接，且第三垫53 和第四垫54通过第二传导带58彼此电连接。
第一粘性材料50u形成在第二凹进部分121的底部，且第二粘性材料 50v形成在第一凹进部分122的底部，使得陶瓷板70、图像传感器41和 ISP43彼此^^。
第一和第二粘性材料50u和50v可由环氧树脂或双面带形成。
由于图像传感器41被插入第二凹进部分121中，因此照相机的整个 高度可减小插入第二凹进部分121的距离。
在陶瓷板70中，由于在图像传感器41和第三基底70c之间以;Mt ISP43和第一基底70a之间不存在高度差，因此形成在陶瓷板70中的第二垫 52和第四垫54分别通过第一和第二传导带57和58电连接到第一垫51 和第二垫52。
由于第一垫51和第二垫52之间的间隔以及第三垫53和第四垫54 之间的间隔减小，因此陶瓷板70的尺寸可减小。
另外，由于ISP 43被插入第一凹进部分122中，因此可减小要形成 ISP43的另外的空间和摄^^块的高度。因此，可实现摄^ 块的小型化。
而且，由于第二凹进部分121形成在陶瓷板70中，因此不需要另外 的传感器识别标记附着图像传感器41。
由于图像传感器41被插入形成在陶瓷板70中的第二凹进部分121 中，因此不会出现图像传感器41的倾斜和移位变化。
图18是根据第十七实施例的摄^^块的陶资板的侧剖视图。省略了 摄^^块的透镜单元20和支持部件30的图示。
在图17和图18中，类似的附图标记表示类似的元件，并为求简洁省 略其详细说明。
陶资板71包括彼此耦合的第一基底71a、第二基底71b和第三基底 71c，且陶乾板71通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底71a、第二基底71b和第三基底71c被耦合以形成第二凹进 部分123和第一凹进部分124。图〗象传感器41可以插入到第二凹进部分 123中，并且ISP43可以插入到第一凹进部分124中。
当耦合到支持部件30的陶瓷板71的前表面为第 一表面71d并且其后 表面为第二表面71e时，第二凹进部分123形成在第一表面71d中，并且 第一凹进部分124形成在第二表面71e中。
就此而言，第二凹进部分123的高度与图像传感器41相同，并且第 一凹进部分124的高度与ISP43相同。图像传感器41和第一表面71d布 置在相同的平行平面上。ISP 43和第二表面71 e布置在相同的平行平面上。
在这个实施例中，第一、第二和第三基底71a、 71b和71c被图示为 一层。然而，可以通过堆叠多个基底来形成第一、第二和第三基底71a、 71b和71c，并且可以在该多个基底上形成电路图案。
第三垫53和第四垫54通过第二导电带58彼此电连接，并且ISP 43 通过BGA方式安装在陶资板71上，使得ISP43通过球59电连接到陶瓷板71。
第一粘性材料50w形成在第二凹进部分123的底部，使得陶资板71 与图像传感器41掩^。
第一粘性材料50w可以由环氧树脂或双面带形成。
由于图像传感器41插入到第二凹进部分123中，所以摄^^块的总 体高度可以减少插入到第二凹进部分123中的距离。
另外，由于在图像传感器41和第三基底71c之间以及在ISP43和第 一基底70a之间没有高度差，所以陶瓷板71上形成的第四垫54通过第二 导电带58电连接到第三垫53。
另外，随着第三垫53和第四垫54之间的间隔变得退化，可以减少陶 资板71的尺寸。
此夕卜，由于ISP43插入到第一凹进部分124中，所以可以减少ISP43 将要形成在其中的另外的空间以及摄^^块的高度。因此，可以实现摄像 模块的小型化。
另外，由于第二凹进部分123形成在陶瓷板71中，所以不需要另外 的传感器识别标记以便附着图像传感器41。
由于图像传感器41插入到陶瓷板71中形成的第二凹进部分123中， 所以图像传感器4i的倾斜和移位变化不^^发生。
在根据上述第七至第十七实施例的摄<|^块中，由于图像传感器和 ISP插入到陶瓷板中形成的凹进部分中，所以摄^M^块的整体高度可以减 少凹进部分的高度。
此外，由于凹进部分形成在陶瓷板中，所以不需要另外的传感器识别 标记以便附着图像传感器。
进而，由于图像传感器插入到陶资板中形成的凹进部分中，所以图像 传感器的倾斜和移位变化不会发生。
另外，由于ISP插入到陶瓷板中形成的凹进部分中，所以可以减少 ISP将要形成在其中的另外的空间以及摄^^块的高度。因此，可以实现 摄^^块的小型化。
此外，由于在陶瓷板和图像传感器之间没有高度差，所以陶瓷板上形 成的垫通过导电带连接到图像传感器和ISP上形成的塾a而且，由于垫之间的间隔变得减小，所以可以减少陶瓷板的尺寸。
图19至25是图示用于制造根据第十八实施例的摄^ 块的方法的侧 剖视图和俯视图。
如图19所示，形成包括第一凹进部分125、第二凹进部分126、第三 凹进部分127和第四凹进部分128的陶瓷板72。
陶瓷板72包括彼此耦合的第一基底72a、第二基底72b和第三基底 72c，并且通过HTCC或LTCC制造方法来制造。
第一基底72a包括第一孔和第二孔，它们具有与图像传感器和第一外 围器件相同或类似的尺寸。第一孔和第二孔穿过图4象传感器和第一外围器 件将要形成在其中的区域。
另夕卜，第三基底72c包括第三孔和第四孔，它们具有与ISP和第二外 围器件相同或类似的尺寸。笫三孔和第四孔穿过ISP和第二外围器件将要 形成在其中的区域。
然后，第一基底72a和第二基底72b被耦合以形成第一凹进部分125 和第二凹进部分126，并且第二基底72b和第三基底72c被耦合以形成第 三凹进部分127和第四凹进部分128。因此，可以形成陶瓷板72。
下一步，当耦合到支持部件的陶乾板72的前表面为第一表面72d并 且其后表面为第二表面72e时，第一凹进部分125和第二凹进部分126形 成在第一表面72d中，并且第三凹进部分127和第四凹进部分128形成在 第二表面72e中。
在这个实施例中，第一、第二和第三基底72a、 72b和72c被图示为 一层。然而，可以通过堆叠多个^^底来形成第一、第二和第三基底72a、 72b和72c，并且可以在该多个基底上形成电路图案。
如图20和21所示，图4象传感器41、第一外围器件35a、 ISP43和第 二外围器件35b安M陶资板72中。
图20是图示陶瓷板72的第一表面72d的平面图。如图20所示，图 4象传感器41布置在第一凹进部分125中，并且第一外围器件35a布置在 第二凹进部分126中。
图像传感器41包括第一垫51,并且陶瓷板72包括第二垫52。
第一外围器件35a可以包括有源元件、无源元件和驱动器。图21是图示陶乾板72的第二表面72e的平面图。如图21所示，ISP 43布置在第三凹进部分127中，并且第二外围器件35b布置在第四凹进 部分128中。
ISP43包括第三垫53，并且陶乾板72包括第四垫54。
第二外围器件35b可以包括有源器件和无源器件。
如图22和23所示，第一垫51和第二垫52通过第一焊料81相互连 接，并且第三垫53和第四垫54通过第二焊料82相互连接。
第一焊料81和第二焊料82可以通过焊接工艺由诸如Au、 Al、 Pb和 Cu之类的材料形成。
由于上述材料用于通过焊接工艺来形成第一焊料81和第二焊料82, 所以如果存在有缺陷的器件，则可以进行维修。
第一垫51和第三垫53可以分别通过第一焊料81和第二焊料82电连 接到陶资板72中形成的第二垫52和第四垫54。
下一步，如图24和25所示，第一模制材料36a、第二模制材料36b 和第三模制材料36c被形成以覆盖第一外围器件35a、第二外围器件35b 和ISP43。
第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c保护第一 外围器件35a、第二外围器件35b和ISP43免受外部的光电子的影响，以 便防止噪声发生。
此外，可以增强技术安全性以防止产品的技术伕窍泄漏。
就此而言，第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 可以由不透明绝缘材料形成。
如图26所示，陶乾板72耦合到透镜单元20和支持部件30。
就此而言，支持部件30可以耦合到陶资板72的第一表面72d。
图26是根据笫十八实施例的摄^^块的侧剖视图。
如图26所示，根据实施例的摄<|^块包括透镜单元20、支持部件30 和陶瓷板72。
贯穿图1和26,相同的附图标记指示相同的元件，并且为了简明起 见，将省略它们的详细描述。
陶瓷板72包括图像传感器41，用于将光转换成电信号；ISP43，用于处理图4象信号；第一外围器件35a;以及第二外围器件35b。而且， 陶瓷板72包括第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 以覆盖ISP 43 、第 一外围器件35a和第二外围器件35b。
图像传感器41布置在IR截止滤光器31和ISP43之间。
陶资板72通it^合第一基底72a、第二基底72b和第三基底72c来 形成，并且通过HTCC或LTCC方法来制造。
当耦合到支持部件30的陶瓷板72的前表面为第 一表面72d并且其后 表面为第二表面72e时，陶资板72的第一表面72d包括第一凹进部分125 和第二凹进部分126，并且第二表面72e包括第三凹进部分127和第四凹 进部分128。
图像传感器41插入到第一凹进部分125中，并且ISP43插入到第三 凹进部分127中。第一外围器件35a和第二外围器件35b插入到第二凹进 部分126和第四凹进部分128中。
就此而言，第一粘性材料50x形成在第一凹进部分125的底部，并且 第二粘性材料50y形成在第三凹进部分127的底部。
第一和第二粘性材料50x和50y可以由环氧树脂形成。
插入到第一凹进部分125中的图4象传感器41和第一表面72d布置在 相同的平行平面上，并且插入到第三凹进部分127中的ISP 43和第二表 面72e布置在相同的平行平面上。
第一外围器件35a和第二外围器件35b可以包括有源元件、无源元件 和驱动器。
在这个实施例中，第一、第二和第三基底72a、 72b和72c被图示为 一层。然而，可以通过堆叠多个基底来形成第一、第二和第三基底72a、 72b和72c，并且可以在该多个基底上形成电路图案。
第一垫51形成在图像传感器41上，并且第二垫52形成在陶瓷板72 上，使得第一垫51和第二垫52通过第一焊料81相互电连接。
另外，第三垫53形成在ISP43上，并且第四垫54形成在陶瓷板72 上，使得第三垫53和第四垫54通过第二焊料82相互电连接。
第一焊料81和第二焊料82可以通过焊接工艺由诸如Au、 Al、 Pb和 Cu之类的材料形成。第一模制材料36a形成在第一外围器件35a上。第二模制材料36b 形成在第二外围器件35b上。第三模制材料36c形成在ISP 43上。
第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c保护第一 外围器件35a、第二外围器件35b和ISP43免受外部的光电子的影响，以 便防止噪声发生。
此外，通过使用第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材 料36c，可以增强技术安全性以防止产品的技术诀弯泄漏。
就此而言，第一模制材料36a、第二模制材料36b和第三模制材料36c 可以由不透明绝,料形成。
在根据第十八实施例的損m^块中，由于图像传感器、ISP和外围器
件插入到陶资板中，所以可以减少ISP将要形成在其中的另外的空间以及 摄^^块的高度。可以实现摄<|^块的小型化。
另夕卜，由于图像传感器插入到陶瓷板中的凹进部分中，所以不需要另 外的传感器识别标记以便附着图像传感器。此外，图像传感器的倾斜和移 位变化不会发生。
此外，对图像传感器、ISP中形成的垫和陶资板的垫执行焊接工艺以 便使它们电连接。因此，如果存在有缺陷的器件，则可以进行维修。
另夕卜通过在外围器件和ISP上形成模制材料以保护它们免受外部的 光电子的影响，可以防止噪声发生。
进而，可以增强技术安全性以防止产品的技术诙窍泄漏。
图27是根据第十九实施例的摄H^块的侧剖视图。
如图27所示，根据这个实施例的摄#^块包括透镜单元20和陶瓷板60。
透镜单元20包括具有透镜21的透镜筒22和连接到透镜筒22的致动 器23。
陶瓷板60包括用于将光转换成电信号的图像传感器41和IR截止滤 光器31。
由于IR截止滤光器31形成在陶资板60上，所以不需要另外的支持 部件以l更安装IR截止滤光器31。
因此，可以获得摄##块结构的设计空间。由于该设计空间，可以改善摄^^块的耐用性、性能和可靠性。
陶瓷板60通过耦合第一基底60a和第二基底60b来形成，并且通过 HTCC或LTCC方法来制造。
第二基底60b包括具有与图像传感器41相同尺寸的孔。该孔穿过图 像传感器41将要形成在其中的区域。
另外，第一基底60a和第二基底60b被耦合以形成第一凹进部分129， 并且图像传感器41插入到第一凹进部分129中。
当耦合到透镜单元20的陶瓷板60的前表面为第 一表面60c并且其后 表面为第二表面60d时，第一凹进部分129形成在第一表面60c中。
在这个实施例中，第一基底60a和第二基底60b被图示为一层。然而， 可以通过堆叠多个基底来形成第一基底60a和第二基底60b，并且可以在 该多个基底上形成电路图案。
陶瓷板60通过在第一基底60a上形成第二基底60b (其中具有孔的 一个基底或多个差^底^L耦合)或者将具有孔的已经制造好的第二基底60b 与第一基底60a耦合，来包括第一凹进部分129。
在图像传感器41安装在陶瓷板60上之后，图像传感器41的位置不 会变化。
IR截止滤光器31形成在包括图像传感器41的陶瓷板60上。间隔物 33布置在陶瓷板60和IR截止滤光器31之间。
间隔物33调整陶瓷板60和IR截止滤光器31之间的间隔。
如上所述，由于IR截止滤光器31形成在图《象传感器41上，所以图 4象传感器41不被污染。
当在透镜的制造期间透镜中存在杂质时，没有清洁方法。然而，由于 IR截止滤光器31布置在陶瓷板60上，所以通it^E透镜装配之后清洗透 镜，可以去除杂质。然后，透镜单元20可以耦合到陶瓷板60。因此，有 缺陷的摄^^块的比例可以被最小化。
另外，如果滤光器被污染，则支持部件和致动器必须一起^:破坏。然 而，由于IR截止滤光器31布置在陶瓷板60上，所以如果IR截止滤光 器31被污染，则可以仅更换IR截止滤光器31。因此，其维修变得简单。
另外，第一垫51形成在图4象传感器41上，并且第二垫52形成在陶乾板60上。第一垫51和第二垫52通过第一线55的掩^而相互电连接。
就此而言，间隔物33的厚度才艮据用于使第一垫51与第二垫52电连 接的第一线55的高度而变化，并且可以比第一线55的高度更厚。
尽管未在附图中图示，粘性材料形成在间隔物33上，使得IR截止 滤光器31和陶瓷板60可以接合。
另夕卜，尽管未在附图中图示，粘性材料形成在第一凹进部分129的底 部，使得图像传感器41和陶瓷板60可以掩^。
粘性材料可以由环氧树脂或双面带形成。
这个实施例图示了具有自动聚焦功能的才IWI^块，其中布置了致动器 23，但是不限于此。亦即，如图28所示，其中没有布置致动器23的具有 固定焦距功能的損MI^块也是可以的。
图29是根据第二十实施例的摄^ 块的侧剖视图。
贯穿图27和29，相同的附图标记指示相同的元件，并且为了筒明起 见，将省略它们的详细描述。
陶瓷板60包括用于将光转换成电信号的图像传感器41和IR截止滤 光器31。
由于IR截止滤光器31布置在陶瓷板60上，所以不需要另外的支持 部件以^f更安装IR截止滤光器31。
因此，可以获得摄#*夹结构的设计空间。由于该设计空间，可以改 善摄^^块的耐用性、性能和可靠性。
通it^合第一基底60a与第二基底60b来形成陶资板60，图像传感 器41可以插入到通it^合第一基底60a与第二基底60b形成的第一凹进 部分130中。
IR截止滤光器31布置在包括图像传感器41的陶乾板60上。
即，因为IR截止滤光器31形成在图4象传感器41上，所以图〗象传感 器41不被污染。
当在制itit镜期间在透镜中存在杂质时，没有清洁的方法。然而，因 为将IR截止滤光器31布置在陶瓷板60上，所以在透镜装配之后可以通 过清洁透镜来去除杂质。然后，透镜单元20可以被耦合到陶资板60。因 此,可以使有缺陷的摄^Mt块的比例最小化。另夕卜，如果滤光器被污染，则支持部件和致动器将一起被破坏。然而，
因为IR截止滤光器31设置在陶瓷板60上，所以如果IR截止滤光器31 被污染，可以只替换IR截止滤光器31。因此，其修理变得简单。
另外，在图像传感器41上形成第一垫51，并在陶瓷板60上形成第 二垫52。第一垫51和第二垫52经由传导材料59彼此电连接。
就此而言，传导材料59可以由传导带或包括Au、 Al、 Pb和Cu的 焊料形成。
就此而言，IR截止滤光器31安装在传导材料59上。
尽管在附图中没有示出，可以在IR截止滤光器31和传导材料59之 间布置粘性材料。
另外，在第一凹进部分130的底部形成粘性材料，使得图像传感器 41和陶资板60掩^。
粘性材料可以由环氧树脂或双面带形成。
本实施例示出了布置有致动器23的具有自动聚焦功能的摄^^块， 但不局限于此。即，如图30中所示，没有布置致动器23的具有固定聚焦 功能的摄^^块也是可以的。
图31是根据第二十一实施例的摄#^块的侧剖视图。
在图27和图23中，类似的附图标记代表类似的元件，简明起见，省 略对它们的详细说明。
陶瓷板60包括用于将光转换为电信号的图像传感器41和IR截止滤 光器31。
因为IR截止滤光器31形成在陶瓷板60上，所以安装IR截止滤光 器31不需要另外的支持部件。
因此，可以获得摄^ 块结构的设计空间。由于该设计空间，可以提 高摄^ 块的耐用性、性能和可靠性。
通过将第 一基底60a与第二基底60b耦合来形成陶瓷板60 ，图像传 感器41可以插入到通过耦合第一基底60a与第二基底60b形成的第一凹 进部分130中。
在图〗象传感器41上形成IR截止滤光器31。
就此而言，图像传感器41包括用于检测光的单元区域A、以及布置外围电路的外围区域B。 IR截止滤光器31大于图像传感器41的单元区 域A并小于图4象传感器41的整个大小。
即，布置IR截止滤光器31以充分覆盖图像传感器41的单元区域A。
尽管在附图中没有示出，但可以在IR截止滤光器31和图像传感器 41的外围区域B之间布置粘性材料，使得IR截止滤光器31和图像传感 器41彼此耦合。
即，因为IR截止滤光器31布置在图1象传感器41上，所以图4象传感 器41不被污染。
当在制造透镜期间在透镜中存在杂质时，没有清洁的方法。然而，因 为IR截止滤光器31布置在陶资板60上，所以在透镜装配后可以通过清 洁透镜来去除杂质。然后，透镜单元20可以耦合到陶瓷板60。因此，可 以使有缺陷的摄^^块的比例最小化。
另外，如果滤光器被污染，支持器和致动器将一^^被破坏。然而，因 为IR截止滤光器31布置在陶资板60上，所以如果IR截止滤光器31被 污染，可以只替换IR截止滤光器31。因此，其修理变得简单。
本实施例示出了布置有致动器23的具有自动聚焦功能的^WI^块， 但不局P艮于此。即，如图32中所示，没有布置致动器23的具有固定聚焦 功能的^L^j^块也是可以的。
因为根据上述第十九到二十一实施例的摄^^块，IR截止滤光器31 被布置在陶瓷板60上，所以安装IR截止滤光器不需要另外的支持部件。
因此，可以获得摄#^块结构的设计空间。由于该设计空间，可以提 高摄<|^块的耐用性、性能和可靠性。
此外，因为在图像传感器上形成IR截止滤光器，所以可以防止图像 传感器被污染。
当在透镜制造期间在透镜中存在杂质时，没有清除的方法。然而，因 为在陶资板上布置IR截止滤光器，所以在透镜装配之后可以通过清洁透 镜来去除杂质。然后，可以将透镜单元耦合到陶瓷板。因此，可以使有缺 陷的摄4I^块的比例最小化。
另夕卜，如果滤光器被污染，则支持部件和致动器将一起被破坏。然而， 因为IR截止滤光器31布置在陶资板上，所以如果IR截止滤光器31被 污染，可以只替换IR截止滤光器。因此，其修理变得简单。在本说明书中对"一个实施例"、"实施例"、"示例性实施例"等的引
用的意思是结合实施例说明的特定特征、结构或特性包括在本发明的至 少一个实施例中。在说明书中各个位置出现这种表达不必都指同 一实施 例。此外，当结合任何实施例说明特定特征、结构或特性时，应当理解为 结合实施例中的其它实施例实现这些特征、结构或特性在本领域技术人员 的理解范围内。
尽管参考许多说明性实施例说明了各实施例，应该理解，本领域技术 人员可以想到许多其它变形例和实施例，其将落入本说明书的原理的实质 和范围内。尤其是，可以对说明书、附图和所附权利要求书的范围内的主 题组合配置的组成部分和/或配置进行各种改变和变形。除了组成部分和/ 或配置的改变和变形之外，可选用途对于本领域技术人员也将是明显的。
权利要求
1. 一种摄像模块，包括包括透镜筒的透镜单元；耦合到所述透镜单元的支持部件；用于将通过透镜的光转换为电信号的图像传感器；以及耦合到所述支持部件的陶瓷板，所述陶瓷板具有插入所述图像传感器的凹进部分。
2. 根据权利要求1所述的摄^^块，其中，所述陶瓷板通过布置在 所述凹进部分底部的粘性材fl"^合到所述图像传感器。
3. 根据权利要求1所述的摄^^块，其中，在所述陶瓷板上形成第 一垫，并在所述图〗象传感器上形成第二垫，所述第一垫和所述第二垫经由 线、传导带或焊料电连接。
4. 根据权利要求1所述的摄^^块，其中，所述陶瓷板的顶表面和 所述图像传感器的顶表面布置在同一平行平面上。
5. 根据权利要求1所述的摄^^块，其中，所述陶资板在布置所述 图像传感器的区域内包括至少一个孔。
6. 根据权利要求5所述的摄^^块，其中，通过将第一基底与第二 基底耦合来形成所述陶瓷板，并且所述至少一个孔穿过布置在所述图像传 感器下方的所述第一基底。
7. 根据权利要求5所述的摄^^块，其中，在所述凹进部分的侧壁 上布置粘性材料，以便将所述陶瓷板与所述图像传感器耦合。
8. —种摄^M^块，包括 包括透镜筒的透镜单元；包括红外线截止滤光器的支持部件，所述支持部件耦合到所述透镜单元；用于将通过透镜的光转换为电信号的图像传感器；耦合到所述支持部件的陶瓷板，所述陶瓷板的一个表面具有第一凹进 部分；以及插入到所述第一凹进部分中的图像信号处理器。
9. 根据权利要求8所述的摄像模块，其中，所述图像传感器布置在 所述图像信号处理器和所述红外线截止滤光器之间，并且在所述图傳_传感 器和所述图《象信号处理器之间布置间隔物。
10. 根据权利要求8所述的摄^ 块，其中，具有所述第一凹进部分 的所述一个表面是所述支持部件耦合在所述陶瓷板上的表面或所述陶瓷 板的底表面中的一个。
11. 根据权利要求8所述的摄^b^块，其中， 在所述陶瓷板中形成插入所述图像传感器的第二凹进部分；以及 所述第一凹进部分形成在所述第二凹进部分的底部。
12. 根据权利要求8所述的摄#^块，其中，在所述图像信号处理器 上形成第一垫，并在所述陶瓷板上形成第二垫，所述第一垫和所述第二垫 经由线、传导带或焊料电连接，或者以自阵列方式形成所述图像信号处 理器，以通过所述图像信号处理器中的球将所述图像信号处理器和所述陶 瓷板电连接。
13. 根据权利要求8所述的摄^^块，其中，在所述图像传感器上形 成第三垫，并在所述陶瓷板上形成第四垫，所述第三垫和所述第四垫经由 线掩^、传导带或焊料电连接。
14. 根据权利要求8所述的摄^^块，其中，所述图像传感器的顶表 面和所述陶瓷板的顶表面布置在同一平行平面上。
15. 根据权利要求8所述的摄#^块，其中，具有所述第一凹进部分 的所述一个表面是所述陶资板的底表面，并且在所述陶瓷板的顶表面中形 成插入所述图像传感器的第二凹进部分。
16. 根据权利要求8所述的摄^^块，还包括 覆盖所述图像信号处理器的第一模制材料；围绕所述图<象传感器和所述图<象信号处理器插入到所述陶乾板中的 外围器件；以及覆盖所述外围器件的第二模制材料。
17. 根据权利要求16所述的摄#^块，其中，所述第一和第二模制 材料包括不透明绝缘材料。
18. —种摄^^块，包括包括至少一个透镜的透镜单元；以及耦合到所述透镜单元的陶资板，所述陶瓷板包括图像传感器和红外线 截止滤光器，其中，所述图像传感器插入到所述陶瓷板中。
19. 根据权利要求18所述的摄^M^块，其中，在所述红外线截止滤 光器和所述陶瓷板之间形成间隔物，4吏得所述红外线截止滤光器和所述图 像传感器彼此隔开。
20. 根据权利要求18所述的摄像模块，其中，所述红外线截止滤光 器大于单元区域并小于所述图像传感器，所述单元区域检测所述图像传感 器中的光，使得所述红外线截止滤光器耦合到所述图像传感器。
全文摘要
提供了一种摄像模块。该摄像模块包括包括透镜筒的透镜单元；耦合到透镜单元的支持部件；用于将经过透镜的光转换为电信号的图像传感器；以及耦合到支持部件的陶瓷板，该陶瓷板具有插入图像传感器的凹进部分。另一种摄像模块包括包括透镜筒的透镜单元；包括红外线截止滤光器的支持部件，该支持部件耦合到透镜单元；用于将经过透镜的光转换为电信号的图像传感器；耦合到支持部件的陶瓷板，该陶瓷板的一个表面具有第一凹进部分；以及插入到第一凹进部分中的图像信号处理器。另一种摄像模块包括包括至少一个透镜的透镜单元；以及耦合到透镜单元的陶瓷板；该陶瓷板包括图像传感器和红外线截止滤光器；其中图像传感器插入到陶瓷板中。
文档编号G02B7/02GK101441309SQ200810176699
公开日2009年5月27日 申请日期2008年11月21日 优先权日2007年11月21日
发明者金珉秀 申请人:Lg伊诺特有限公司