专利名称：正型感光性组合物及永久抗蚀剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用了聚硅氧烷化合物的正型感光性组合物，还涉及使用了该正型感 光性组合物的永久抗蚀剂及永久抗蚀剂的制造方法。
背景技术：
随着信息化社会的发展和多媒体系统的普及，液晶显示装置、有机EL显示装置等 的重要性正逐渐增大。在这些显示装置中，使用每个像素都具备薄膜晶体管(TFT)等开关 元件的有源矩阵基板。在有源矩阵基板上形成有很多扫描配线和隔着绝缘膜与这些扫描配线交叉的信 号配线。有源矩阵基板的扫描配线、信号配线、绝缘膜等是通过对利用溅射法、CVD法、涂布 法等而形成的导电膜或绝缘膜在光刻法中重复进行图案化而形成的(例如参照专利文献1 及2)。通常，光刻法中使用光致抗蚀剂，还开发了在图案化后也不剥离的情况下作为绝 缘膜或保护膜使用的抗蚀剂(永久抗蚀剂)，但在有源矩阵基板中使用永久抗蚀剂的情况 下，不仅要求耐化学药品性(耐酸性、耐碱性及耐溶剂性)，还要求高度的耐热性和高热过 程后的耐化学药品性。在有源矩阵基板中，在作为绝缘基板的玻璃基板上形成以多晶硅薄膜作为活性层 的TFT，用绝缘膜覆盖多晶硅薄膜，但在多晶硅内部、晶体硅薄膜与绝缘基板或与绝缘膜的 界面容易产生硅键的缺陷即悬空键(danglingbond)，存在晶体管的特性降低的问题。为了消除悬空键的问题，必须在存在氮化硅(SiNx)等用于防止氢的扩散的膜的状 态下，在300 400°C左右的温度下进行氢化处理(例如参照专利文献幻。在以往的永久 抗蚀剂中，所谓的耐热性是指耐受印制电路布线板中的软钎焊的耐热性，即260°C下耐受几 分钟的程度的耐热性(例如参照专利文献4)，与对有源矩阵基板所要求的耐热性及高热过 程后的耐化学药品性大大不同。另一方面，硅树脂的透明性、绝缘性、耐热性、耐化学药品性等优异，还已知有以硅 树脂为主剂的光致抗蚀剂，但由于以往的硅树脂系光致抗蚀剂的耐热性及高热过程后的耐 化学药品性并不充分，所以只是在有源矩阵基板中作为表面的平坦化膜而应用(例如参照 专利文献5)。现有技术文献专利文献专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4专利文献5日本特开2004-281506号公报 日本特开2007-225860号公报 日本特开平6-77484号公报 日本特开2007-304543号公报 日本特开2008-116785号公报
发明内容
发明所要解决的问题因此，本发明的目的在于，提供一种正型感光性组合物以及使用了该正型感光性 组合物的永久抗蚀剂及其制造方法，所述正型感光性组合物能够提供透明性优异、具有可 以用作有源矩阵基板的绝缘膜的高度的耐热性、高热过程后的耐化学药品性的永久抗蚀 剂。解决问题所采用的手段本发明人等进行了深入研究，结果完成了本发明。S卩，本发明提供一种正型感光性组合物，其含有作为(A)成分的硅树脂，所述硅树脂的1分子中具有至少2个以下述通式(1)表
示的基团，
权利要求
中，R1、R3及R8可以相同或不同M通式⑶
1. 一种正型感光性组合物，其含有作为(A)成分的硅树脂，所述硅树脂的1分子中具有至少2个以下述通式(1)表示的基团， 通式(1)中，R1表示可具有取代烃基的碳原子数为1 10的亚烷基，R2表示碳原子数 为1 4的烷基，a表示0或1 4的数，b表示1 3的数，a+b不超过5， 作为(B)成分的具有缩水甘油基的硅氧烷化合物、 作为(C)成分的重氮萘醌类，以及 作为⑶成分的有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的正型感光性组合物，其中，作为所述(A)成分的硅树脂在1分 子中进一步具有至少1个以下述通式( 表示的基团，
3.根据权利要求1或2所述的正型感光性组合物，其中，作为所述(A)成分的硅树脂进一步具有硅烷醇基。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的正型感光性组合物，其中，作为所述(A)成分的 娃树脂是使以下述
5.一种永久抗蚀剂，其特征在于，其由权利要求1 4中任一项所述的正型感光性组合 物制得。
6.一种永久抗蚀剂的制造方法，其特征在于，将权利要求1 4中任一项所述的正型感 光性组合物涂布到基材上，对涂布物进行曝光、碱显影后，在120 350°C的温度下进行后 烘烤。
7.一种液晶显示装置，其具有以使用权利要求1 4中任一项所述的正型感光性组合 物获得的永久抗蚀剂作为绝缘层或平坦化膜的有源矩阵基板。
8.一种有机EL显示装置，其具有以使用权利要求1 4中任一项所述的正型感光性组 合物获得的永久抗蚀剂作为绝缘层或平坦化膜的有源矩阵基板。
全文摘要
本发明的正型感光性组合物含有作为(A)成分的硅树脂，所述硅树脂的1分子中具有至少2个以下述通式(1)表示的基团、作为(B)成分的具有缩水甘油基的硅氧烷化合物、作为(C)成分的重氮萘醌类、以及作为(D)成分的有机溶剂。永久抗蚀剂按下述方法制造将上述正型感光性组合物涂布到基材上，对涂布物进行曝光、碱显影后，在120～350℃的温度下进行后烘烤，从而制造永久抗蚀剂。通式(1)中，R1表示可具有取代烃基的碳原子数为1～10的亚烷基，R2表示碳原子数为1～4的烷基，a表示0或1～4的数，b表示1～3的数，a+b不超过5，
文档编号G03F7/40GK102112922SQ200980130519
公开日2011年6月29日 申请日期2009年10月13日 优先权日2008年10月21日
发明者小林纯, 尾见仁一, 斋藤诚一, 森田博, 竹之内宏美 申请人:株式会社艾迪科