专利名称：光刻机中掩模版的上版方法
技术领域：
本发明涉及光刻装置的技术领域，且特别是有关于一种光刻机中掩模版的上版方法。
背景技术：
光刻掩模版主要用于半导体制造中的光刻工艺，通过光学曝光将掩模版上的图形转移到硅片上，以便在硅片上进行选择性掺杂、互连，从而制成半导体器件和集成电路。在对硅片进行光刻之前，首先是要将掩模版安装到掩模台上，并进行粗对准和精密预对准。
图1所示为一种现有技术中光刻机中掩模版的上版过程示意图，图2所示为图1 中的上版装置示意图。结合图1与图2，一种现有的光刻机中掩模版上版的过程为首先掩模版101粗预对准；上版机械手102和掩模台202运动到指定位置，此时掩模台202位于上版机械手102下方；上版机械手102夹持掩模版101与精密预对准系统进行精密预对准；接版机械手201上升接住掩模版101，同时上版机械手102松开掩模版101 ；接版机械手201 将掩模版101放置到掩模台202 ；掩模版101上版过程结束。在这种方法中，掩模台202的接版机械手201和精密预对准系统的光源105、接收传感器104位于“内部世界”，而上版机械手102位于“外部世界”，很容易由于外部干扰产生振动等。因此，完成精密预对准的掩模版101在上版机械手102和接版机械手201之间进行交接时会有速度和精度损失。同时， 掩模版和硅片的对准和曝光扫描过程是在“内部世界”里进行的，为保证精密预对准后掩模版处于对准和扫描可捕捉范围内，要求预对准系统中的传感器有较高的精度。在光刻设备中，一般的，框架系统包括内部框架与外部框架，也称为“内部世界”和“外部世界”，通过获得隔振对象的加速度、位置，主动减振系统进行实时位置控制来达到内部框架的稳定。图3所示为另一种现有技术中光刻机中掩模版的上版过程示意图，图4所示为图 3中的上版装置示意图。结合图3与图4，另一种现有的光刻机中掩模版上版的过程为首先掩模版101粗预对准；上版机械手102和掩模台202运动到指定位置，此时掩模台202位于上版机械手102下方，其中掩模版101被上版机械手102吸附夹持；上版机械手102夹持掩模版101，同时掩模台202上升并与上版机械手102完成掩模版101的交接；掩模台202 运动完成掩模版101与精密预对准系统进行精密预对准；掩模版101上版过程结束。在这种方法中，掩模台202和精密预对准系统的接收传感器104位于“内部世界”，而上版机械手 102和精密预对准系统的光源105位于“外部世界”，因此在精密预对准过程中光源的均勻性要求比较高，同时，完成精密预对准的掩模版在上版机械手102和掩模台202之间进行交接时会有速度和精度损失。另外，这种掩模版交接方式里上版机械手是在掩模版上方吸附住掩模版，如果真空出现意外，则会造成掩模版掉落损坏，更严重的是掩模版碎片会影响到镜头等其他分系统。上述两种掩膜版上版过程中存在的问题如下表所述
权利要求
1.一种光刻机中掩模版的上版方法，其用于光刻机中，光刻机包括上版机械手、掩模台、掩模版和接版机械手，其特征在于，该光刻机中掩模版的上版方法包括以下步骤步骤a 通过上版机械手夹持掩模版移动至掩模台的上方；步骤b 接版机械手与上版机械手完成掩模版的交接，并由接版机械手将掩模版放至掩模台；步骤c 通过掩模台的微动实现掩模版的精密预对准。
2.根据权利要求1所述的光刻机中掩膜版的上版方法，其特征在于，所述掩膜版已经完成粗预对准。
3.根据权利要求1所述的光刻机中掩模版的上版方法，其特征在于，所述步骤b进一步包括接版机械手上升至交接版位置，从上版机械手中接过掩模版；接版机械手下降将掩模版放置于掩模台上。
4.根据权利要求1所述的光刻机中掩模版的上版方法，其特征在于，该光刻机还包括光源和接收传感器，其中上版机械手位于具有隔振系统的内部框架内；而掩模台、掩模版的接版机械手、光源和接收传感器位于内部框架的外部。
全文摘要
本发明提出一种光刻机中掩模版的上版方法，包括以下步骤通过上版机械手夹持掩模版移动至掩膜台的上方；接版机械手与上版机械手完成掩模版的交接，并由接版机械手将掩模版放至掩模台；以及通过掩模台的微动实现掩模版的精密预对准。本发明中的光刻机中掩模版的上版方法降低了预对准时对光源和传感器的要求以及掩模版上版机械手的结构设计难度和精度，同时降低了上版机械手的装配要求，消除了掩模版交接过程对预对准精度的影响。
文档编号G03F9/00GK102156393SQ20101011021
公开日2011年8月17日 申请日期2010年2月11日 优先权日2010年2月11日
发明者郑椰琴, 齐芊枫 申请人:上海微电子装备有限公司, 上海微高精密机械工程有限公司