液晶显示装置的制作方法

专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及MVA型液晶显示装置。
背景技术：
MVA(Multidomain Vertical Alignment 多畴垂直取向)型液晶显示装置因为具有比TN型液晶显示装置广的视野角特性，所以被广泛利用于TV用途等的液晶显示装置 (例如，参照专利文献1和2)。在本说明书中引用专利文献1和2的所有公开内容用于参考。在MVA型液晶显示装置中，通过在隔着垂直取向型液晶层相对的一对基板的液晶层侧设置畴限制结构(也称为取向限制结构。)，形成指向矢的取向方向(倾斜方向)不同的多个液晶畴。作为畴限制结构，使用设于电极上的狭缝(开口部)或者形成于电极的液晶层侧的电介质突起(肋)。典型地，在一对基板上分别配置有在相互正交的2个方向延伸的直线状的畴限制结构，当从垂直于基板的方向观看时，形成于一方基板上的畴限制结构和配置于另一方基板上的畴限制结构平行且交替地配置。其结果是，当对任意像素的液晶层施加电压时，在直线状的畴限制结构之间，形成液晶分子倾倒的方位(也称为液晶畴的指向矢的方位。)相互相差约90°的4种畴。典型地，相对于配置成正交尼科尔的一对偏振板的偏振轴(透射轴)，形成液晶畴的指向矢的方位角呈45°的4个液晶畴。当将方位角的0°设为一方偏振板的偏振轴的方向(例如显示面的水平方向(钟表的表盘的3点方向))、将逆时针旋转设为正的方位时，4个液晶畴的指向矢的方位角为45°、135°、225°、315°。下面，方位角的定义只要没有特别指明就基于该定义。此外，本说明书中的“像素”指液晶显示装置进行显示的最小单位，在彩色显示装置的情况下，指显示各个原色(典型地为R、G或者B)的最小单位，有时称为“点”。一般，像素排列成具有行和列的矩阵状。在此，行方向指显示面的水平方向(方位角为0°或者180° )，列方向指显示面的垂直方向(方位角为90°或者270° )。像素具有像素电极、液晶层以及隔着液晶层与像素电极相对的相对电极(共用电极)。像素电极具有在行方向延伸的边缘(边)和在列方向延伸的边缘。MVA型液晶显示装置具有的在相互正交的2个方向延伸的直线状的畴限制结构为了形成上述4个液晶畴，例如以在方位角 45° (225° )和135° (315° )上延伸的方式设置。即，设于相对电极侧的在相互正交的 2个方向延伸的直线状的畴限制结构(或者其延长线)与像素电极的在行方向延伸的边缘或者在列方向延伸的边缘交叉。当在像素电极与相对电极之间形成电位差时，在像素电极的边缘附近形成有倾斜电场(边缘场)。沿着像素电极的边缘形成的倾斜电场以使液晶分子在与像素电极的边缘正交的方向倾倒的方式起作用。因此，在设于相对电极侧的畴限制结构(或者其延长线) 和像素电极的在行方向或者列方向延伸的边缘交叉的附近，形成于像素电极的边缘附近的倾斜电场以使被畴限制结构限制的液晶分子的取向紊乱的方式起作用。液晶分子的取向紊乱时，显示质量当然降低。因此，在专利文献1中公开了如下构成为了抑制设于相对电极侧的畴限制结构 (或者其延长线)和像素电极的在行方向或者列方向延伸的边缘交叉的附近的液晶分子的取向紊乱，在发生上述取向紊乱的与像素电极的边缘部分相对的位置，设置平行于该边缘部分而延伸的直线状的辅助结构。辅助结构有时设于像素内，也有时设于像素外。辅助结构例如是形成于相对电极上的狭缝或者形成于相对电极的液晶层侧的电介质突起，使用与设于相对电极侧的畴限制结构相同的结构。即，在畴限制结构为形成于相对电极上的狭缝的情况下，作为辅助结构也采用狭缝，在畴限制结构为形成于相对电极的液晶层侧的电介质突起的情况下，作为辅助结构也采用电介质突起。但是，因为形成有辅助结构(狭缝或者电介质突起)的部分无助于显示，所以当辅助结构的至少一部分存在于像素内时，具有透射率降低的问题。另外，利用辅助结构抑制像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱，边缘附近的液晶分子的取向方向与利用畴限制结构规定的畴的指向矢的方向不同，所以透射率的损失不可避免。而且，当作为辅助结构使用电介质突起时，也具有如下问题规定液晶层的厚度(单元空隙)的柱状间隔物(也称为感光间隔物。)的配置被限制，设计的自由度降低。最近，为了改善MVA型液晶显示装置的γ特性的视角依存性，本申请人在专利文献3中公开了如下液晶显示装置和驱动方法通过将1个像素分割为明亮度不同的多个副像素，能改善Y特性的视角依存性。特别是能改善低灰度级的显示亮度比规定的亮度更高 (发白)的Y特性的视角依存性。在本说明书中，有时将这样的显示或者驱动称为面积灰度级显示、面积灰度级驱动、多像素显示或者多像素驱动等。在本说明书中引用专利文献3 的全部公开内容用于参考。在专利文献3中公开了如下液晶显示装置按1个像素内的多个副像素分别设置辅助电容，将构成辅助电容的辅助电容相对电极(连接到CS总线)按副像素设为电独立， 使对辅助电容相对电极提供的电压(称为辅助电容相对电压。)变化，由此利用电容分割使对多个副像素的液晶层施加的有效电压不同。此外，当前，在以TV用为首的要求宽视野角特性的用途中，MVA型液晶显示装置以各种方式进行多像素显示。在具有多像素结构的液晶显示装置中，像素电极与多个副像素对应地分割为多个副像素电极。即，利用多个副像素电极构成1个像素电极。另外，有时与多像素结构不同地对各像素设置多个副像素电极。例如，为了使像素电极和相对电极的短路不良容易修复、或者使短路不良难以显著，有时由多个副像素电极构成像素电极。在该情况下，对各像素所包含的多个副像素电极提供相同电压。现有技术文献专利文献专利文献1 特开平11-M2225号公报(美国专利第67M452号说明书)专利文献2 特开2000-155317号公报(美国专利第6879364号说明书)专利文献3 特开2004-62146号公报(美国专利第6958791号说明书)

发明内容
发明要解决的问题
如上所述，在MVA型液晶显示装置中，当为了抑制像素电极(或者副像素电极)的边缘附近的液晶分子的取向紊乱而形成上述的辅助结构时，具有例如损失透射率的问题。本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供如下MVA型液晶显示装置即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。用于解决问题的方案第1发明的液晶显示装置是MVA型的液晶显示装置，具有排列成具有行和列的矩阵状的多个像素，上述多个像素分别具有第1基板；第2基板；垂直取向型的液晶层，其设于上述第1基板与上述第2基板之间；至少1个第1电极，其形成于上述第1基板；第2电极，其隔着上述液晶层与上述至少1个第1电极相对；第1畴限制结构，其形成于上述第1 基板；以及第2畴限制结构，其形成于上述第2基板，上述第1畴限制结构包含形成于上述至少1个第1电极的狭缝，上述第2畴限制结构是形成于上述第2电极的狭缝或者形成于上述第2电极的上述液晶层侧的电介质突起，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述第1畴限制结构具有第1直线成分，其在第1方向延伸；以及第2直线成分，其在与上述第 1方向相差大致90°的第2方向延伸，上述第2畴限制结构具有第3直线成分，其在上述第1方向延伸；以及第4直线成分，其在上述第2方向延伸，上述第1直线成分及第2直线成分、和上述第3直线成分及第4直线成分中的至少一方存在多个，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述第1直线成分和上述第3直线成分交替地配置，且上述第2直线成分和上述第4直线成分交替地配置，当对上述多个像素中的任意像素的上述液晶层施加电压时，在上述第1直线成分与上述第3直线成分之间以及在上述第2直线成分与上述第4直线成分之间，形成液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴，上述第1方向和上述第 2方向是与上述行方向和上述列方向交叉的方向，当从垂直于上述第1基板的方向观看时， 上述至少1个第1电极的由第1部分和第2部分夹着的部分具有向行方向突出的延设部， 上述第1部分是上述至少1个第1电极的边缘和上述狭缝交叉的部分或者是上述至少1个第1电极的边缘和与该边缘最靠近的上述狭缝的延长线交叉的部分，上述第2部分与上述至少1个第1电极的上述第1部分相邻，是上述至少1个第1电极的边缘和上述第2畴限制结构交叉的部分或者是上述至少1个第1电极和与该边缘最靠近的上述第2畴限制结构的延长线交叉的部分。在此，第1电极设为基本上由构成该电极的导电层的外缘规定，与电位没有关系 (认为在第1电极上形成有从外缘连续的狭缝(细长的长条状的切口)的情况下，狭缝包含于第1电极内。)。例如当从液晶层侧观看时2个导电层(例如ITO层)的外缘相互独立时，即使在这2个导电层通过1个TFT的漏极实质上被提供相同电压的情况下，2个导电层也构成2个第1电极。当然，连接到导电层的TFT的数量与第1电极的数量没有关系。例如，在第1电极是像素电极、具有多像素结构的液晶显示装置等、各像素具有多个副像素电极的情况下，各副像素电极与第1电极对应。在某实施方式中，上述第2基板还具有黑矩阵，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述延设部的行方向的顶端与上述黑矩阵重叠。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有的上述延设部具有平行于上述狭缝的延伸方向的边缘，上述狭缝与上述第1部分的上述边缘交叉，或者上述狭缝的上述延长线与上述第1部分的上述边缘交叉。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有的上述延设部的上述边缘与上述狭缝的边缘连续。在某实施方式中，上述延设部具有平行于行方向或者列方向的边缘。在某实施方式中，上述至少1个第1电极在与在行方向相邻的像素的上述至少1 个像素电极的上述延设部相对的边缘具有切口部。在某实施方式中，上述延设部位于像素的角部的附近。在某实施方式中，上述延设部位于像素的列方向的中央附近，上述至少1个第1电极具有等腰三角形的切口部，上述等腰三角形以列方向的中央的平行于行方向的线为对称
轴ο在某实施方式中，上述切口部具有平行于上述第1方向或者第2方向的边缘。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有平行于上述第1方向或者上述第2 方向的边缘。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝或者在上述第2方向排列成一列的多个狭缝。在某实施方式中，排列成一列的上述多个狭缝的间隔不足8 μ m。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有第1角部，上述第1角部包含平行于行方向的第1边缘和平行于列方向的第2边缘，上述第1基板还具有电极层，上述电极层与上述第1角部的上述第1边缘的至少一部分和上述第2边缘的至少一部分重叠。即，可以使第1发明和后述的第2发明组合。在某实施方式中，还具有与上述多个像素分别对应的辅助电容，上述辅助电容具有辅助电容电极，其与上述至少1个第1电极电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者辅助电容电极。在某实施方式中，还具有形成于上述辅助电容电极上的层间绝缘层，上述至少1 个第1电极在上述辅助电容电极上的上述层间绝缘层中形成的接触孔内与上述辅助电容电极连接。在某实施方式中，上述电极层与上述第1畴限制结构或者上述第2畴限制结构的
一部分重叠。在某实施方式中，上述第1基板按每行具有CS总线，上述至少1个第1电极在上述CS总线上具有边界，包含沿着列方向上下排列的2个第1电极，上述2个第1电极中的至少一方具有上述第1角部。 在某实施方式中，具有上述多个像素各自所对应的2个辅助电容，上述2个辅助电容分别具有辅助电容电极，其与上述2个第1电极中的对应的1个电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者辅助电容电极，上述2个第1电极中的上侧的第1电极的下端的边缘具有向下侧突出的第1凸部，上述2个第1电极中的下侧的第1电极的上端的边缘具有向上侧突出的第2 凸部，上述第1凸部的下端的边缘及上述第2凸部的上端的边缘与上述CS总线或者上述辅助电容相对电极重叠。 在某实施方式中，上述2个第1电极中的一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭缝中的一方，上述2个第1电极中的另一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭
缝中的另一方。在某实施方式中，上述第2畴限制结构在上述CS总线或者上述辅助电容相对电极上具有使各自的平行于行方向的边缘相互相对地配置的上述第3直线成分和上述第4直线成分，上述第3直线成分的上述边缘和上述第4直线成分的上述边缘的间隙不足8 μ m。在某实施方式中，上述至少1个第1电极为3个或者4个第1电极，上述3个或者 4个第1电极包含上述2个第1电极。在某实施方式中，具有上述多个像素各自所对应的3个或者4个辅助电容，上述3 个或者4个辅助电容分别具有辅助电容电极，其与上述3个或者4个第1电极中的对应的 1个电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是与上述2个第1电极中的对应的1个电连接的上述辅助电容电极或者是隔着上述绝缘层与上述辅助电容电极相对的上述辅助电容相对电极。在某实施方式中，上述2个第1电极中的一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭缝中的一方，上述2个第1电极中的另一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭
缝中的另一方。在某实施方式中，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述辅助电容电极具有在上下方向或者左右方向具有凹部的U字形状。在此，从垂直于第1基板的方向观看时的“上下方向”是指显示面的垂直方向，“上方向”是指方位角为90° (钟表的表盘的12点方向)，“下方向”是指方位角为270° (钟表的表盘的6点方向)，“左右方向”是指显示面的水平方向，“右方向”是指方位角为0° (钟表的表盘的3点方向)，“左方向”是指方位角为180° (钟表的表盘的9点方向)。在某实施方式中，在与上述至少1个第1电极的上述第1角部的上述第1边缘和上述第2边缘对应的、上述第2基板上的位置，未形成在上述第2电极上形成的狭缝或者在上述第2电极的上述液晶层侧形成的电介质突起。第2发明的液晶显示装置是MVA型的液晶显示装置，具有排列成具有行和列的矩阵状的多个像素，上述多个像素分别具有第1基板；第2基板；垂直取向型的液晶层，其设于上述第1基板与上述第2基板之间；至少1个第1电极，其形成于上述第1基板；第2电极，其隔着上述液晶层与上述至少1个第1电极相对；第1畴限制结构，其形成于上述第1 基板；第2畴限制结构，其形成于上述第2基板，上述第1畴限制结构包含形成于上述至少 1个第1电极上的狭缝，上述第2畴限制结构是形成于上述第2电极的狭缝或者形成于上述第2电极的上述液晶层侧的电介质突起，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述第1 畴限制结构具有第1直线成分，其在第1方向延伸；以及第2直线成分，其在与上述第1方向相差大致90°的第2方向延伸，上述第2畴限制结构具有第3直线成分，其在上述第1 方向延伸；以及第4直线成分，其在上述第2方向延伸，上述第1直线成分及第2直线成分、 和上述第3直线成分及第4直线成分中的至少一方存在多个，当从上述第1基板的法线方向观看时，上述第1直线成分和上述第3直线成分交替地配置，且上述第2直线成分和上述第4直线成分交替地配置，当对上述多个像素中的任意像素的上述液晶层施加电压时，在上述第1直线成分与上述第3直线成分之间以及在上述第2直线成分与上述第4直线成分之间，形成有液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴，上述第1方向和上述第2方向是与上述行方向和上述列方向交叉的方向，上述至少1个第1电极具有第1角部，上述第1 角部包含平行于行方向的第1边缘和平行于列方向的第2边缘，上述第1基板还具有电极层，上述电极层与上述第1角部的上述第1边缘的至少一部分和上述第2边缘的至少一部分重叠。在某实施方式中，还具有与上述多个像素分别对应的辅助电容，上述辅助电容具有辅助电容电极，其与上述至少1个第1电极电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者上述辅助电容电极。在某实施方式中，还具有形成于上述辅助电容电极上的层间绝缘层，上述至少1 个第1电极在上述辅助电容电极上的上述层间绝缘层中形成的接触孔内与上述辅助电容电极连接。在某实施方式中，上述电极层与上述第1畴限制结构或者上述第2畴限制结构的
一部分重叠。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有平行于上述第1方向或者上述第2 方向的边缘。在某实施方式中，上述至少1个第1电极具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝或者在上述第2方向排列成一列的多个狭缝。在某实施方式中，排列成一列的上述多个狭缝的间隔不足8 μ m。在某实施方式中，上述第1基板按每行具有CS总线，上述至少1个第1电极在上述CS总线上具有边界，包含沿着列方向上下排列的2个第1电极，上述2个第1电极中的至少一方具有上述第1角部。在某实施方式中，具有上述多个像素各自所对应的2个辅助电容，上述2个辅助电容分别具有辅助电容电极，其与上述2个第1电极中的1个电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者上述辅助电容电极，上述2个第1电极中的上侧的第1电极的下端的边缘具有向下侧突出的第1凸部，上述2个第1电极中的下侧的第1电极的上端的边缘具有向上侧突出的第2凸部，上述第1凸部的下端的边缘及上述第2凸部的上端的边缘与上述CS总线或者上述辅助电容相对电极重叠。在某实施方式中，上述2个第1电极中的一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭缝中的一方，上述2个第1电极中的另一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭
缝中的一方。在某实施方式中，上述第2畴限制结构在上述CS总线或者上述辅助电容相对电极上具有使各自的平行于行方向的边缘相互相对地配置的上述第3直线成分和上述第4直线成分，上述第3直线成分的上述边缘和上述第4直线成分的上述边缘的间隙不足8 μ m。在某实施方式中，当从上述第1基板的法线方向观看时，上述辅助电容电极具有在上下方向或者左右方向具有凹部的U字形状。
在某实施方式中，在与上述至少1个第1电极的上述第1角部的上述第1边缘和上述第2边缘对应的、上述第2基板上的位置，未形成在上述第2电极上形成的狭缝或者在上述第2电极的上述液晶层侧形成的电介质突起。发明效果根据第1发明或者第2发明，提供如下MVA型液晶显示装置即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。 通过适当组合第1发明和第2发明两者，能提高上述效果。


图1是示出本发明的实施方式的IXD100A的构成的平面图。图2是示出本发明的实施方式的IXD100B的构成的平面图。图3是示出通过模拟求出对IXD100B的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图。图4(a)和(b)是示出本发明的实施方式的LCD100C的构成的平面图，(a)是对介质突起和柱状间隔物附加影线的图，(b)是对栅极金属层附加影线的图。图5是示出通过模拟求出对IXD100C的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图。图6是示出IXD100C的形成有接触孔17b的部分的截面结构的图，是沿图4 (b)中的VI-VI’线的截面图。图7是示出形成有接触孔的部分的其它截面结构的图，是相当于图4(b)中的 VI-VI’线的截面图。图8是示出本发明的实施方式的IXD100D的构成的平面图。图9是示出通过模拟求出对IXD100D的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图。图10是示出本发明的实施方式的IXD100E的构成的平面图。图11是示出通过模拟求出对IXD100E的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图。图12(a)是示出通过模拟求出对IXD100E的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图(像素的上半部)，(b)是LCD100E的第1电极21a(E)的右下部的平面图，(C)是示出对LCD100C的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图(像素的上半部右下部)，(d)是LCD100C的第1电极21a(C)的右下部的平面图。图13是示出本发明的实施方式的LCD100F的构成的平面图。图14是示出IXD100F的形成有接触孔17(F)的部分的截面结构的图。图15是示出IXD100F的形成有接触孔17(F)的部分的平面结构的图。图16(a) (d)是示出本发明的实施方式的LCD100G、100H、1001以及100J的第 1电极的图案的平面图。图17(a) (d)是示出本发明的实施方式的IXD100K的构成的平面图。图18(a) (d)是示出本发明的实施方式的IXD100L的构成的平面图。
具体实施例方式下面，参照

本发明的实施方式的MVA型液晶显示装置(下面简称为LCD。) 的构成。此外，本发明不限于例示的实施方式。在下面例示的实施方式的MVA型IXD中，第1基板具有TFT和第1电极(像素电极或者副像素电极)，第2基板具有第2电极(相对电极)。另外，形成于第1基板的第1畴限制结构包含形成于第1电极的狭缝，形成于第2基板的第2畴限制结构是形成于第2电极的液晶层侧的电介质突起。作为第2畴限制结构，也可以使用形成于第2电极的狭缝。首先，参照图1说明第1发明的实施方式的MVA型IXD100A的构成。图1是示意性示出第1发明的实施方式的LCD100A的基本的构成例的平面图，示出LCD100A具有的排列成矩阵状的多个像素中的1个像素和在行方向(水平方向)相邻的2个像素的一部分。IXD100A具备多个像素，多个像素具有第1电极(副像素电极)21a和21b，其形成于第1基板；第2电极(相对电极，未图示)，其与第1电极21a和21b相对，形成于第2 基板；以及垂直取向型液晶层(未图示)，其设于第1电极21a和21b与第2电极之间。第 2电极设置成多个像素共用，形成于图1中的整个面。在此，垂直取向型液晶层在未施加电压时使介电各向异性为负的液晶分子大致垂直于第1电极21a、21b和第2电极的面(例如87°以上90°以下)取向。典型地，通过在第1电极21a、21b和第2电极(以及电介质突起)各自的液晶层侧的表面设置垂直取向膜 (未图示)而得到。设于IXD100A的各像素中的2个第1电极21a和21b通过1个TFT14连接到源极总线13。TFT14利用从栅极总线12向栅极提供的栅极信号进行导通/截止控制。第1电极21a和21b在接触孔17a和17b内分别与作为TFT14的漏极和漏极引出配线16的延设部的辅助电容电极16c连接。当TFT14为导通状态时，从源极总线13提供的源极信号电压向第1电极21a和21b提供。IXD100A的像素结构不是多像素结构。在沿着像素的列方向上下配置的第1电极21a与第1电极21b之间设有CS总线 (辅助电容配线)15。第1电极21a的下端的边缘和第1电极21b的上端的边缘(均平行于行方向)以与CS总线15重叠的方式配置。即，第1电极21a和第1电极21b的间隙配置于CS总线15上。通过采用这样的配置，液晶分子的取向紊乱的区域被CS总线15遮光， 所以能使显示质量提高。此外，第1电极21a和第1电极21b的间隙可以不配置于CS总线 15上。通过采用这样的配置，能使透射率提高。作为CS总线15的延设部的辅助电容相对电极18a和18b (—体形成)隔着绝缘层与相对的辅助电容电极16c形成辅助电容(CS)。 接触孔17a和17b形成于辅助电容上。从CS总线15向列方向的上侧延设的辅助电容相对电极18a具有以与电介质突起 44a2重叠的方式延设的部分，从CS总线15向列方向的下侧延设的辅助电容相对电极18b 具有以与电介质突起4仙2重叠的方式延设的部分。构成辅助电容的上述电极因为不透射光，所以当配置于像素内时，有效开口率(在显示区域的面积内实际上用于显示的光透射的面积的比例)减少。另外，形成有电介质突起44的部分的光的透射率也降低。通过使它们重叠地配置，能抑制像素内的透射区域的损失。当然，构成辅助电容的电极的面积根据电设计的电容值适当设定。
此外，在源极总线13的下层(基板侧)残留有半导体层33。该半导体层33作为用于示出像素是表示例如R、G、B三原色中的何种颜色的像素的标识而设置。在第1电极21a、21b上形成有狭缝22作为第1畴限制结构，在第2电极的液晶层侧形成有电介质突起44作为第2畴限制结构。在图1中，对电介质突起44和柱状间隔物 62附加影线而示出。它们例如使用感光性树脂形成于第2基板的第2电极(相对电极) 上。当从垂直于第1基板的方向观看时，作为第1畴限制结构的、第1电极21a、21b具有的狭缝22具有第1直线成分22a，其在第1方向延伸；以及第2直线成分22b，其在与第1方向相差大致90°的第2方向延伸。第1电极21a仅具有第1直线成分22a，第2电极21b仅具有第2直线成分22b。在此，第1方向的方位角是135° (或者315° )，第2方向的方位角是225° (或者45° )。作为第2畴限制结构的、形成于第2电极的液晶层侧的电介质突起44具有第3 直线成分44al和44a2 (44a)，其在第1方向延伸；以及第4直线成分44b 1和4仙2 (44b)，其在第2方向延伸。当从垂直于第1基板的方向观看时，第1直线成分2 和2个第3直线成分44al和44a2交替地配置，且第2直线成分2 和2个第4直线成分44b 1和4仙2交替地配置。因此，当对像素的液晶层施加电压时，在第1直线成分2 与第3直线成分44al 和44a2之间、以及在第2直线成分22b与第4直线成分44bl和4仙2之间，形成液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴。直线状的第1和第2畴限制结构以液晶分子在与各个直线成分的延设方向正交的方向倾倒的方式表现取向限制力，所以留出一定的间隔平行配置的直线成分之间的液晶分子大致同样地在相同方向倾倒。在此例示的本发明的实施方式的液晶显示装置具有的畴限制结构与LCD100A具有的畴限制结构基本上相同，在下面的说明中有时省略。但是，本发明的实施方式的液晶显示装置具有的畴限制结构不限于此。例如，第2畴限制结构可以是狭缝。另外，在此，例示第1和第2直线成分为1个、第3和第4直线成分为2个的情况，但只要第1及第2直线成分、和第3及4直线成分的至少一方存在多个，当从垂直于第1基板的方向观看时，第1直线成分和第3直线成分交替地配置，且第2直线成分和第4直线成分交替地配置即可。此夕卜，包含第1电极21a的平行于第1方向的边缘21eal和21ea2在内的切口部(没有导电层的部分)作为第1畴限制结构执行功能，包含第2电极21b的平行于第2方向的边缘21ebl 和21吐2在内的切口部作为第2畴限制结构执行功能，所以第1和第2直线成分也能视为 3个，第3和第4直线成分也能视为2个。畴限制结构延设的第1方向和第2方向是与行(显示面的水平方向)和列方向 (显示面的垂直方向)交叉的方向。当从垂直于第1基板的方向观看时，第1电极21a、21b 的由第1部分和第2部分夹着的部分具有向行方向突出的延设部，第1部分是第1电极21a、 21b的边缘和狭缝22交叉的部分、或者是第1电极21a、21b的边缘和与该边缘最靠近的狭缝22的延长线交叉的部分，第2部分与第1电极21a、21b的第1部分相邻，是第1电极21a、 21b的边缘和电介质突起44交叉的部分、或者是第1电极21a、21b的边缘和与该边缘最靠近的电介质突起44的延长线交叉的部分。如图1所示，第1电极21a的由第1电极21a的左侧边缘和狭缝22a的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21a的左侧边缘和电介质突起44al交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图1中左侧)突出的延设部21aEl。另外，第1电极21a的由第1电极21a的右侧边缘和狭缝2 交叉的第1部分和作为第1电极21a的下侧边缘和电介质突起44a2交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图1中右侧)突出的延设部21aE2。同样，第1电极21b的由第1电极21b的左侧边缘和狭缝22b的延长线交叉的第1 部分和作为第1电极21b的左侧边缘和电介质突起44bl交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图1中左侧)突出的延设部21bEl。另外，第1电极21b的由第1电极21b的右侧边缘和狭缝22b交叉的第1部分和作为第1电极21b的上侧边缘和电介质突起4仙2交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图1中右侧)突出的延设部21bE2。延设部21aEl具有平行于狭缝22a的延伸方向(第1方向)的边缘，狭缝22a的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21aEl还具有平行于列方向的边缘。同样，延设部21bEl具有平行于狭缝22b的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝 22b的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21bEl还具有平行于列方向的边缘。另外，延设部21aE2具有平行于狭缝22a的延伸方向(第1方向)的边缘，狭缝 22a与第1部分的边缘交叉，延设部21aE2的该边缘与狭缝22a的边缘连续。延设部21aE2 还具有平行于行方向的边缘。同样，延设部21bE2具有平行于狭缝22b的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝 22b与第1部分的边缘交叉，延设部21bE2的该边缘与狭缝22b的边缘连续。延设部21bE2 还具有平行于行方向的边缘。如上所述，延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2分别具有与对应的狭缝2 或者22b的延伸方向平行的边缘，这样的边缘发挥与对应的狭缝同样的取向限制力。另一方面，延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2还具有平行于行方向或者列方向的边缘。因此， 在延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2，在这些边缘交叉的行方向的顶端部分，发生液晶分子的取向的紊乱。因此，当从垂直于第1基板的方向观看时，延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2 的行方向的顶端以与黑矩阵52(图1中虚线所示。)重叠的方式配置。因此，即使在延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2的行方向的顶端部液晶分子的取向紊乱，该部分也被黑矩阵52遮光，所以显示不会受到不良影响。此外，黑矩阵52 —般使用金属层或者黑色树脂层形成于第2基板的液晶层侧的表面。S卩，在第1发明的实施方式的液晶显示装置中，在第1电极上形成向行方向突出的延设部，且将延设部的行方向的顶端以与黑矩阵重叠的方式配置，使形成于第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱的区域处于被黑矩阵遮光的区域，由此抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。如上所述，LCD100A在各像素中具有4个延设部21aEl、21aE2、21bEl以及21bE2。 其中，延设部21aEl和21bEl设于像素的角部的附近。在此，均设于像素的左侧的角部。延设部21aE2和21bE2设于像素的右侧的列方向的中央附近，均设于第1电极21a或者21b 的角部的附近。在第1电极21a的4个角部中的将狭缝22a延伸的第1方向设为对角线方向的2个角部的附近设有延设部21aEl、21aE2。位于与其交叉的对角线方向的第1电极21a的2 个角部具有平行于第1方向的边缘21eal和21ea2。另外，第1电极21a的右上角部的边缘 21eal和电介质突起44al之间的距离与狭缝2 和电介质突起44al之间的距离大致相等， 第1电极21a的左下角部的边缘21ea2和电介质突起44a2之间的距离与狭缝2 和电介质突起44a2之间的距离大致相等。第1电极21a的平行于第1方向的边缘21eal和21ea2 发挥与狭缝22a同样的取向限制力，所以以在电介质突起44al或者44a2之间稳定地形成液晶畴的方式起作用。另外，第1电极21b也同样，位于与第2方向的对角线方向交叉的对角线方向的2 个角部具有平行于第2方向的边缘21ebl和21eb2，第2方向为第1电极21b具有的狭缝 22b延伸的方向。第1电极21b的平行于第2方向的边缘21ebl和21吐2发挥与狭缝22b 同样的取向限制力，所以以在电介质突起44bl或者4仙2之间稳定地形成液晶畴的方式起作用。在此，位于第1电极21a、21b的左侧边缘的边缘21ea2和21吐2形成与延设部 21aE2和21bE2相对的切口部，延设部21aE2和21bE2设于与该像素的左侧相邻的像素具有的第1电极21a、21b的右侧边缘。与左侧相邻的像素具有的第1电极21a、21b的延设部 21aE2和21bE2的顶端部分配置于该切口部内。这样，通过设置切口部，能增大延设部21aE2 和21bE2的向行方向的突出量。此外，柱状间隔物62配置于在第1电极21b的右下边缘21ebl与下1行像素的第 1电极21a的右上边缘21eal之间所形成的区域。通过在第1电极21a和21b的角部中的未设置延设部的角部形成平行于各自具有的狭缝2 或者22b的边缘21eal或者21ebl，能形成配置柱状间隔物62的空间。例如当将柱状间隔物62以与第1电极21a或者21b重叠的方式配置时，有时受到柱状间隔物62的取向限制的液晶分子使像素内的液晶分子的取向紊乱，显示质量降低。例如，柱状间隔物62形成于相对基板(第2基板)上，其粗细度从相对基板上朝向TFT基板(第1基板)变小。这样的话，从图1中的右下的柱状间隔物62 观看，位于上方(12点方向)的液晶分子朝向柱状间隔物62倾斜(朝向6点方向)。艮口， 基于柱状间隔物62的侧面的取向限制力以在与基于畴限制结构44bl、第1电极21b的右下边缘21ebl的取向限制力不同的方向使液晶分子取向的方式起作用，所以成为透射率降低、或者显示不光滑(不均勻)的原因。在IXD100A中，在未形成第1电极21a、21b的区域配置有柱状间隔物62，所以能避免这样的显示质量的降低。接着，参照图2说明第1发明的实施方式的LCD100B的构成。在下面的说明中，对与LCD100A相同的构成要素标注相同的附图标记，有时省略说明。IXD100B与IXD100A同样，具有2个第1电极21a和21b，且在像素内具有4个延设部 21aEl (B)、21aE2 (B)、21bEl (B)以及 21bE2 (B)。设于第1电极21a的左侧边缘的延设部21aEl⑶和设于第1电极21b的左侧边缘的延设部21bEl (B)分别与LCD100A中的延设部21aEl和21bEl相同。IXD100B在形成于第1电极21a的右侧边缘和第1电极21b的右侧边缘的延设部以及第1电极21a、21b具有的狭缝的构成中与IXD100A不同。IXD100B的第1电极21a的由第1电极21a的右侧边缘和狭缝22a (B)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21a的下侧边缘和电介质突起44a2交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图2中右侧)突出的延设部21aE2(B)。延设部21aE2(B)具有平行于狭缝22a(B)的延伸方向(第1方向)的边缘和平行于行方向的边缘，狭缝22a(B) 的延长线与第1部分的边缘交叉。狭缝22a(B)形成于第1电极21a内，与LCD100A的狭缝 2 不同，与第1电极21a的边缘不连续。IXD100B的第1电极21b的由第1电极21b的右侧边缘和狭缝22b (B)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21b的上侧边缘和电介质突起4仙2交叉的部分的第2部分夹着的部分具有向行方向(图2中右侧)突出的延设部21bE2(B)。延设部21bE2(B)具有平行于狭缝22b (B)的延伸方向(第2方向)的边缘和平行于行方向的边缘，狭缝22b (B) 的延长线与第1部分的边缘交叉。狭缝22b (B)形成于第1电极21b内，与LCD100A的狭缝 22b不同，与第1电极21b的边缘不连续。在IXD100B中也与IXD100A同样，当从垂直于第1基板的方向观看时，延设部 21aEl(B)、21aE2(B)、21bEl(B)以及21bE2(B)的行方向的顶端以与黑矩阵52 (图1中虚线所示。)重叠的方式配置。因此，与IXD100A同样，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。图3中示出通过模拟求出对IXD100B的像素的液晶层施加白显示电压(7. 0V)的状态下的透射率分布的结果。模拟中使用ExpertIXD(DAC)U XILIC0N公司制造)。下面的模拟也相同。在LCD100B 中，通过设置延设部 21aEl (B)、21aE2 (B)、21bEl (B)以及 21bE2(B)，在第1电极21a、21b的边缘附近产生的液晶分子的取向紊乱的区域利用黑矩阵52隐藏，其结果是，存在于像素内的液晶分子的取向紊乱的区域的面积减少。对于该情况，后面在图9、图 11以及图12中示出模拟结果进行说明。但是，在IXD100B中，从图3可知在像素的列方向的中央的右侧、即第1电极21a 的右下角部和第1电极21b的右上角部的附近产生环状暗线。第1电极21a的右下角部和第1电极21b的右上角部均包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘。另外，在第1 电极21a的右下角部的附近存在狭缝2 和电介质突起44a2，在第1电极21b的右上角部的附近存在狭缝22b和电介质突起4仙2。因此，因为来自各种方向的取向限制力作用于这样的角部的附近的液晶分子，所以液晶分子的取向变得紊乱、且不稳定。暗线产生的位置、 暗线的大小、形状根据第1电极21a、21b的角部的最终的形状而变化。由于暗线，透射率降低、或者产生显示不光滑(不均勻)等，显示质量降低。因此，在图4(a)和(b)所示的IXD100C中，通过将形成辅助电容相对电极18a的位置从IXD100B中的位置进行变更，构成为隐藏图3所示的环状暗线。IXD100C是第1发明的实施方式，并且也是第2发明的实施方式。图4(a)和(b)是示出LCD100C的构成的平面图，图4(a)是对介质突起和柱状间隔物附加影线的图，图4(b)是对栅极金属层附加影线的图。图5中示出通过模拟求出对 IXD100C的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果。首先，参照图5。将图5与图3比较可明确，图3中所看到的右侧边缘的中央附近的环状暗线在图5中被隐藏。这样，可知通过采用IXD100C的结构，能解决由环状暗线引起的上述问题。即，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。
如图4(a)和(b)所示，在LCD100C中，辅助电容相对电极ISa(C)以包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘、与第1电极21a的右下角部重叠的方式形成。S卩，辅助电容相对电极ISa(C)与上述角部的平行于行方向的边缘的至少一部分和上述角部的平行于列方向的边缘的至少一部分重叠。作为栅极金属层所形成的辅助电容相对电极ISa(C)、 作为源极金属层所形成的辅助电容电极16c(C) —般由具有遮光性的膜形成，所以能利用这些电极层作为遮光层。此外，在此，示出了将辅助电容相对电极ISa(C)使用于遮光层的例子，但可以使用辅助电容电极16c (C)作为遮光层，也可以使用其它电极层。当使用辅助电容相对电极ISa(C)、辅助电容电极16c(C)等形成于TFT基板的电极层时，不需要另外形成遮光层，且能将本来不能利用于显示的区域作为遮光层积极地利用，所以能抑制像素的有效开口率的降低。在此，所谓栅极金属层是指包含使用用于形成栅极总线和栅极电极的金属膜(包含层叠膜)所形成的构成要素在内的层，同样，所谓源极金属层是指包含使用用于形成源极总线和源极电极的金属膜(包含层叠膜)所形成的构成要素在内的层。第1电极21a的下端的边缘具有向下侧突出的第1凸部，第1电极21b的上端的边缘具有向上侧突出的第2凸部。第1电极21a的第1凸部的下端的边缘与CS总线15或者辅助电容相对电极ISa(C)重叠，第1电极21b的第2凸部的上端的边缘与CS总线15或者辅助电容相对电极ISb(C)重叠。在第1电极21a的第1凸部与辅助电容相对电极ISa(C) 重叠的区域形成有接触孔17a (C)，在接触孔17a (C)内，第1电极21a连接到辅助电容电极 16c (C)。另外，在第1电极21b的第2凸部与辅助电容相对电极ISb(C)重叠的区域形成有接触孔17b (C)，在接触孔17b (C)内，第1电极21b连接到辅助电容电极16c (C)。如图4(a)和(b)所示，当第1电极21a的第1凸部和第1电极21b的第2凸部以在列方向啮合的方式配置时，比较图3和图5可知因为能减小被辅助电容遮光的区域的面积，所以能使有效开口率增大。另外，辅助电容相对电极18a (C)与狭缝2 的端部、电介质突起44a2以及4仙2的端部重叠。因此，即使在这些畴限制结构的端部液晶分子的取向紊乱，因为利用辅助电容相对电极18a(C)遮光，所以也不影响显示质量。在图1所示的IXD100A中，电介质突起44a2 和电介质突起4仙2连结，而在IXD100C中，电介质突起44a2和电介质突起4仙2在辅助电容相对电极ISa(C)上分离。当采用这样的构成时，因为在注入液晶材料时液晶材料能在电介质突起44a2和电介质突起4仙2的间隙流动并扩展，所以能稳定地进行液晶材料的注入。 另外，也得到容易均勻地进行取向膜的涂敷的优点。在此，优选电介质突起44a2和电介质突起4仙2分别使平行于行方向的边缘相互相对地配置，优选这些边缘的间隙不足8 μ m。当电介质突起44a2和电介质突起4仙2的上述边缘间的间隙为8 μ m以上时，液晶分子的取向紊乱的区域不必要地变大。IXD100C与IXD100B同样，具有2个第1电极21a和21b，且在像素内具有4个延设部 21aEl (C)、21aE2 (C)、21bEl (C)以及 21bE2 (C)。设于第1电极21a的左侧边缘的延设部21aEl (C)和设于第1电极21b的左侧边缘的延设部21bEl(C)分别与LCD100B中的延设部21aEl(B) ^P 2IbEI(B)相同。另外，设于第1电极21b的右侧边缘的延设部21bE2(C)与IXD100B中的延设部21bE2(B)相同。因此， IXD100C也如对IXD100B进行说明的那样，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。此外，设于第1电极21a的右侧边缘的延设部21aE2 (C)的向行方向的突出量比 IXD100B的延设部21aE2(B)小。这是因为如上所述，该边缘被辅助电容相对电极ISa(C) 遮光。也能省略该延设部21aE2 (C)。当然，可以省略全部其它延设部，使用辅助电容相对电极ISa(C)等电极层对液晶分子的取向紊乱的区域进行遮光。但是，对于LCD100A和100B，如上所述，从有效开口率观点考虑，设置延设部的构成是有利的。接着，参照图6说明形成有接触孔17b的部分的截面结构。图6是沿图4(b)中的 VI-VI’线的截面图。在第1基板(例如玻璃基板)11上形成有辅助电容相对电极(栅极金属层)ISb(C)。在辅助电容相对电极ISb(C)上形成有栅极绝缘层31，在栅极绝缘层31上形成有半导体层33。半导体层33取i层3 和η+层33a这2层结构。如图4(a)所示，从垂直于第1基板11的方向观看时的半导体层33的二维形状是在下侧具有凹部的U字形状。 在半导体层33上形成有辅助电容电极16c (源极/漏极层)。辅助电容电极16c包括Ti层 16cl和Al层16c2。如图4 (a)所示，辅助电容电极16c也具有在下侧具有凹部的U字形状。以覆盖辅助电容电极16c的方式形成有钝化层35和层间绝缘层37。在钝化层35 和层间绝缘层37中形成有接触孔17b。在层间绝缘层37上形成有第1电极21b，第1电极 21b在接触孔17b内与辅助电容电极16c连接。辅助电容CS形成于第1电极21b和辅助电容相对电极ISb(C)隔着栅极绝缘层31 相互相对的部分(称为CS1。)、以及辅助电容电极16c和辅助电容相对电极ISb(C)隔着栅极绝缘层31相互相对的部分(称为CS2。)。而且，在辅助电容电极16c的下层配置有半导体层33的部分(称为CS3。)也对辅助电容CS有贡献。该部分(CS;3)配置有半导体层 33，因此其电容的大小根据辅助电容电极16c和辅助电容相对电极ISb(C)的电位的关系而变动。在交流驱动的液晶显示装置中，在对辅助电容相对电极ISb(C)也输入与共用电极相同的交流信号的情况、在对源极总线输入极性相对于辅助电容相对电极ISb(C)不同的视频信号的情况等下，即使CS2和CS3的面积在俯视时相同，作为辅助电容，其大小也不同。半导体层33在5片掩模G片掩模)的工艺等中使用相同掩模使栅极绝缘层31、 钝化层35以及层间绝缘层37图案化时，被用作栅极绝缘层31的蚀刻保护膜。如图4(a)和(b)所示，在相对于第1电极21a和第1电极21b分别设置接触孔 17a (C)和17b(C)的情况下，半导体层33也与各个接触孔对应地设置。在接触孔17b (C)中， 如上所述，半导体层33和辅助电容电极16c (C)具有在下侧具有凹部的U字形状。另一方面，在接触孔17a(C)中，半导体层33和辅助电容电极16c(C)具有在上侧具有凹部的U字形状。这样，当将辅助电容电极16c (C)的2个凹部(与接触孔17b(C)和17a(C)对应的部分)设为上下对称时，半导体层33相对于辅助电容电极16c (C)的上下方向的位置偏差可相互补偿(面积保持为一定)。构成为相对于左右方向的位置偏差，在接触孔17a(C)和 17b (C)的各自中补偿。因此，在此，当采用例示的构成时，成为辅助电容CS的电容值相对于上下左右4个方向的位置偏差难以变动的结构。在左右方向设置半导体层33和辅助电容电极16c(C)的凹部的情况也同样得到该效果。另外，在此例示的构成相对于接触孔17a(C)和17b(C)的上下方向的位置偏差，也具有抑制电容变动的效果。如图6所示，形成辅助电容CS的部分由接触孔17b的位置决定。该部分是图4(a) 中的U字状的半导体层33的凹部内的矩形的区域。例如，当在上侧具有凹部的U字形状的接触孔17b的位置大大向下方偏移时，半导体层33和辅助电容电极16c (C)形成辅助电容 CS的矩形部分的面积变小。而在接触孔17a(C)中，半导体层33和辅助电容电极16c(C) 具有在下侧具有凹部的U字形状，所以即使接触孔17a(C)的位置向下方偏移，形成辅助电容CS的矩形部分的面积也不变化。因此，当将与接触孔17a (C)和17b (C)对应的2个半导体层33和辅助电容电极16c (C)的凹部设为上下对称(或者左右对称)时，相对于接触孔 17a(C)和17b(C)的上下方向(左右方向)的位置偏差，也能得到抑制电容变动的效果。作为形成有接触孔的部分的结构，如图7所示，不具有半导体层33的构成也能得到上述效果。此外，图7也是相当于图4(b)中的VI-VI’线的截面图。接着，参照图8说明第1和第2发明的实施方式的IXD100D的构成。图8是示出 IXD100D的构成的平面图。LCD100D在第1电极21a和21b的左侧边缘不具有延设部(LCD100C中的21aEl (C) ^P 2IbE 1(C))的方面与图4(a)和(b)所示的IXD100C不同。此外，第1电极21b的右侧边缘的延设部21bE2(D)与LCD100C的延设部21bE2(C)相同。IXD100D因为在第1电极21a和21b的左侧边缘不具有延设部，所以在第1电极 21a和21b的左侧边缘的对应部分形成有液晶分子的取向紊乱的区域。为了防止其影响显示，黑矩阵52(D)延设至比LCD100C的黑矩阵52(参照图4)靠像素的内侧。另外，LCD100D在狭缝22a(D)和22b (D)构成为沿着规定的方向排列成一列的2个狭缝的方面与LCD100C不同。当如狭缝22a(D)和22b (D)那样将狭缝构成为排列成一列的多个狭缝时，(换言之，当设置在狭缝之间存在导电层的部分时)，能得到使狭缝内的液晶分子的取向稳定的效果。狭缝沿着其边缘形成倾斜电场，但对位于狭缝的正上方的液晶分子没有取向限制力、或者取向限制力弱。因此，例如当狭缝长时，位于狭缝的正上方的液晶分子的取向变得不稳定，有时产生例如响应速度慢等问题。通过分断狭缝、即将多个狭缝排列成一列，能使液晶分子的取向稳定(参照图9)。优选排列成一列的狭缝与狭缝的间隙不足8 μ m。当间隙为8 μ m以上时，在构成狭缝和狭缝的间隙的导电层存在的部分中的液晶分子的取向对显示赋予的影响过于大，其结果是，有时显示亮度降低。此外，如LCD100D所示，优选狭缝在沿着一列狭缝的线上将存在导电层的部分设置在2个以上。这是为了降低第1电极21a或者21b在形成有狭缝的部分被切断的危险。 例如，当如图1所示的IXD100A那样形成与第1电极21a的边缘连续的1个狭缝(细长)22a 时，在沿着狭缝22a的线上仅1个部位存在导电层。因此，当在该部位产生断线时，第1电极21a的约一半不作为电极执行功能。图9示出通过模拟求出对IXD100D的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透
射率分布的结果。将图9与图5比较可知在像素的左上角部，被黑矩阵52⑶遮光的面积比 IXD100C大。另外，在像素的左下角部，黑色区域扩展了未设置延设部21bEl (C)的程度。另夕卜，在图9中，在与狭缝22a(D)和22b(D)对应的部分形成有十字状的黑色图案。在排列成一列的2个狭缝的间隙中液晶分子的取向稳定化的结果是产生该黑色图案。
接着，参照图10说明第1和第2发明的实施方式的IXD100E的构成。图10是示出IXD100E的构成的平面图。LCD100E在第1电极21a (E)和21b (E)的左侧边缘具有延设部21aEl (E)和 21bEl(E)的方面与LCD100D不同。此外，该延设部21aEl (E)和21bEl(E)的形状与LCD100C 的延设部21aEl(C)和21bEl(C)不同。这只不过示出延设部的形状的变形。IXD100E具有的黑矩阵52(E)具有与IXD100C的黑矩阵52同样的图案，像素的左上角部的开口比IXD100D 的黑矩阵52(D)大。另外，第1电极21b(E)的延设部21bE2(E)的形状与LCD100D的延设部21bE2(D)稍微不同，但对液晶分子的取向几乎没有影响。图11中示出通过模拟求出对IXD100E的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果。将图11与图9比较可知在像素的左上角部，被黑矩阵52 (E)遮光的面积比 IXD100D小。另外，在像素的左下角部，黑色区域减小设置延设部21bEl (E)的程度。接着，参照图12(a) (d)，针对IXD100E和IXD100C，对像素的右侧边缘的列方向的中央部的构成进行说明。图12(a)是示出通过模拟求出对LCD100E的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图(像素的上半部)，图12(b)是LCD100E的第1电极21a(E)的右下部的平面图，图12(c)是示出通过模拟求出对IXD100C的像素的液晶层施加白显示电压的状态下的透射率分布的结果的图(像素的上半部右下部)，图12(d) 是LCD100C的第1电极21a(C)的右下部的平面图。如图12(b)所示，LCD100E在第1电极21a (E)的右侧不具有延设部，而如图12(d) 所示，IXD100C在第1电极21a (C)的右侧具有延设部21aE2(C)。比较图12(a)和图12(c)可知虽然是少许，但IXD100C—方的黑色区域减少了。 这样，通过设置延设部21aE2(C)，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。上述例示的液晶显示装置100A 100E均在像素中具有2个第1电极21a和21b， 但不限于此。形成于1个像素中的第1电极的数量可以是3个以上，也可以是1个。另外， 在1个像素设有多个第1电极的情况下，可以设为多像素结构。作为多像素结构，能采用例如专利文献3记载的构成。接着，参照图13 15说明第1和第2发明的实施方式的IXD100F的构成。图13 是示出LCD100F的构成的平面图，图14是示出形成有接触孔17(F)的部分的截面结构的图，图15是示出形成有接触孔17(F)的部分的平面结构的图。如图13所示，IXD100F在像素中具有1个第1电极21(像素电极)。第1电极21 具有在第1和第2方向延伸的狭缝22a(F)。1个像素中的畴限制结构的配置与前面的实施方式的液晶显示装置相同。第1电极21在左侧边缘具有延设部21Ela和21Elb，在右侧边缘具有延设部21E2。 延设部21Ela和21Elb形成于像素的角部，延设部21E2形成于像素的列方向的中央附近。另外，第1电极21的左侧边缘在与延设部21E2相对的边缘具有切口部21e2(F)， 延设部21E2设于与该像素的左侧相邻的像素具有的第1电极21的右侧边缘。与左侧相邻的像素具有的第1电极21的延设部21E2的顶端部分配置于切口部21e2 (F)内。通过设置切口部21e2 (F)，能增大延设部的突出量。
该切口部21e2(F)是等腰三角形的切口部，该等腰三角形以像素的列方向的中央的平行于行方向的线为对称轴，切口部21e2(F)具有平行于第1方向的边缘和平行于第2 方向的边缘。平行于第1方向的边缘和平行于第2方向的边缘分别以在相邻的电介质突起 44a和44b之间稳定地形成液晶畴的方式起作用。图14示出IXD100F的形成有接触孔17(F)的部分的截面结构。在第1基板11上形成有辅助电容相对电极(栅极金属层)18，在辅助电容相对电极18上形成有栅极绝缘层 31、辅助电容电极(源极金属层)16c (F)。在覆盖它们而形成的钝化层35和层间绝缘层37 中形成有接触孔17(F)。在层间绝缘层37上由例如ΙΤ0、IZO等透明导电层形成有第1电极21，在接触孔17(F)内，第1电极21与辅助电容电极16c (F)连接。图15示出^010(^的形成有接触孔17尔)的部分的平面结构。如图15所示，第1 电极21的延设部21Elb的边缘被辅助电容电极(源极金属层)16c (F)遮光。在前面的实施方式的液晶显示装置中，使用辅助电容相对电极(栅极金属层)18a、18b进行遮光，但在此如例示的那样，可以利用辅助电容电极(源极金属层)16c(F)进行遮光。第1发明的设置延设部的构成、以及第2发明的使用电极层(例如，栅极金属层或者源极金属层)的构成不限于上述例子，可以分别单独地采用，也能进行各种组合地使用。例如，能例示如图16(a) (d)所示的LCD100G、100H、1001以及100J的第1电极的图案。LCD100G是LCD100CU00D的变形例，具有图16(a)所示的图案的第1电极21a(G) 和21b(G)。此外，因为在沿着狭缝的线上仅1个部位存在导电层，所以当考虑制造成品率时，优选狭缝的图案如LCD100D的狭缝22a(D)那样改变。LCD100H具有的第1电极21 (H)具有使LCD100G的第1电极21a (G)和21b (G) — 体化的图案。LCD100I是LCD100CU00D的变形例，具有图16(C)所示的图案的第1电极21a(I) 和21b(I)。在沿着狭缝的线上的2个部位存在导电层的方面比IXD100G更优选。LCD100J具有的第1电极21 (J)具有使LCD100I的第1电极21a (I)和21b (I) — 体化的图案。接着，参照图17和图18说明形成于1个像素中的第1电极的数量为3个以上的液晶显示装置的例子。图17所示的液晶显示装置100K和图18所示的液晶显示装置100L 均是第1发明的实施方式，也是第2发明的实施方式。图17(a) (d)所示的液晶显示装置100K在1个像素中具有3个第1电极21a(K)、 21MK)以及21c(K)。图17(a)和(b)是TFT基板(第1基板)和CF基板(第2基板)的平面图，图17(a)是对第1基板的栅极金属层和源极金属层附加影线的图，图17(b)是对第 2基板的电介质突起和柱状间隔物附加影线的图。图17(c)和(d)是TFT基板(第1基板) 的平面图，图17(c)是示出TFT基板的栅极金属层和源极金属层的图，图17(d)是示出TFT 基板的第1电极的图。设于LCD100K的各像素中的3个第1电极21a (K)、21b (K)以及21c (K)通过1个 TFT14连接到源极总线13。TFT14利用从栅极总线12向栅极提供的栅极信号进行导通/截止控制。第1电极21a(K)、21b(K)以及21c(K)与作为TFT14的漏极和漏极引出配线16的延设部的辅助电容电极16c在接触孔17a、17b及17c内分别连接。当TFT14为导通状态时，从源极总线13提供的源极信号电压向第1电极21a(K)、21b(K)以及21c(K)提供。LCD100K
的像素结构不是多像素结构。第1电极21a(K)和第1电极21b (K)与图2所示的液晶显示装置100B的第1电极21a和21b同样，沿着像素的列方向上下配置，且在第1电极21a (K)与第1电极21b (K) 之间设有CS总线(辅助电容配线)15。第1电极21a(K)的下端的边缘和第1电极21b(K) 的上端的边缘(均平行于行方向)以与CS总线15重叠的方式配置。S卩，第1电极21a(K) 和第1电极21b (K)的间隙配置于CS总线15上。通过采用这样的配置，液晶分子的取向紊乱的区域被CS总线15遮光，所以能使显示质量提高。此外，第1电极21a(K)和第1电极 21b (K)的间隙可以不配置于CS总线15上。通过采用这样的配置，能使透射率提高。当从垂直于第1基板的方向观看时，第1电极21a(K)具有在第1方向延伸的狭缝 (第1直线成分)2 (K)，并且具有平行于第1方向的一对边缘。第1电极21b(K)具有在与第1方向相差大致90°的第2方向延伸的狭缝(第2直线成分)22b(K)和平行于第2方向的一对边缘。第1方向的方位角是135° (或者315° )，第2方向的方位角是225° (或者45° )。液晶显示装置100K还具有第1电极21c (K)，第1电极21c (K)具有平行于第1方向的边缘和平行于第2方向的边缘。第1电极21c(K)的平行于第1方向的边缘与第1电极21a(K)的平行于第1方向的一对边缘中的一方留出一定的间隙地配置，同样，第1电极 21c (K)的平行于第2方向的边缘与第1电极21b(K)的平行于第2方向的一对边缘中的一方隔开一定的间隙而配置。这些间隙分别与狭缝22a (K)和22b (K)同样，作为第1畴限制结构执行功能。包含第1电极21a(K)的平行于第1方向的一对边缘中的另一方在内的切口部(没有导电层的部分)和包含第1电极21b(K)的平行于第2方向的一对边缘中的另一方在内的切口部也分别与第1电极21a(K)和21c(K)的间隙以及第1电极21b(K)和21c(K) 的间隙同样，作为第1畴限制结构执行功能。即，液晶显示装置100K的像素具有的第1畴限制结构在比CS总线15靠上侧具有平行于第1方向的3条第1直线成分，在比CS总线15 靠下侧具有平行于第2方向的3条第2直线成分。如图17(b)所示，液晶显示装置100K在第2电极的液晶层侧具有电介质突起44 作为第2畴限制结构，对电介质突起44和柱状间隔物62附加影线而示出。电介质突起44具有在第1方向延伸的3条第3直线成分44al、Ma2、44a3 0 ) 和在第2方向延伸的3条第4直线成分44bl、44b2、44b3G4b)。当从垂直于第1基板的方向观看时，3条第3直线成分与3条第1直线成分交替地配置，3条第4直线成分与3条第2 直线成分交替地配置。通过这样配置的第1畴限制结构和第2畴限制结构，可形成液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴。从CS总线15向列方向的上侧延设的辅助电容相对电极18a具有以与电介质突起 44a2重叠的方式延设的部分，从CS总线15向列方向的下侧延设的辅助电容相对电极18b 具有以与电介质突起4仙2重叠的方式延设的部分。构成辅助电容的上述电极因为不透射光，所以当配置于像素内时，有效开口率(在显示区域的面积内实际上用于显示的光透射的面积的比例)减少。另外，形成有电介质突起44的部分的光的透射率也降低。通过使它们重叠地配置，能抑制像素内的透射区域的损失。当然，构成辅助电容的电极的面积根据电设计的电容值适当设定。
作为CS总线15的延设部的辅助电容相对电极18a、18b以及18c与隔着绝缘层相对的辅助电容电极16c形成辅助电容(CS)。接触孔17a、17b以及17c形成于辅助电容上。 接触孔17a、17b以及17c具有与参照图4和图6说明的接触孔17a(C)或者17b (C)同样的结构。在液晶显示装置100K中，与上述的液晶显示装置100C同样，在液晶显示装置100B 中为了隐藏在第1电极21a、21b的右侧边缘附近观看到的环状暗线(参照图3)，配置有辅助电容相对电极18a和18b。在此，示出了将辅助电容相对电极18a、18b使用于遮光层的例子，但可以将辅助电容电极16c作为遮光层，也可以使用其它电极层。在IXD100K中，辅助电容相对电极18a以包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘、与第1电极21a的右下角部(延设部21aE2(K))重叠的方式形成。另外，辅助电容相对电极18b以包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘、与第1电极21b(K)的右上角部(延设部21bE2(K))重叠的方式形成。即，辅助电容相对电极18a、18b分别与对应的角部的平行于行方向的边缘的至少一部分和平行于列方向的边缘的至少一部分重叠。 因此，在IXD100K中，图3所示的环状暗线被辅助电容相对电极18a、18b隐藏。另外，辅助电容相对电极18a与电介质突起44a2的端部重叠，辅助电容相对电极 18b与电介质突起4仙2的端部重叠。因此，即使在这些畴限制结构的端部液晶分子的取向紊乱，因为被辅助电容相对电极18a、18b遮光，所以也不影响显示质量。此外，其它畴限制结构(狭缝22a(K)、22b(K)、电介质突起44al、4 3、44bl、44b3)的端部被黑矩阵52 (K)或者CS总线15等遮光。而且，IXD100K与IXD100B和100C同样，第1电极21a和21b具有4个延设部 21aEl (K)、21aE2 (K)、21bEl (K)以及 21bE2 (K)。向行方向(图17中左侧)突出的延设部21aEl⑷在由第1电极21a的左侧边缘和狭缝22a (K)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21a (K)的左侧边缘和电介质突起 44a2交叉的部分的第2部分夹着的部分形成。另外，向行方向(图17中右侧)突出的延设部21aE2(K)在由第1电极21a(K)的右侧边缘和狭缝22a(K)交叉的第1部分和作为第1电极21a(K)的下侧边缘和电介质突起 44a2的延长线交叉的部分的第2部分夹着的部分形成。同样，第1电极21b (K)在由第1电极21b (K)的左侧边缘和狭缝22b (K)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21b (K)的左侧边缘和电介质突起4仙2交叉的部分的第2 部分夹着的部分，具有向行方向(图17中左侧)突出的延设部21bEl(K)。另外，第1电极 21b (K)在由第1电极21b (K)的右侧边缘和狭缝22b (K)交叉的第1部分和作为第1电极 21b (K)的上侧边缘和电介质突起4仙2交叉的部分的第2部分夹着的部分，具有向行方向 (图17中右侧)突出的延设部21bE2(K)。延设部21aEl(K)具有平行于狭缝22a(K)的延伸方向(第1方向)的边缘，狭缝 22a(K)的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21aEl(K)还具有平行于列方向的边缘。同样，延设部21bEl(K)具有平行于狭缝22b (K)的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝22b (K) 的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21bEl(K)还具有平行于列方向的边缘。另外，延设部21aE2(K)具有平行于狭缝22a (K)的延伸方向(第1方向)的边缘， 狭缝22a (K)与第1部分的边缘交叉，延设部21aE2(K)的该边缘与狭缝22a (K)的边缘连续。延设部21aE2 (K)还具有平行于行方向的边缘。同样，延设部21bE2(K)具有平行于狭缝22b(K)的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝22b(K)与第1部分的边缘交叉，延设部 21bE2(K)的该边缘与狭缝22b (K)的边缘连续。延设部21bE2(K)还具有平行于行方向的边缘。这些延设部21aEl(K)、21aE2(K)、21bEl(K)以及21bE2(K)的行方向的顶端以从垂直于第1基板的方向观看时与黑矩阵52(K)重叠的方式配置。因此，即使在延设部 21aEl(K)、21aE2(K)、21bEl⑷以及21bE2(K)的行方向的顶端部液晶分子的取向紊乱，因为该部分被黑矩阵52遮光，所以显示也不会受到不良影响。因此，IXD100K也如对IXD100B 和100C进行说明的那样，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。当然，如上所述，可以省略全部延设部，使用辅助电容相对电极ISa(C)等电极层对液晶分子的取向紊乱的区域进行遮光，但如上所述，通过设置延设部，能使有效开口率增大。接着，参照图18(a) (d)说明液晶显示装置100L的构成。液晶显示装置100L在 1个像素中具有4个第1电极21￡11仏)、21￡12仏)、21131仏)以及211d2(L)。图18(a)和(b) 是TFT基板(第1基板)和CF基板(第2基板)的平面图，图18 (a)是对第1基板的栅极金属层和源极金属层附加影线的图，图18(b)是对第2基板的电介质突起和柱状间隔物附加影线的图。图18(c)和(d)是TFT基板(第1基板)的平面图，图18(c)是示出TFT基板的栅极金属层和源极金属层的图，图18(d)是示出TFT基板的第1电极的图。设于1^0)1001^的各像素中的4个第1电极2131仏)、2132仏)、21131仏)以及211D2(L) 通过1个TFT14连接到源极总线13。TFT14利用从栅极总线12向栅极提供的栅极信号进行导通/截止控制。第1电极21al (L)、21a2 (L)、21bl (L)以及2让2 (L)与作为TFT14的漏极和漏极引出配线16的延设部的辅助电容电极16c在接触孔17al、17a2、17bl、17b2内分别连接。当TFT14为导通状态时，从源极总线13提供的源极信号电压向第1电极21al(L)、 21a2 (L), 2 lb I(L)以及21b2(L)提供。LCD100L的像素结构不是多像素结构。第1电极21a2(L)和第1电极21b2(L)与图2所示的液晶显示装置100B的第1电极21a和21b同样，沿着像素的列方向上下配置，且在第1电极21a2 (L)与第1电极2让2 (L) 之间设有CS总线(辅助电容配线)15。第1电极21a2 (L)的下端的边缘和第1电极2让2 (L) 的上端的边缘(均平行于行方向)以与CS总线15重叠的方式配置。S卩，第1电极21a2(L) 和第1电极21b2(L)的间隙配置于CS总线15上。通过采用这样的配置，液晶分子的取向紊乱的区域被CS总线15遮光，所以能使显示质量提高。此外，第1电极21a2(L)和第1电极21b2(L)的间隙可以不配置于CS总线15上。通过采用这样的配置，能使透射率提高。在从垂直于第1基板的方向观看时，第1电极21al(L)和21a2(L)分别具有在第1 方向延伸的狭缝(第1直线成分)2 (L)，并且具有平行于第1方向的一对边缘。第1电极 2 lb I(L)和21b2(L)分别具有在与第1方向相差大致90°的第2方向延伸的狭缝(第2直线成分)22b(L)和平行于第2方向的一对边缘。第1方向的方位角是135° (或者315° )， 第2方向的方位角是225° (或者45° )。第1电极21al(L)的平行于第1方向的一对边缘中的一方与第1电极21a2 (L)的平行于第1方向的一对边缘中的一方隔开一定的间隙地配置，同样，第1电极21bl(L)的平行于第2方向的一对边缘中的一方与第1电极211d2(L)的平行于第2方向的一对边缘中的一方隔开一定的间隙地配置。这些间隙分别与狭缝22a(L)和22b(L)同样，作为第1畴限制结构执行功能。包含第1电极21al(L)的平行于第1方向的一对边缘中的另一方在内的切口部(没有导电层的部分)、包含第1电极21a2 (L)的平行于第1方向的一对边缘中的另一方在内的切口部、包含第1电极21bl(L)的平行于第2方向的一对边缘中的另一方在内的切口部、以及包含第1电极21b2(L)的平行于第2方向的一对边缘中的另一方在内的切口部也分别与第1电极21al(L)和21a2(L)的间隙以及第1电极21bl(L)和21b2(L)的间隙同样，作为第1畴限制结构执行功能。即，液晶显示装置100L的像素具有的第1畴限制结构在比CS总线15靠上侧具有平行于第1方向的5条第1直线成分，在比CS总线15靠下侧具有平行于第2方向的5条第2直线成分。如图18(b)所示，液晶显示装置100L在第2电极的液晶层侧具有电介质突起44 作为第2畴限制结构。在图18(b)中，对电介质突起44和柱状间隔物62附加影线而示出。电介质突起44具有在第1方向延伸的4条第3直线成分44al、Ma2、44a3、 44a4(44a)和在第2方向延伸的4条第4直线成分44bl、44b2、44b3、44b4 (44b)。当从垂直于第1基板的方向观看时，4条第3直线成分与5条第1直线成分交替地配置，4条第4直线成分与5条第2直线成分交替地配置。通过这样配置的第1畴限制结构和第2畴限制结构，可形成液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴。从CS总线15向列方向的上侧延设的辅助电容相对电极18a具有以与电介质突起 44a2重叠的方式延设的部分和以与电介质突起44a3重叠的方式延设的部分，从CS总线15 向列方向的下侧延设的辅助电容相对电极18b具有以与电介质突起4仙2重叠的方式延设的部分和以与电介质突起44b3重叠的方式延设的部分。另外，作为CS总线15的延设部的辅助电容相对电极18a和18b与隔着绝缘层相对的辅助电容电极16c形成辅助电容(CS)。接触孔17al、17a2、17bl以及17 形成于辅助电容上。接触孔17al、17a2、17bl以及17 具有与参照图4和图6说明的接触孔17a(C) 或者17b (C)同样的结构。在液晶显示装置100L中，与上述的液晶显示装置100K同样，在液晶显示装置100B 中为了隐蔽从第1电极的右侧边缘附近观看到的环状暗线(参照图3)，配置有辅助电容相对电极18a和18b。在此，示出了将辅助电容相对电极18a、18b使用于遮光层的例子，但可以将辅助电容电极16c作为遮光层，也可以使用其它电极层。在IXD100L中，辅助电容相对电极18a以与包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘的第1电极21a的右下角部(延设部21a2E2(L))重叠的方式形成。另外，辅助电容相对电极18b以与包含平行于行方向的边缘和平行于列方向的边缘的第1电极21b(L) 的右上角部(延设部211d2E2(L))重叠的方式形成。即，辅助电容相对电极18a、18b分别与对应的角部的平行于行方向的边缘的至少一部分和平行于列方向的边缘的至少一部分重叠。因此，在IXD100L中，图3所示的环状暗线也被辅助电容相对电极18a、18b隐藏。另外，辅助电容相对电极18a与电介质突起44a2、44a3的端部重叠，辅助电容相对电极18b与电介质突起44l32、44b3的端部重叠。因此，即使在这些畴限制结构的端部液晶分子的取向紊乱，因为被辅助电容相对电极18a、18b遮光，所以也不影响显示质量。此外， 其它畴限制结构(狭缝22a (L) ,22b (L)、电介质突起44al、Ma4、44bl、44b4)的端部被黑矩阵52 (L)或者CS总线15等遮光。而且，LCD100L与 LCD 100K 同样，第 1 电极 21al (L)、21a2 (L)、21bl (L)以及 21b2 (L) 具有 4 个延设部 21alEl (L)、21a2E2 (L)、21blEl (L)以及 21b2E2 (L)。向行方向(图18中左侧)突出的延设部21alEl(L)在由第1电极21al(L)的左侧边缘和狭缝22a(L)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21a的左侧边缘和电介质突起44a2交叉的部分的第2部分夹着的部分形成。另外，向行方向(图18中右侧)突出的延设部21a2E2(L)在由第1电极21a2(L) 的右侧边缘和狭缝22a(L)交叉的第1部分和作为第1电极21a2(L)的下侧边缘和电介质突起44a3交叉的部分的第2部分夹着的部分形成。同样，第1电极21bl (L)在由第1电极21b (L)的左侧边缘和狭缝22b (L)的延长线交叉的第1部分和作为第1电极21bl (L)的左侧边缘和电介质突起4仙2交叉的部分的第2部分夹着的部分，具有向行方向(图18中左侧)突出的延设部21blEl(L)。另外，第1 电极21b2(L)在由第1电极21b2(L)的右侧边缘和狭缝22b (L)交叉的第1部分和作为第 1电极21b2(L)的上侧边缘和电介质突起44b3交叉的部分的第2部分夹着的部分，具有向行方向(图18中右侧)突出的延设部211d2E2(L)。延设部21alEl(L)具有平行于狭缝22a(L)的延伸方向(第1方向)的边缘，狭缝22a(L)的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21alEl(L)还具有平行于列方向的边缘。同样，延设部21blEl(L)具有平行于狭缝22b(L)的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝22b(L)的延长线与第1部分的边缘交叉。延设部21blEl(L)还具有平行于列方向的边缘。另外，延设部21a2E2(L)具有平行于狭缝22a(L)的延伸方向(第1方向)的边缘， 狭缝22a (L)与第1部分的边缘交叉，延设部21a2E2(L)的该边缘与狭缝22a (L)的边缘连续。延设部21a2E2 (L)还具有平行于行方向的边缘。同样，延设部21b2E2 (L)具有平行于狭缝22b(L)的延伸方向(第2方向)的边缘，狭缝22b(L)与第1部分的边缘交叉，延设部 21b2E2(L)的该边缘与狭缝22b (L)的边缘连续。延设部211d2E2 (L)还具有平行于行方向的边缘。这些延设部21alEl(L)、21a2E2(L)、21blEl(L)以及 21b2E2(L)的行方向的顶端以从垂直于第1基板的方向观看时与黑矩阵52(L)重叠的方式配置。因此，即使在延设部 2IalE 1 (L)、21a2E2 (L)、2lbIE1 (L)以及2lb2E2 (L)的行方向的顶端部液晶分子的取向紊舌L因为该部分被黑矩阵52 (L)遮光，所以显示也不会受到不良影响。因此，IXD100L也如对LCD100K进行说明的那样，即使不设置上述的辅助结构，也能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。当然，如上所述，可以省略全部延设部，使用辅助电容相对电极ISa(C)等电极层对液晶分子的取向紊乱的区域进行遮光，但如上所述，通过设置延设部，能使有效开口率增大。如上所述，根据第1发明和/或第2发明，能提供如下MVA型液晶显示装置即使不设置专利文献1记载的上述辅助结构，也能抑制由像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。工业上的可利用性
本发明广泛适用于MVA型液晶显示装置。附图标记说明12 栅极总线13 源极总线14 TFT15 CS 总线16 漏极引出配线16c 辅助电容电极17a、17b 接触孔18a、18b 辅助电容相对电极21 第1电极(像素电极)21a,21b 第1电极(副像素电极)21aEl、21aE2、21bEl、21bE2 延设部22 狭缝(开口部)、第1畴限制结构22a 第1直线成分(狭缝)22b 第2直线成分(狭缝)33 半导体层44 电介质突起(肋)、第2畴限制结构44a.44al.44a2 第3直线成分(电介质突起)44b ,44b U 44b2 第4直线成分(电介质突起)52 黑矩阵62 柱状间隔物100A 100L 液晶显示装置
权利要求
1.一种液晶显示装置，是MVA型的液晶显示装置， 具有排列成具有行和列的矩阵状的多个像素，上述多个像素分别具有第1基板；第2基板；垂直取向型的液晶层，其设于上述第1基板与上述第2基板之间；至少1个第1电极，其形成于上述第1基板上；第2电极，其隔着上述液晶层与上述至少1个第1电极相对；第1畴限制结构，其形成于上述第1基板；以及第 2畴限制结构，其形成于上述第2基板，上述第1畴限制结构包含形成于上述至少1个第1 电极的狭缝，上述第2畴限制结构是形成于上述第2电极的狭缝或者形成于上述第2电极的上述液晶层侧的电介质突起，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述第1畴限制结构具有第1直线成分，其在第1方向延伸；以及第2直线成分，其在与上述第1方向相差大致90°的第2方向延伸， 上述第2畴限制结构具有第3直线成分，其在上述第1方向延伸；以及第4直线成分，其在上述第2方向延伸，上述第1直线成分及第2直线成分、和上述第3直线成分及第4直线成分中的至少一方存在多个，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述第1直线成分和上述第3直线成分交替地配置，且上述第2直线成分和上述第4直线成分交替地配置，当对上述多个像素中的任意像素的上述液晶层施加电压时，在上述第1直线成分与上述第3直线成分之间以及在上述第2直线成分与上述第4直线成分之间，形成液晶分子倾倒的方位相互相差约90°的4种畴，上述第1方向和上述第2方向是与上述行方向和上述列方向交叉的方向， 当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述至少1个第1电极的由第1部分和第2 部分夹着的部分具有向行方向突出的延设部，上述第1部分是上述至少1个第1电极的边缘和上述狭缝交叉的部分或者是上述至少 1个第1电极的边缘和与该边缘最靠近的上述狭缝的延长线交叉的部分，上述第2部分与上述至少1个第1电极的上述第1部分相邻，是上述至少1个第1电极的边缘和上述第2畴限制结构交叉的部分或者是上述至少1个第1电极和与该边缘最靠近的上述第2畴限制结构的延长线交叉的部分。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置， 上述第2基板还具有黑矩阵，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述延设部的行方向的顶端与上述黑矩阵重叠。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极具有的上述延设部具有平行于上述狭缝的延伸方向的边缘，上述狭缝与上述第1部分的上述边缘交叉，或者上述狭缝的上述延长线与上述第1部分的上述边缘交叉。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极具有的上述延设部的上述边缘与上述狭缝的边缘连续。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的液晶显示装置， 上述延设部具有平行于行方向或者列方向的边缘。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极在与在行方向相邻的像素的上述至少1个像素电极的上述延设部相对的边缘具有切口部。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的液晶显示装置， 上述延设部位于像素的角部的附近。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的液晶显示装置，上述延设部位于像素的列方向的中央附近，上述至少1个第1电极具有等腰三角形的切口部，上述等腰三角形以列方向的中央的平行于行方向的线为对称轴。
9.根据权利要求6至8中的任一项所述的液晶显示装置， 上述切口部具有平行于上述第1方向或者第2方向的边缘。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极具有平行于上述第1方向或者上述第2方向的边缘。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝或者在上述第2方向排列成一列的多个狭缝。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置， 排列成一列的上述多个狭缝的间隔不足8 μ m。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极具有第1角部，上述第1角部包含平行于行方向的第1边缘和平行于列方向的第2边缘，上述第1基板还具有电极层，上述电极层与上述第1角部的上述第1边缘的至少一部分和上述第2边缘的至少一部分重叠。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，还具有与上述多个像素分别对应的辅助电容，上述辅助电容具有辅助电容电极，其与上述至少1个第1电极电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者辅助电容电极。
15.根据权利要求13或14所述的液晶显示装置，还具有形成于上述辅助电容电极上的层间绝缘层，上述至少1个第1电极在上述辅助电容电极上的上述层间绝缘层中形成的接触孔内与上述辅助电容电极连接。
16.根据权利要求13至15中的任一项所述的液晶显示装置，上述电极层与上述第1畴限制结构或者上述第2畴限制结构的一部分重叠。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的液晶显示装置， 上述第1基板按每行具有CS总线，上述至少1个第1电极在上述CS总线上具有边界，包含沿着列方向上下排列的2个第 1电极，上述2个第1电极中的至少一方具有上述第1角部。
18.根据权利要求15所述的液晶显示装置，具有上述多个像素各自所对应的2个辅助电容，上述2个辅助电容分别具有辅助电容电极，其与上述2个第1电极中的1个电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是上述辅助电容相对电极或者辅助电容电极，上述2个第1电极中的上侧的第1电极的下端的边缘具有向下侧突出的第1凸部，上述2个第1电极中的下侧的第1电极的上端的边缘具有向上侧突出的第2凸部，上述第1凸部的下端的边缘及上述第2凸部的上端的边缘与上述CS总线或者上述辅助电容相对电极重叠。
19.根据权利要求17或18所述的液晶显示装置，上述2个第1电极中的一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第 2方向排列成一列的多个狭缝中的一方，上述2个第1电极中的另一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭缝中的另一方。
20.根据权利要求19所述的液晶显示装置，上述第2畴限制结构在上述CS总线或者上述辅助电容相对电极上具有使各自的平行于行方向的边缘相互相对地配置的上述第3直线成分和上述第4直线成分，上述第3直线成分的上述边缘和上述第4直线成分的上述边缘的间隙不足8 μ m。
21.根据权利要求17所述的液晶显示装置，上述至少1个第1电极为3个或者4个第1电极，上述3个或者4个第1电极包含上述2个第1电极。
22.根据权利要求21所述的液晶显示装置，具有上述多个像素各自所对应的3个或者4个辅助电容，上述3个或者4个辅助电容分别具有辅助电容电极，其与上述3个或者4个第1电极中的对应的1个电连接；以及辅助电容相对电极，其隔着绝缘层与上述辅助电容电极相对，上述电极层是与上述2个第1电极中的对应的1个电连接的上述辅助电容电极或者是隔着上述绝缘层与上述辅助电容电极相对的上述辅助电容相对电极。
23.根据权利要求21或22所述的液晶显示装置，上述2个第1电极中的一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第 2方向排列成一列的多个狭缝中的一方，上述2个第1电极中的另一方仅具有在上述第1方向排列成一列的多个狭缝和在上述第2方向排列成一列的多个狭缝中的另一方。
24.根据权利要求13至23中的任一项所述的液晶显示装置，当从垂直于上述第1基板的方向观看时，上述辅助电容电极具有在上下方向或者左右方向具有凹部的U字形状。
25.根据权利要求1至M中的任一项所述的液晶显示装置，在与上述至少1个第1电极的上述第1角部的上述第1边缘和上述第2边缘对应的、 上述第2基板上的位置，未形成在上述第2电极上形成的狭缝或者在上述第2电极的上述液晶层侧形成的电介质突起。
全文摘要
在本发明的MVA型的液晶显示装置中，当从垂直于基板的方向观看时，各像素的至少1个第1电极(21)的由第1部分和第2部分夹着的部分具有向行方向突出的延设部(21aE1、21bE1、21aE2、21bE2)，第1部分是第1电极的边缘和狭缝(22a、22b)交叉的部分或者是第1电极的边缘和与该边缘最靠近的狭缝(22a、22b)的延长线交叉的部分，第2部分与第1电极的第1部分相邻，是第1电极的边缘和第2畴限制结构(44a、44b)交叉的部分或者是第1电极和与其边缘最靠近的第2畴限制结构(44a、44b)的延长线交叉的部分。根据本发明，可提供如下MVA型液晶显示装置其能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。
文档编号G02F1/1337GK102472927SQ20108003516
公开日2012年5月23日 申请日期2010年8月6日 优先权日2009年8月7日
发明者久田祐子, 伊藤了基, 吉田昌弘, 堀内智, 山田崇晴 申请人:夏普株式会社