取向膜修复系统的制作方法

文档序号:2673582阅读:332来源:国知局
专利名称:取向膜修复系统的制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置的制造工艺,特别是涉及IXD用取向膜的修复工艺。
背景技术
参阅图1及图2,在一般液晶面板中,与液晶接触的TFT/CF基板110上分别涂布有一层取向膜120,该取向膜120可用于限制液晶分子的取向状态。在取向膜120涂布的过程中,由于TFT/CF基板110表面的微粒(Particle) 130使 TFT/CF基板110表面改性不足,配向液(PI液)对TFT/CF基板110表面的贴合性差;TFT/ CF基板110表面的凹凸不平影响了配向液(PI液)在TFT/CF基板110上的扩散等原因,使取向膜120上产生微粒暗点,而去除微粒(Particle) 130所形成的针孔(Pin hole) 140(如图2所示),在取向膜120固烤成膜后,因为在针孔140的部位不能正常地显示图像,以往必须将取向膜120全部剥离后,才能重新进行成膜。由于取向膜120在剥离的时候要使用大量的剥离液,而完成取向膜120剥离后的 TFT/CF基板110需要经过清洗、干燥、取向液涂布、预烘烤、检查、本硬化等一系列制程重新成膜,因此会增加额外的生产成本。

发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术的不足,而提出一种取向膜修复系统可以定点修复在取向膜涂布时产生的微粒暗点及去除微粒后的局部的针孔,免去取向膜剥离和清洗、干燥、取向液涂布、预烘烤、检查、本硬化等一系列制程重新成膜,从而达到降低制造成本的目的。本发明解决上述技术问题采用的技术方案包括,提出一种取向膜修复系统,包括 一检查装置、一取向膜缺陷去除装置及一取向膜修复剂涂布装置。检查装置包括一电荷耦合元件(CCD)及一缺陷位置检测电路,电荷耦合元件检测在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置,缺陷位置检测电路则记录对应该缺陷位置的一位置坐标信号,取向膜缺陷去除装置是根据位置坐标信号,去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的缺陷,以形成一针孔,取向膜修复剂涂布装置根据位置坐标信号,将一取向膜修复剂涂布在针孔上,对针孔进行修
Μ. ο在本发明的一实施例中,上述的缺陷为包覆有微粒的取向膜。在本发明的一实施例中,上述的针孔是指去除缺陷后于取向膜上所形成的缺口。在本发明的一实施例中,上述的取向膜缺陷去除装置为一等离子体(AP Plasma)
直ο在本发明的一实施例中,上述的取向膜修复剂涂布装置为一喷印装置(Inkjet)。在本发明的一实施例中,上述的喷印装置将取向膜修复剂涂布在针孔上时,是依据针孔的面积、取向膜修复剂的固含量以及目标膜厚为lOOnm,从而计算出喷印装置的滴下
Mo
在本发明的一实施例中,上述取向膜修复系统还包括一驱动电路。驱动电路控制取向膜缺陷去除装置及取向膜修复剂涂布装置的移动,其作用为接收缺陷位置检测电路检测到的位置坐标信号,将取向膜缺陷去除装置及取向膜修复剂涂布装置移动至缺陷位置上方,以去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的取向膜和微粒。在本发明的一实施例中,上述取向膜缺陷去除装置更是对取向膜上的针孔缺陷进行改性,改善针孔缺陷产生区域基板表面的贴合性。与现有技术相比,本发明透过取向膜缺陷去除装置去除微粒暗点(Particle mura)位置上的取向膜和微粒(Particle),形成针孔(Pin hole)。或者用等离子体(AP Plasma)装置对取向膜上的针孔(Pin hole)缺陷进行改性,改善针孔(Pin hole)缺陷产生区域基板表面的贴合性,并通过喷印装置(Inkjet)使取向膜修复剂涂布在针孔(Pin hole)上,对针孔(Pin hole)进行修复。可避免如现有技术中,每当取向膜上产生缺陷时, 都需要重新成膜,既耗时又耗费成本的缺失。


图1为现有的TFT-IXD用液晶取向膜的涂布工艺示意图。图2为现有的TFT-IXD用液晶取向膜的缺陷示意图。图3为本发明的取向膜修复系统元件方块示意图。图4为采用图3的取向膜修复系统示意图。图5为本发明的电荷耦合元件检测在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置的示意图。图6为本发明的取向膜缺陷去除装置除在TFT/CF基板上缺陷的效果示意图。图7为本发明的取向膜修复剂涂布装置将取向膜修复剂涂布在针孔的状态示意图。图8为本发明的取向膜修复剂涂布在针孔的效果示意图。
具体实施例方式以下结合附图所示的最佳实施例作进一步详述。参见图3以及图4,本发明提出一种取向膜修复系统,包括一检查装置310、一驱动电路320、一取向膜缺陷去除装置330及一取向膜修复剂涂布装置340。检查装置310包括一电荷耦合元件(CCD)311及一缺陷位置检测电路312,电荷耦合元件(CCD)311检测在 TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置,缺陷位置检测电路312则记录对应该缺陷位置的一位置坐标信号。驱动电路320控制取向膜缺陷去除装置330及取向膜修复剂涂布装置 350的移动,其作用为接收缺陷位置检测电路312检测到的位置坐标信号,将取向膜缺陷去除装置330及取向膜修复剂涂布装置340移动至缺陷位置上方,以去除在TFT/CF基板110 上的缺陷位置上的取向膜120和微粒130。其中,TFT/CF基板110是借由输送装置350输送。参见图5检查装置310检测在TFT/CF基板110上由取向膜120包覆微粒130所行程的微粒暗点500,缺陷位置检测电路312则纪录对应微粒暗点500位置的一位置坐标信号。
参见图6,承接图5,取向膜缺陷去除装置330较佳为等离子体(AP Plasma)装置,根据检查装置310提供的微粒暗点500的位置坐标信号,驱动电路320将等离子体(AP Plasma)装置移动到微粒暗点500的上方,去除微粒暗点500位置上的取向膜120和微粒 130,形成针孔(Pin hole) 600 ;或者对取向膜120上的针孔(Pin hole) 600缺陷进行改性, 改善针孔(Pin hole) 600缺陷产生区域TFT/CF基板110表面的贴合性。参见图7,取向膜修复剂涂布装置340较佳为喷印装置(Inkjet)。根据检查装置 310提供的微粒暗点500的位置坐标信号,驱动电路将喷印装置(Inkjet)移动到微粒暗点 500的上方,将取向膜修复剂341涂布在针孔(Pin hole) 600上,对针孔(Pin hole) 600进行修复。取向膜修复剂;341由取向膜溶解在溶剂中形成。在喷印装置(Inkjet)将取向膜修复剂341涂布在针孔(Pin hole) 600上时,应考虑针孔(Pin hole) 600的面积、取向膜修复剂341的固含量以及目标取向膜厚度为lOOnm,从而计算出喷印装置(Inkjet)的最佳滴下量。参见图8,取向膜修复剂341涂布在针孔600位置上,与原先的取向膜120相结合。在本发明中,上述取向膜缺陷去除装置更是对取向膜上的针孔缺陷进行改性,改善针孔缺陷产生区域基板表面的贴合性。与现有技术相比,本发明在取向膜完成涂布、预烘烤、本硬化等一些列制程成膜后,在检查工序中检查在取向膜上是否有微粒暗点(Particle mura)或形成有针孔(Pin hole)缺陷,并且对微粒暗点(Particle mura)或针孔(Pin hole)缺陷的位置进行检测。 然后在修复系统中,用等离子体(AP Plasma)装置去除微粒暗点(Particle mura)位置上的取向膜和微粒(Particle),形成针孔(Pin hole)。或者用等离子体(AP Plasma)装置对取向膜上的针孔(Pin hole)缺陷进行改性,改善针孔(Pin hole)缺陷产生区域基板表面的贴合性。最后,通过喷印装置(Inkjet)使取向膜修复剂涂布在针孔(Pin hole)上,对针孔(Pin hole)进行修复。可有效的达到降低制造成本之目的。以上,仅为本发明的较佳实施例,意在进一步说明本发明,而非对其进行限定。凡根据上述文字和附图所公开的内容进行的简单的替换,都在本专利的权利保护范围之列。
权利要求
1.一种取向膜修复系统,其特征在于,包括一检查装置,包括一电荷耦合元件及一缺陷位置检测电路,该电荷耦合元件检测在 TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置,该缺陷位置检测电路则记录对应该缺陷位置的一位置坐标信号;一取向膜缺陷去除装置,根据该位置坐标信号,去除在TFT/CF基板上的该缺陷位置上的缺陷,以形成一针孔;以及一取向膜修复剂涂布装置,根据该位置坐标信号,将一取向膜修复剂涂布在该针孔上, 对该针孔进行修复。
2.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该缺陷为包覆有微粒的该取向膜。
3.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该针孔是指去除该缺陷后于该取向膜上所形成的缺口。
4.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该取向膜缺陷去除装置为一等离子体(AP Plasma)装置。
5.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该取向膜修复剂涂布装置为一喷印装置(Inkjet)。
6.如权利要求5所述的取向膜修复系统,其特征在于该喷印装置将该取向膜修复剂涂布在该针孔上时,是依据该针孔的面积、该取向膜修复剂的固含量以及目标膜厚为 lOOnm,从而计算出该喷印装置的滴下量。
7.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该取向膜修复系统还包括一驱动电路。
8.如权利要求7所述的取向膜修复系统,其特征在于该驱动电路控制该取向膜缺陷去除装置的移动,其作用为接收该缺陷位置检测电路检测到的该位置坐标信号,将该取向膜缺陷去除装置移动至该缺陷位置上方,以去除在TFT/CF基板上的该缺陷位置上的取向膜和微粒。
9.如权利要求7所述的取向膜修复系统,其特征在于所述的驱动电路控制该取向膜修复剂涂布装置的移动,其作用为接收该缺陷位置检测电路检测到的该位置坐标信号,将该取向膜修复剂涂布装置移动至该缺陷位置上方,以将该取向膜修复剂涂布在该针孔上, 对该针孔进行修复。
10.如权利要求1所述的取向膜修复系统,其特征在于该取向膜缺陷去除装置还可对该取向膜上的该针孔缺陷进行改性,改善该针孔缺陷产生区域基板表面的贴合性。
全文摘要
一种取向膜修复系统,包括一检查装置,包含一电荷耦合元件及一缺陷位置检测电路,电荷耦合元件检测在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置,缺陷位置检测电路则记录对应缺陷位置的一位置坐标信号;一取向膜缺陷去除装置,根据位置坐标信号,去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的缺陷,以形成一针孔;以及一取向膜修复剂涂布装置,根据位置坐标信号,将一取向膜修复剂涂布在针孔上,对针孔进行修复。
文档编号G02F1/1337GK102402074SQ20111039919
公开日2012年4月4日 申请日期2011年12月5日 优先权日2011年12月5日
发明者宋玉 申请人:深圳市华星光电技术有限公司
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