专利名称：光刻设备和掩模优化过程与多重图案化过程的集成的制作方法
技术领域：
本发明的技术领域整体上涉及光刻过程的模拟，且更具体地涉及通过模拟来优化光刻设备的特性和设计布局用于实现更好的成像性能。
背景技术：
可以将光刻设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，掩模可以包含对应于IC的单个层的电路图案，这一图案可以被成像到已经涂覆有辐射敏感材料(抗蚀齐IJ)层的衬底(硅晶片)的目标部分(例如包括一个或更多的管芯)上。通常，单个晶片将包含被经由投影系统连续地(一次一个地)辐射的相邻目标部分的整个网络。在一种类型的光刻投影设备中，每一目标部分通过一次将整个掩模图案曝光到目标部分上而被辐射；这样的设备通常称作为晶片步进机。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，通过投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)渐进地扫描掩模图案、同时沿与该方向平行 或反向平行的方向同步扫描衬底台，来辐射每一目标部分。因为通常投影系统的放大率因子为M(通常< I)，衬底台被扫描的速度V将是掩模台被扫描的速度的M倍。在使用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案成像到至少部分地被辐射敏感材料(抗蚀剂)层覆盖的衬底上。在这一成像步骤之前，衬底可能经历各种工艺，诸如涂底、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工艺，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所成像的特征的测量/检验。这一系列的工艺被用作为使器件(例如IC)的单个层形成图案的基础。这样的经过图案化的层之后可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些工艺都是用于最终完成单个层。如果需要多个层，那么整个工艺或其变形将不得不对于每一新层重复采用。最终，器件阵列将设置在衬底(晶片)上。之后通过诸如切片或切割等技术，将这些器件彼此分开，据此独立的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。为了简便起见，投影系统在本申请中可以被称为“透镜”，然而这一术语应当广义地解释成包括各种类型的投影系统，例如包括折射式光学装置、反射式光学装置以及折射反射式系统。辐射系统还可以包括根据用于引导、成形或控制投影辐射束的这些设计类型中的任一种进行操作的部件，这样的部件还可以在下文中被统称或单独称为“透镜”。另外，光刻设备可以是具有两个或更多的衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这样的“多台”装置中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多的台上执行预备步骤的同时，将一个或更多的其它台用于曝光。上文提及的光刻掩模包括对应于将被集成到硅晶片上的电路部件的几何图案。用于产生这样的掩模的图案通过使用CAD (计算机辅助设计)程序来形成，这一过程通常被称为EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组预定的设计规则，以便形成功能化掩模。这些规则通过处理和设计限制来设定。例如，设计规则限定了电路器件(诸如门、电容器等)之间或互连线之间的间隔的容许度，以便确保电路器件或线不会以不期望的方式相互作用。设计规则限制典型地被称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度或者两条线或两个孔之间的最小间隔。因此，CD确定了所设计的电路的整体尺寸和密度。当然，集成电路制造中的目标之一是在晶片上(经由掩模)忠实地复现原始电路设计。注意到，微光刻术是半导体集成电路的制造中的核心步骤，其中在半导体晶片衬底上形成的图案限定了半导体器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)以及其它器件。随着半导体制造工艺不断发展，电路元件的尺寸被不断地减小，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在数十年来一直遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在现在的技术条件下，通过使用被称为扫描器的、利用来自深紫外激光光源的照射将掩模图像投影到衬底上的光学光刻投影系统来制造前沿器件的关键层，从而产生具有低于IOOnm的尺寸的独立的电路特征，即该电路特征的尺寸小于投影光波长的一半。 印刷具有小于光学投影系统的经典分辨率极限的尺寸的特征的过程通常被称为低h光刻术，其基于分辨率公式CD = Ii1X λ /NA，其中λ是采用的辐射波长(当前在大多数情形中是248nm或193nm) ,NA是投影光学装置的数值孔径，⑶是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及h是经验分辨率因子。通常，Ic1越小，在晶片上复现类似于由电路设计者为获得特定的电功能和性能而设计的形状和尺寸的图案就越困难。为了克服这些困难，复杂的精细调节步骤被应用于投影系统以及掩模设计。这些例如包括但不限于NA和光学相干性设定的优化、定制的照射方案、相移掩模的使用、在掩模布局上的光学邻近效应校正或通常被定义成“分辨率增强技术(RET) ”的其它方法。作为一个重要的例子，光学邻近效应校正(0PC，有时也称为“光学和过程校正”)解决了晶片上的印刷特征的最终尺寸和定位不仅仅是掩模上的对应特征的尺寸和定位的函数的问题。注意到，术语“掩模”和“掩模板”在此处是可以相互通用的。对于在典型的电路设计上存在的小的特征尺寸和高的特征密度，给定特征的特定边缘的位置在一定程度上将受其它邻近特征的存在或不存在的影响。这些邻近效应由于光从一个特征耦合至另一特征的微小量的光而产生。类似地，邻近效应可以在通常在光刻曝光之后的曝光后焙烤(PEB)、抗蚀剂显影和蚀刻期间由扩散和其它化学效应产生。为了确保特征根据给定的目标电路设计的需要在半导体衬底上产生，需要使用复杂的数值模型来预测邻近效应，和需要在能够成功地制造高端器件之前将校正或预变形施加至掩模设计。在典型的高端设计中，几乎每一特征边缘都需要一些修改，用以实现足够接近目标设计的印刷图案。这些修改可以包括边缘位置或线宽的位移或偏置以及“辅助”特征的应用，所述“辅助”特征不是要印刷它们自身，而是将影响相关的主要特征的性质。双重图案化(DP)光刻术是有效地克服光刻曝光设备的分辨率极限的方法之一，尤其是在进一步增加NA不再是在“特征密集”的布局中提高临界/非临界特征的印刷品质的可行选择的情况。通常，在双重图案化光刻术中，其独立特征的CD和/或特征间节距小于光刻设备的分辨率极限的密集图案被分成两部分(这一过程被称为“着色”)，使得独立地在每一部分中，在图案印刷期间没有有关分辨率的问题要克服。所述部分被相继形成图案，将在第一光刻术中所印刷的特征与在第二光刻术中所印刷的特征交替散布，用于重新制造整个图案。已有的分割框架，尤其是用于全芯片的双重图案化，可以采用基于规则的分割算法，其后采用缝合和/或OPC(光学邻近效应校正)。基于规则的分割算法将设计布局基于根据成像系统极限的一组规则分割成两个子布局。之后，针对于每一子布局独立地应用缝合和/或OPC算法。源掩模优化(SMO)是同时优化源和掩模(即设计布局)以对于给定的设计布局实现更好的分辨率和/或过程窗口(PW)的过程。如果相对于源对掩模的设计布局进行优化，那么可以实现SMO的总运行时间的减少。通常，为了降低计算成本和时间，一组临界的设计图案由用户提供或自动地由智能算法选择。仅基于设计图案中的已选择的临界设计组进行SM0，以获得优化的源。之后，可选地，使用全芯片掩模优化(FMO)以在给定优化的源情况下优化全芯片设计布局。光刻术制造性检查(LMC)还可以被可选择地进行以在已选择的临界设计图案组中增加热点。
迄今，SMO和DP还没有被集成以在计算方面更加有效的方式实现甚至更好的成像性能。因此，在统一的过程流程中需要集成SMO和DP。此外，需要针对于其它光学特性共同优化设计布局，诸如光刻设备中的投影光学装置。
发明内容
本发明提供了在多重图案化光刻术和其他的光刻应用的情形中，在器件特性优化的领域中的多个创新，其满足了上述及其它的需求。在本发明的一实施例中，公开了一种经由光刻过程将待成像到衬底上的图案分割成多个子图案的方法，其中所述方法包括分割步骤，所述分割步骤配置成考虑在所述子图案中的至少一个和用于光刻过程的光刻设备的光学设定之间的共同优化的要求。在本发明的另一实施例中，图案选择方法用于从相对较大的组选择包括图案的设计布局的部分的有代表性的较小的组，其中所述有代表性的较小的组足以覆盖相对较大的组的特定的图案特征，使得加快了共同优化过程。本领域技术人员在考虑了下文的附图和详细描述时将了解包括对应于上文的方法的系统和计算机程序产品的本发明的这些方面和其它方面。
在结合附图阅读本发明的特定实施例的下述描述时，本领域技术人员将明白本发明的上文的方面和其它方面和特征，在附图中图I是根据本发明的示例性实施方式的光刻系统中的各子系统的方块图；图2是与图I中的子系统相对应的模拟模型的方块图；图3A是显示传统的双重图案化光刻术过程流程的流程图；图3B是显示根据本发明的一实施例的单向集成双重图案化和SMO的流程图；图4显示根据本发明的一实施例的SMO中的智能图案选择的集成；图5是显示集成本发明的各个方面的示例性方法的流程图；图6示出根据本发明的一示例性实施例的设计布局分割、图案选择和器件优化的集成；图7是显示根据本发明的一实施例的图案选择的示例性方法的流程图；图8显示示出根据本发明的一实施例的用于优化的源的双重图案化分割算法的示例性流程图；图9是示出示例性计算机系统的方块图，在其中可以实施本发明的实施例；和图10是可以应用本发明的实施例的光刻投影设备的示意图。
具体实施例方式现在参考附图，详细地 描述本发明，其被提供作为本发明的说明性示例以便使得本领域技术人员实施本发明。注意到，下文的附图和示例不是要将本发明的范围限制为单个实施例，而是其它的实施例通过相互交换所描述的或所显示的元件中的一些或全部的方式也是可以的。此外，在本发明的某些元件可以使用已知的部件部分地或全部地实施的情况下，将仅描述理解本发明所必要的这样的已知部件的部分，这样的已知部件的其它部分的详细描述将被省略以便不混淆本发明。描述为在软件中实施的实施例不应受限于此，而是可以包括在硬件或软件和硬件的组合中实施的实施例，反之亦然，如本领域技术人员所明白的，除非本文另有说明。在本说明书中，显示单个部件的实施例不应当认为是限制性的；相反，本发明是要包括包含多个相同部件的其它实施例，反之亦然，除非本文另有明确说明。此外，申请人不是要将说明书或权利要求中的任何术语归属于罕见的或特定的含义，除非进行如此明确的阐述。另外，本发明包括通过说明方式在此处所指的已知部件的当前的和未来的已知的等同物。A.用于实施本发明的示例性实施例的光刻系统中的一般环境在讨论本发明之前，先提供关于整个模拟和成像过程的简短讨论。图I示出了示例性的光刻投影系统10。主要部件包括光源12，其可以是例如深紫外准分子激光源或包括EUV波长的其它波长的源；照射光学装置，其限定了部分相干性且可以包括特定的源成形光学装置14、16a和16b ;掩模或掩模板18 ；以及投影光学装置16c，其在晶片平面22上产生掩模板图案的图像。光瞳面处的可调整的滤光片或孔阑20可以限制射到晶片平面22上的束角的范围，其中最大的可能的角度限定了投影光学装置的数值孔径NA = sin( max)。在光刻模拟系统中，这些主要系统部件可以由分立的功能模块进行描述，例如如图2所示。参考图2，功能模块包括设计布局模块26，其限定了目标设计布局；掩模布局模块28，其限定了在成像过程中使用的掩模；掩模模型模块30，其限定了在模拟过程期间使用的掩模布局的模型；光学模型模块32，其限定了光刻系统的光学部件的性能；和抗蚀剂模型模块34，其限定了在给定过程中使用的抗蚀剂的性能。已知，模拟过程的结果在结果模块36中产生例如所预测的轮廓和CD。更具体地，注意到在光学模型32中捕获了照射和投影光学装置的性质，所述光学模型32包括但不限于NA-西格玛(ο)设定以及任何特定的照射源形状，其中σ (或西格玛)是照射器的外部径向范围。涂覆到衬底上的光致抗蚀剂层的光学性质(即，折射率、膜厚、传播和偏振效应)也可以被捕捉作为光学模型32的一部分。掩模模型30捕捉掩模板的设计特征且还可以包括掩模的详细物理性质的表征。最终，抗蚀剂模型34描述了在抗蚀剂曝光、PEB和显影期间发生的化学过程的效应，用于预测例如衬底晶片上形成的抗蚀剂特征的轮廓。模拟的目标是精确地预测例如边缘的定位和CD，其之后可以与目标设计进行比较。目标设计通常被定义为预OPC掩模布局，且将被设置成标准的数字文件格式(诸如GDSII或OASIS)。本领域技术人员将理解输入文件格式是不关键的。
B.本发明的示例性方法如在发明内容部分中提及的，在本申请中，公开了将经由光刻过程成像到衬底上的图案分割成多个子图案的方法。所述方法包括分割步骤，所述分割步骤配置成“考虑(aware)”在至少一个子图案和用于光刻过程的光刻设备的光学设定之间的共同优化的要求。分割步骤配置成预测在共同优化之后的图像品质。可以通过分析子图案的兼容性来预测图像品质。例如，一些图案不能很好地一起优化地成像，因此它们需要容纳在不同的分割布局中。子图案通常依次成像到衬底上，同时组合到衬底的单个层上。光刻设备的光学设定可以包括下述中的一个或更多个照射源的设定和特性；投影光学装置系统的设定和特性；和照射源和投影光学装置系统的组合的设定和特性。照射源特性的非限制性例子是激光波长、激光带宽、源强度轮廓、源偏振等。类似地，投影光学装置特性的非限制性例子是数值孔径(NA)、变迹(apodization)、像差/波前调制、透镜加 热、双折射、色散、耀斑等。分割步骤可以包括基于规则的分割、基于算法的分割或基于规则和基于算法的分割的组合。可以依次、并行地、交替地或迭代地执行分割和共同优化。考虑共同优化的分割步骤可以使用衍射标识分析，以从图案可以被分割成的一组可行的子图案中选择多个子图案，使得获得期望的成像结果。这通常在频域中进行。衍射标识分析不是选择多个子图案的唯一的方法。例如，在替代的实施例中，考虑共同优化的分割步骤可以使用在空间域中聚集的两维图案，以从所述图案可以分割成的一组可行的子图案中选择多个子图案，使得获得期望的成像结果。在空间域中聚集的两维图案表示基于类似性使用空间域特性(与在典型的衍射标识分析中使用的频域特性相反)将1D/2D图案分组。一个例子是使用节距和宽度信息以对线/空间(L/S)图案进行分组。另一例子是使用图案的局部几何构型用于将其分类为节距图案或线端或槽端或Z形等。可以依次使用这些分类来执行分割。例如，对于L/S图案，可以针对于特定的节距范围进行相等的分割，或在另一节距范围中的图案可以都被聚集至特定层。这些说明性的例子不限于本发明的范围。在又一替代的实施例中，考虑共同优化的分割步骤可以使用图案的频率信息和局部空间信息中的一者或两者以从所述图案可以分割成的一组可行的子图案中选择多个子图案，使得获得期望的成像结果。例如，可以使用第一局部空间特性来将图案分类成粗略的类别，之后在每一类别中采用衍射标识分析(其使用频域信息)。本领域技术人员将理解，还可以使用相反的情形，即第一频域信息用于粗略的类别，之后空间域分析用于精细调整分割方法。图3A显示传统的全芯片双重图案化光刻模拟过程流程300，其中双重图案化分割算法不一定容纳任何装置/掩模优化，与图3B中讨论的过程流程310相反。注意到，尽管在本说明书中讨论的大多数例子中，目标图案布局仅分解成两个子布局，但是本发明的范围不受限于子布局的数量。因此，术语“双重图案化”也包括其中涉及多于两个的子布局的多重图案化的方法。此外，在过程流程显示中，灰色块表示方法/算法的应用，空白的块表示方法/算法的输入/输出。另外，术语“布局”和“子布局”可以表示来自更大的图案布置的感兴趣的特定图案的布置，该更大的图案布置包括所述感兴趣的图案。多个子布局可以以适合的布置组合用于重新构造更大的子布局(诸如全芯片子布局)，所述更大的子布局是更大的设计布局(诸如全芯片设计布局)中的分割部中的一个。在流程300中，设计布局40通过应用传统的分割算法42分割成两个子布局44和46。缝合/OPC算法48和50分别地独立地应用至子布局44和46中的每一个。OPC后的设计子布局52和54之后被产生作为设计前体，以制造实际的物理掩模板。图3B显示根据本发明的一个实施例，其中SMO以单向的方式集成到DP光刻术模拟过程流程310中，即DP分割算法和SMO以相继的方式作为过程流程中的一部分。DP分割算法42不一定基于SMO过程动态地被修改。在方块56和58中，替代传统的缝合/OPC算法，缝合/SMO算法被应用至子布局44和46。SMO后的设计子布局60和62之后被生成作为设计前体以制造实际的物理掩模板。子布局60和62还具有与它们相关的各自的优化的源。尽管未在图3B中具体地显示，可以甚至在SMO调整之后对子布局进行另外的0PC。如上文所述，源掩模优化(SMO)是同时优化源和掩模(即设计布局)的 过程，以对于给定的设计布局实现更好的分辨率和/或过程窗口(PW)，其依赖于所采用的光刻过程可以或可以不被分割成子布局。类似地，透镜掩模优化(LMO)是同时优化透镜和掩模(即设计布局)的过程。在此处，术语“透镜”广义地包括透射、成形来自照射源的光和将其引导至晶片的所有光学部件。“透镜”包括投影光学装置部件。尽管在示例性的实施例中，主要为了说明目的讨论SM0，本发明的范围包括DP与SM0、LM0和甚至SMLO(组合的源掩模透镜优化)的集成。本发明的重要目的是在统一的过程流程中集成DP和SM0/LM0/SML0以模拟光刻设备的成像性能。智能图案选择增加SM0/LM0/SML0的过程的效率。DP分割算法提供智能图案选择，如在之后描述的。通常，SM0/LM0/SML0方法的目的是实现全芯片图案覆盖率，同时通过智能地从在优化过程中使用的全组芯片选择小组的临界设计图案来降低计算成本。SM0/LM0/SML0仅在这些选择的图案上执行以获得优化的源和/或透镜。优化的源和/或透镜之后用于针对于全芯片优化掩模(例如利用OPC和LMC)，且所述结果被比较。如果结果与传统的全芯片SM0/LM0/SML0相当，那么所述过程终止，否则提供各种方法为了迭代或以其它方式收敛至成功的结果。本发明的实施例使用从较大的目标图案组中选择的较小的代表性的目标图案组，其中代表性的目标图案组充分地代表了全设计布局中的至少全部临界特征。于2010年10月28日申请的共同未决的Liu等人共同拥有的、题目为“Selection of OptimumPatterns in a Design Layout Based on Diffraction Signature Analysis，，的专利申请no. 12/914,954提供了基于衍射的图案分组和优化方法，其可以应用至源和掩模配置两者。该no. 12/914,954申请通过引用将其全部内容并入本文中。较大的目标图案组可以包括掩模的整个设计布局或设计布局的很大部分。虽然本发明的实施例尤其适合于SM0/LM0/SML0，但是本领域技术人员将理解图案选择算法通用于任何情形，其中较大的设计布局需要由从该设计布局中智能地选择的较小的目标图案组充分地代表。代表性的目标图案组可以包括被手动地挑选的用户选择的片段，和/或被自动地挑选的图案选择算法所选择的片段。例如，通常是具有线/空间特征的已知最高(或几乎最高)密度的片段的锚定器片段可以由用户手动地选择成总是代表性的组中的一部分。锚定器片段还可以包含已知的特别重要的特征。目标图案的代表性组可以用于优化在光刻过程中使用的照射源。优化照射源可以包括调节入射到掩模上的辐射束的偏振分布。目标图案的代表组还可以用于优化在光刻过程中使用的投影光学装置系统(如之前描述的，术语“透镜”包括投影光学装置系统)。优化投影光学装置系统可以包括在辐射束穿过掩模之后操控光瞳面(或任何其他的已选择的平面)中的辐射束的波前。设计布局和光学特性(即照射源和/或投影光学装置特性)的共同优化包含在本发明的范围中。光刻过程将被优化所针对的目标设计布局(典型地包括成诸如OASISjDSII等标准数字格式的布局)可以包括存储器、测试图案、逻辑电路等。从该设计布局识别最初的更大的目标图案(片段)组。在本发明的特定实施例中，提取全组片段，其代表设计布局中的所有复杂的图案(典型地大约50-1000个片段，尽管可以使用任何数量的片段)。如本领域技术人员所理解的，这些图案或片段代表设计的小的部分(即电路、单元或图案)和尤其是所述片段代表需要特别关注和/或验证的小的部分。可以基于设计布局中的已知临界特征区域，由客户先验地提供最初的较大的片段组，该设计布局需要特别的图像优化。替代地，在本发明的另一实施例中，通过使用一些类 型的自动的(诸如机器视觉)或手动算法从整个设计布局提取最初的较大的片段组，该算法识别临界特征区域。较大的图案组可以例如包括不同的图案类型(诸如栅极或逻辑图案等)或可以例如包括具有特定取向的图案。较大的图案组可以例如还包括具有特定水平的复杂度的图案或需要在光刻处理期间特别关注和/或验证的图案，例如符合设计规则的特定测试结构，例如1D/2D贯穿节距(through pitch)、交错的贯穿节距、通常使用的设计构造或原型(例如肘、T形、H形)、例如存储单元等重复使用的布局结构(例如砖壁)、存储器周边结构(例如存储单元的钩状部)以及具有从前代产品获知的成像问题的图案等。较大的图案组可以例如还包括具有预定的过程窗口性能的图案，或例如包括对图案的过程参数变化具有敏感度的图案。图案或片段的小的子组(例如15-50片段，尽管可以使用任何数量)被从最初的较大的片段组中选择出。对图案或片段的子组的选择优选地被执行成使得所选择的图案的过程窗口尽可能紧密地匹配较大的临界图案组的过程窗口。还通过在组合的图案选择和随后的SM0/LM0/SML0过程中总的周转时间或运行时间的减少，来度量选择的有效性。如在共同未决的申请no. 12/914,954中公开的，在本发明的一个示例性方面中，公开了从设计布局选择目标图案的子组的基于衍射的方法，其中所述方法包括下述步骤由来自设计布局的最初的较大的目标图案组针对于多个目标图案中的每一个产生各自的衍射分布图；从来自于最初的较大的目标图案组的多个目标图案的各种衍射分布图识别出衍射标识；将来自于最初的较大的目标图案组的多个目标图案分组成衍射标识群；特定衍射标识群中的目标图案具有相似的衍射标识；和选择所述目标图案的子组以覆盖衍射标识群的预定部分，使得目标图案的子组代表用于光刻过程的设计布局的至少一部分。多个目标图案的分组可以基于衍射标识的相似性通过预定的规则来管理。预定的规则包括在不同的衍射标识群之间存在的覆盖关系。在特定的基于衍射的图案选择的例子中，公开了在设计布局中选择代表性的目标图案组的方法，所述方法包括以下步骤为设计布局中的最初的较大的目标图案组中的每一个图案产生各自的衍射分布图；识别每一衍射分布图中的峰；在每一衍射分布图中储存所识别的峰中的一个或更多的特性参数；分析所识别的峰的已储存的特性参数，用于产生衍射标识群的列表，每一衍射标识群具有一个或更多的各自的基向量；根据最初的较大的目标图案组的各衍射分布图来检查不同的衍射标识群之间存在的覆盖关系，其中覆盖关系通过预定规则管理；识别最终的目标图案的子组，所述最终的目标图案的子组的衍射标识群充分地覆盖来自所有衍射分布图的所有可能的衍射标识群；和选择包含在代表性的目标图案组中的最终的目标图案的子组，使得最终的目标图案的子组代表用于光刻过程的设计布局的至少一部分。图4显示智能图案选择如何以传统方式提供在全芯片SMO过程流程400中的一个例子。注意到，在此处，设计布局40未被分割成子布局，如图3A-3B所示，但是本领域技术人员将理解在适当地使用本申请的教导时，传统的过程流程400也可以被针对于多重图案化光刻术进行修改。在图4中，方块65表示如上文所述将图案选择方法应用到设计布局40或较大的目标图案组上。结果，代表性的目标图案组70(其也被称为“设计布局部分”)被识别。所述组70是SMO过程的基础，在方块72中示出。由于方块72中的SMO方法，获得了优化的 源74。基于优化的源74，执行全芯片优化(FMO)过程，如在方块78中显示的。获得了最终的全芯片掩模或设计布局80。可以采用迭代框架以确保全芯片覆盖率，和还为制造确保设计。在方块76中的LMC过程采用被优化的源信息和掩模信息作为输入，并验证热点或暖点是否保持在设计布局40中。如果热点/暖点67被识别，那么它们包含在代表性的图案组中，和可选地，方块65的方法/算法被再次运行以甚至更好地优化源和设计布局。在图3A、3B和4中上述的流程的问题之一是在DP分割算法和/或图案选择算法中缺少源知识(或关于光刻设备的其它光学特性的知识)。在此处，SMO仅为了非限制性的说明而讨论。从经验可知，SMO过程基本上依赖于由DP分割过程形成的子布局。在DP分割步骤中，目标图案可以具有多种可行的分割选择。如果对于不同的分割选择需要不同的优化源配置，那么整个SMO过程效率差。为了实现可接受的全局优化方案，DP分割应当优选地选择实现优化的(或期望的)SMO结果的方案。另一缺点是对于每一分割子布局的缝合/0PC/SM0过程独立于在图3A、3B和4中显示的实施例中的其它子布局。因此，没有灵活性或几乎没有灵活性用于调整在DP分割步骤中确定的切割线的位置。因此，DP分割和SMO算法的较严格的集成可能对于改善模拟成像性能的灵活性是有利的，如图5和6所示。图5讨论一个示例性实施例、集成的DP-SMO-图案选择过程。在步骤S502中，获得了设计布局(或较大的片段组)。在步骤S504中，基于衍射标识分析的算法(被称为DP图案选择算法)用于选择代表性的较小的片段组(或设计布局的部分)和同时将它们分割成两个子布局。在步骤S506中，组合的DP-SMO算法同时优化所分割的子布局和源。在步骤S508中，关于步骤S508中的被优化的源执行另外的0PC。这一步骤是可选的。在步骤S510中，输出结果，即被优化的源和用于设计布局的已选择的优选子布局被产生。其对于在设计阶段中的过程窗口分析是有用的。图6显示其中通过渐进方案集成DP分割算法642、DP图案选择算法665 (在图5中的步骤S504)和DP-SMO算法657 (在图5中的步骤S508)的一个示例性实施例。DP图案选择算法665采用设计布局(或较大的片段组)640，使用考虑SMO的算法来选择临界图案的子组以及将它们分割成两个子布局670和671。DP-SMO算法657同时优化两个子布局670和671和源，以输出被优化的源674。如果其在当前的过程期间被优化，那么DP分割算法642采用先验可知的和/或由源674确定的规则。DP-OPC算法678 (等价于图4中描述的FM0)通过应用适合的OPC来优化用于被优化的源674的两个全芯片子布局660和662。可选的LMC算法676可以识别热点/暖点667，其可以被反馈至DP分割算法642和DP图案选择算法665中的一者或两者。在替代的实施例中，DP分割算法642可以不采用DP图案选择算法665，即在该替代的实施例中不使用方块665、670、671和657。在这一实施例中，使用已知的初始源674，算法642将设计布局640分割成两个子布局644和646,其可以用源674、随后以用于FMO的可选的DP-OPC算法优化。可选的LMC步骤676还可以是该实施例的一部分。在下文我们讨论本发明的各种特征的特定例子。本领域技术人员将理解不是所有 的特征都需要用于实施每一实施例，下文单独讨论的许多特征可以在不偏离本发明的范围的情况下进行组合。I.考虑SMO的DP图案选择从全设计布局识别出初始的大片段组。通常，假定最初的组包括期望的临界图案，其可以充分地代表整个设计布局。最初的大的片段组可以由客户基于设计布局中的已知的临界特征区域提供，该临界特征区域需要特殊的图像优化。替代地，还可以从整个设计布局自动地提取最初的大的片段组。例如，根据DP分割规则可以将临界特征区域用作临界片段组。在图7中显示DP图案选择算法流程图。在流程图的步骤S702中，DP图案选择使用考虑衍射分布图的算法以分割较大的片段组中的每一目标图案。其基于衍射分布图如何与用于特定图案的被优化的源相关的知识。来自目标图案的衍射标识群的数量越少，对于导致以其它图案较易于优化的被优化的源的约束越少。对于每一目标图案，可能有多种可行的分割选择。对于每一可行的分割选择，生成了所分割的子布局的衍射分布图。在一个实施例中，在两个子布局中的衍射标识群的数量用作成本函数，该成本函数表示SMO可能倾向于特定分割的程度。也可以预先定义其它类型的成本函数。在步骤S704中，所选择的片段组被初始化为空的组，其随着代表性的片段被识别和添加至所述组而逐渐变大。在开始下一步骤S704时，所有片段都已经分割成两个子布局。注意到，每一片段仍然具有两种可行的配置。让我们将片段Ci的两个子布局表示为Mtli和Μ\。两个子布局可以被交换。存在用于控制交换的配置变量每一子布局具有与其相关的衍射标识群‘g’的列表，其中‘G’是衍射标识群‘g’的集合。
Γηη·7/Π ΙΓ Γ'0 r1、I (i^io ■ Sn·· Sn ■·■■■}■· {Sm ■< Sn iSn·····}) ~ ^(Ci^) = (Gi5Gi)= JH。。。I、 _1
[( ^ ο 5 Sn 5 Si2 ■'■■■}■' {Sm -'Sn-' Si2 5 · · ·}) G _1在步骤S706中，迭代算法被用于确定每一片段的配置，以考察覆盖关系。在每一迭代步骤中，具有最大的衍射标识群覆盖数的片段被选择和添加至已选择的片段组。对于具有它们的配置(Ci^i)和(Cj, rj)的两个片段，衍射标识群覆盖数N(Ci，ri，Cj, rj)可以通过属于且由Gf中的一个衍射标识群所覆盖的衍射标识群的数量加上属于Gj.且由G/中的一个衍射标识群所覆盖的衍射标识群的数量来计算。
N((Ct JiUC^rj\Ω) =| W| + |g : g) GG),g) c^G,g) |此处，g 表示衍射标识群g由中的一个衍射标识群所覆盖。且Ω是之前的迭代中的所有被覆盖衍射标识群的集合。之后，对于一个片段的衍射标识群覆盖数被定义为N(CnQ) = max ^ max N((C1, Y1), (Cj,。), Ω)
η )*ι rj
如果一个片段的配置已经在之前的迭代中被确定，那么其配置在这一计算中被固定。在选择了具有最大的衍射标识群覆盖数的一个片段之后，需要更新相关的状态。这在步骤S708中显示。根据上文的计算确定已选择的片段的配置。已选择的片段添加至已选择的片段组中。此外，如果未被选择的片段的配置通过已选择的片段确定，则未被选择的片段的配置被设定。由已选择的片段覆盖的所有衍射标识群被添加到所覆盖的群集合中。上文程序被迭代，直到片段的所有配置被确定且所有衍射标识群被已选择的片段所覆盖。如果在步骤S710中确定所有衍射标识群覆盖在已选择的片段组中，那么在步骤S712中输出结果。否则，迭代计算继续。在步骤S712中的输出可以是具有它们的配置的已选择的片段。2. DP-SMODP-SMO算法是在双重图案化过程流程中使用的两个源配置和两个掩模(子布局)配置的共同优化框架。DP-SMO直接使用设计布局来定义成本函数。这一成本函数不依赖于之前的分割结果，使得它在被优化的子布局中具有额外的灵活性。对于原始设计布局，沿着目标图案的理想轮廓设置一组预定的评估点。由使用者定义一组预先定义的过程条件，其可以包括例如剂量变化、离焦深度(DOF)、掩模偏置等。成本函数可以定义为用于多个评估点的高阶评估边缘定位误差(EPE)对过程条件的加权和。还可以考虑制造约束。由于涉及的约束数量，SMO的优化是相对复杂的。例如，两个双重图案化分割选择的非线性使得其非常难以实现DP-SMO的全局优化。为了避免优化器被捕获于局部最小值，来自已知的基于规则的分割算法的两个子布局被用于初始化。另外，数学渐进方案用于SMO流程以帮助优化收敛至全局优化方案。3.用于被优化的源的DP分割算法在给定被优化的源的情况下，DP分割算法将较大的(例如全芯片)设计布局分割成两个子布局。DP分割步骤确定了设计布局侧中的显著的拓扑变化。重要的是将设计布局分割成考虑给定源的两个子布局、用于加速整个SMO过程。如在图8中的例子中显示的，对于给定的源810，规则产生器812生成一组分割规则814，其用在DP分割算法中。分割规则对从设计布局840产生的分割子布局860被对应的源青睐的程度进行编码。如在图8中显示的，源选择影响在DP分割框架的多个步骤S802-S808中的分割规则。在步骤S802中，临界图案是‘断裂的(fractured) ’。在步骤S804中，生成列出临界群的图表(可以基于衍射标识分析)。在步骤806中，全局临界群图表通过解决优化问题来产生。在步骤S808中，非临界部分也被分割和添加到不同的子布局。所有的这些步骤在下文被进一步详细说明。用于使临界部分断裂的许多规则可以根据源估算。这些规则组包括但不限于最小节距尺寸、最小角至角尺寸、最小线至端尺寸、禁止的节距尺寸等。在给定该组规则的情况下，在设计布局中的所有多边形被断裂成临界部分和非临界部分。临界部分由与其他临界/非临界多边形具有临界关系(与其冲突)的多边形构成。临界多边形和它们之间的冲突形成图表。之后，在所述图表的每一连接的部分中的多边形被分组成临界群。每一临界群中的多边形被分割成两个子布局，使得在每一子布局中没有冲突。对于临界群中的每一子布局，在临近的多边形之间测量一组几何特征，诸如节距、角至角距离等。之后，基于每一源的这些几何特征来计算成本。所计算的成本是在每一源下面的掩模的成像品质的估算。因此，对于每一临界群，成本表示两个子布局和两个源配置之间的相互关系，加权的边缘被添加至临界群图表中，从临界群至参考节点。
迭代方法用于基于已经被分配给特定的子布局的多边形将孤立的非临界多边形分割。从所有‘着色的’多边形，即已经被识别为临界的和已经被分配给子布局的多边形，识别出临近的“未着色的”多边形。在着色的多边形和未着色的多边形之间测量一组特征，计算了成本。该成本是对图像品质的估算，即估算如果未着色的多边形包含在着色的多边形的同一子布局中，将如何影响图像。具有最大的成本的一对着色的和未着色的多边形被选择。或者说，其意味着如果我们在着色的多边形的同一子布局中分配未着色的多边形，那么它具有最差的成像品质。为了避免这种情况，未着色的多边形被分配给不同的子布局。遵循这些步骤，可以建立考虑源的分割算法，其可以针对于被优化的源来实现优化的图像品质。4. DP-OPC在所述源被优化且全芯片设计布局被分割成两个子布局之后，可以使用更快的形式的DP-OPC在全芯片尺度上同时优化两个子布局。这是实现更加改善的成像性能的可选的步骤。DP-OPC使用与在DP-SMO中相似的成本函数，其直接由设计布局导出。成本函数可以被定义为对于各种可行的过程条件和与制造相关的过程约束(如果存在)的多个评估点的高阶的估算边缘定位误差(EPE)的加权总和。通常，在DP-OPC步骤中的成本函数比在DP-SMO中使用的成本函数更简单，且通常不需要渐进的方案。另外，典型地，对于DP-OPC需要较少的迭代步骤用于收敛。5.增加反馈的热点/暖点至DP分割和DP图案选择如之前讨论的和在图4和6中显示的，可选的LMC步骤可以被包括作为在DP-OPC(或DP-FM0)步骤之后的过程流程的一部分。执行LMC程序以验证在所需要的过程窗口中是否有热点/暖点。如果检测到热点/暖点，那么在目标中的对应的边缘被识别，其导致DP-OPC步骤中的热点/暖点。如果两个边缘在同一的掩模中彼此太靠近，那么它们需要被分割成不同的掩模。因此，沿着边缘生成两个临界多边形，在它们之间标示高优先级的力冲突。然后，再次执行DP分割，导致热点/暖点的两个边缘被迫使分割成两个不同的子布局。对于不能通过DP分割步骤解决的热点/暖点，它们需要在DP图案选择中被反馈。对于每一热点/暖点，在热点/暖点周围的一片设计布局被切割为片段。这些新的片/片段被添加到最初的大的片段组中。之后，再次执行DP图案选择以获取新的源。用新的片/片段优化新的源，所述新的片/片段可以实现更好的成像品质和可以消除热点/暖点。如果使用新的源未解决热点/暖点，那么在每一热点/暖点周围的设计可以被改变以满足对DP过程的限制。
C.用于实施本发明的实施例的计算机系统的细节图9是显示计算机系统100的示例性方块图，该计算机系统100可以辅助实施和/或执行此处公开的图案选择方法。计算机系统100包括总线102或其它用于信息通信的通信机制；和与总线102耦接的用于处理信息的一个或更多的处理器104(和105)。计算机系统100还包括主存储器106 (诸如随机存取存储器(RAM)或其它动态存储装置)，所述主存储器106耦接至总线102用于储存被处理器104执行的信息和指令。主存储器106还可以用于在由处理器104执行的指令的执行期间储存临时变量或其它中间信息。计算机系统100还包括被耦接至总线102的只读存储器(ROM) 108或其它静态存储装置，其用于存储用于处理器104的静态信息和指令。存储装置110 (诸如磁盘或光盘)设置和耦接至总线102，用于存储信息和指令。计算机系统100可以经由总线102耦接至显示器112(诸如阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器)，用于给计算机使用者显示信息。输入装置114(包括字母数字键和其它键)耦接至总线102，用于将信息和命令选择与处理器104通信。另一类型的使用者输入装置是光标控制器116(诸如鼠标、轨迹球、或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择与处理器104通信和用于控制显示器112上的光标移动。这一输入装置典型地在两个轴线(第一轴线(例如X)和第二轴线(例如y))上具有两个自由度，这允许所述装置指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。根据本发明的一个实施例，模拟过程的部分可以通过计算机系统100响应于用于执行包含在主储存器106中的一个或更多的指令的一个或更多的序列的处理器104而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如存储装置110)读取到主储存器106中。包含在主存储器106中的指令的序列的执行使得处理器104执行此处描述的过程步骤。在多个处理布置中的一个或更多的处理器也可以被用于执行包含在主存储器106中的指令的序列。在可替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令组合，以实施本发明。因此，本发明的实施例不限于任何特定的硬件电路和软件的组合。如此处使用的术语“计算机可读介质”表示参与为了执行而提供指令至处理器104的任何介质。这样的介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜导线和光纤，包含包括总线102的导线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的这些声波或光波。计算机可读介质的通常形式包括例如软盘、软碟(flexible disk)、硬盘、磁带、任何其它磁介质、CD-ROM、DVD、任何其它光学介质、穿孔卡、纸带、任何具有孔图案的其它物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它储存器芯片或卡带、如下文描述的载波或计算机可以读取的任何其它介质。各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或更多的指令的一个或更多的序列传送至处理器104，用于执行。例如，指令可以最初诞生于远程计算机的磁盘上。远程计算机可以加载指令到其动态存储器中且使用调制解调器在电话线上发送所述指令。在计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，和使用红外发送器将数据转换成红外信号。耦接至总线102的红外探测器可以接收在红外信号中携带的数据和将数据置于总线102上。总线102将数据传送至主存储器106，处理器104从主存储器106获取和执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选择地在处理器104的执行之前或之后被存储在存储装置110上。计算机系统100还优选地包括耦接至总线102的通信接口 118。通信接口 118提供耦接至网络链路120的双向数据通信，该网络链路120连接至本地网络122。例如，通信 接口 118可以是综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器，用于提供数据通信连接至对应类型的电话线。作为另一例子，通信接口 118可以是局域网(LAN)卡，以提供数据通信连接至兼容的LAN。无线链路也可以被实现。在任何这样的实施方式中，通信接口 118发送和接收电信号、电磁信号或光信号，其携带表示各种类型的信息的数字数据流。典型地，网络链路120通过一个或更多的网络将数据通信提供至其它数据装置。例如，网络链路120可以提供通过本地网络122至主机124的连接或至由网络服务商(ISP) 126操作的数据装备的连接。ISP126又通过全球分组数据通信网络(现在被通常称为“互联网”)128提供数据服务。本地网络122和互联网128都使用携带数字数据流的电、电磁或光信号。通过各种网络的信号和网络链路120上和通过通信接口 118的信号将数字数据传送至计算机系统100和从计算机系统100传送回，其是运送信息的载波的示例性形式。计算机系统100可以通过网络、网络链路120和通信接口 118发送信息和接收数据，包括程序代码。在互联网的例子中，服务器130可以通过互联网128、ISP126、本地网络122和通信接口 118为应用程序发送请求码。根据本发明，例如，一个这样的被下载的应用程序提供用于实施例的测试图案选择。接收码可以在它被接收时被处理器104执行和/或存储在存储装置110或其它的非易失性储存器中用于之后执行。如此，计算机系统100可以获得成载波形式的应用代码。D.光刻工具的例子图10示意性地显示示例性的光刻投影设备，其性能可以利用计算光刻模型进行模拟和/或优化，该计算光刻模型可以使用本发明的测试图案选择过程进行校准。所述设备包括福射系统Ex、IL,用于供给投影福射束B。在这一特定的情形中，福射系统还包括福射源SO ；第一载物台(掩模台)MT,设置有用于保持掩模MA (例如掩模板)的掩模保持器并连接至第一定位装置PM，所述第一定位装置PM用于相对于投影系统PS精确地定位掩模；第二载物台(衬底台)WT，设置有用于保持衬底W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器和连接至第二定位装置PW，所述第二定位装置PW用于相对于投影系统PS精确地定位衬底；投影系统(“透镜”)PS(例如折射式、反射式或折射反射式的光学系统)，用于将掩模MA的受辐射部分成像到衬底W的目标部分C (例如包括一个或更多的管芯)上。如此处所描述的，所述设备是透射式(即具有透射式掩模)。然而，通常它还可以是反射式的，例如(具有反射式掩模)。可替代地，所述设备可以采用另一类型的图案形成装置来作为掩模的替代品使用；例子包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。例如，这一辐射束被直接地馈送到照射系统(照射器)IL中，或在穿过调节装置(诸如扩束器或束传递系统BD)之后馈送到照射系统IL中。照射器IL可以包括调整装置AD，所述调整装置AD用于设定在束中的强度分布的外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，它通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。这样，照射到掩模MA上的束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
关于图10应当注意的是，源SO可以位于光刻投影设备的壳体内(当源SO是例如汞灯时经常是这样的情形)，但是它还可以远离光刻投影设备，其产生的辐射束被引导到所述设备中(例如在适合的定向反射镜的帮助下)；所述后一种情况通常是当源SO是准分子激光器(例如是基于KrF，ArF或F2激光的准分子激光器)的情形。本发明包括这些情况中的至少两个。辐射束B随后被保持在掩模台MT上的掩模MA所拦截。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B穿过透镜PS，透镜PS将束B聚焦到衬底W的目标部分C上。在第二定位装置(和干涉仪测量装置IF)的辅助下，衬底台WT可以精确地移动，例如以便在束B的路径上定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库机械获取掩模MA之后或在扫描期间，第一定位装置可以用于相对于束B的路径定位掩模MA。通常，在长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)(未在图10中明确地示出)的帮助下，实现载物台MT、WT的移动。然而，在晶片步进机的情形中(与步进扫描工具相反)，掩模台MT可以仅仅连接至短行程致动器或可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以根据需要使用图案形成装置中的对准标记Ml、M2和晶片上的对准标记P1、P2进行对准。所示出的工具可以在两种不同的模式中使用在步进模式中，掩模台MT保持为基本静止，且一次(即单个“闪光”)将整个掩模图像投影到目标部分C上。衬底台WT之后在X和/或y方向上被移动，使得可以通过束B来辐射不同的目标部分C。在扫描模式中，除了给定的目标部分C不在单个“闪光”中曝光之外，实质上应用了相同的方式。替代地，掩模台MT可以沿给定方向(所谓“扫描方向”，例如y方向)以速度V移动，使得投影束PB在掩模图像上扫描；同时，衬底台WT沿同一或相反的反向以速度V = Mv同时地移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地M= 1/4或1/5)。这样，可以曝光相对大的目标部分C，而不对分辨率进行折衷。此处公开的构思可以模拟或在数学上对用于使亚波长特征成像的任何一般性成像系统进行建模，且可以随着能够产生尺寸不断变小的波长的成像技术的出现是特别有用的。已经使用的现有的技术包括DUV (深紫外线)光刻术，其能够用ArF激光器产生193nm波长，甚至可以用氟激光器产生157nm的波长。此外，EUV光刻术能够通过使用同步加速器或通过用高能电子撞击材料(固体或等离子体)来产生在20-5nm范围内的波长，用于产生在这一范围内的光子。因为大多数材料在这一范围内是吸收性的，所以通过具有钥和硅的多个叠层的反射镜来产生照射。所述多个叠层的反射镜具有40层的钥和硅对，其中每一层的厚度是1/4波长。可以用X射线光刻术来产生甚至更小的波长。典型地，同步加速器用于产生X射线波长。因为大多数材料在X射线波长处是吸收性的，所以吸收材料的薄片限定了特征将在何处印刷(正抗蚀剂)或不印刷(负抗蚀剂)。虽然此处公开的构思可以用于在诸如硅晶片等衬底上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在除了硅晶片之外的衬底上成像的那些光刻成像系统。 虽然参考本发明的优选实施例对本发明进行具体描述，但是本领域普通技术人员容易理解，可以在不背离本发明的精神和范围作出形式和细节上的改变和修改。所附的权利要求包括这样的改变和修改。
权利要求
1.一种将经由光刻过程被成像到衬底上的图案分割成多个子图案的方法，其中所述方法包括分割步骤，所述分割步骤配置成考虑在所述子图案中的至少一个和用于光刻过程的光刻设备的光学设定之间的共同优化的要求。
2.根据权利要求I所述的方法，其中所述分割步骤包括基于规则的分割、基于算法的分割、或基于规则的分割和基于算法的分割的组合。
3.根据权利要求I所述的方法，其中所述分割步骤和共同优化被依次、并行地、交替地或迭代地进行。
4.根据权利要求I所述的方法，其中所述考虑共同优化的分割步骤采用衍射标识分析，以从所述图案能够被分割成的、一组可行的子图案中选择所述多个子图案，使得获得所述被期望的成像结果。
5.根据权利要求I所述的方法，其中所述考虑共同优化的分割步骤采用在空间域中聚集的两维图案，以从所述图案能够被分割成的、一组可行的子图案中选择所述多个子图案，使得获得所述被期望的成像结果。
6.根据权利要求I所述的方法，其中所述考虑共同优化的分割步骤采用所述图案的频率信息和局部空间信息中的一者或两者，用于从所述图案能够被分割成的、一组可行的子图案中选择所述多个子图案，使得获得所述被期望的成像结果。
7.根据权利要求I所述的方法，其中所述子图案被依次成像到所述衬底上，同时被组合在所述衬底的单个层上。
8.根据权利要求I所述的方法，其中所述被期望的成像结果与用于所述已选择的多个子图案的预定的过程窗口相关联。
9.根据权利要求I所述的方法，其中所述光刻设备的光学设定包括下述中的一个或更多个照射源的设定和特性；投影光学装置系统的设定和特性；和照射源和投影光学装置系统的组合的设定和特性。
10.根据权利要求I所述的方法，其中图案选择方法用于从相对较大的组选择包括所述图案的设计布局的部分的代表性的较小的组，其中所述代表性的较小的组足以覆盖所述相对较大的组的特性图案特征，使得加速所述共同优化过程。
11.根据权利要求I所述的方法，其中已知的光学设定用于产生用于分割所述图案的规则，使得所述多个子图案中的每一个包括配置成处于所述光刻设备的分辨率极限内的特征。
12.根据权利要求I所述的方法，其中光学邻近效应校正(OPC)被执行以在光学设定由于所述共同优化而被固定之后进一步优化所述子图案。
13.根据权利要求I所述的方法，其中在验证过程期间识别热点和暖点，所述验证过程遵循共同优化的至少一个迭代循环。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所识别的热点和暖点被反馈到在所述分割步骤中使用的图案分割算法中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所识别的热点和暖点被反馈到图案选择算法中，所述图案选择算法从相对较大的组选择包括所述图案的设计布局的部分的代表性的较小的组，其中所述代表性的较小的组足以覆盖所述相对较大的组的特性图案特征，使得所述随后的共同优化过程被加快。
全文摘要
本发明涉及光刻设备和掩模优化过程与多重图案化过程的集成。本发明涉及光刻设备和过程，尤其涉及用于印刷超过光刻设备的分辨率极限的目标图案的多重图案化光刻术。公开了一种将经由光刻过程被成像到衬底上的图案分割成多个子图案的方法，其中所述方法包括分割步骤，所述分割步骤配置成考虑在所述子图案中的至少一个和用于光刻过程的光刻设备的光学设定之间的共同优化的要求。器件特性优化技术包括基于衍射标识分析的智能图案选择，可以被集成到多重图案化过程流程中。
文档编号G03F7/20GK102841509SQ20121009298
公开日2012年12月26日 申请日期2012年3月31日 优先权日2011年4月4日
发明者陈洛祁, 叶军, 陈洪 申请人:Asml荷兰有限公司