专利名称：一种用于监控led外延和芯片前段制程的光罩版模组的制作方法
技术领域：
—种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组技术领域[0001]本实用新型涉及一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，属于LED 芯片制造技术领域。
背景技术：
[0002]在半导体制程中，抽测(test) —般被认为是芯片前段制程的最后一步，因为抽测 制程的下一步为晶片减薄工序，如果晶片被减薄之后就不能再进行前段返工，这样晶片的 良率就会固定下来；而如果在抽测中发现参数异常，往往很多异常是可以通过前段返工作 业使参数正常，这样可以使芯片良率得到提升，所以抽测的良率监控至关重要，抽测站在半 导体制程中起着将前后段制程承上启下的作用。[0003]现在几乎所有LED芯片段制程中均有抽测工序，发现参数异常后也大多有前段返 工作业，同时可以人工测量特殊位置，比如用于传输线模型(Transmission Line Model, TLM)测量的常规光罩版(如图1所示)，从而确定异常原因，然而人工测量耗时，再加上由于 操作手法不一致误差较大，所得到的数据非常有限且难以作为可靠的参考标准。发明内容[0004]基于上述技术的不足，本实用新型提供一种新式的用于监控LED外延和芯片前段 制程的光罩版模组。[0005]本实用新型的目的是，为了有效地监控外延和芯片前段制程的稳定性，即在光罩 版的预设位置添加分别用于监控P型外延层、N型外延层、电流扩展层等结构层性能的单元 图案。[0006]本实用新型是通过以下技术方案实现[0007]本实用新型提出了一种新式的用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版即在 光罩版的预设位置添加需要测量参数的单元图案，分别用于监控P型外延层、N型外延层、 电流扩展层等结构层性能，通过规划设计抽测间距，使抽测时必然会抽测到这些单元图案， 这样即可实现监控外延质量、电流扩展层等结构层的质量，在发生异常时，可以简单地初步 判定异常的主要原因，在制程正常时也可以监控各种参数并及时优化相关工序。[0008]所述光罩版模组包括至少两块光罩版，其特征在于至少在一块光罩版上设置有 用于监控LED芯片的各结构层性能的单元图案。[0009]所述光罩版模组其特征在于至少在两块光罩版上设置有前述单元图案，各块光 罩版不同位置上设置有用于监控不同的结构层性能的单元图案。[0010]所述光罩版模组其特征在于同一块光罩版设置有用于监控同一结构层性能的单 元图案。[0011]所述光罩版模组包括其特征在于所述单元图案的大小与LED芯粒图案的大小一致。[0012]所述需要测量参数的单元图案是通过光罩版设计完成。[0013]所述抽测间距的设定是为了实现将需要测量参数的单元图案纳入抽测。[0014]所述需要测量参数的单元图案的位置可以位于晶圆的上侧或下侧或左侧或右侧或中心或前述的组合。[0015]本实用新型与现有技术相比较的有益效果是本实用新型是在不改变芯片制程的基础上，即在光罩版的预设位置添加分别用于监控P型外延层、N型外延层、电流扩展层等结构层性能的单元图案，可实现在抽测作业时测试这些单元图案，使得监控外延和前段制程变得更加简洁方便，及时有效地调整相关制程，从而使工艺条件稳定并且及时得到优化。
[0016]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。[0017]图1是常规的光罩版模组示意图。图2是本实用新型的光罩版模组示意图。[0019]图3是本实用新型的第I道光罩版示意图。[0020]图4是图3中需测量参数的单元图案放大图。[0021]图5是本实用新型的第2道光罩版示意图。[0022]图6是图5中需测量参数的单元图案放大图。[0023]图7是本实用新型的第3道光罩版示意图。[0024]图8是图7中需测量参数的单元图案放大图。[0025]图中标号表[0026]Al :需要测量参数的Al单元图案；[0027]B1:需要测量参数的BI单元图案；[0028]Cl :需要测量参数的Cl单元图案；[0029]A2 :需要测量参数的A2单元图案；[0030]B2 :需要测量参数的B2单元图案；[0031]C2 :需要测量参数的C2单元图案；[0032]A3 :需要测量参数的A3单元图案；[0033]B3 :需要测量参数的B3单元图案；[0034]C3 :需要测量参数的C3单元图案。
具体实施方式
[0035]以下将结合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。[0036]实施例[0037]如图2所示，本实施例用于监控LED外延和前段制程的光罩版模组在光罩版中的预设位置添加需要测量参数(用于监控P型外延层、N型外延层、ITO电流扩展层等结构层性能)的单元图案，通过设定抽测的间距，使抽测时必然会抽测到这些预设位置上的单元图案。A、B和C单元图案是通过光罩版设计完成的。抽测间距的设定是为了实现将需要测量参数的单元图案纳入抽测。需要测量参数的A单元图案的位置位于晶圆的上侧，B单元图 案的位置位于晶圆的左侧、中心位置和右侧，C单元图案的位置位于晶圆的下侧。[0038]下面以三道光罩为例说明如何通过光罩版设计并抽测预设位置的单位图案，用于 监控P型外延层、N型外延层、ITO电流扩展层结构层的性能。[0039]如图3和4所示，本实施例第I道光罩的A、B和C单元用于开制MESA光罩，通过 第I次光罩，A和B单元用于形成N型外延层，而C单元用于形成P型外延层；[0040]如图5和6所不,本实施例第2道光罩的A、B和C单兀用于开制ITO光罩,通过第 2次光罩，A单元用于形成N型外延层，B单元用于形成图案化的ITO电流扩展层，而C单元 用于形成P型外延层；[0041]如图7和8所示，本实施例第3道光罩的A、B和C单元用于开制PAD光罩，通过第 3次光罩，A、B和C单元用于制作金属电极的图形，其图形与其它正常芯粒的金属电极图形 一致，这样抽测机台可以识别此图形，并可以自动测量。[0042]综上所述，通过抽测A单元，便可以监控N型外延层的质量，通过抽测B单元便可 以监控ITO电流扩展层的质量，而通过抽测C单元可以监控P型外延层的质量。由此，本实 施例光罩版的设计可以实现抽测时自动监控LED外延和前段制程的光罩版。
权利要求1.一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，包括至少两块光罩版，其特征在于至少在一块光罩版上设置有用于监控LED芯片的各结构层性能的单元图案。
2.根据权利要求1所述的一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，其特征在于至少在两块光罩版上设置有前述单元图案，各块光罩版不同位置上设置有用于监控不同的结构层性能的单元图案。
3.根据权利要求2所述的一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，其特征在于同一块光罩版设置有用于监控同一结构层性能的单元图案。
4.根据权利要求1所述的一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，其特征在于所述单元图案的大小与LED芯粒图案的大小一致。
5.根据权利要求1或2或4所述的一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，其特征在于所述单元图案的位置位于光罩版的上侧或下侧或左侧或右侧或中心或前述的组合。
专利摘要本实用新型涉及一种用于监控LED外延和芯片前段制程的光罩版模组，即在光罩版的预设位置添加需要测量参数的单元图案，分别用于监控P型外延层、N型外延层、电流扩展层等结构层性能，通过规划设计抽测间距，使抽测时必然会抽测到这些预设位置，这样即可实现监控外延质量、电流扩展层等结构层的质量，在发生异常时，可以简单地初步判定异常的主要原因，在制程正常时也可以监控各种参数并及时优化相关工序。
文档编号G03F1/44GK202837806SQ201220377478
公开日2013年3月27日 申请日期2012年8月1日 优先权日2012年8月1日
发明者古杰辉, 庄家铭, 黄惠葵, 王安平, 范慧丽 申请人:安徽三安光电有限公司