光掩模的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，能够低价且容易地制造光掩模。所述制造方法的特征在于，其具备以下工序：准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小；槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽；一体化工序，在该遮光板的形成有槽的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板从而形成为一体；以及磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。
【专利说明】光掩模的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶片加工用的光掩模的制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体晶片中，IC、LSI等多个器件被分割预定线划分开而形成于半导体晶片的正面，关于该半导体晶片，在对背面进行磨削而加工成规定的厚度之后，利用切割装置、激光加工装置分割成一个个器件，分割出的器件被广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
[0003]但是，在利用切割装置进行切割时，高速旋转的切削刀具切入晶片的分割预定线，因此，存在因切削刀具的破碎力导致器件产生缺口，从而器件的抗弯强度降低这样的问题。
[0004]并且，在切削刀具进行的切割中，需要在使切削刀具精密地对准各分割预定线的基础上，一条一条地切削各分割预定线，效率不佳。特别是在器件的尺寸小、要切削的分割预定线的数量多的情况下，为了切削所有的分割预定线需要相当长的时间，从而存在生产性低下的问题。
[0005]因此，为了提高器件的抗弯强度，或是为了提高生产性，日本特开2006-114825号公报中提出了这样的技术:对晶片的分割预定线进行等离子蚀刻来分割成一个个器件。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献1:日本特开2006-114825号公报
[0008]专利文献2:日本特开昭62-229151号公报
[0009]但是，如专利文献I所公开的那样，为了对分割预定线进行等离子蚀刻来将晶片分割成一个个器件，需要光掩模，而现有的光掩模存在昂贵而导致成本高、且生产性差这样的问题。
[0010]关于现有的光掩模的制造方法，如专利文献2所公开的那样包括以下工序:在玻璃板的表面覆盖铬等的遮光膜的工序；在遮光膜的上表面覆盖光致抗蚀膜的工序；相对于光致抗蚀膜在希望遮光的区域和希望透光的区域有选择地照射光或电子束来描绘图案的工序；对光致抗蚀膜进行显影来局部除去光致抗蚀膜的工序；以及通过蚀刻来局部除去遮光膜的工序，因而现有的光掩模的制造方法存在制造工序复杂而光掩模变得昂贵这样的问题。
【发明内容】
[0011]本发明正是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种能够低价且容易地制造光掩模的晶片加工用的光掩模的制造方法。
[0012]根据本发明，提供一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，该光掩模的制造方法的特征在于，具备以下工序:准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小；槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽；一体化工序，在形成有槽的该遮光板的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板，从而合为一体；以及磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。
[0013]优选的是，在晶片的正面，在被多个分割预定线划分出的各区域形成有器件，在该槽形成工序中，在与分割预定线对应的区域形成槽。
[0014]发明效果
[0015]根据本发明的晶片加工用的光掩模的制造方法，不需要以往的复杂且昂贵的工序，能够利用简单的工序容易地制造晶片加工用的光掩模，生产性得以提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是半导体晶片的正面侧立体图。
[0017]图2中，(A)是遮光板的立体图，(B)是透光板的立体图。
[0018]图3中，(A)是示出槽形成工序的示意图，⑶是示出在槽形成工序中形成的槽的晶片的局部放大剖视图。
[0019]图4是示出将遮光板和透光板合为一体的一体化工序的立体图。
[0020]图5是透光板和遮光板被合为一体后的状态的立体图。
[0021]图6是示出磨削工序的立体图。
[0022]图7是实施磨削工序而在遮光板的背面露出槽的状态的立体图。
[0023]图8是利用本发明的制造方法制造出的晶片加工用的光掩模的立体图。
[0024]标号说明
[0025]10:遮光板；
[0026]11:半导体晶片；
[0027]12:透光板；
[0028]13:分割预定线；
[0029]15:器件
[0030]16:槽；
[0031]18:具有透光性的黏合剂；
[0032]20:磨削单元；
[0033]34:卡盘工作台；
[0034]36:晶片加工用的光掩模。
【具体实施方式】
[0035]以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。参照图1，示出了半导体晶片(下面，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。
[0036]半导体晶片11例如由厚度为700 μ m的硅晶片构成，在正面Ila呈格子状形成有多个分割预定线13，并且在被多个分割预定线13划分出的各区域形成有1C、LSI等器件15。
[0037]这样地构成的半导体晶片11在其正面的平坦部具备形成有器件15的器件区域17、和围绕器件区域17的外周剩余区域19。在半导体晶片11的外周部形成有圆弧状的倒角部lie，标号21是作为指示硅晶片的结晶方位的标记的凹口。
[0038]在本发明的光掩模的制造方法中，首先，实施准备工序，在准备工序中，准备图2的㈧所示的遮挡光的遮光板10、和图2的⑶所示的透光的透光板12。图2的㈧所示的遮光板10例如由不具有图案娃晶片形成，并具有正面1a和背面10b。另一方面，图2的(B)所示的透光板12由玻璃、石英、PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)等形成。
[0039]参照图3的(A)，示出了表示在遮光板10的正面1a形成分割槽16的样子的示意图。在该槽形成工序中，在遮光板10的正面1a的应透过光的区域形成图3的(B)所示那样的不到达背面1b的槽16。
[0040]优选的是，通过使切削刀具14向箭头A方向高速旋转来切入遮光板10的正面10a，从而实施该槽形成工序。槽16形成在与图1所示的半导体晶片11的分割预定线13对应的区域。
[0041]S卩，相邻的槽16的间距与晶片11的分割预定线13的间距对应，在形成沿第I方向延伸的多个槽16之后，在与这些槽16垂直的方向上以与分割预定线13相同的间距形成多个槽16。
[0042]在实施槽形成工序之后，如图4所示地实施一体化工序，在一体化工序中，在形成有槽16的遮光板10的正面1a夹着透光的黏合剂16来粘贴透光板12，从而合为一体。参照图5，示出了实施一体化工序之后的遮光板10和透光板12被合为一体的状态的立体图，在该状态下，遮光板10的背面1b露出。
[0043]在实施了一体化工序之后，实施磨削工序，在磨削工序中，对遮光板10的背面1b进行磨削并使槽16在背面1b露出。该磨削工序使用图6所示那样的磨削装置的磨削单元20来实施。
[0044]在图6中，磨削单元20包括:被旋转驱动的主轴22 ;轮安装体(wheel mount) 24，其固定于主轴22的末端；以及磨轮26，其利用多个螺钉28以能够装卸的方式安装于轮安装体24。磨轮26由环状的轮基座30、和在轮基座30的下端部呈环状固定安装的多个磨削磨具32构成。
[0045]在磨削步骤中，如图6所示那样，利用磨削装置的卡盘工作台34抽吸保持透光板12侧而使遮光板10的背面1b露出。然后，在使卡盘工作台34向箭头a方向以例如300rpm的速度旋转的同时,使磨轮26向与卡盘工作台34相同的方向、即箭头b方向以例如6000rpm的速度旋转,并且,使未图示的磨削单元进给机构工作而使磨削磨具32与遮光板10的背面1b接触。
[0046]使磨削轮26以规定的磨削进给速度向下方磨削进给规定的量，实施遮光板10的磨削。当继续进行磨削时，如图7所示，形成于遮光板10的正面1a的槽16在遮光板10的背面1b露出。在所有的槽16从遮光板10的背面1b露出的时刻中止磨削。
[0047]其结果是，能够制造出图8所示那样的晶片加工用的光掩模36。在光掩模36中，在与透光板12黏接的遮光板10，在与图1所示的半导体晶片11的分割预定线13对应的位置形成有多个槽16，因此，能够作为只在这些槽16的区域透过光、在其他区域光被遮挡的光掩模来使用。
【权利要求】
1.一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，该光掩模的制造方法的特征在于，具备以下工序: 准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小； 槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽； 一体化工序，在形成有槽的该遮光板的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板，从而合为一体；以及 磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。
2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在晶片的正面，在被呈格子状形成的多个分割预定线划分出的各区域形成有器件， 在该槽形成工序中，在与晶片的分割预定线对应的区域形成槽。
3.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 该槽形成工序是利用切削装置执行的，所述切削装置将切削刀具支承成能够旋转。
【文档编号】G03F1/26GK104516191SQ201410520048
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2013年10月1日
【发明者】荒井一尚 申请人:株式会社迪思科