像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法
【专利摘要】本发明公开了像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法，该像素结构包括：由第一金属层构成的扫描线、存储电极、第一修复图案，由第二金属层构成的数据线、公共电极线、第二修复图案；所述数据线的电压信号通过薄膜晶体管开关传输到像素电极后再经存储电极上的接触孔导入到存储电极，所述存储电极深入公共电极线，与公共电极线形成存储电容；所述第二修复图案与存储电极、第一修复图案存在重叠区域。发生公共电极线断线时，利用激光打点或其他等熔融技术熔接像素两侧的存储电极与公共电极线、熔接像素两侧的第二修复图案与存储电极、熔接第二修复图案与第一修复图案，形成像素两侧的公共电极线等电位连接，保证发生断线的公共电极线的电位的稳定。
【专利说明】像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法。
【背景技术】
[0002]采用液晶垂直配向(Vertical Alignment,VA)的液晶面板是现在高端液晶显示产品中应用较多的面板类型，属于广视角面板。传统VA液晶面板的正面(正视)对比度高，但是液晶的响应速度比较慢。
[0003]针对传统VA液晶面板存在的不足，日本夏普公司、瑞士 Rolic公司开发了采用紫外光配向的 UV2A(UV Vertical Alignment)技术。与原有的 MVA(Mult1-domain VerticalAlignment)、PVA(Patterned Vertical Alignment) > PSVA(Polymer Susfained VerticalAlignment)等传统VA显示技术相比，UV2A技术具有更高的透过率、更高的对比度以及更快的响应速度。例如，白态下，MVA需要设置有和沟槽结构，用于形成多畴，因此不可避免地被沟槽和突起占掉一些开口率；而UV2A是由不同方向的紫外光照射使液晶在配向膜上形成多畴配向，无需沟槽和突起，因此开口率比MVA的面板提高20%以上。黑态下，MVA在相对于结构的位置上有漏光，其原因是因为液晶分子在结构的位置为倾斜站立，形成双折射效应造成漏光；而爪^\因为不需要结构来控制液晶的倒向，故不会有漏光，实现了“深黑”显示。所以UV2A的对比度可较MVA由原本的3000:1提升至6000:1以上；另外UV2A技术实现了所有液晶分子全面均一的限制力，实现了高速反应，响应时间仅为MVA的一半。综上所述，UV2A较之MVA更进一步地提升了液晶电视等显示终端的影像品质。
[0004]随着液晶面板的解析度越来越高，在现有的UV2A技术上，如何再进一步提高液晶面板的透过率，成为面板设计者不断努力的课题。为此，现有技术中先后提出了一些改进技术，有效提升了 UV2A液晶面板的透过率。在实际生产制造过程中，基于改进技术的UV2A液晶面板需要尽可能地提升合格率。在基于改进技术的UV2A液晶面板中，扫描线的断线概率非常低，数据线的断线设计有专用的修复图案，公共电极线的断线修复能力相对薄弱。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，为了解决上述问题，本发明主要目的在于提供一种像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法，利用本发明提供的像素结构及修复方法，可以有效提升公共电极线的断线修复概率，提升包括该像素的显示面板的合格率。
[0006]为实现上述的目的，本发明提出了一种像素结构，包括:两扫描线；两公共电极线，与所述两扫描线交叉形成像素区域；至少一条数据线，平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内；还包括第一存储电极和第二存储电极，所述第一、二存储电极与所述两公共电极线分别重叠；像素电极，覆盖所述像素区域，且通过第一接触孔与所述第一存储电极电连接，通过第二接触孔与所述第二存储电极电连接；一开关，形成在所述扫描线与所述数据线重叠区域，具有扫描线的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案，通过第三接触孔与所述像素电极电连接。
[0007]进一步地，所述第一存储电极具有连续的第一图案和第二图案，所述第一图案与一所述公共电极线重叠形成第一存储电容，所述第二图案在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔；所述第二存储电极具有连续的第三图案和第四图案，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔。
[0008]进一步地，还包括至少一个第一修复图案，设置于所述第二图案与所述第四图案之间，所述至少一个第一修复图案与所述第二、四图案呈非连续分布。
[0009]进一步地，还包括至少两个第二修复图案，一所述第二修复图案覆盖所述第二图案与所述第一修复图案；另一所述第二修复图案，覆盖所述第四图案与所述第一修复图案；其中，所述第二修复图案与所述第二、四图案以及所述第一修复图案不同层。
[0010]进一步地，两个以及两个以上的所述第一修复图案也呈非连续分布，且任两相邻的所述第一修复图案之间通过所述第二修复图案覆盖。
[0011]作为本发明的一些实施例，所述第二修复图案覆盖所述第二图案的部分区域上形成所述第一接触孔；另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案的部分区域上形成所述第二接触孔。
[0012]作为本发明的另一些实施例，所述第二修复图案覆盖所述第二图案的区域不包括所述第一接触孔；另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案的区域不包括所述第二接触孔。
[0013]为实现上述的目的，本发明另外提出了一种显示面板，其包括:一基板；一对置基板；以及夹设于所述基板与所述对置基板之间的显示介质；其中，在所述基板上形成呈阵列排布的复数个上述像素结构。
[0014]为实现上述的目的，本发明又提出了一种显示面板的断线修复方法，使用上述一些实施例公共电极线上出现断点A的所述像素进行修复，具体包括以下步骤:
[0015]将所述第一图案与一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接；将所述第二修复图案与所述第一修复图案的多个重叠区域通过熔融连接；将漏极切断，断开所述漏极与所述像素电极的电连接。
[0016]为实现上述的目的，本发明再提出了一种显示面板的断线修复方法，使用上述一些实施例公共电极线上出现断点A的所述像素进行修复，包括以下步骤:
[0017]将所述第一图案与一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接；将所述第二图案与所述第二修复图案的重叠区域通过熔融连接，所述第四图案与所述第二修复图案重叠区域通过熔融连接；将所述第二修复图案与所述第一修复图案的多个重叠区域通过熔融连接；将漏极切断，断开所述漏极与所述像素电极的电连接。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1A为示意性示出本发明像素结构的电路原理图；
[0019]图1B为基于图1A中像素结构的公共电极线断线修复的电路原理图；
[0020]图2为示意性示出本发明第一实施例像素结构平面示意图；
[0021]图3A为示意性示出本发明第一实施例像素的第一层和第二层图案示意图；
[0022]图3B为示意性示出本发明第一实施例像素的第三层和第四层图案示意图；
[0023]图4为示意性示出实施例一中像素结构的公共电极线断线修复方法示意图；
[0024]图5本发明第二实施例像素结构平面示意图；
[0025]图6为示意性示出本发明实施例二所述像素结构的公共电极线断线修复方法示意图；
[0026]图7为示意性示出本发明第三实施例像素结构平面示意图；
[0027]图8A为示意性示出本发明第三实施例像素的第一层和第二层图案示意图；
[0028]图SB为示意性示出本发明第三实施例像素的第三层和第四层图案示意图；
[0029]图9为示意性示出实施例三所述像素结构的公共电极线断线修复方法示意图；
[0030]图10为示意性示出本发明第四实施例像素结构平面示意图；
[0031]图11为示意性示出实施例四所述像素结构的公共电极线断线修复方法。
【具体实施方式】
[0032]为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
[0033]在以下描述中，为了解释说明，提出许多具体的细节以提供对本发明的全面理解。但是显然，本发明能够实现为不具有这些具体细节。在其他情况中，已知结构和设备以框图形式示出，以避免不必要的对本发明的误解。
[0034]图1A为示意性示出本发明像素结构的电路原理图。如图1所示，本发明提供的像素结构包括:横向分布的扫描线Gate，纵向分布的数据线Date和公共电极线Cs，扫描线Gate和数据线Date分别连接薄膜晶体管TFT的栅极和源极，薄膜晶体管TFT的漏极连接像素电极，像素电极与左右两侧的公共电极线Cs(n-l)和Cs (η)分别形成存储电容Cstl和Cst2，液晶形成电容Clc。
[0035]图1B为基于图1A中像素结构的公共电极线断线修复的电路原理图。如图2所示，本发明的修复方法是通过激光打点或其他等熔融技术等技术，把存储电容Cstl和Cst2两端的电极熔接在一起，使存储电容Cstl和Cst2呈短路状态，从而把未发生断线的公共电极线Cs(n-l)上的电位经像素电极引入到发生断线的公共电极线Cs (η)上。
[0036]实施例一
[0037]图2为本发明第一实施例的像素结构平面示意图。在图2中，本发明提供一种像素结构，包括:两扫描线11 ;两公共电极线32，与所述两扫描线11交叉形成像素区域；至少一条数据线31，平行于所述公共电极线32设置在所述像素区域内；还包括两存储电极12，即第一存储电极12a和所述第二存储电极12b，所述第一、二存储电极与所述两公共电极线32分别重叠；像素电极51，覆盖所述像素区域，且通过第一接触孔42与所述第一存储电极12电连接，通过第二接触孔与所述第二存储电极电连接；一开关31，形成在所述扫描线11与所述数据线31重叠区域，具有扫描线的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案，通过第三接触孔41与所述像素电极51电连接。
[0038]进一步地，所述第一存储电极12a具有连续的第一图案121a和第二图案122a，所述第一图案121a与一所述公共电极线32重叠形成第一存储电容，所述第二图案122a在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔42 ;所述第二存储电极具有连续的第三图案121b和第四图案122b，所述第三图案121b与另一所述公共电极线重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案122b在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔。
[0039]进一步地，还包括至少一个第一修复图案，设置于所述第二图案122a与所述第四图案122b之间，所述至少一个第一修复图案与所述第二、四图案呈非连续分布。
[0040]进一步地，还包括至少一个第一修复图案14，设置于所述第二图案122a与所述第四图案122b之间，所述至少一个第一修复图案与所述第二、四图案呈非连续分布。
[0041]进一步地，还包括至少两个第二修复线34，一所述第二修复图案覆盖所述第二图案122a与所述第一修复图案；另一所述第二修复图案，覆盖所述第四图案122b与所述第一修复图案；其中，所述第二修复图案与所述第二、四图案以及所述第一修复图案不同层。
[0042]进一步地，所述第二修复图案覆盖所述第二图案122a的部分区域上形成所述第一接触孔42 ;另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案122b的部分区域上形成所述第二接触孔。
[0043]上述像素的制作方法包括:在衬底上依次分布着第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层、接触孔、像素电极。由第一金属层形成扫描线11、存储电极12、第一修复图案14 ;由半导体层形成薄膜晶体管沟道21 ;由第二金属层形成数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34;在漏极上形成第三接触孔41，在存储电极12上形成接触孔42 ;在钝化层上方覆盖像素电极51。
[0044]由第一金属层形成的扫描线11、存储电极12、第一修复图案14的平面结构如图3A所示。在扫描线11的上方，隔着透明的栅极绝缘层，分布着薄膜晶体管沟道21。
[0045]由第二金属层形成的数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34的平面结构如图3B所示。在漏极33的上方，通过刻蚀透明的钝化层形成接触孔41 ;在存储电极12的上方，通过刻蚀透明的钝化层和透明的栅极绝缘层形成接触孔42。
[0046]参考图3B，所述像素区域覆盖透明的像素电极51后，就形成如图2所示的像素结构。像素电极51分别通过接触孔41与漏极33实现电学连接。接触孔42的开口同时覆盖了存储电极12和第二修复图案34，所以像素电极51通过接触孔42同时与存储电极12、第二修复图案34实现电学连接。与像素电极51等电位的存储电极12与公共电极线32隔着栅极绝缘层，形成平行板结构的存储电容Cst。
[0047]如图4所示，当公共电极线32b发生断线，即公共电极线上出现断点A(0pen处)时，对应的断线修复方法步骤如下:
[0048]在第一存储电极12a的第一图案121a和一公共电极线32a的重叠区域，通过激光打点SI或其他等熔融技术，实现公共电极线32a与第一存储电极12a的等电位连接；
[0049]在一第二修复图案34a和一第一修复图案14a的重叠区域，通过激光打点S2或其他等熔融技术，实现第二修复图案34a和第一修复图案14a的等电位连接；
[0050]在另一第二修复图案34b和另一第一修复图案14b的重叠区域，通过激光打点S3或其他等熔融技术，实现另一第二修复图案34b和另一第一修复图案14b的等电位连接；
[0051]在第二存储电极12b的第三图案121b和另一公共电极线32b的重叠区域，通过激光打点S4或其他等熔融技术,实现公共电极线32b与第二存储电极12b的等电位连接；
[0052]切断漏极33，断开所述漏极与所述像素电极的电连接。
[0053]通过以上修复步骤，公共电极线32a的电位通过第一存储电极12a、接触孔42、第二修复图案34a、第一修复图案14a、第一修复图案14b、第二修复图案34b、接触孔42、第二存储电极12b,与公共电极线32b断点A下方的部分实现等电位连接。
[0054]实施例二
[0055]图5本发明第二实施例的像素结构平面示意图。如图5所述，所述像素结构与上述实施例1的结构大致相同，其不同之处仅在于:所述第二修复图案覆盖所述第二图案122a的区域不包括所述第一接触孔；另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案122b的区域不包括所述第二接触孔。
[0056]上述像素的制作方法为在衬底上依次分布着第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层、接触孔、像素电极。由第一金属层形成扫描线11、存储电极12、第一修复图案14 ;由半导体层形成薄膜晶体管沟道21 ;由第二金属层形成数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34 ;在漏极上形成接触孔41，在存储电极上形成接触孔42 ;在钝化层上方覆盖像素电极51。
[0057]与图2所示的第一实施例的像素制作方法不同的是，在图5所示的第二实施例的像素结构中，接触孔42只覆盖存储电极12，没有覆盖第二修复图案34。第二修复图案34分别与两侧的存储电极12、第一修复图案14存在重叠部分。
[0058]如图6所示，当公共电极线32b发生断线，即公共电极线上出现断点A(0pen处)时，对应的断线修复方法步骤如下:
[0059]在公共电极线32a和第一存储电极12a的第一图案121a重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32a与第一存储电极12a的等电位连接；
[0060]在第一存储电极12a的第二图案122a和第二修复图案34a的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第一存储电极12a和第二修复图案34a的等电位连接；
[0061]在第二修复图案34a和第一修复图案14a的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第二修复图案34a和第一修复图案14a的等电位连接；
[0062]在第一修复图案14b和第二修复图案34b的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第一修复图案14b和第二修复图案34b的等电位连接；
[0063]在第二修复图案34b和第二存储电极12b的第四图案122b重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第二修复图案34b和第二存储电极12b的等电位连接；
[0064]在第二存储电极12b和公共电极线32b的第三图案121b重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32b与第二存储电极12b的等电位连接；
[0065]切断漏极33，断开所述漏极与所述像素电极的电连接；
[0066]通过以上修复步骤，公共电极线32a的电位通过第一存储电极12a、第二修复图案34a、第一修复图案14a、第一修复图案14b、第二修复图案34b、第二存储电极12b，与公共电极线32b断点A下方的部分实现等电位连接。
[0067]实施例三
[0068]图7本发明第三实施例的像素结构平面示意图。如图7所示，所述像素结构与上述实施例1的结构大致相同，其不同之处仅在于:平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内的数据线为两条，所述第一修复图案14为两个，所述第二修复图案34为三个。
[0069]上述像素的制作方法为在衬底上依次分布着第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层、接触孔、像素电极。由第一金属层形成扫描线11、存储电极12、第一修复图案14 ;由半导体层形成薄膜晶体管沟道21 ;由第二金属层形成数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34 ;在漏极上形成接触孔41，在存储电极上形成接触孔42 ;在钝化层上方覆盖像素电极51。
[0070]与图2所示的第一实施例所述像素结构不同的是，在图7所示的第三实施例的像素结构中，分布着两条平行的数据线31a和数据线31b。
[0071]由第一金属层形成的扫描线11、存储电极12、第一修复图案14的平面结构如图8A所示。在扫描线11的上方，隔着透明的栅极绝缘层，分布着薄膜晶体管沟道21。
[0072]由第二金属层形成的数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34的平面结构如图SB所示。在漏极33的上方，通过刻蚀透明的钝化层形成接触孔41 ;在存储电极12的上方，通过刻蚀透明的钝化层和透明的栅极绝缘层形成接触孔42。
[0073]在图8B所示结构的最上方，覆盖透明的像素电极51后，就形成如图2所示的像素结构。像素电极51分别通过接触孔41与漏极33实现电学连接。接触孔42的开口同时覆盖了存储电极12和第二修复图案34，所以像素电极51通过接触孔42同时与存储电极12、第二修复图案34实现电学连接。与像素电极51等电位的存储电极12与公共电极线32隔着栅极绝缘层，形成平行板结构的存储电容Cst。
[0074]如图9所示，当公共电极线32b发生断线，即公共电极线上出现断点A(0pen处)时，对应的断线修复方法步骤如下:
[0075]在公共电极线32a和第一存储电极12a的第一图案121a重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32a与第一存储电极12a的等电位连接；
[0076]在第二修复图案34a和第一修复图案14a的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第二修复图案34a和第一修复图案14a的等电位连接；
[0077]在第一修复图案14b和第二修复图案34b的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第一修复图案14a和第二修复图案34b的等电位连接；
[0078]在第二修复图案34b和第一修复图案14c的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第二修复图案34b和第一修复图案14c的等电位连接；
[0079]在第一修复图案14d和第二修复图案34c的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第一修复图案14d和第二修复图案34c的等电位连接；
[0080]在第二存储电极12b的第三图案121b和公共电极线32b的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32b与第二存储电极12b的等电位连接；
[0081]切断漏极33，断开所述漏极与所述像素电极的电连接；
[0082]通过以上修复步骤，公共电极线32a的电位通过第一存储电极12a、接触孔42a、第二修复图案34a、第一修复图案14a、第一修复图案14b、第二修复图案34b、第一修复图案14c、第一修复图案14d、第二修复图案34c、接触孔42b、第二存储电极12b，与公共电极线32b断点A下方的部分实现等电位连接。
[0083]实施例四
[0084]图10本发明第四实施例的像素结构平面示意图。如图5所述，所述像素结构与上述实施例1的结构大致相同，其不同之处仅在于:平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内的数据线为两条。
[0085]上述像素的制作方法为在衬底上依次分布着第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层、接触孔、像素电极。由第一金属层形成扫描线11、存储电极12、第一修复图案14 ;由半导体层形成薄膜晶体管沟道21 ;由第二金属层形成数据线31、公共电极线32、漏极33、第二修复图案34 ;在漏极上形成接触孔41，在存储电极上形成接触孔42 ;在钝化层上方覆盖像素电极51。
[0086]与图7所示的第三实施例的像素结构不同的是，在图10所示的第四实施例的像素结构中，原来分立的两条第一修复图案合为一条第一修复图案。
[0087]如图11所示，当公共电极线32b发生断线，即公共电极线上出现断点A(0pen处)时，对应的断线修复方法步骤如下:
[0088]在公共电极线32a和第一存储电极12a的第一图案121a重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32a与第一存储电极12a的等电位连接；
[0089]在第二修复图案34a和第一修复图案14a的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第二修复图案34a和第一修复图案14a的等电位连接；
[0090]在第一修复图案14b和第二修复图案34b的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现第一修复图案14b和第二修复图案34b的等电位连接；
[0091]在第二存储电极12b和公共电极线32b的重叠区域，通过激光打点或其他等熔融技术，实现公共电极线32b与第二存储电极12b的等电位连接；
[0092]切断漏极33，断开所述漏极与所述像素电极的电连接；
[0093]通过以上修复步骤，公共电极线32a的电位通过第一存储电极12a、接触孔42a、第二修复图案34a、第一修复图案14a、第一修复图案14b、第二修复图案34b、接触孔42b、第二存储电极12b,与公共电极线32b断点A下方的部分实现等电位连接。
[0094]本领域的普通技术人员应当理解，上述各具体实施例中断线修复方法中的各熔融或切断步骤无先后顺序，在实际的操作过程中可以根据需要任意调整修复顺序。
[0095]本发明的所使用的材料和工艺没有进行详细的说明，因为这些没有被本发明所改变，并且这些实现的过程被本领域技术人员所熟知，本发明所公开的像素结构除了上述各实施例所述的结构以外，像素的形状以及修复图案的数量都可根据数据线的条数的变化作相应地调整。
[0096]以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种像素结构，包括: 两扫描线； 两公共电极线，与所述两扫描线交叉形成像素区域； 至少一条数据线，平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内； 第一存储电极和第二存储电极，所述第一、二存储电极与所述两公共电极线分别重置; 像素电极，覆盖所述像素区域，且通过第一接触孔与所述第一存储电极电连接，通过第二接触孔与所述第二存储电极电连接； 开关，形成在所述扫描线与所述数据线重叠区域，具有扫描线的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案，其通过第三接触孔与所述像素电极电连接。
2.如权利I要求所述的像素结构，其特征在于: 所述第一存储电极具有连续的第一图案和第二图案，所述第一图案与一所述公共电极线重叠形成第一存储电容，所述第二图案在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔； 所述第二存储电极具有连续的第三图案和第四图案，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔。
3.如权利2要求所述的像素结构，其特征在于:还包括至少一个第一修复图案，设置于所述第二图案与所述第四图案之间，所述至少一个第一修复图案与所述第二、四图案呈非连续分布。
4.如权利3要求所述的像素结构，其特征在于:还包括至少两个第二修复图案，一所述第二修复图案覆盖所述第二图案与所述第一修复图案；另一所述第二修复图案，覆盖所述第四图案与所述第一修复图案；其中，所述第二修复图案与所述第二、四图案以及所述第一修复图案不同层。
5.如权利4要求所述的像素结构，其特征在于:两个以及两个以上的所述第一修复图案也呈非连续分布，且任两相邻的所述第一修复图案之间通过所述第二修复图案覆盖。
6.如权利要求4或5所述的像素结构，其特征在于:所述第二修复图案覆盖所述第二图案的部分区域上形成所述第一接触孔；另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案的部分区域上形成所述第二接触孔。
7.如权利要求4或5所述的像素结构，其特征在于:所述第二修复图案覆盖所述第二图案的区域不包括所述第一接触孔；另一所述第二修复图案覆盖所述第四图案的区域不包括所述第二接触孔。
8.—种显示面板，其包括:一基板；一对置基板；以及夹设于所述基板与所述对置基板之间的显示介质；其中，在所述基板上形成呈阵列排布的复数个如权利要求1-7所述的像素结构。
9.一种显示面板的断线修复方法，使用公共电极线上出现断点A的如权利要求1-6任一项所述的像素进行修复，具体包括以下步骤: 将所述第一图案与一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接； 将所述第二修复图案与所述第一修复图案的多个重叠区域通过熔融连接； 将漏极切断，断开所述漏极与所述像素电极的电连接。
10.一种显示面板的断线修复方法，使用公共电极线上出现断点A的如权利要求1-5或7任一项所述的像素进行修复，包括以下步骤: 将所述第一图案与一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠区域通过熔融连接； 将所述第二图案与所述第二修复图案的重叠区域通过熔融连接，所述第四图案与所述第二修复图案重叠区域通过熔融连接； 将所述第二修复图案与所述第一修复图案的多个重叠区域通过熔融连接； 将漏极切断，断开所述漏极与所述像素电极的电连接。
【文档编号】G02F1/1343GK104460067SQ201410840943
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月30日 优先权日:2014年12月30日
【发明者】马群刚 申请人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司