一种缺口线端的opc修正方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种缺口线端的0PC修正方法。
【背景技术】
[0002] 集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的 一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（criticaldimension，CD)，随着关键尺寸的缩 小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成 为可能。
[0003] 目前，在先进的半导体制造工艺中，随着光刻尺寸越来越小，分辨率增强技术 (RET，resolutionenhancementtechnique)被普遍米用。其中，在 130nm技术节点以下， RET技术中的光学邻近效应修正技术（OPC,opticalproximitycorrection)作为一种常规 的技术手段被采用。在修正过程中，两种方式的经常使用，一种称为基于规则的0PC，另一 种是基于模型的〇PC(MB0PC，ModelBased0PC);当选择MB0PC方法时，会将许多边切分成 比较短的分段，然后设置各个分段的⑶目标值，通过引入误差因子，即模型模拟值与目标 值的差值，边缘位置误差（EPE，EdgePlacementError),评价0PC每一个循环（loop)的结 果。当版图中所有分段的EPE的统计值达到一定的范围时，认为所有的分段放置结束；这个 放置过程一般需要3-8轮的反复运算，才能保证版图中所有分段的EPE的统计值达到一定 的范围。这个过程中，相邻的分段会有相反的移动方向，造成局部位置的反复多次计算，可 能最终的EPE值，还是差强人意。
[0004] 同时已有的商业软件中对于分段的⑶目标值的放置位置，一般比较固定，设置为 每个分段的中心或者分段的末端，当然也可以手动调整设置。但是，这些目标值一般都是通 过工程师的经验来调整。而这些目标值的位置直接影响了 0PC软件的计算速度和结果。
[0005] 其中，在半导体器件中正常的线端如图1所示，所述图案在左侧以及右侧的线条 均为正常的直线，图2中所述器件的线端则为有台阶的线条，具体地，其左侧线条正常， 右侧线条为有台阶或者缺口的线条；其中线端具有缺口的线条是由于其他层的图案的 Boolean引起的，所述其他层的图案可以是孔，如图3所示，或者线条，如图4所示。正常线 端的目标值只有一个，如图5所示，而所述特定线端(具有缺口的线端)可能会形成多个目标 值（targetpoints)，如图6所示，而多个目标值很可能引起多个目标值之间的平衡（trade off)，因为并不是所有的目标值同时被瞄准，因此需要更多计算步骤以得到精确的结构，同 时由于工程师需要通过手动对目标值进行移动，所述移动至因个体经验的不同引起差别。
[0006] 目前，在器件制备过程中造成如图2所示的情况有很多，例如图形布线时，经常 需要用到孔的布尔运算等操作，经常会导致一些台阶出现，例如为了满足设计规则（DRC， DesignRule)，可能有些地方就会产生台阶，如图2右侧图形所示。
[0007] 正常的线端如果没有台阶，则正常的目标值应该在线端的中心位置，如图5所示， 而当这样的台阶的出现，目标值就增加成了两点，如图6所示，这不仅会对计算的精度有影 响，同时还会影响计算的时间。因此需要对目前的方法作进一步的改进，以解决上述问题。
【发明内容】
[0008] 在
【发明内容】
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进 一步详细说明。本发明的
【发明内容】
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的 关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0009] 本发明提供了一种缺口线端的0PC修正方法，包括：
[0010] 步骤（a)提供具有缺口线端的线条图案，根据基于模型的0PC修正将所述线条图 案分为多段，并在所述缺口线端上生成多个关键尺寸目标值位置；
[0011] 步骤（b)将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值位置，并重新设置所 述目标值位置的坐标，以得到最佳目标值位置，缩短修正时间。
[0012] 作为优选，所述步骤（b)中，根据夫琅禾费的单孔衍射推理，在任一点的光的强度 跟所述缺口的尺寸面积成正比，将所述多个关键尺寸目标值位置减少一个目标值，并优化 目标值放置位置得到所述最佳目标值位置。
[0013] 作为优选，根据夫琅禾费的单孔衍射推理得到公式（I)，根据公式（I)计算所述最 佳目标值位置的坐标px、py:
[0014]
【主权项】
1. 一种缺口线端的OPC修正方法，包括： 步骤（a)提供具有缺口线端的线条图案，根据基于模型的0PC修正将所述线条图案分 为多段，并在所述缺口线端上生成多个关键尺寸目标值位置； 步骤（b)将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值位置，并重新设置所述目 标值位置的坐标，以得到最佳目标值位置，缩短修正时间。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（b)中，根据夫琅禾费的单孔衍 射推理，在任一点的光的强度跟所述缺口的尺寸面积成正比，将所述多个关键尺寸目标值 位置减少一个目标值，并优化目标值放置位置得到所述最佳目标值位置。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据夫琅禾费的单孔衍射推理得到公 式（I)，根据公式（I)计算所述最佳目标值位置的坐标Px、Py :
其中，A、B分别为所述线条沿x轴方向和沿y轴方向的宽度，a、b分别为所述缺口沿x轴方向和y轴方向的宽度。
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤（a)之后包括以下步骤： 将所述线条分割为多段并设定最小线宽，找出小于所述最小线宽的3倍的多边形，以 确定线端，量测所述线端沿x轴方向的线宽A。
5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 在所述多边形中量测所述缺口沿x轴方向和y轴方向的宽度a、b，以量测所述缺口的 面积。
6. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：量测所述有缺口线端沿 y轴方向的宽度B。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述宽度B为没有缺口的一侧的沿y轴方 向的宽度。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在确定所述缺口线端的 一个最佳目标值位置后，对所述线条图案进行0PC修正的步骤。
【专利摘要】本发明涉及一种缺口线端的OPC修正方法，包括：步骤（a）提供具有缺口线端的线条图案，根据基于模型的OPC修正将所述线条图案分为多段，并在所述缺口线端上生成多个关键尺寸目标值位置；步骤（b）将所述多个关键尺寸目标值位置减少为一个目标值位置，并重新设置所述目标值位置的坐标，以得到最佳目标值位置，缩短修正时间。在本发明针对特定线端例如具有缺口的线端时，在将所述线端分成多段后，在所述线端上形成多个目标值位置，然后将所述线端上的多个目标值位置减小为一个，并通过夫琅禾费（fraunhofer）的单孔衍射推理计算一个目标值位置的坐标，得到最佳目标值位置的坐标，以达到缩短运算时间的目的，更高效的进行修正。
【IPC分类】G03F1-36
【公开号】CN104570584
【申请号】CN201310485216
【发明人】陈福成
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月16日