一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种通过显微镜法实现纳米级套刻精 度的方法。
【背景技术】
[0002] 目前，在半导体制造过程中，校对前层图案和当层图案的位置偏移通常通过对准 游标的方式来实现。但是，人眼识别精度低、误差大，不仅会因测试个体差异导致人为偏差， 而且还会因精度不够影响最终产品良率。
[0003] 例如，在对准结果为向右偏移一格时，根据设计的前层游标和当层游标的偏移量， 来进行实际误差判断。在业界，现有技术仅可实现〇. 4 μ m的套刻偏差检测，已不能满足现 有半导体制造工艺。
[0004] 寻求一种操作简单、实用性强，并可实现纳米级套刻精度的方法已成为本领域技 术人员亟待解决的技术问题之一。
[0005] 故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研宄 改良，于是有了本发明一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法。
【发明内容】
[0006] 本发明是针对现有技术中，按照传统的方法校对当层图案和前层图案偏移量时， 往往因为人眼识别精度低、误差大，进而导致人为偏差，以及还会因精度不够影响最终产品 良率等缺陷提供一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法。
[0007] 为了解决上述问题，本发明提供一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法， 所述通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，包括：
[0008] 执行步骤Sl :提供具有当层图案的掩膜板，所述掩膜板之当层图案与已定义之前 层图案的套刻精度为零时，所述当层图案与前层图案在第一方向上呈相对设置的第一边 界和第二边界上分别具有第一交点和第二交点，且所述第一交点和所述第二交点在第一 方向上偏移量为零，所述当层图案与所述前层图案之第一边界和第二边界的夹角均为Θ，
【主权项】
1. 一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述通过显微镜法实 现纳米级套刻精度的方法，包括： 执行步骤Sl :提供具有当层图案的掩膜板，所述掩膜板之当层图案与已定义之前层 图案的套刻精度为零时，所述当层图案与前层图案在第一方向上呈相对设置的第一边界 和第二边界上分别具有第一交点和第二交点，且所述第一交点和所述第二交点在第一方 向上偏移量为零，所述当层图案与所述前层图案之第一边界和第二边界的夹角均为Θ， tan0 = |，其中，Li为当层图案之底角到前层图案之具有第一交点的第一边界之间的距 离，H1为前层图案之第一边界的第一交点到当层图案之底边的距离； 执行步骤S2 :当在第二方向上发生偏移时，偏移量为L2-L1，且通过显微镜法获得所述 前层图案之第一边界的第一交点与所述第二边界之第二交点在第一方向上的偏移量为L3,
执行步骤S3 :当层图案和前层图案仅为第二方向上的偏移，则
执行步骤S4 :当层图案与前层图案在第二方向上的偏移量为A-Λ 。
2. 如权利要求1所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向。
3. 如权利要求1所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 第一方向为Y轴方向，所述第二方向为X轴方向。
4. 如权利要求1所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 显微镜法可测得精度L3S 1 μ m。
5. 如权利要求4所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法之测量精度为25纳米。
6. 如权利要求1所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 前层图案为矩形。
7. 如权利要求5所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 当层图案为等腰梯形。
8. 如权利要求1所述的通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述 通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法应用于波长为436纳米的g线工艺、波长为365 纳米的i线工艺、波长为248纳米的KrF深紫外曝光工艺，以及光刻胶工艺的其中之一或多 个工艺。
【专利摘要】一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，包括：掩膜板之当层图案与前层图案的套刻精度为零时，第一交点和第二交点在第一方向上偏移量为零，当层图案与前层图案之夹角均为θ，其中，L1为当层图案之底角到前层图案之第一边界的距离，H1为第一交点到当层图案之底边的距离；在第二方向上发生偏移量为L2-L1，且通过显微镜法获得第一交点与第二交点在第一方向上的偏移量为L3，则则当层图案与前层图案在第二方向上的偏移量为本发明满足高套刻精度之要求的工艺，提高检测精度，降低硅片的在线套刻精度不良率，减少返工频率，最终提高产品的器件性能和良品率。
【IPC分类】G03F7-20
【公开号】CN104730869
【申请号】CN201510133717
【发明人】蔡亮, 吴鹏, 陈力钧
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月25日