电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子照相感光构件，各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备，并涉及酞菁晶体。
【背景技术】
[0002] 因为通常用于电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光具有在650至 820nm的范围内的长振荡波长，所以对在该长波长范围内的光具有高灵敏度的电子照相感 光构件目前正在开发。
[0003] 酞菁颜料作为对在这种长波长区域的范围内的光具有高灵敏度的电荷产生物质 是有效的。氧钛酞菁和镓酞菁特别具有优良的灵敏度性质，且至今已报道了各种晶型。
[0004] 尽管使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的灵敏度性质，但是存在以下问 题：生成的光载流子（photo-carrier)趋于残存在感光层上以用作存储器，容易引起电位 变化如重影。
[0005] 专利文献1公开了在酸溶法（acid pasting)期间，特定的有机电子受体向酞菁颜 料的添加具有敏化效果（sensitizing effect)。然而，该方法具有添加剂（有机电子受体） 可引起化学变化、和在一些情况下难以转变（transformation)为期望的晶型的问题。
[0006] 专利文献2公开了颜料和特定的有机电子受体的湿式粉碎处理使得在颜料晶体 的表面同时的晶体转变和有机电子受体引入，导致改进的电子照相性质。
[0007] 专利文献3公开了包含极性有机溶剂的羟基镓酞菁晶体。随着转变溶剂如N，N-二 甲氨基甲酰胺的使用，将极性有机溶剂引入晶体，以便生产具有优良的灵敏度性质的晶体。
[0008] 引用列表
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本专利申请特开2001-40237号公报
[0011] 专利文献2 :日本专利申请特开2006-72304号公报
[0012] 专利文献1 :日本专利申请特开平07-331107号公报
[0013] 如上所述已进行各种尝试以改进电子照相感光构件。
[0014] 近年来为了进一步改进高品质图像，期望在各种环境下防止归因于重影的图像劣 化。根据专利文献2的方法中，有机电子受体未充分包含于所生产的酞菁晶体内部，呈简单 的混合状态或附着至表面。因此需要改进。根据专利文献3的方法中，发现生成的光载流 子趋于残存在感光层上以用作存储器，在一些情况下容易引起重影。
【发明内容】
[0015] 发明要解决的问题
[0016] 本发明的目的为提供不仅在常温常湿环境下，而且甚至在特别严厉条件的低温低 湿环境下，能够输出具有归因于重影的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件。本发明的 另一目的为提供各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0017] 本发明的又一目的为提供一种酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有特定的吗啉化合 物。
[0018] 用于解决问题的方案
[0019] 本发明提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成在支承体上的感光 层；其中感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式⑴表示的化合物：
[0020]
【主权项】
1. 一种电子照相感光构件，其包括： 支承体；和 形成在所述支承体上的感光层； 所述电子照相感光构件的特征在于，所述感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含 有由下式（1)表示的化合物：
其中， R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的 杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
2. 根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中 式（1)中R1为甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未 取代的杂环基团； 取代的烷基的取代基为烷氧基、吗琳代烷氧基、>烷基氣基、烧氧幾基、取代或未取代 的芳基、芳氧基、取代或未取代的杂环基团、卤素原子、氰基或吗啉代基； 取代的芳基的取代基为烷基、烷氧基、>烷基氣基、烧氧幾基、卤素原子、硝基、氛基、甲 酰基或吗啉代基；和 取代的杂环基团的取代基为烷基、烷氧基、>烷基氣基、烧氧幾基、卤素原子、硝基、氛 基、甲酰基或吗啉代基。
3. 根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中 式（1)中R1为取代或未取代的烷基，和 取代的烷基的取代基为烷氧基、吗琳代烷氧基、>烷基氣基、烧氧幾基、芳基、芳氧基、 卤素原子、氰基、或吗啉代基。
4. 根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中式（1)中R1为甲基，乙基，或丙基。
5. 根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中 式（1)中R1为取代或未取代的苯基，和 取代的苯基的取代基为烷基、卤素原子、氰基、或硝基。
6. 根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中式（1)中R1为未取代的苯基。
7. 根据权利要求1至6任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体为镓酞菁 晶体。
8. 根据权利要求7所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为在晶体内含有 N，N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
9. 根据权利要求7或8所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为羟基镓酞菁 晶体。
10. 根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体为在CuKa辐 射的X-射线衍射中在布拉格角2 Θ为7. 4° ±0.3°和28. 3° ±0.3°处具有峰的羟基镓 酿菁晶体。
11. 根据权利要求1至10任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体中由式 (1)表示的所述化合物的含量为0. 1质量％以上且3. 0质量％以下。
12. -种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其特征在于，所述处理盒一体 化支承： 根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；和 选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
13. -种电子照相设备，其特征在于，包括： 根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件； 充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置。
14. 一种酞菁晶体，其特征在于，在所述酞菁晶体内含有由下式（1)表示的化合物：
其中R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取 代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
【专利摘要】电子照相感光构件的感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式（1）表示的化合物：
【IPC分类】G03G5-06, C07F5-00, C07D487-22, C07D295-02
【公开号】CN104854513
【申请号】CN201380065400
【发明人】田中正人
【申请人】佳能株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2013年12月10日
【公告号】DE112013006001T5, WO2014092194A1