一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种掩膜版用清洗剂、其应用W及掩膜版的清洗方法。
【背景技术】
[0002] 光掩膜用于巧片制造，主要用于1C巧片、TFT-LCD、0LED等电子行业。光掩膜所起 的作用类似于底片之于相片，图形通过掩膜版在巧片上多次曝光、显影，得到需要的光刻胶 图案。掩膜版在多次曝光中出现光刻胶等脏污，必须完全洗净。
[0003] 申请号为201310119808. 7的中国专利提供了一种简易清洗掩膜版的方法，该发 明使用浓硫酸和双氧水清洗，众所周知，浓硫酸与双氧水配制过程中反应剧烈，十分危险， 且后段对清洗设备材质有极高的要求；同时该专利需要在100°C W上浸泡数十分钟，清洗 温度过高，时间过长。
【发明内容】
[0004] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种可大规模清洗光掩 膜版且环保的清洗剂，该清洗剂在温和的温度条件下进行短时间清洗即可完全去除掩膜版 表面的残胶。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明采取如下技术方案：
[0006] 一种掩膜版用清洗剂，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
[0007] 无机碱 1%~30%; 分散剂 0.1%~10%; 渗透剂 0.001 %~5%; 水 55%~98.899%。
[0008] 优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
[0009] 无机碱 10%~30 %; 分散剂 0.3%~6%; 渗透剂 0.8%~3%; 水 61%~88.9%。
[0010] 进一步优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
[0011] 无机碱 15%~25%; 分散剂 0.3%~6%; 渗透剂 0.8%，3%;
[0012] 水 66% ~83.9%。
[0013] 优选地，所述的无机碱为选自碳酸钢、碳酸钟、娃酸钢、氨氧化钢、氨氧化钟中的任 意一种或多种的组合。
[0014] 优选地，所述的分散剂为选自润湿分散剂、分散剂AP、分散剂AR、聚駿酸类阻垢分 散剂中的任意一种或多种的组合。
[0015] 优选地，所述的渗透剂为选自渗透剂JFC、快速渗透剂T、耐碱渗透剂0EP-70、渗透 剂0E-35、低泡渗透剂SF中的任意一种或多种的组合。
[0016] 一种所述的掩膜版用清洗剂在掩膜版的清洗中的应用。
[0017] 一种所述的掩膜版用清洗剂在去除掩膜版表面的残胶中的应用。
[0018] 一种采用所述的清洗剂对掩膜版进行清洗的清洗方法，在〇°C~40°C下，用所述 的清洗剂对待清洗的掩膜版进行浸泡清洗、喷淋清洗或超声清洗3~5分钟，得到清洗后的 掩膜版。
[0019] 优选地，在20°C~30°C下进行所述的清洗。
[0020] 优选地，在采用所述的清洗剂对所述的待清洗的掩膜版进行清洗后，用水进行进 一步清洗，清洗完成后用氮气吹干即得所述的清洗后的掩膜版。
[0021] 由于W上技术方案的实施，本发明与现有技术相比具有如下优势：
[0022] 本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3~5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及 亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性 介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的 有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶 效果极好，而且废液的COD值小于200,清洗剂更加环保。
【具体实施方式】
[0023] 本发明所要解决的问题是提供一种稳定的、清洗效果好的环保清洗剂。对清洗剂 的配方进行综合设计是解决该问题的关键，具体地，组成清洗剂的每一个组份及组份的具 体种类选择W及用量对最终清洗剂的性能和成本都会造成影响。
[0024] 本发明中，清洗剂由无机碱、渗透剂、分散剂及水组成。有效量的无机碱可使光刻 胶、亚克力胶分子键断裂、崩解；无机碱的用量不可过高，过高会腐蚀掩膜版，过低则会清洗 不净。渗透剂可加速清洗剂渗透到光刻胶、亚克力胶层中，使胶从掩膜版表面加速脱落；渗 透剂量不可过高，过高则清洗剂成本增加，过低则胶从掩膜版表面脱落困难。分散剂可将脱 落的胶分散成小颗粒状，随组份中的水带走，从而防止残胶反沾污掩膜版和堵塞管道。分散 剂过多导致清洗剂体系粘度过大，清洗效果下降，过低则分散效果不好，掩膜版出现反沾污 现象，同时大块残胶积累可能会堵塞管道。
[0025] W下结合具体实施例对本发明做进一步详细说明。应理解，该些实施例用于说明 本发明的基本原理、主要特征和优点，而本发明不受w下实施例的限制。实施例中采用的实 施条件可W根据具体要求做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。W 下"％"为质量百分含量。
[0026] 表1中列出了实施例1至11的原料组分比例及实验结果，各清洗剂的配制步骤如 下；按表1所列配比将无机碱、渗透剂、分散剂、水加入，揽拌均匀即可。
[0027] 表1中所有原料除水外均商购获得，其中：
[0028] 无机碱为碳酸钢。
[0029] 润湿分散剂、聚駿酸类阻垢分散剂分别从海安石油化工厂和山东泰和水处理公司 购得。
[0030] 快速渗透剂T、低泡渗透剂SF从华思表面活性剂公司购得。
[0031] 采用上述配制的实施例1~10的清洗剂，常温（25±5°C )下对待清洗的掩膜版进 行清洗，浸泡、超声波或喷淋3分钟，之后用纯水清洗，氮气吹干，之后观察掩膜版表面清洗 情况，进而评价清洗剂的性能。
[0032] 表 1
[0033]
[0035] W上对本发明做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人±能够了解本 发明的内容并加W实施，并不能W此限制本发明的保护范围，凡根据本发明的精神实质所 作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
【主权项】
1. 一种掩膜版用清洗剂，其特征在于：按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方 为： 无机喊 1%~30% ; 分散剂 0. 1%~10% ; 渗透剂 0? 001%~5% ; 水 55%~98.899%。2. 根据权利要求1所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：按重量百分比计，所述的清 洗剂的原料配方为： 无机碱 10%~30% ; 分散剂 0. 3%~6% ; 渗透剂 0. 8%~3% ; 水 61%~88.9%。3. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的无机碱为选自碳 酸钠、碳酸钾、硅酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾中的任意一种或多种的组合。4. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的分散剂为选自润 湿分散剂、分散剂AP、分散剂AR、聚羧酸类阻垢分散剂中的任意一种或多种的组合。5. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的渗透剂为选自渗 透剂JFC、快速渗透剂T、耐碱渗透剂0EP-70、渗透剂OE-35、低泡渗透剂SF中的任意一种或 多种的组合。6. -种如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版用清洗剂在掩膜版的清洗中的应用。7. -种如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版用清洗剂在去除掩膜版表面的残胶 中的应用。8. -种采用如权利要求1至5中任一项所述的清洗剂对掩膜版进行清洗的清洗方法， 其特征在于：在〇°C ~40°C下，用所述的清洗剂对待清洗的掩膜版进行浸泡清洗、喷淋清洗 或超声清洗3~5分钟，得到清洗后的掩膜版。9. 根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于：在20°C ~30°C下进行所述的清洗。10. 根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于：在采用所述的清洗剂对所述的待 清洗的掩膜版进行清洗后，用水进行进一步清洗，清洗完成后用氮气吹干即得所述的清洗 后的掩膜版。
【专利摘要】本发明涉及一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法，按重量百分比计，清洗剂的原料配方为：无机碱 1%~30%；分散剂 0.1%~10%；渗透剂0.001%~5%；水55%~98.899%。本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3~5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶效果极好，而且废液的COD值小于200，清洗剂更加环保。
【IPC分类】G03F7/42
【公开号】CN104950601
【申请号】CN201510350704
【发明人】高小云, 刘兵, 朱一华
【申请人】苏州晶瑞化学股份有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年6月24日