半色调掩模板及tft基板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种半色调掩模板及TFT基板的制作方法。本发明的半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域；该半透光延伸区域可以避免在构图形成源漏极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。本发明提供的TFT基板的制作方法，采用上述半色调掩模板，可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
【专利说明】
半色调掩模板及TFT基板的制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种半色调掩模板及TFT基板的制作方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器，因具有能耗低、辐射小、轻、薄等优点，被广泛地应用于各种生活用品、办公用品中，如电脑、手机、公告显示板等。
[0003]液晶显示器包括薄膜晶体管(Thin Film Transist，TFT)阵列基板、彩膜基板以及注入两板之间的液晶层。在制作薄膜晶体管基板时通常通过4?6轮掩模(Mask)工艺，经过薄膜沉积、掩模板曝光、显影、刻蚀等工艺而制得。随着科学技术的发展，半色调掩模板的出现已经将液晶面板的制作工艺减少到了 4Mask工艺技术。
[0004]如图1-7所示，现有采用5Mask工艺制作TFT基板的方法，包括如下步骤:
[0005]步骤1、如图1所示，提供一基板10，在所述基板10上沉积栅极金属层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该栅极金属层进行图形化处理，得到栅极25;
[0006]步骤2、如图2-3所示，在所述栅极25、及基板10上依次沉积栅极绝缘层30、半导体层40，对该半导体层40进行离子掺杂处理，使所述半导体层40的上表面部分形成欧姆接触层41，使用一掩模板采用一道光罩制程对该半导体层40进行图形化处理，得到有源层45;
[0007]步骤3、如图4-5所示，在所述栅极绝缘层30、及有源层45的两端上沉积源漏极金属层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该源漏极金属层进行图形化处理，得到源、漏极51、52;以源、漏极51、52为遮蔽层，对有源层45进行刻蚀，将所述有源层45上未被源、漏极51、52覆盖的经离子处理的表面刻蚀掉，得到有源层45上的沟道区46，及分别对应位于所述源、漏极51、52下方的源、漏极接触区47、48;
[0008]步骤4、如图6所示，在所述源极51、漏极52、有源层45、及栅极绝缘层30上沉积钝化层70，使用一掩模板采用一道光罩制程对该钝化层70进行图形化处理，得到对应于所述漏极52上方的第一过孔71;
[0009]步骤5、如图7所示，在所述钝化层70层上沉积透明电极层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该透明电极层进行图形化处理，得到像素电极81。
[0010]而4Mask工艺与上述的5Mask工艺相比，在对该半导体层进行离子掺杂处理后，不对其进行图形化，而在其上直接沉积源漏极金属层，然后只需使用一半色调掩模板(HalfTone Mask)采用一道半色调光罩制程即可完成上述5Mask工艺中步骤2和步骤3所使用的两道光罩制程所形成的图案。其中，如图8所示，现有4Mask工艺所使用的半色调掩模板90包括分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域91、92、与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域93、及剩余的全透光区域94，半色调掩模板90上的用于形成U形沟道区的半透光区域93位于第一、第二不透光区域91、92之间的间隙而呈U形，该U形的半透光区域93开口处直接连接全透光区域94，因此在4Mask工艺中使用该半色调掩模板90对光阻材料进行曝光显影时，对应第一、第二不透光区域91、92的部分为不曝光区，对应半透光区域93的部分为半曝光区，其他部分为全曝光区，光阻材料上经过全曝光的部分短时间内在该区域内消耗了大量的显影液，而经过半曝光的部分仅消耗了部分显影液，因此有部分显影液从半曝光区渗透到全曝光区，显影液流动过程中增加了交界处的显影，从而在形成源极时在对应U形的沟道区的开口处容易过显及过刻，增加了源极在该处断裂的风险，该种现象将造成后续工艺的不稳定性，降低产能，也降低了产品的品质。
【发明内容】
[0011]本发明的目的在于提供一种半色调掩模板，可以避免在构图形成源漏
[0012]极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
[0013]本发明的目的还在于提供一种TFT基板的制作方法，采用上述半色调掩模板，可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
[0014]为实现上述目的，本发明首先提供了一种半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域；
[0015]所述第一不透光区域包括一条形部，所述第二不透光区域包括一 U形部，所述第一不透光区域的条形部的一端伸入所述第二不透光区域的U形部的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙；
[0016]所述半透光区域位于并填满所述第一不透光区域与第二不透光区域之间的U形间隙，所述半透光区域包括一竖条部、及分别连接于竖条部两端的两横条部，从而形成U形结构；
[0017]所述半透光延伸区域垂直于所述第一不透光区域的条形部并向所述半透光区域的U形结构外延伸，与所述半透光区域相接并挡住所述第一不透光区域与第二不透光区域之间的U形间隙的开口；
[0018]所述半透光延伸区域的长度大于所述半透光区域的横条部的宽度。
[0019]所述半透光延伸区域的长度比所述半透光区域中横条部的宽度大I?3μπι。
[0020]所述半透光区域中竖条部的宽度与横条部的宽度均大于Ιμπι。
[0021]所述半透光区域中竖条部的宽度与横条部的宽度相等。
[0022]所述两半透光延伸区域通过在所述U形的半透光区域开口处设置一层半透膜得至IJ，所述半透膜为氧化铬薄膜、或钼硅薄膜。
[0023]本发明还提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:
[0024]步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积栅极金属层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该栅极金属层进行图形化处理，得到栅极；
[0025]步骤2、在所述栅极、及基板上依次沉积栅极绝缘层、及半导体层，对该半导体层进行离子掺杂处理，使所述半导体层的上表面部分形成欧姆接触层；
[0026]步骤3、在所述半导体层上沉积源漏极金属层，在所述源漏极金属层上涂覆一层光阻材料，使用一半色调掩模板对该层光阻材料进行曝光；
[0027]所述半色调掩模板包括第一、第二不透光区域、位于所述第一不透光区域与第二不透光区域之间间隙的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域;所述第一不透光区域包括一条形部，所述第二不透光区域包括一 U形部，所述第一不透光区域的条形部的一端伸入所述第二不透光区域的U形部的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙；所述半透光区域位于并填满所述第一不透光区域与第二不透光区域之间的U形间隙，包括一竖条部、及分别连接于竖条部两端的两横条部，从而形成U形结构，所述半透光延伸区域垂直于所述第一不透光区域的条形部并向所述半透光区域的U形结构外延伸，与所述半透光区域相接并挡住所述第一不透光区域与第二不透光区域之间的U形间隙的开口；所述半透光延伸区域的长度大于所述半透光区域的横条部的宽度；
[0028]然后用显影液对经曝光后的光阻材料进行显影，得到具有图形结构的光阻层，该光阻层包括对应所述第一不透光区域形成的第一光阻段、对应所述第二不透光区域形成的第二光阻段、及对应所述半透光区域形成的位于第一光阻段与第二光阻段之间的U形的第三光阻段，所述第一光阻段与第二光阻段的厚度大于第三光阻段的厚度；
[0029]步骤4、对所述源漏极金属层进行刻蚀，得到对应于所述第一光阻段图形的源极、及对应于第二光阻段图形的漏极，对所述半导体层进行刻蚀，得到对应于所述光阻层图形的有源层，将所述半导体层上表面的欧姆接触层上对应于第三光阻段的部分刻蚀掉，得到有源层上的沟道区，并得到分别对应位于所述源、漏极下方的源、漏极接触区；
[0030]步骤5、在所述源极、漏极、有源层、及栅极绝缘层上沉积钝化层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该钝化层进行图形化处理，得到对应于所述漏极上方的第一过孔；
[0031]步骤6、在所述钝化层上沉积透明电极层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该透明电极层进行图形化处理，得到像素电极。
[0032]可选地，所述步骤4具体包括以下步骤:
[0033]步骤41、以光阻层为遮蔽层对所述源漏极金属层进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层图形的过渡源漏极金属层，对所述半导体层进行湿法刻蚀，得到对应于所述光阻层图形的有源层；
[0034]步骤42、对光阻层进行灰化处理，薄化第一、第二光阻段并去除第三光阻段;采用干法刻蚀工艺去除过渡源漏极金属层上未被覆盖的部分，得到对应于所述第一光阻段图形的源极、及对应于第二光阻段图形的漏极;采用湿法刻蚀工艺去除有源层上表面的欧姆接触层上未被覆盖的部分，得到有源层上的沟道区，并得到分别对应位于所述源、漏极下方的源、漏极接触区，去除剩余的光阻材料。
[0035]可选地，所述步骤4具体包括以下步骤:
[0036]步骤41’、以光阻层为遮蔽层对所述源漏极金属层进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层图形的过渡源漏极金属层；
[0037]步骤42’、对光阻层、半导体层、及过渡源漏极金属层进行湿法刻蚀，使得半导体层未被覆盖的部分刻蚀掉，得到对应于所述光阻层图形的有源层，使得第一、第二光阻段变薄并使得第三光阻段被刻蚀掉，使得过渡源漏极金属层上对应第三光阻段的部分被刻蚀掉，得到对应于所述第一光阻段图形的源极、及对应于第二光阻段图形的漏极，使得有源层上表面的欧姆接触层上对应第三光阻段的部分被刻蚀掉，得到有源层上的沟道区，并得到分别对应位于所述源、漏极下方的源、漏极接触区，去除剩余的光阻材料。
[0038]所述半透光延伸区域的长度比所述半透光区域中横条部的宽度大I?3μπι;所述半透光区域中竖条部的宽度与横条部的宽度均大于η?。
[0039]所述半透光区域中竖条部的宽度与横条部的宽度相等。
[0040]本发明的有益效果:本发明提供的半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域;该半透光延伸区域可以避免在构图形成源漏极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。本发明提供的TFT基板的制作方法，采用上述半色调掩模板，可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
[0041]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0042]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0043]附图中，
[0044]图1为现有的采用5Mask工艺制作TFT基板的步骤I的示意图；
[0045]图2-3为现有的采用5Mask工艺制作TFT基板的步骤2的示意图；
[0046]图4-5为现有的采用5Mask工艺制作TFT基板的步骤3的示意图；
[0047]图6为现有的采用5Mask工艺制作TFT基板的步骤4的示意图；
[0048]图7为现有的采用5Mask工艺制作TFT基板的步骤5的示意图；
[0049]图8为现有的一种用于4Mask工艺制作TFT基板的半色调掩模板的结构示意图；
[0050]图9为本发明的半色调掩模板的结构示意图；
[0051 ]图10为本发明的TFT基板的制作方法的流程示意图；
[0052]图11为本发明的TFT基板的制作方法的步骤I的示意图；
[0053]图12为本发明的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
[0054]图13为本发明的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
[0055]图14-16为本发明的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
[0056]图17为本发明的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
[0057]图18为本发明的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图。
【具体实施方式】
[0058]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0059]请参阅图9，本发明首先提供一种半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域910、920、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域930、位于该U形的半透光区域930开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域940、以及剩余的全透光区域950。
[0060]具体地，所述第一不透光区域910包括一条形部911，所述第二不透光区域920包括一 U形部921，所述第一不透光区域910的条形部911的一端伸入所述第二不透光区域920的U形部921的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙。
[0061]具体地，所述半透光区域930位于并填满所述第一不透光区域910与第二不透光区域920之间的U形间隙，所述半透光区域930包括一竖条部931、及分别连接于竖条部931两端的两横条部932，从而形成U形结构。
[0062]具体地，所述半透光延伸区域940垂直于所述第一不透光区域910的条形部911并向所述半透光区域930的U形结构外延伸，与所述半透光区域930相接并挡住所述第一不透光区域910与第二不透光区域920之间的U形间隙的开口。
[0063]具体地，所述半透光延伸区域940的长度L大于所述半透光区域930的横条部932的宽度D。
[0064]具体地，所述半透光延伸区域940的长度L比所述半透光区域930中横条部932的宽度D大I?3μηι。
[0065]具体地，所述半透光区域930中竖条部931的宽度与横条部932的宽度D均大于Ιμπι。
[0066]具体地，所述半透光区域930中竖条部931的宽度与横条部932的宽度D相等。
[0067]具体地，所述两半透光延伸区域940通过在所述U形的半透光区域930开口处设置一层半透膜得到，所述半透膜为氧化铬薄膜、或钼硅薄膜。
[0068]本发明的半色调掩模板，通过在U形的半透光区域930的开口处设置两半透光延伸区域940，使得半色调掩模板上全透光区域950与半透光区域930的接触边缘延长，使用该半色调掩模板对光阻材料进行曝光显示时，相当于放大了光阻材料上的显影液从半曝光区域向全曝光区域的流向面积，避免了边缘效应的产生而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、及产率过低的问题。
[0069]请参阅图10，本发明还提供一种使用上述半色调掩模板的TFT基板的制作方法，包括如下步骤:
[0070]步骤1、如图11所示，提供一基板100，在所述基板100上沉积栅极金属层200，使用一掩模板采用一道光罩制程对该栅极金属层200进行图形化处理，得到栅极250。
[0071]步骤2、如图12所示，在所述栅极250、及基板100上依次沉积栅极绝缘层300、及半导体层400，对该半导体层400进行离子掺杂处理，使所述半导体层400的上表面部分形成欧姆接触层41 O。
[0072]步骤3、如图13所示，在所述半导体层400上沉积源漏极金属层500，在所述源漏极金属层500上涂覆一层光阻材料，使用一半色调掩模板900对该层光阻材料进行曝光。
[0073]具体地，如图9所示，所述半色调掩模板900包括第一、第二不透光区域910、920、位于所述第一不透光区域910与第二不透光区域920之间间隙的U形的半透光区域930、位于该U形的半透光区域930开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域940、以及剩余的全透光区域950。
[0074]然后用显影液对经曝光后的光阻材料进行显影，得到具有图形结构的光阻层600，该光阻层600包括对应所述第一不透光区域910形成的第一光阻段610、对应所述第二不透光区域920形成的第二光阻段620、及对应所述半透光区域930形成的位于第一光阻段610与第二光阻段620之间的U形的第三光阻段630，所述第一光阻段610与第二光阻段620的厚度大于第三光阻段630的厚度。
[0075]具体地，所述第一不透光区域910包括一条形部911，所述第二不透光区域920包括一 U形部921，所述第一不透光区域910的条形部911的一端伸入所述第二不透光区域920的U形部921的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙。
[0076]具体地，所述半透光区域930位于并填满所述第一不透光区域910与第二不透光区域920之间的U形间隙，所述半透光区域930包括一竖条部931、及分别连接于竖条部931两端的两横条部932，从而形成U形结构。
[0077]具体地，所述半透光延伸区域940垂直于所述第一不透光区域910的条形部911并向所述半透光区域930的U形结构外延伸，与所述半透光区域930相接并挡住所述第一不透光区域910与第二不透光区域920之间的U形间隙的开口；所述半透光延伸区域940的长度L大于所述半透光区域930的横条部932的宽度D。
[0078]具体地，所述半透光延伸区域940的长度L比所述半透光区域930中横条部932的宽度D大I?3μηι。
[0079]具体地，所述半透光区域930中竖条部931的宽度与横条部932的宽度D均大于Ιμπι。
[0080]具体地，所述半透光区域930中竖条部931的宽度与横条部932的宽度D相等。
[0081 ] 具体地，所述两半透光延伸区域940通过在所述U形的半透光区域930开口处设置一层半透膜得到，所述半透膜为氧化铬薄膜、或钼硅薄膜。
[0082]需要说明的是，由于该步骤3中所使用的半色调掩模板900，在对应沟道区的U形的半透光区域930的开口处设置有两半透光延伸区域940，使得该半色调掩模板900上全透光区域950与半透光区域930的接触边缘延长，使用该半色调掩模板900对光阻材料进行曝光显示时，相当于放大了光阻材料上的显影液从半曝光区域向全曝光区域的流向面积，避免了边缘效应的产生，从而避免了第一光阻段610在U形的第三光阻段630的开口处被过量显影，进而避免了在后续刻蚀形成源极时源漏极金属层500被过量刻蚀而导致源极断裂的发生。
[0083]步骤4、如图14-16所示，对所述源漏极金属层500进行刻蚀，得到对应于所述第一光阻段610图形的源极510、及对应于第二光阻段620图形的漏极520，对所述半导体层400进行刻蚀，得到对应于所述光阻层600图形的有源层450，将所述半导体层400上表面的欧姆接触层410上对应于第三光阻段630的部分刻蚀掉，得到有源层450上的沟道区453，并得到分别对应位于所述源、漏极510、520下方的源、漏极接触区451、452。
[0084]具体的，所述步骤4可以通过两次干法刻蚀加两次湿法刻蚀实现，具体包括以下步骤:
[0085]步骤41、以光阻层600为遮蔽层对所述源漏极金属层500进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层600图形的过渡源漏极金属层500’，对所述半导体层400进行湿法刻蚀，得到对应于所述光阻层600图形的有源层450。
[0086]步骤42、对光阻层600进行灰化处理，薄化第一、第二光阻段610、620并去除第三光阻段630;采用干法刻蚀工艺去除过渡源漏极金属层500，上未被覆盖的部分，得到对应于所述第一光阻段610图形的源极510、及对应于第二光阻段620图形的漏极520;采用湿法刻蚀工艺去除有源层450上表面的欧姆接触层410上未被覆盖的部分，得到有源层450上的沟道区453，并得到分别对应位于所述源、漏极510、520下方的源、漏极接触区451、452，去除剩余的光阻材料。
[0087]或者，所述步骤4也可以通过一次干法刻蚀加一次湿法刻蚀实现，具体包括以下步骤:
[0088]步骤41，、以光阻层600为遮蔽层对所述源漏极金属层500进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层600图形的过渡源漏极金属层500’ ；
[0089]步骤42’、对光阻层600、半导体层400、及过渡源漏极金属层500’进行湿法刻蚀，使得半导体层400上未被覆盖的部分刻蚀掉，得到对应于所述光阻层600图形的有源层450，使得第一、第二光阻段610、620变薄并使得第三光阻段630被刻蚀掉，使得过渡源漏极金属层500’上对应第三光阻段630的部分被刻蚀掉，得到对应于所述第一光阻段610图形的源极510、及对应于第二光阻段620图形的漏极520，使得有源层450上表面的欧姆接触层410上对应第三光阻段630的部分被刻蚀掉，得到有源层450上的沟道区453，并得到分别对应位于所述源、漏极510、520下方的源、漏极接触区451、452，去除剩余的光阻材料。
[0090]步骤5、如图17所示，在所述源极510、漏极520、有源层450、及栅极绝缘层300上沉积钝化层700，使用一掩模板采用一道光罩制程对该钝化层700进行图形化处理，得到对应于所述漏极520上方的第一过孔710;
[0091]步骤6、如图18所示，在所述钝化层700上沉积透明电极层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该透明电极层进行图形化处理，得到像素电极810。
[0092]综上所述，本发明提供一种半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域;该半透光延伸区域可以避免在构图形成源漏极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。本发明提供的TFT基板的制作方法，采用上述半色调掩模板，可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
[0093]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种半色调掩模板，其特征在于，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域(910、920)、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域(930)、位于该U形的半透光区域(930)开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域(940)、以及剩余的全透光区域(950); 所述第一不透光区域(910)包括一条形部(911)，所述第二不透光区域(920)包括一 U形部(921)，所述第一不透光区域(910)的条形部(911)的一端伸入所述第二不透光区域(920)的U形部(921)的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙； 所述半透光区域(930)位于并填满所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙，所述半透光区域(930)包括一竖条部(931)、及分别连接于竖条部(931)两端的两横条部(932)，从而形成U形结构； 所述半透光延伸区域(940)垂直于所述第一不透光区域(910)的条形部(911)并向所述半透光区域(930)的U形结构外延伸，与所述半透光区域(930)相接并挡住所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙的开口； 所述半透光延伸区域(940)的长度(L)大于所述半透光区域(930)的横条部(932)的宽度⑶。2.如权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光延伸区域(940)的长度(L)比所述半透光区域(930)中横条部(932)的宽度(D)大I?3μπι。3.如权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光区域(930)中竖条部(931)的宽度与横条部(932)的宽度(D)均大于Ιμπι。4.如权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光区域(930)中竖条部(931)的宽度与横条部(932)的宽度(D)相等。5.如权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述两半透光延伸区域(940)通过在所述U形的半透光区域(930)开口处设置一层半透膜得到，所述半透膜为氧化铬薄膜、或钼硅薄膜。6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上沉积栅极金属层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该栅极金属层进行图形化处理，得到栅极(250); 步骤2、在所述栅极(250)、及基板(100)上依次沉积栅极绝缘层(300)、及半导体层(400)，对该半导体层(400)进行离子掺杂处理，使所述半导体层(400)的上表面部分形成欧姆接触层(410); 步骤3、在所述半导体层(400)上沉积源漏极金属层(500)，在所述源漏极金属层(500)上涂覆一层光阻材料，使用一半色调掩模板(900)对该层光阻材料进行曝光； 所述半色调掩模板(900)包括第一、第二不透光区域(910、920)、位于所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间间隙的U形的半透光区域(930)、位于该U形的半透光区域(930)开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域(940)、以及剩余的全透光区域(950);所述第一不透光区域(910)包括一条形部(911)，所述第二不透光区域(920)包括一 U形部(921)，所述第一不透光区域(910)的条形部(911)的一端伸入所述第二不透光区域(920)的U形部(921)的开口内并与其不相接，从而形成一 U形间隙；所述半透光区域(930)位于并填满所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙，包括一竖条部(931)、及分别连接于竖条部(931)两端的两横条部(932)，从而形成U形结构，所述半透光延伸区域(940)垂直于所述第一不透光区域(910)的条形部(911)并向所述半透光区域(930)的U形结构外延伸，与所述半透光区域(930)相接并挡住所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙的开口；所述半透光延伸区域(940)的长度(L)大于所述半透光区域(930)的横条部(932)的宽度(D); 然后用显影液对经曝光后的光阻材料进行显影，得到具有图形结构的光阻层(600)，该光阻层(600)包括对应所述第一不透光区域(910)形成的第一光阻段(610)、对应所述第二不透光区域(920)形成的第二光阻段(620)、及对应所述半透光区域(930)形成的位于第一光阻段(610)与第二光阻段(620)之间的U形的第三光阻段(630)，所述第一光阻段(610)与第二光阻段(620)的厚度大于第三光阻段(630)的厚度； 步骤4、对所述源漏极金属层(500)进行刻蚀，得到对应于所述第一光阻段(610)图形的源极(510)、及对应于第二光阻段(620)图形的漏极(520)，对所述半导体层(400)进行刻蚀，得到对应于所述光阻层(600)图形的有源层(450)，将所述半导体层(400)上表面的欧姆接触层(410)上对应于第三光阻段(630)的部分刻蚀掉，得到有源层(450)上的沟道区(453)，并得到分别对应位于所述源、漏极(510、520)下方的源、漏极接触区(451、452); 步骤5、在所述源极(510)、漏极(520)、有源层(450)、及栅极绝缘层(300)上沉积钝化层(700)，使用一掩模板采用一道光罩制程对该钝化层(700)进行图形化处理，得到对应于所述漏极(520)上方的第一过孔(710); 步骤6、在所述钝化层(700)上沉积透明电极层，使用一掩模板采用一道光罩制程对该透明电极层进行图形化处理，得到像素电极(810)。7.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括以下步骤: 步骤41、以光阻层(600)为遮蔽层对所述源漏极金属层(500)进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层(600)图形的过渡源漏极金属层(500’)，对所述半导体层(400)进行湿法刻蚀，得到对应于所述光阻层(600)图形的有源层(450); 步骤42、对光阻层(600)进行灰化处理，薄化第一、第二光阻段(610、620)并去除第三光阻段(630);采用干法刻蚀工艺去除过渡源漏极金属层(500’)上未被覆盖的部分，得到对应于所述第一光阻段(610)图形的源极(510)、及对应于第二光阻段(620)图形的漏极(520);采用湿法刻蚀工艺去除有源层(450)上表面的欧姆接触层(410)上未被覆盖的部分，得到有源层(450)上的沟道区(453)，并得到分别对应位于所述源、漏极(510、520)下方的源、漏极接触区(451、452)，去除剩余的光阻材料。8.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括以下步骤: 步骤41’、以光阻层(600)为遮蔽层对所述源漏极金属层(500)进行干法刻蚀，得到对应于所述光阻层(600)图形的过渡源漏极金属层(500’)； 步骤42’、对光阻层(600)、半导体层(400)、及过渡源漏极金属层(500’)进行湿法刻蚀，使得半导体层(400)上未被覆盖的部分刻蚀掉，得到对应于所述光阻层(600)图形的有源层(450)，使得第一、第二光阻段(610、620)变薄并使得第三光阻段(630)被刻蚀掉，使得过渡源漏极金属层(500’)上对应第三光阻段(630)的部分被刻蚀掉，得到对应于所述第一光阻段(610)图形的源极(510)、及对应于第二光阻段(620)图形的漏极(520)，使得有源层(450)上表面的欧姆接触层(410)上对应第三光阻段(630)的部分被刻蚀掉，得到有源层(450)上的沟道区(453)，并得到分别对应位于所述源、漏极(510、520)下方的源、漏极接触区(451、452)，去除剩余的光阻材料。9.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述半透光延伸区域(940)的长度(L)比所述半透光区域(930)中横条部(932)的宽度(D)大I?3μπι;所述半透光区域(930)中竖条部(931)的宽度与横条部(932)的宽度(D)均大于Ιμπι。10.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述半透光区域(930)中竖条部(931)的宽度与横条部(932)的宽度(D)相等。
【文档编号】H01L21/77GK105892221SQ201610402645
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年6月7日
【发明人】莫超德
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司