一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法
【专利摘要】本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
【专利说明】
一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法
技术领域
[0001]本发明涉及生物医学工程领域，尤其涉及一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法。
【背景技术】
[0002]视人造视网膜系统可帮助由于老年黄斑变性(AMD)和视网膜色素炎(RP)等视网膜病变引起的致盲患者恢复部分视力。植入眼球内部和视网膜贴合的神经电刺激微电极阵列是人造视网膜系统中的关键技术，因此需要制作出性能优良、能有效贴合视网膜、生物兼容性好的微电极阵列。依靠微机械电子系统(MEMS—Micro Electromechanical System)工艺技术制备的微电极阵列能很好的应用于人造视网膜系统中。三维微电极阵列的电极区域凸出与电极平面，并且具有更大的实际表面积，因此具有更低的阻抗，能更安全有效的进行刺激。
[0003]北京大学的李志宏等人公开的发明专利(中国专利公开号CN101398614，发明名称为“一种基于PARYLENE的三维针尖电极阵列的制作方法”)中，提出了一种用硅三维针尖阵列制备出基于Parylene柔性衬底的三维针尖电极阵列的方法，该方法的主要特征是用结合干法刻蚀和湿法刻蚀的方法在硅衬底结构上形成硅三维针尖阵列，然后在衬底上覆盖一层Pary I ene薄膜转印衬底的针尖阵列结构作为最终器件的衬底，再在Pary I ene衬底上图形化形成针尖电极和导线，覆盖第二层Parylene作为绝缘层和保护层，干法刻蚀图形化电极形状并露出电极的针尖部分，最后将Pary Iene从娃片上揭下来，就形成Pary Iene衬底的三维针尖阵列。这种三维电极制备方法需要利用干法和湿法刻蚀相结合的方法处理硅衬底，工艺复杂，成本高，且制备的出的针尖结构贴合在视网膜上会损伤视网膜，造成出血和感染，不利于长期的眼内植入。
[0004]经对现有的技术文献的检索发现，Kyo-1n K ο ο等在《J O U R N A L OFMICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS))2011,20(1) , 251-259撰文"Arrowhead-ShapedMicroelectrodes Fabricated on a Flexible Substrate for Enhancing theSpherical Conformity ofRetinal Prostheses”。该文提出了一种用于视网膜假体的柔性三维微电极阵列的制备方法，该方法的主要特征是通过干法和湿法刻蚀的方法在硅衬底上制备出箭头型孔洞结构，再通过电镀方法填充孔洞，并制备与三维微电极阵列相连的连线，再制备一层绝缘层包覆住整个微电极，最后通过湿法腐蚀去除硅衬底，即得到三维微电极阵列。该技术同样需要借助干法和湿法刻蚀工艺在硅衬底上制备出三维孔洞结构，工艺复杂，成本高。
[0005]可见，现有的制备三维微电极阵列的方法，大多是在硅衬底上通过湿法和干法刻蚀相结合的形成所需的三维结构，这样会导致工艺复杂，增加了制造的成本。
【发明内容】
[0006]本发明实施例提出一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，无需在硅衬底上通过湿法和干法刻蚀相结合的形成所需的三维结构，而是通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
[0007]为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括如下步骤:
[0008](I)在硅衬底上形成第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成第一绝缘层；
[0009](2)形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述硅衬底的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体；
[0010](3)形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线;所述金属引线的另一端连接焊盘；
[0011](4)在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层覆盖所述金属体的上表面以及所述金属引线；
[0012](5)去除所述硅衬底，使所述金属体的下表面暴露出来；
[0013](6)去除所述第一光刻胶层，使所述金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。
[0014]作为更优选地，在步骤(I)中，所述第一光刻胶层采用负光刻胶;在步骤(6)中，所述去除所述第一光刻胶层具体为利用NMP去除所述第一光刻胶层。
[0015]作为更优选地，所述第一光刻胶层的厚度为1.5?2.5微米。
[0016]作为更优选地，所述第一绝缘层由具有生物兼容性的聚合物制备成。
[00? 7 ]作为更优选地，所述第一绝缘层由聚酰亚胺或Pary Iene制备成。
[0018]作为更优选地，所述第一绝缘层的厚度为3?5微米。
[0019]作为更优选地，步骤(2)具体包括:
[0020]在所述第一绝缘层上形成第二光刻胶层；
[0021]对所述第二光刻胶层进行光刻处理，形成若干个阵列状排布的、暴露所述第一绝缘层的上表面的窗口；
[0022]将经过光刻处理的所述第二光刻胶层作为掩膜层，通过干法刻蚀工艺去除所述窗口正下方的所述第一绝缘层和所述第一光刻胶层，形成贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述硅衬底的孔洞；
[0023]去除所述第二光刻胶层；
[0024]在所述孔洞内填充金属以形成金属体。
[0025]作为更优选地，所述方法还包括在去除所述第二光刻胶层之前，在所述孔洞的内壁及底面形成第一金属层;所述第一金属层与填充至所述孔洞内的金属采用相同的金属材料。
[0026]作为更优选地，所述在所述孔洞的内壁及底面形成第一金属层通过沉积工艺实施。
[0027]作为更优选地，所述在所述孔洞内填满金属材料形成金属体采用电镀工艺实施。
[0028]作为更优选地，所述第二光刻胶层采用正光刻胶;所述去除所述第二光刻胶层具体为采用丙酮溶解法去除所述第二光刻胶层。
[0029]作为更优选地，所述第二光刻胶层采用正光刻胶;所述去除所述第二光刻胶层具体为利用丙酮溶解法去除所述第一光刻胶层。
[0030]作为更优选地，所述第二光刻胶层的厚度为8?20微米。
[0031]作为更优选地，所述第一金属层的厚度为150?250纳米。
[0032]作为更优选地，填充到所述孔洞内的金属为具有生物兼容性的金属材料。
[0033]作为更优选地，填充到所述孔洞内的金属为金或铂。
[0034]作为更优选地，在步骤(3)中，所述形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线具体包括:
[0035]在所述第一绝缘层上形成第三光刻胶层；
[0036]对所述第三光刻胶层进行光刻处理，在对应于所述金属体的上表面的位置形成开槽，通过所述开槽使所述金属体的上表面暴露出来；
[0037]通过沉积工艺在所述第三光刻胶层上以及所述开槽的底面形成第二金属层，使得所述金属体的上表面与位于所述开槽的底面的所述第二金属层相连；
[0038]去除所述第三光刻胶层以及与其相连的第二金属层，将保留下的、与所述金属体的上表面连接的第二金属层作为金属引线连接到焊盘。
[0039]作为更优选地，所述第三光刻胶层为采用正光刻胶;所述去除所述第三光刻胶层以及与其相连的第二金属层具体为采用丙酮溶解法实施。
[0040]作为更优选地，位于所述开槽的底面的所述第二金属层完全覆盖所述金属体的上表面。
[0041 ]作为更优选地，所述第三光刻胶层的厚度为1.5?2微米。
[0042]作为更优选地，所述第二金属层的厚度为150?250纳米。
[0043]作为更优选地，在步骤(4))中，所述第二绝缘层采用具有生物兼容性的聚合物制备成。
[0044]作为更优选地，所述第二绝缘层采用与所述第一绝缘层相同的材料制备成。
[0045]作为更优选地，所述第二绝缘层的厚度为3?5微米。
[0046]作为更优选地，在步骤(4)和步骤(5)之间还包括:形成依次贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述第一光刻胶层至所述硅衬底的上表面的盲槽，使得将要得到的三维微电极阵列具有所述盲槽分割形成的形状和大小。
[0047]作为更优选地，在步骤(5)中，所述去除所述硅衬底具体为利用硅的各向同性湿法腐蚀液去除所述硅衬底。
[0048]实施本发明实施例，具有如下有益效果:本发明实施例提供的一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括在硅衬底上形成第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成第一绝缘层;形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述娃衬底的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体;形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线;所述金属引线的另一端连接焊盘;在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层覆盖所述金属体的上表面以及所述金属引线；去除所述硅衬底，使所述金属体的下表面暴露出来;去除所述第一光刻胶层，使所述金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。通过本发明的方法制造出的三维微电极阵列，其电极区域凸出与电极平面，并且具有更大的实际表面积，因此具有更低的阻抗，能更安全有效的进行刺激；同时，本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，无需对硅衬底进行刻蚀处理，相比于现有技术的在硅衬底上通过湿法和干法刻蚀相结合的形成所需的三维结构，本发明的方法工艺得到了简化，制作成本也大大降低。
【附图说明】
[0049]图1为根据本发明的一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法的一个实施例的流程示意图。
[0050]图2为步骤SI形成的结构体的剖面示意图；
[0051 ]图3为步骤S2的流程示意图；
[0052]图4为步骤S21形成的结构体的剖面示意图；
[0053]图5为步骤S22形成的结构体的剖面示意图；
[0054]图6为步骤S23形成的结构体的剖面示意图；
[0055]图7为步骤S24形成的结构体的剖面示意图；
[0056]图8为步骤S25形成的结构体的剖面示意图；
[0057]图9为步骤S26形成的结构体的剖面示意图；
[0058]图10为步骤S3的流程示意图；
[0059]图11为步骤S31形成的结构体的剖面示意图；
[0060]图12为步骤S32形成的结构体的剖面示意图；
[0061 ]图13为步骤S33形成的结构体的剖面示意图；
[0062]图14为步骤S34形成的结构体的剖面示意图；
[0063]图15为步骤S4形成的结构体的剖面示意图；
[0064]图16为步骤S5形成的结构体的剖面示意图；
[0065]图17为步骤S6形成的结构体的剖面示意图；
[0066]图18为步骤S7形成的结构体的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0067]为了更加清楚地描述本发明的目的、特征以及优势，以下将结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细描述，但下文详细描述的本发明的实施方式，仅仅是为了对本发明的内容进行举例说明，并不对本发明构成任何限定。本发明的保护范围仅由权利要求书限定。
[0068]如图1所示，其是根据本发明的一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法的一个实施例的流程示意图，该方法包括步骤SI?S7:
[0069]步骤S1:在硅衬底I上形成第一光刻胶层2，在所述第一光刻胶层2上形成第一绝缘层3。
[0070]如图2所示，其是步骤SI形成的结构体的剖面示意图。所述第一光刻胶层2优选是采用负光刻胶，且所述第一光刻胶层2的厚度为1.5?2.5微米。所述第一绝缘层3优选是采用具有生物兼容性的材料制备成，所述第一绝缘层3的厚度为3?5微米。在本实施例中，所述第一光刻胶层2采用AZ nLOF 2020，所述第一绝缘层3是采用聚酰亚胺制备成;所述第一绝缘层3还可以是采用Pary Iene制备成。
[0071]步骤S2:形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层3与所述第一光刻胶层2至所述硅衬底I的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体6。
[0072]如图3所示，其是步骤S2的流程示意图。具体地，所述步骤S2包括S21?S26。
[0073]请参阅图4、图5、图6、图7、图8以及图9。其中，图4为步骤S21形成的结构体的剖面示意图；图5为步骤S22形成的结构体的剖面示意图；图6为步骤S23形成的结构体的剖面示意图；图7为步骤S24形成的结构体的剖面示意图；图8为步骤S25形成的结构体的剖面示意图；图9为步骤S26形成的结构体的剖面示意图。
[0074]S21，在所述第一绝缘层3上形成第二光刻胶层4;
[0075]S22，对所述第二光刻胶层4进行光刻处理，形成若干个阵列状排布的、暴露所述第一绝缘层3的上表面的窗口 ；
[0076]S23，将经过光刻处理的所述第二光刻胶层4作为掩膜层，通过干法刻蚀工艺去除所述窗口正下方的所述第一绝缘层3和所述第一光刻胶层2，形成贯穿所述第一绝缘层3与所述第一光刻胶层2至所述硅衬底I的孔洞；
[0077]S24，通过沉积工艺，在所述第二光刻胶层4上、所述孔洞的内壁及底面形成第一金属层5;
[0078]S25，去除所述第二光刻胶层4以及与其相连的第一金属层5;
[0079]S26，向所述孔洞内填充金属，所述金属与留在所述孔洞内的所述第一金属层5连成一体形成金属体6。
[0080]所述第二光刻胶层4优选采用正光刻胶，所述第二光刻胶层4的厚度为8?20微米；所述第一金属层5与填充至所述孔洞内的金属采用相同的金属材料，所述第一金属层5的厚度为150?250纳米。在本实施例中，所述第二光刻胶层4采用AZ 4620光刻胶，所述去除所述第二光刻胶层4具体为采用丙酮溶解法去除;所述向所述孔洞内填充金属采用电镀工艺实施。
[0081]优选地，所述第一金属层5与填充到所述孔洞内的金属为具有生物兼容性的金属材料。例如，金或铂。
[0082]通过步骤S24和步骤S25，在向所述孔洞内填充金属之前预先在所述孔洞的内壁和底面形成第一金属层5，之后再通过电镀工艺向所述孔洞内填充金属，可以获得更好的填充效果。在本实施例中，所述第二光刻胶层4可以起到两个作用，一个是在步骤S23中作为作为掩膜层实施干法刻蚀，另一个是在步骤S25中通过去除所述第二光刻胶层4可以同时去除与其相连的第一金属层5。
[0083]步骤S3:形成一端与所述金属体6的上表面连接的金属引线。
[0084]如图10所示，其是步骤S3的流程示意图。具体地，所述步骤S3包括S31?S34。
[0085]请参阅图11、图12、图13与图14。其中，图11为步骤S31形成的结构体的剖面示意图；图12为步骤S32形成的结构体的剖面示意图；图13为步骤S33形成的结构体的剖面示意图；图14为步骤S34形成的结构体的剖面示意图。
[0086]S31，在所述第一绝缘层3上形成第三光刻胶层7;
[0087]S32，对所述第三光刻胶层7进行光刻处理，在对应于所述金属体6的上表面的位置形成开槽，通过所述开槽使所述金属体6的上表面暴露出来；
[0088]S33，通过沉积工艺在所述第三光刻胶层7上以及所述开槽的底面形成第二金属层8，使得所述金属体6的上表面与位于所述开槽的底面的所述第二金属层8相连；
[0089]S34，去除所述第三光刻胶层7以及与其相连的第二金属层8，将保留下的、与所述金属体6的上表面连接的第二金属层8作为金属引线连接到焊盘。
[0090]其中，所述第三光刻胶层7优选采用正光刻胶，所述第三光刻胶层7的厚度为1.5?2微米;所述第二金属层8的厚度为150?250纳米。在本实施例中，所述第三光刻胶层7采用AZ 5214e，去除所述第三光刻胶层7以及与其相连的第二金属层8具体为采用丙酮溶解法实施。优选地，位于所述开槽的底面的所述第二金属层8完全覆盖所述金属体6的上表面。
[0091 ]步骤S4:在所述第一绝缘层3上形成第二绝缘层9;所述第二绝缘层9覆盖所述金属体6的上表面以及所述金属引线。
[0092]如图15所示，其是步骤S4形成的结构体的剖面示意图。所述第二绝缘层9优选是采用具有生物兼容性的材料制备成，所述第二绝缘层9的厚度为3?5微米。在本实施例中，所述第二绝缘层9是采用聚酰亚胺制备成;所述第一绝缘层3还可以是采用Parylene制备成。优选地，所述第二绝缘层9采用与所述第一绝缘层3相同的材料制备成。
[0093]步骤S5:形成依次贯穿所述第二绝缘层9、所述第一绝缘层3以及所述第一光刻胶层2至所述硅衬底I的上表面的盲槽，使得将要得到的三维微电极阵列具有所述盲槽分割形成的形状和大小。
[0094]如图16所示，其是步骤S5形成的结构体的剖面示意图。例如，所述盲槽呈圆形(俯视的视角)，使得将要得到的三维微电极阵列具有圆形，适合植入到人体。
[0095]步骤S6:去除所述娃衬底I，使所述金属体6的下表面暴露出来。
[0096]如图17所示，其是步骤S6形成的结构体的剖面示意图。在本实施例中，具体为利用硅的各向同性湿法腐蚀液去除所述硅衬底I。例如，利用HNA腐蚀剂(氢氟酸+硝酸+醋酸)去除所述硅衬底I。
[0097]步骤S7:去除所述第一光刻胶层2，使所述金属体6的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。
[0098]如图18所示，其是步骤S7形成的结构体的剖面示意图。在本实施例中，具体为利用NMP(N_甲基吡咯烷酮)去除所述第一光刻胶层2。
[0099]需要说明的是，本发明实施例中的第一光刻胶层2不限于采用负光刻胶，第二光刻胶层4也不限于采用正光刻胶。之所以采用这种实施方式是因为去除第二光刻胶层4要先于去除第一光刻胶层2，而正光刻胶能溶于丙酮、负光刻胶不能溶于丙酮但能溶于NMP，因此采取这种实施方式。
[0100]实施本发明实施例，具有如下有益效果:本发明实施例提供的一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括在硅衬底上形成第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成第一绝缘层;形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述娃衬底的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体;形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线;所述金属引线的另一端连接焊盘;在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层覆盖所述金属体的上表面以及所述金属引线；去除所述硅衬底，使所述金属体的下表面暴露出来;去除所述第一光刻胶层，使所述金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。通过本发明的方法制造出的三维微电极阵列，其电极区域凸出与电极平面，并且具有更大的实际表面积，因此具有更低的阻抗，能更安全有效的进行刺激；同时，本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，无需对硅衬底进行刻蚀处理，相比于现有技术的在硅衬底上通过湿法和干法刻蚀相结合的形成所需的三维结构，本发明的方法工艺得到了简化，制作成本也大大降低。
[0101]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤: (1)在硅衬底上形成第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成第一绝缘层； (2)形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述硅衬底的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体； (3)形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线；所述金属引线的另一端连接焊盘; (4)在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层覆盖所述金属体的上表面以及所述金属引线； (5)去除所述硅衬底，使所述金属体的下表面暴露出来； (6)去除所述第一光刻胶层，使所述金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。2.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述第一光刻胶层采用负光刻胶;在步骤(6)中，所述去除所述第一光刻胶层具体为利用NMP去除所述第一光刻胶层。3.如权利要求1或2所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为1.5?2.5微米。4.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第一绝缘层由具有生物兼容性的聚合物制备成。5.如权利要求4所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第一绝缘层由聚酰亚胺或Pary Iene制备成。6.如权利要求1、4、5任一项所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为3?5微米。7.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，步骤(2)具体包括: 在所述第一绝缘层上形成第二光刻胶层； 对所述第二光刻胶层进行光刻处理，形成若干个阵列状排布的、暴露所述第一绝缘层的上表面的窗口 ； 将经过光刻处理的所述第二光刻胶层作为掩膜层，通过干法刻蚀工艺去除所述窗口正下方的所述第一绝缘层和所述第一光刻胶层，形成贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述硅衬底的孔洞； 去除所述第二光刻胶层； 在所述孔洞内填充金属以形成金属体。8.如权利要求7所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述方法还包括在去除所述第二光刻胶层之前，在所述孔洞的内壁及底面形成第一金属层;所述第一金属层与填充至所述孔洞内的金属采用相同的金属材料。9.如权利要求8所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述在所述孔洞的内壁及底面形成第一金属层通过沉积工艺实施。10.如权利要求8所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述在所述孔洞内填满金属材料形成金属体采用电镀工艺实施。11.如权利要求7?10任一项所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二光刻胶层采用正光刻胶;所述去除所述第二光刻胶层具体为采用丙酮溶解法去除所述第二光刻胶层。12.如权利要求7所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二光刻胶层采用正光刻胶;所述去除所述第二光刻胶层具体为利用丙酮溶解法去除所述第一光刻胶层。13.如权利要求7或12所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为8?20微米。14.如权利要求8?10任一项所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为150?250纳米。15.如权利要求1或7所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，填充到所述孔洞内的金属为具有生物兼容性的金属材料。16.如权利要求15所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，填充到所述孔洞内的金属为金或铂。17.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线具体包括: 在所述第一绝缘层上形成第三光刻胶层； 对所述第三光刻胶层进行光刻处理，在对应于所述金属体的上表面的位置形成开槽，通过所述开槽使所述金属体的上表面暴露出来； 通过沉积工艺在所述第三光刻胶层上以及所述开槽的底面形成第二金属层，使得所述金属体的上表面与位于所述开槽的底面的所述第二金属层相连； 去除所述第三光刻胶层以及与其相连的第二金属层，将保留下的、与所述金属体的上表面连接的第二金属层作为金属引线连接到焊盘。18.如权利要求17所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第三光刻胶层为采用正光刻胶;所述去除所述第三光刻胶层以及与其相连的第二金属层具体为采用丙酮溶解法实施。19.如权利要求17所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，位于所述开槽的底面的所述第二金属层完全覆盖所述金属体的上表面。20.如权利要求17?19任一项所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第三光刻胶层的厚度为1.5?2微米。21.如权利要求17?19所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为150?250纳米。22.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，在步骤(4))中，所述第二绝缘层采用具有生物兼容性的聚合物制备成。23.如权利要求22所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二绝缘层采用与所述第一绝缘层相同的材料制备成。24.如权利要求1、22、23任一项所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为3?5微米。25.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，在步骤(4)和步骤(5)之间还包括:形成依次贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述第一光刻胶层至所述硅衬底的上表面的盲槽，使得将要得到的三维微电极阵列具有所述盲槽分割形成的形状和大小。26.如权利要求1所述的利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述去除所述硅衬底具体为利用硅的各向同性湿法腐蚀液去除所述硅衬底。
【文档编号】A61F9/08GK106054519SQ201610534964
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月7日
【发明人】李腾跃, 吴天准, 孙滨, 杜学敏
【申请人】中国科学院深圳先进技术研究院