阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，第一导电图形包括第一金属公共电极线，第二导电图像包括第二金属公共电极线；在形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上；在形成有过孔的衬底基板上形成跳线膜层。本发明解决了现有技术中阵列基板上过孔的数量较多，制作成本较高的问题，实现了减少过孔的数量，降低制作成本的效果，用于显示装置。
【专利说明】
阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。【背景技术】
[0002]高开口率高级超维场开关(英文:High opening rate Advanced-Super Dimens1nal Switching;简称:HADS)产品因其高开口率，宽可视角的优点，在薄膜晶体管液晶显不器(英文:Thin_film Transistor liquid Crystal display;简称:TFT-LCD)领域中受到了广泛关注。HADS产品的金属公共电极线位于阵列基板上的不同层，且为双层网状结构。具体的，在源漏极金属图形所在层的每两根相邻的数据线之间设置有一根第一金属公共电极线，在栅极金属图形所在层的每两根相邻的栅线之间设置有一根第二金属公共电极线。
[0003]现有技术中，为了连通第一金属公共电极线和第二金属公共电极线，通常是在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，再采用氧化铟锡(英文: Indium tin oxide;简称:IT0)膜层将两个过孔连接起来。
[0004]由于上述过程需要在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，所以过孔的数量较多，制作成本较高。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中阵列基板上过孔的数量较多，制作成本较高的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。所述技术方案如下:
[0006]第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括第一金属公共电极线，所述第二导电图像包括第二金属公共电极线；
[0008]在形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成过孔，所述过孔位于所述第一金属公共电极线和所述第二金属公共电极线的交叠区域，所述过孔的一部分形成在所述第一金属公共电极线上，另一部分形成在所述第二金属公共电极线上；
[0009]在形成有所述过孔的衬底基板上形成跳线膜层。
[0010]可选的，所述第一导电图形为栅极金属图形，所述第二导电图形为源漏极金属图形，
[0011]所述在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，包括:[〇〇12]在所述衬底基板上形成像素电极图形；
[0013]在形成有所述像素电极图形的衬底基板上形成所述栅极金属图形；
[0014]在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层；
[0015]在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形和所述源漏极金属图形。
[0016]可选的，所述在形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成过孔，包括:
[0017]在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层；
[0018]对所述栅极绝缘层和所述钝化层进行构图工艺，形成栅极绝缘图形和钝化层图形，所述第一金属公共电极线、所述有源层图形、所述第二金属公共电极线、所述栅极绝缘图形和所述钝化层图形围成所述过孔。
[0019]可选的，所述跳线膜层为氧化铟锡IT0膜层。
[0020]第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:
[0021]衬底基板；
[0022]所述衬底基板上形成有第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括第一金属公共电极线，所述第二导电图像包括第二金属公共电极线；
[0023]形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成有过孔，所述过孔位于所述第一金属公共电极线和所述第二金属公共电极线的交叠区域，所述过孔的一部分形成在所述第一金属公共电极线上，另一部分形成在所述第二金属公共电极线上；
[0024]形成有所述过孔的衬底基板上形成有跳线膜层。
[0025]可选的，所述第一导电图形为栅极金属图形，所述第二导电图形为源漏极金属图形，
[0026]所述衬底基板上形成有像素电极图形；
[0027]形成有所述像素电极图形的衬底基板上形成有所述栅极金属图形；
[0028]形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成有栅极绝缘图形；
[0029]形成有所述栅极绝缘图形的衬底基板上形成有有源层图形和所述源漏极金属图形。
[0030]可选的，形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有钝化层图形，所述第一金属公共电极线、所述有源层图形、所述第二金属公共电极线、所述栅极绝缘图形和所述钝化层图形围成所述过孔。
[0031]可选的，所述跳线膜层为氧化铟锡IT0膜层。[〇〇32]第三方面，提供了一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。[〇〇33]第四方面，提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。
[0034]本发明提供的技术方案带来的有益效果是:[〇〇35]本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，由于该方法能够在形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，无需在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，所以减少了过孔的数量，降低了制作成本。【附图说明】
[0036]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1-1是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；
[0038]图1-2是本发明实施例提供的一种形成第一导电图形和第二导电图形的方法流程图；
[0039]图1-3是本发明实施例提供的形成像素电极图形的结构示意图；
[0040]图1-4是本发明实施例提供的形成栅极金属图形的结构示意图；[0041 ]图1-5是本发明实施例提供的形成栅极绝缘层的结构示意图；
[0042]图1-6是本发明实施例提供的形成有源层图形和源漏极金属图形的结构示意图；
[0043]图1-7是本发明实施例提供的一种衬底基板上形成过孔的方法流程图；
[0044]图1-8是本发明实施例提供的形成钝化层的结构示意图；
[0045]图1-9是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0046]图1-10是网状结构的金属公共电极线的示意图。【具体实施方式】
[0047]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0048]本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图1-1所示，该方法包括:
[0049]步骤101、在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，该第一导电图形包括第一金属公共电极线，该第二导电图像包括第二金属公共电极线。
[0050]步骤102、在形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上。
[0051]步骤103、在形成有过孔的衬底基板上形成跳线膜层。
[0052]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，由于该方法能够在形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，无需在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，所以减少了过孔的数量，降低了制作成本。[〇〇53]示例的，跳线膜层为IT0膜层。[〇〇54]可选的，第一导电图形为栅极金属图形，第二导电图形为源漏极金属图形。[〇〇55] 相应的，如图1-2所示，步骤101可以包括:
[0056]步骤1011、在衬底基板上形成像素电极图形。
[0057]如图1-3所示，在衬底基板001上形成像素电极图形002。该像素电极图形由IT0导电薄膜形成。形成像素电极图形的具体过程可以参考现有技术，本发明实施例在此不再赘述。
[0058]步骤1012、在形成有像素电极图形的衬底基板上形成栅极金属图形。
[0059]如图1-4所示，在形成有像素电极图形002的衬底基板001上形成栅极金属图形 003。栅极金属图形003包括第一金属公共电极线。形成栅极金属图形的具体过程可以参考现有技术。
[0060]步骤1013、在形成有栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层。
[0061]如图1-5所示，在形成有栅极金属图形003的衬底基板001上形成栅极绝缘层004。 图1 -5中的002为像素电极图形。
[0062]步骤1014、在形成有栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形和源漏极金属图形。
[0063]如图1-6所示，在形成有栅极绝缘层004的衬底基板001上形成有源层图形005和源漏极金属图形006。有源层图形005和源漏极金属图形006可以采用一掩膜版通过一次构图工艺同时形成。源漏极金属图形006包括第二金属公共电极线。形成有源层图形和源漏极金属图形的具体过程可以参考现有技术。图1-6中的002为像素电极图形，003为栅极金属图形。
[0064]相应的，如图1-7所示，步骤102可以包括:
[0065]步骤1021、在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层。
[0066]如图1-8所示，在形成有源漏极金属图形006的衬底基板001上形成钝化层007。图 1-8中其他标记含义可以参考图1-6。
[0067]步骤1022、对栅极绝缘层和钝化层进行构图工艺，形成栅极绝缘图形和钝化层图形，第一金属公共电极线、有源层图形、第二金属公共电极线、栅极绝缘图形和钝化层图形围成过孔。
[0068]如图1-9所示，对栅极绝缘层(即图1-8中的004)和钝化层(即图1-8中的007)进行构图工艺，形成栅极绝缘图形008和钝化层图形009。具体的，可以在钝化层上涂覆光刻胶， 采用掩膜版对涂覆有光刻胶的衬底基板进行曝光，再对曝光后的衬底基板进行显影及刻蚀，得到栅极绝缘图形和钝化层图形，最后剥离光刻胶，完成构图工艺。
[0069]第一金属公共电极线(图1-9中未画出)、有源层图形005、第二金属公共电极线(图 1-9中未画出)、栅极绝缘图形008和钝化层图形009围成过孔01。该过孔01位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔01的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上。该过孔01上形成有IT0膜层02,进而起到连通第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的作用，相较于现有技术，减少了过孔的数量，降低了阵列基板的制作成本。
[0070]此外，图1-9中的其他标记含义可以参考图1-8。[〇〇71]需要说明的是，现有技术中需要在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，这样一来，在进行聚酰亚胺(英文:Poly imide;简称:PI)喷涂工艺时，PI 液经过这两个过孔会产生扩散不均匀的现象，进而引起产品亮度不均匀的问题。而本发明实施例形成的过孔，由于该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，所以该过孔的结构相较于现有技术中的过孔的结构，能够使PI液在过孔中扩散地更加均匀，进而提高了产品亮度均匀度。
[0072]需要补充说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法可应用于曲面显示的HADS产品，该方法中形成过孔的过程可用于形成HADS产品的像素过孔。HADS产品的像素为横向像素，且为三闸极式(英文:triple-gate)+2D的结构，该结构能够避免任两个像素混色现象的发生，且能够增加每行像素的充电时间，保证充电率。同时，在源漏极金属图形所在层的每两根相邻的数据线之间设置有一根第一金属公共电极线，在栅极金属图形所在层的每两根相邻的栅线之间设置有一根第二金属公共电极线，进而形成网状结构的金属公共电极线，如图1-10所示。图1-10中1101为数据线，1102为第一金属公共电极线，1103为栅线， 1104为第二金属公共电极线。图1-10所示的网状结构的金属公共电极线的电阻较小，且电阻均一性较好，可以减弱产品的画面产生泛绿(英文Greenish)及闪烁(英文flicker)等问题。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法将过孔形成在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，达到了连通第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的目的，同时还使过孔的总数量减少了一半，且该过孔能够提高产品亮度均匀度。
[0073]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，由于该方法能够在形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，无需在第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成一个过孔，所以减少了过孔的数量，降低了制作成本，且形成的过孔能够提尚显不装置的壳度均勾度。
[0074]本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1-9所示，该阵列基板包括:[〇〇75] 衬底基板001;
[0076]衬底基板001上形成有第一导电图形和第二导电图形，第一导电图形包括第一金属公共电极线，第二导电图像包括第二金属公共电极线，可选的，第一导电图形为栅极金属图形003，第二导电图形为源漏极金属图形006;
[0077]形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板001上形成有过孔01，该过孔01 位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔01的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上；
[0078]形成有过孔01的衬底基板001上形成有跳线膜层02。示例的，跳线膜层为IT0膜层。
[0079]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成有过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上无需分别形成有一个过孔，所以减少了过孔的数量，降低了制作成本。
[0080]具体的，衬底基板001上形成有像素电极图形002;
[0081]形成有像素电极图形002的衬底基板001上形成有栅极金属图形003。栅极金属图形003包括第一金属公共电极线；
[0082]形成有栅极金属图形003的衬底基板001上形成有栅极绝缘图形008;[〇〇83]形成有栅极绝缘图形008的衬底基板001上形成有有源层图形005和源漏极金属图形006。源漏极金属图形006包括第二金属公共电极线；
[0084]形成有源漏极金属图形006的衬底基板001上形成有钝化层图形009。第一金属公共电极线、有源层图形、第二金属公共电极线、栅极绝缘图形和钝化层图形围成过孔01。 [〇〇85]需要说明的是，现有技术中，第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上分别形成有一个过孔，这样一来，在进行pi喷涂工艺时，pr液经过这两个过孔会产生扩散不均匀的现象，进而引起产品亮度不均匀的问题。而本发明实施例中的过孔，由于该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，该过孔的结构相较于现有技术中的过孔的结构，能够使PI液在过孔中扩散地更加均匀，进而提高了产品亮度均勾度。
[0086]所以本发明实施例提供的阵列基板的阵列基板中的过孔达到了连通第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的目的，同时还使过孔的总数量减少了一半，且该过孔能够提高产品亮度均匀度。
[0087]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于形成有第一导电图形和第二导电图形的衬底基板上形成有过孔，该过孔位于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，第一金属公共电极线和第二金属公共电极线上无需分别形成有一个过孔，所以减少了过孔的数量，降低了制作成本，且形成的过孔能够提高显示装置的亮度均匀度。[〇〇88]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括图1-9所示的阵列基板。[〇〇89]综上所述，本发明实施例提供的显示面板，由于该显示面板的阵列基板中，过孔形成于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，减少了过孔的数量，降低了制作成本，且提高了亮度均匀度。
[0090]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
[0091]综上所述，本发明实施例提供的显示装置，由于该显示装置包括的显示面板的阵列基板中，过孔形成于第一金属公共电极线和第二金属公共电极线的交叠区域，该过孔的一部分形成在第一金属公共电极线上，另一部分形成在第二金属公共电极线上，相较于现有技术，减少了过孔的数量，降低了制作成本，且提高了亮度均匀度。
[0092]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括:在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括第一金属公 共电极线，所述第二导电图像包括第二金属公共电极线；在形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成过孔，所述过孔位 于所述第一金属公共电极线和所述第二金属公共电极线的交叠区域，所述过孔的一部分形 成在所述第一金属公共电极线上，另一部分形成在所述第二金属公共电极线上；在形成有所述过孔的衬底基板上形成跳线膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电图形为栅极金属图形，所述 第二导电图形为源漏极金属图形，所述在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形，包括:在所述衬底基板上形成像素电极图形；在形成有所述像素电极图形的衬底基板上形成所述栅极金属图形；在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层；在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形和所述源漏极金属图形。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一导电图形和所述第 二导电图形的衬底基板上形成过孔，包括:在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层；对所述栅极绝缘层和所述钝化层进行构图工艺，形成栅极绝缘图形和钝化层图形，所 述第一金属公共电极线、所述有源层图形、所述第二金属公共电极线、所述栅极绝缘图形和 所述钝化层图形围成所述过孔。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述跳线膜层为氧化铟锡ITO膜层。5.—种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括:衬底基板；所述衬底基板上形成有第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形包括第一金 属公共电极线，所述第二导电图像包括第二金属公共电极线；形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成有过孔，所述过孔位 于所述第一金属公共电极线和所述第二金属公共电极线的交叠区域，所述过孔的一部分形 成在所述第一金属公共电极线上，另一部分形成在所述第二金属公共电极线上；形成有所述过孔的衬底基板上形成有跳线膜层。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图形为栅极金属图形， 所述第二导电图形为源漏极金属图形，所述衬底基板上形成有像素电极图形；形成有所述像素电极图形的衬底基板上形成有所述栅极金属图形；形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成有栅极绝缘图形；形成有所述栅极绝缘图形的衬底基板上形成有有源层图形和所述源漏极金属图形。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有钝化层图形，所述第一金属公共电极 线、所述有源层图形、所述第二金属公共电极线、所述栅极绝缘图形和所述钝化层图形围成所述过孔。8.根据权利要求5至7任一所述的阵列基板，其特征在于，所述跳线膜层为氧化铟锡ITO膜层。9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5至8任一所述的阵列基板。10.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
【文档编号】H01L21/77GK106094371SQ201610721461
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月24日
【发明人】王骁, 金 雄, 占红明, 陈华斌, 马禹
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司