一种研磨布的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及液晶显示制造技术领域，尤其涉及一种研磨布，更加具体的是一种按区域分布不同粒度及排列密度的研磨布。
【背景技术】
[0002]TFT-LCD液晶剥离基板表面清洗研磨布采用超精密涂布技术，将精选的微米或纳米研磨微粉(氧化铝、氢氧化铝、氧化铈等材料)与高性能胶粘剂混合分散分布均匀，然后涂覆于高强耐磨的布基表面而成。
[0003]磨料能有效去除粘着于玻璃基板表面固着杂质，加上基布表面有网状式凹槽，可吸收大量研磨介质以及去除后杂质，有效避免去除过程中划伤玻璃基板，采用特殊处理的布基和粘着性良好的胶粘剂，结合先进的涂布技术以及特殊的结构设计，可以有效防止涂层脱落而对玻璃基板造成划伤。
[0004]研磨布通常具有以下特点:1、磨料颗粒定向排列，表面锐利，保证研磨布最佳研磨效果；2、研磨布表面磨粒分布均匀，凹槽纹路规则；3、良好排肩能力，不易堵塞；4、耐水、耐油聚酯胶底，可湿磨；5、耐用性好，可持续研磨，降低生产成本。
[0005]目前，TFT-1XD行业液晶面板制程中表面的除胶、玻璃芯片的研磨及除尘主流去除方式之一是使用研磨布定向回转，研磨布方式由于磨料粒度、结构排列方式等不同，对不同去除对象表现优势具有差异性。
[0006]也即传统研磨布采用单一粒度及单一密度磨粒，去除异物种类及效果具有一定局限性。
[0007]因此，针对以上不足，需要提供一种对玻璃表面异物切削能力增强，去除效果更加优秀的研磨布。
【实用新型内容】
[0008](一 )要解决的技术问题
[0009]本实用新型要解决的技术问题是解决传统研磨布采用单一粒度及单一密度磨粒，去除异物种类及效果具有一定局限性的问题。
[0010](二)技术方案
[0011]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种研磨布，其包括背基和磨粒，所述磨粒按若干个不同区域分布于所述背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度。
[0012]进一步地，所述磨粒按第一区域、第二区域、第三区域和第四区域分布于所述背基上，所述第一区域和第二区域从左至右位于背基的第一排，所述第四区域和第三区域从左至右位于背基的第二排。
[0013]进一步地，所述第一区域与第二区域的面积比等于第三区域与第四区域的面积比。
[0014]进一步地，所述第一区域和第三区域内背基和胶的总厚度为250 μπι，网状式凹槽宽度为50 μπι ;所述第二区域和第四区域内背基和胶的总厚度为350 μm，网状式凹槽宽度为 30 μπι。
[0015]进一步地，所述第一区域和第三区域内磨粒的粒度为50目，高度为250 μπι ;所述第二区域和第四区域内磨粒的粒度为20目，高度为150 μπι。
[0016]进一步地，所述每个区域内的磨粒的硬度均为85±5。
[0017]进一步地，所述每个区域内的磨粒定向排列于所述背基上。
[0018]进一步地，所述每个区域内的磨粒的网络倾角为10度。
[0019]进一步地，所述每个区域内的磨粒的材质为AL203。
[0020](三)有益效果
[0021]本实用新型的上述技术方案具有如下优点:本实用新型提供的一种研磨布，其磨粒按若干个不同区域分布于背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度，本实用新型的研磨布采用按区域分布不同粒度及排列密度，并呈一定角度线性排列，结构合理，较传统单一结构的研磨布对玻璃表面异物切削能力明显增强，去除效果更加优秀，提升了偏贴良率，降低了偏光板损失率。
【附图说明】
[0022]图1是本实用新型实施例研磨布的分布示意图。
[0023]图中:1:第一区域；2:第二区域；3:第三区域；4:第四区域；5:夹持区域。
【具体实施方式】
[0024]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0025]在本实用新型的实施例中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]如图1所示，本实用新型实施例提供的一种研磨布，其包括背基和磨粒，所述磨粒按若干个不同区域分布于所述背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度。
[0027]通常的，磨粒是通过胶粘的方式固定于背基上的。
[0028]具体到本实施例中，研磨布的磨粒按第一区域1、第二区域2、第三区域3和第四区域4分布于所述背基上，所述第一区域I和第二区域2从左至右位于背基的第一排，所述第四区域4和第三区域3从左至右位于背基的第二排。
[0029]按照区域分布不同粒度和密度的磨粒，可以对不同尺寸的异物微粒切削效果不同，这样可以根据需要进行选择。
[0030]通常的，每个磨粒的整体形状为锥形，其与背基连接的地方的截面形状为正方形，也即磨粒的形状为四边锥形。每个区域内的磨粒定向排列于所述背基上，且每个区域内的磨粒的网络倾角为10度。
[0031]在本实施例中，所述第一区域和第三区域内背基和胶的总厚度为250 μπι，网状式凹槽宽度为50 μπι ;所述第二区域和第四区域内背基和胶的总厚度为350 μm，网状式凹槽宽度为30 μπι。
[0032]所述第一区域和第三区域内磨粒的粒度为50目，高度为250 μπι ;所述第二区域和第四区域内磨粒的粒度为20目，高度为150 μπι。
[0033]—般地，磨粒的材质为AL2O3，硬度均为85±5。
[0034]下面以140mmX55mm的研磨布为例来进行进一步的说明，第四区域4的宽度与第三区域3的宽度比为2:3，第二区域2的宽度与第一区域I的宽度比也为2:3，也即所述第一区域I与第二区域2的面积比等于第三区域3与第四区域4的面积比，均为3:2。
[0035]按面积定比交错排布两种粒度和密度不同的磨粒，根据使用设备夹具夹持住本实用新型研磨布的夹持区域5，根据设备夹具回转方向高粒度侧为回转先端，粒度低侧为回转末端，这样保证了优先切削大尺寸异物，未完全切削微小异物由低粒度侧二次研磨切削，大大提升研磨效果。并对网络式凹槽的尺寸精确设计，保证研磨后异物吸收效果，较传统研磨布研磨清洗效果更佳优秀。
[0036]综上所述，本实用新型提供的一种研磨布，其磨粒按若干个不同区域分布于背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度，本实用新型的研磨布采用按区域分布不同粒度及排列密度，并呈一定角度线性排列，结构合理，较传统单一结构的研磨布对玻璃表面异物切削能力明显增强，去除效果更加优秀，提升了偏贴良率，降低了偏光板损失率。
[0037]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种研磨布，其特征在于:包括背基和磨粒，所述磨粒按若干个不同区域分布于所述背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度。2.根据权利要求1所述的研磨布，其特征在于:所述磨粒按第一区域、第二区域、第三区域和第四区域分布于所述背基上，所述第一区域和第二区域从左至右位于背基的第一排，所述第四区域和第三区域从左至右位于背基的第二排。3.根据权利要求2所述的研磨布，其特征在于:所述第一区域与第二区域的面积比等于第三区域与第四区域的面积比。4.根据权利要求2所述的研磨布，其特征在于:所述第一区域和第三区域内背基和胶的总厚度为250 μm，网状式凹槽宽度为50 μm ;所述第二区域和第四区域内背基和胶的总厚度为350 μ m，网状式凹槽宽度为30 μ m05.根据权利要求2所述的研磨布，其特征在于:所述第一区域和第三区域内磨粒的粒度为50目，高度为250 μπι;所述第二区域和第四区域内磨粒的粒度为20目，高度为150 μ mD6.根据权利要求2所述的研磨布，其特征在于:所述每个区域内的磨粒的硬度均为85±507.根据权利要求2所述的研磨布，其特征在于:所述每个区域内的磨粒定向排列于所述背基上。8.根据权利要求7所述的研磨布，其特征在于:所述每个区域内的磨粒的网络倾角为10度。9.根据权利要求1-8任一项所述的研磨布，其特征在于:所述每个区域内的磨粒的材质为AL2O3。
【专利摘要】本实用新型涉及液晶显示制造技术领域，尤其涉及一种研磨布，更加具体的是一种按区域分布不同粒度及排列密度的研磨布。该研磨布，其磨粒按若干个不同区域分布于背基上，每个区域内各处磨粒的粒度和密度均相同，且至少有一个区域的磨粒的粒度和密度不同于其它区域的磨粒的粒度和密度，本实用新型的研磨布采用按区域分布不同粒度及排列密度，并呈一定角度线性排列，结构合理，较传统单一结构的研磨布对玻璃表面异物切削能力明显增强，去除效果更加优秀，提升了偏贴良率，降低了偏光板损失率。
【IPC分类】G02F1/13, G02F1/1333, B08B1/00
【公开号】CN204883108
【申请号】CN201520652632
【发明人】刘志伟, 段晓然, 何峰, 李向龙, 马立志
【申请人】北京京东方显示技术有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月26日