一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种带通滤光片，特别涉及一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片。
【背景技术】
[0002]带通滤光片是一种对某一波段具有高的透射率，而对其两端的波段高度截止的滤光片。红外带通滤光片是在红外波长范围内，在中心波长有较高的透过率，而在其余波段截止。其主要应用在红外光谱探测系统，在航天领域有非常重要的应用。随着空间红外技术的发展，对红外带通滤光片的波形要求也越来越高，需要能够有效滤除背景杂散信号，提高探测系统的信噪比。另外，除了对滤光片光学特性的高要求，在空间技术领域对红外滤光片膜层可靠性也有极高的要求，目前可供选择的红外滤光片膜层材料品种很少，在制备时仍有很大的难度。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为克服现有技术的不足，提供一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案:
[0005]—种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共29层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共23层。
[0006]进一步的，所述基片为锗基片，所述基片厚度为0.3mm。
[0007]相对现有技术，本实用新型的有益效果为:
[0008]本实用新型中的带通滤光片，在工作波段3.7-4.8微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型一实施例所述的工作波段为3700-4800nm的带通滤光片的结构示意图。
[0010]图2为本实用新型一实施例所述的正面膜系透过率曲线图；
[0011]图3为本实用新型一实施例所述的反面膜系透过率曲线图；
[0012]图4为本实用新型一实施例所述的工作波段为3700-4800nm的带通滤光片的透过率曲线透过率曲线图。
[0013]附图标记
[0014]1-正面膜系；2-基片;3-背面膜系。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0016]一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片，包括正面膜系1、基片2和背面膜系3，所述正面膜系I由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共29层;所述背面膜系3由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共23层。
[0017]所述基片2为锗基片，所述基片厚度为0.3mm，所述锗基片两面抛光，两个面上分别镀制正面膜系和反面膜系。
[0018]作为本实用新型的一实施例，正面膜系I中λ= 2.78μπι，Η为λο/4的锗膜层，L代表厚度为λο/4的一氧化娃层。
[0019]其中正面膜系I的主要构成如下:
[0020]0.245L 1.411Η 0.54L 1.324Η 0.727L 1.107Η 0.965L 1.005Η 0.976L1.013H
0.992L 1.061Η 0.907L 1.036Η 0.867L 0.674Η 0.331L 0.633H0.743L 0.764Η 0.605L
0.287Η 0.787L 0.84Η 0.53L 0.705Η 0.246L0.725H 1.892L
[0021]正面膜系I透过率曲线如图2所示。
[0022]反面膜系3中λ= 6.2μπι，Η代表厚度为λο/4的锗膜层，L为代表厚度为λο/4的一氧化硅膜层。
[0023]反面膜系3的主要构成如下:
[0024]0.098L 0.26Η 1.188L 1.112Η 1.049L 1.035Η 1.021L 1.018Η 1.013L1.014H1.0IL 1.016Η 1.0llL 1.021Η 1.017L 1.033Η 1.032L 1.057H1.066L 1.112Η 1.147L1.192Η 0.597L
[0025]反面膜系3透过率曲线如图3所述。
[0026]当正面膜系和反面膜系镀于基板上时，最终得到的带通滤光片的透过率曲线如图4所示。
[0027]该滤光片在可见光-3.5μπι、5.0ym-长波红外，绝对透过率<1.0%，平均透过率<
0.1% ；
[0028]在3.5-3.6μπι和在5.0-5.1ym范围内，透过率 <5.0%;
[0029]在3.70-3.784111和在4.85-4.954111范围内，透过率=50%；
[0030]在3.85-3.9μπι和在4.6-4.75μπι范围内，平均透过率 2 85%;
[0031 ] 在3.9-4.6μπι范围内，绝对透过率2 85%，平均透过率2 90 %。
[0032]本专利中的带通滤光片，在工作波段3.7-4.8微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
[0033]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片，其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共29层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共23层。2.根据权利要求1所述工作波段为3700-4800nm的带通滤光片，其特征在于所述基片为锗基片，所述基片厚度为0.3 mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种工作波段为3700-4800nm的带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共29层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共23层。本实用新型中的带通滤光片，在工作波段3.7-4.8微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
【IPC分类】G02B5/20
【公开号】CN205374786
【申请号】CN201620081699
【发明人】周东平
【申请人】苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月28日