专利名称：具有恒定宽度的共面电极的等离子体显示板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示板，如图1A、1B所示，包括第一板11和第二板12，其间留有填充了放电气体的空间，并划分为按照行和列排列的多个放电单元18，其还包括绝缘隔板肋阵列，包括每个均用于分隔两个相邻列的单元的隔板肋15，第一板包括至少两个被称为保持电极的共面电极阵列Y、Y’，其定向为彼此平行且垂直于所述隔板肋的总方向，具有垂直于这些总方向的恒定宽度，并且按照每个阵列的电极横跨每个放电单元的方式进行排列。
背景技术：
由于每个隔板肋15分隔两个相邻列的单元，这些隔板肋被称为列隔板肋，与下述行隔板肋相对。
因此，保持电极对横跨每个放电单元，每对保持电极为放电单元行供电；以由绝缘材料制成的列隔板肋分隔任意一行中的所有相邻单元；按照这种方式，在共面电极的总方向上，由这些列隔板肋来限定任何一行中的多个单元的宽度。这些隔板肋通常用作显示板的平板之间的隔板。
以其上涂覆有通常基于氧化镁的保护/二次电子发射层14的电介质层13覆盖共面电极。
第二板包括被称为地址电极的第三电极阵列X，每一个均位于两个列隔板肋之间。因此，每个地址电极为放电单元列供电。也可以用电介质层17覆盖这些地址电极。
现有技术的特定板中的隔板肋阵列还包括被称为行隔板肋的隔板肋16，每一个均用于分隔两个相邻行的单元，按照在其四周以如图1A、1B所示的隔板肋限定板的每个单元的方式。
传统上，驱动等离子体板的操作包括用于激活必须接通的那些单元的寻址周期，之后是其间在为单元行供电的保持电极Y、Y’之间施加保持电压脉冲序列的保持周期，以间隙G分隔这些电极。这些保持脉冲的幅度必须足以引起事先已经被激活的行中的那些单元中的放电，但不足以引起事先未被激活的行中的单元中的放电。
放电单元的寻址通常发生在列电极和还用于保持的行电极之一之间。
以适合于获得发射紫外辐射的放电的低压气体填充放电单元和板之间的空间。
每个单元的壁通常具有能够在以放电的紫外辐射进行激励时发射可见辐射的磷光体层、尤其是红色、绿色或蓝色。这些层通常设置在第二板和隔板肋的侧壁上。
在发射三原色(即，红色、绿色和蓝色)的板的情况下，这些相邻的放电单元具有不同颜色的磷光体，从而获得间接发射红色、绿色和蓝色的放电。
通常，第一板(承载共面电极的板)用作面向观察该板所能显示的图像的人的前板。为了防止前部的电极过多地吸收来自单元的可见辐射，优选地，共面电极由导电且透明的材料制成，如氧化锡或混合氧化铟锡(ITO)等；由于这些透明电极通常导电不足，通常以不透明的金属导体“复制”透明电极阵列，由于其将放电电流分配给透明电极，将其称为“总线导体”。传统上，总线的线性电导率大于发起导体的线性电导率。总线由高导电的金属材料制成，如银等，因而，其对光不透明。
在保持周期期间，当在任意一对的两个共面电极Y、Y’之间施加足够幅度的电压脉冲时，在通过这些电极供电并在寻址周期期间事先被激活的单元中，在这些电极之一的发起边缘191附近的间隙G中发起放电，在前板上，在限定了此单元在此点的宽度的列隔板肋15之间延伸。如图1A所示，在此单元中，在对应于此单元的此电极部分的发起区域Za中，发起放电。优选的是，涂覆此电极的电介质层13的表面电势属性足够均匀，以允许以较低的电压发起放电。在发起之后，放电垂直于共面电极的总方向向外扩散，远至电极的放电结束边缘192，位于发起边缘相对侧。被称为膨胀阶段的其中放电向外扩散的阶段允许以较低的电场形成放电区域，这对于激励气体和产生紫外光子非常有效。因此，膨胀阶段提高了放电的发光效率。在膨胀阶段期间，当放电膨胀到电极的放电结束边缘时，放电几乎占据了以限定了单元的宽度的两个列隔板肋15所界定的整个气体空间。
在保持周期期间，紧挨在将电压脉冲施加在横跨单元的任意一对的两个共面电极Y、Y’之间之前，通常，被称为“记忆电荷”的残余电荷覆盖着覆盖这些电极的电介质层区域，尤其是来自于该单元中的先前放电。紧挨在施加电压脉冲的开始之前和任何新放电之前，位于这两个电极之间的放电气体区域受到施加在这些电极之间的电压和由于来自先前保持脉冲的记忆电荷而导致的电压的总和。
图3示出了在施加到电极上的100V幅度的保持电压脉冲的开始时(跟随在已经留下记忆电荷的其他等同AC脉冲之后)，列隔板肋15的中央与单元的中央之间的、放电膨胀区的截面A1-A1’中的等电位电压线分布，此区域对应于两个相邻列隔板肋的中心之间的距离的一半，也就是说，放电单元的半宽。如实线所示的等电位线对应于电位的正值，而如虚线所示的等电位线对应于电位的负值。两条相邻的等电位曲线之间的电位差是恒定的，且适合于获得如实线所示的20条“正”等电位曲线。在发起100V电压脉冲期间，假设所述电极Y用作阴极，并且存储在此单元中、电介质层13的表面上的负记忆电荷来自于由相同序列的在先保持电压脉冲所产生的电荷，但符号相反。在此附图中，等电位曲线V对应于第一负等电位(如虚线所示，与正等电位的实线相对)，并表示沉积在列隔板肋15的表面上的这一点处的负电荷的出现。此等电位沿列隔板肋的深度方向上的分布表示在由所述脉冲引起的发起之后，放电将在隔板肋的侧壁上向外扩散，并从而超越覆盖电极Y的电介质层13和保护层14。因而，在其中板发光的保持周期期间，隔板肋将实质上与放电相接触。此现象导致了隔板肋上带电粒种的更大损失，并加速了覆盖这些隔板肋的磷光体材料的恶化，结果，发光效率降低，且板的寿命缩短。
如参考文件EP 0 782 167(PIONEER)所示的现有技术提出了对此问题的解决方案，如图2所示。图2示出了共面等离子体显示板的单元结构的示意顶视图，与先前图1A和1B所示的结构的不同之处在于共面电极不再延伸到单元的整个宽度。每个电极Y包括位于横跨任意一行中的所有单元的放电结束边缘192的连续导电总线Yb，以及在每个单元中，作为位于此单元中心的舌状物形式的电极元件Yp具有比此单元小的宽度并从总线延伸至发起边缘191。按照使其横向边缘定位于距用于限定此单元的最近列隔板肋的表面非零距离D处的方式来调整每个单元的电极元件Yp的大小。
应用于共面电极Y、Y’的这种结构能够沿电极元件Yp的横向边缘，降低列隔板肋的侧壁上和靠近这些隔板肋的保护层的表面部分上的电位，如图4所示，示出了在单元的中间宽度处的截面A2-A2’中、如图2所示的单元中的等电位曲线的分布，与上述图3具有相同的假设和约定。此图4表明如虚线所示的第一负等电位曲线在此肋的顶部与V形隔板肋相会，位于与保护层和电介质层13的界面处。
根据如等电位曲线所示的这些介电属性，在如参考文件EP 782167中所述的板中的膨胀的开始，或者参照图2，相对于参照图1A和1B的前述板而言，更好地限制了保持放电远离列隔板肋。因此，改善了发光效率和寿命。
但是，在放电膨胀的结尾，即在共面电极的总线Yb处，遇到了与先前相同的问题，由于电极在这一点处延伸到单元的整个宽度上。沿着隔板肋表面和保护层表面的电位，在与总线相对应的电极部分Yb附近，保持较高。因此，对发光效率和寿命的改善较为有限。
此外，这种具有电极元件的结构比图1A和1B所示的结构更难生产，并需要板11和12的水平对准这种昂贵的操作，以便使专用于每个单元的电极元件精确地位于每个单元的中心，并与两个相邻列隔板肋等距。
发明内容
本发明的目的是通过避免这些限制和缺点来提高等离子体板的发光效率及其寿命。
为此，本发明的主题是一种等离子体显示板，包括第一板和第二板，其间留有填充了放电气体的空间，并划分为按照行和列排列的多个放电单元，其还包括绝缘隔板肋阵列，包括每个均用于分隔两个相邻列的单元、且具有位于所述第二板上的底部和与所述第一板相接触的顶部的隔板肋，此第一板包括至少两个被称为保持电极的共面电极阵列Y、Y’，其定向为彼此平行且平行于所述行的总方向，对其进行设置，从而每个阵列的电极横跨每个放电单元，因此形成一对，并具有在分隔每对电极的间隙的两侧之一上彼此面对的、被称为发起边缘的边缘，其特征在于每个列分隔隔板肋包括在其顶部且遍及其整个宽度，一连串低介电常数区域，至少在分隔每对电极的间隙的每个侧面上延伸，至少从距此对电极的发起边缘的尾端80μm的线开始，其具有大于3μm但不超过所述隔板肋的总高度的五分之一的厚度以及比在其底部测得的所述隔板肋的介电常数小至少三倍的平均介电常数。
因而，所述低介电常数区域至少在每个单元的间隙的每个侧面上延伸。
从此肋与第一板接触的顶部测量隔板肋上的低介电常数区域的厚度。这些区域中的每一个几乎延伸到隔板肋的整个宽度上，并在任意磷光体层的厚度之内。
如果共面电极并非恒定宽度的，如参照图2所描述的现有技术的结构中那样，则本发明能够组合在此结构中已经描述过的有效优点和下述本发明所特有的有效优点。
本发明尤其应用于其中共面电极在其整个有用长度上具有恒定宽度的情况。术语电极的“有用长度”应当被理解为表示与由此电极服务的全部单元相对应的长度。此电极的宽度应当被理解为表示与其总方向垂直地测得的宽度。由于在参照图1A和1B描述的现有技术的结构中，共面电极的宽度是恒定的，电极阵列的生产较为便宜，而且板的组装操作也不会由于对准约束而带来额外的代价。因此，避免了参照图2描述的现有技术的结构的缺点，同时从发光效率和寿命的观点来看，获得了即使不是更好也是等效的优点，如以下所述。
本发明具体致力于修改等电位曲线的分布，而并非通过修改每个单元中的电极的形状和位置，如参照图2和3所描述的那样，而是通过按照适合于使等电位曲线在每个单元中、在电介质层和保护层附近靠在一起的方式来改变隔板肋内的介电常数，从而降低这些隔板肋的侧壁上的电位，尤其是在这些层附近。
由于低介电常数区的专用于本发明的厚度以及这些区域专用于本发明的平均介电常数，因而更好地限制了电介质层和保护层表面上的保持放电，使其远离隔板肋，从而减少了带电粒种从等离子体的损失，以及放电膨胀区域种的等离子体对这些隔板肋上的磷光体的恶化。
根据本发明的板结构的额外优点在于，即使在膨胀的结尾，仍能获得对放电的所需限制。与参照图2所描述的结构不同，在与放电的结尾相对应的电极区域附近，也降低了隔板肋的侧壁上以及保护层和电介质层的表面处的电位。这样实现了对发光效率和寿命的更大改进。
如果第一板具有三个电极阵列，由三个来自每个阵列的电极横跨每个单元，这三个电极形成三元组。
术语“间隙”应当被理解为表示分隔每对电极的区域，对于这种情况可以是分隔每个三元组的电极的区域。当共面电极的宽度恒定时，分隔电极的区域的宽度也是恒定的。
因此，位于隔板肋顶部的低介电常数区域可以是不连续的，即其可以在分隔每对共面电极的间隙处中断，在电极的每侧至多达80μm，跨越此间隙。于是，低介电常数区域在间隙的每一侧延伸，尤其是在放电膨胀区域种，即面向电极的表面。例如，当其在用于分隔共面电极的间隙处精确中断时，低介电常数区域可以进一步延伸。
根据更为简单的变体，其制造更为便宜，位于每个隔板肋顶部的一连串低介电常数区域形成连续的低介电常数区域，而不在间隙处中断。
根据另一变体，实现了对放电限制的更好控制以及发光效率和寿命的更大改进，在分隔两列的每个隔板肋的顶部，低介电常数区域是不连续的，并在分隔每对电极的间隙处中断。
总之，本发明的目的是一种等离子体显示板，包括隔板肋阵列，每个隔板肋均具有位于板上的底部和与另一板相接触的顶部，所述另一板包括至少两个共面电极阵列，其特征在于这些隔板肋在其顶部具有厚度大于3μm但不超过其总高度的五分之一的低介电常数区域，所述低介电常数区域具有比在其底部测得的所述隔板肋的介电常数小至少三倍的平均介电常数。
为了进一步改进对保持放电的限制以使其远离隔板肋的侧壁，本发明也可以具有以下特征中的一个或多个-所述低介电常数区域的厚度至少等于5μm；-列分隔肋还具有高介电常数中间区域，其位于隔板肋的底部与所述低介电常数区域之间，且具有大于低介电常数区域的厚度的厚度和高于在其底部测得的这些隔板肋的介电常数的平均介电常数。优选地，这些高介电常数中间区域的平均介电常数不小于在其底部测得的隔板肋的介电常数的五倍。一连串的高介电常数中间区域可以形成连续的高介电常数区域。相反，在每个隔板肋的顶部，高介电常数区域可以是不连续的，并在分隔每对电极的间隙处中断。
本发明还包括以下特征中的一个或多个-共面电极的总方向垂直于列分隔肋；-以电介质层和通常基于氧化镁的保护/二次电子发射层涂覆共面电极Y、Y’；-第二板包括被称为寻址电极的第三电极阵列X，每个电极均位于一列单元上；-隔板肋阵列还包括每个用于分隔两个相邻行的单元的隔板肋；以及-隔板肋具有至少100μm的高度。
参考文件JP 2000-306517和JP 07-262930(参见与此参考文件的图3相关联的第二实施例)公开了其中位于第一板上的电介质层具有低介电常数区域的等离子体板。在参考文件JP 07-262930中，这些区域位于单元行之间，并非如本发明中那样位于列之间。这种区域使其能够限制放电在列的垂直方向上的膨胀，而本发明使其能够限制放电在行的水平方向上的膨胀。在这两个参考文件中，这些区域在整个宽度上或板的整个有用长度上连续延伸，并可以与用于分隔列的隔板肋的顶部相接触(参考文件JP 2000-306517的图1)。应当注意，在电介质层的厚度内，这种低介电常数区域尤其难以制造，而根据本发明的低介电常数区域在隔板肋的顶部则容易生产得多。
在参照附图阅读作为非限制性示例给出的以下描述时，本发明将得到更为清楚地理解，其中图1A和1B，已经描述过，分别示出了根据现有技术的等离子体板的、具有恒定宽度的共面电极的单元的顶视图和纵向截面；图2，已经描述过，示出了根据现有技术的等离子体板的具有可变宽度的共面电极的单元的顶视图；图3和4，已经描述过，分别示出了在向此半个单元的共面电极施加100V电压脉冲的开始时，图1A的半个单元的A1-A’1截面中和图2的半个单元的A2-A’2截面中的电位分布；图5示出了根据本发明第一实施例的等离子体板的单元的截面图；图6和7示出了利用与图3和4中相同的约定、在图5所示的半个单元的A1-A’1截面中获得的电位分布的两个示例；图8示出了根据本发明第二实施例的等离子体板的单元的截面图；图9和10分别示出了再次利用与图3和4中相同的约定、在图8所示的半个单元的A1-A’1截面中和在图11所示的半个单元的A1-A’1截面中获得的电位分布；图11示出了根据本发明第三实施例的等离子体板的单元的截面图；以及图12示出了图5所示的本发明的第一实施例的变体，根据此变体，隔板肋的顶部只在放电膨胀区域中包括低介电常数区域。
并未按比例绘制附图，以便更好地揭示如果参照其比例将不能清楚显现的特定细节。
为了简化描述和说明本发明与现有技术的区别和优点，相同的参考符号用于表示提供相同功能的元件。
具体实施例方式
根据图5所示的本发明的第一实施例，等离子体板包括按照与上述参照图1A和1B所描述的现有技术的板相同的结构设置的相同元件，惟一的区别在于列隔板肋15包括底层15a，与覆盖第二板12的电极阵列X的电介质层17相接触；以及连续的顶层15b，位于底层15a上，并延伸远至覆盖第一板11的共面电极阵列Y、Y’的电介质层13和保护层14。这里，每个共面电极在其整个有用长度上具有恒定的宽度，并且电极阵列的生产较为便宜，且组装板的操作不会由于对准约束而带来额外的代价。
根据本实施例，调整底层的厚度或高度Da及其构成材料的平均介电常数Ea和顶层的厚度或高度Db及其构成材料的平均介电常数Eb，从而使Ea大于Eb，Da大于Db，优选地，使Ea≥3Eb且Da≥4Db。因此，顶层对应于隔板肋的连续低介电常数区域。因此，顶层的厚度最多为隔板肋的总高度的五分之一。为了获得显著的限制效应，需要此层的厚度大于3μm。
本发明的第一实施例描述了本发明的原理，其在于实质上在其顶部附近(这里是在这些隔板肋的高度的一小部分Db上)降低列隔板肋的电容，即，在保护层14和电介质层13附近，保持放电在这些层上向外扩散，从而在这些隔板肋与共面电极11相接触的上部，电容非常低，因而，在这些隔板肋的其他部分中电容较高。归功于本发明的这种隔板肋电容的不一致性使得位于覆盖板11的共面电极的电介质层和保护层的表面附近的低电容区域中的等电位线靠近在一起，因而，更好地限制了保持放电在电介质表面上的扩散，而不会“溢出”到隔板肋的侧壁上。顶层的高度Db与底层的高度Da相比越小、以及顶层的平均介电常数Eb与底层的平均介电常数Ea相比越低，通过来源于上述隔板肋的双层结构的电容分配效应，靠近这些隔板肋的放电扩散表面上的电位越低。
图6示出了在向电极Y施加100V电压脉冲时，以及在为此目的此电极用作阴极时，利用刚刚描述过的根据第一实施例的放电单元结构、在此扩散表面上获得的等电位线的分布，其中Ea＝3Eb且Da＝4Db。此分布对应于在放电发起之前、在开始施加脉冲时的电位分布，在与上述图3和4的情况下的相同假设和约定下，实线所示的等电位线对应于正电位，而虚线所示的等电位线对应于负电位。此图4表明由虚线所示的第一负等电位的位置V示出的对放电的限制程度接近上述参照图2和4所描述的现有技术的情况，其中共面电极具有生产困难且昂贵的、专用于每个单元的元件。由于这种限制，以较低的成本实现了对板的发光效率和寿命至少是可相比的改进。
图7利用与图6中相同的约定，示出了根据第一实施例的板所获得的等电位线的分布，其中Ea＝5Eb且Da＝10Db。此时，第一负等电位的位置V与覆盖电极Y的电介质层和保护层的表面相一致。因此，在保持周期期间，放电不再在隔板肋的侧壁上向外扩散。这对应于本发明的总目标。
根据如图12所示的本发明第一实施例的变体，在隔板肋的顶部，只在对应于放电膨胀区域的隔板肋部分附近，产生低介电常数Eb的层15b，从而在对应于电极间间隙G的隔板肋部分附近和发起区域附近，隔板肋的顶部具有与底层相同的介电常数Ea。
根据此变体，每个列分隔肋包括位于其顶部及其整个宽度上，一连串低介电常数区域15b’，沿分隔每对电极的间隙的任意一侧延伸，从位于发起区域Za和膨胀区域Zb之间的边界处的线开始到此对电极的发起边缘191的末端。传统上，此边界线与发起边缘至多分隔80μm。换句话说，发起区域Za的宽度最多为80μm。这些低介电常数区域具有与上述低介电常数区域相同的厚度和相同的介电常数。
由于放电发起区域与低介电常数隔板肋区域相分离，因而有利地获得了在电极的发起边缘191的整个长度上的更为均匀的电场。这有利地使其能够获得与上述现有技术的板相同的点火属性。在放电膨胀区域中，隔板肋的侧壁有受到来自放电的带电粒子的作用的危险，根据本发明的低介电常数区域15b’能够根据本发明的目的，限制放电，如上所述。
与图5相比，图8示出了其中隔板肋包括类似于上述顶层15b的连续上层15c的本发明的第二实施例。此顶层15c也具有较低的厚度Dc和较低的介电常数Ec。此顶层15c不仅覆盖隔板肋的顶部，而且连续地延伸到第二板12的整个有效表面上。有利地，这种结构比上述结构更容易制造，例如，利用用于沉积所述顶层的丝网印刷方法。取Ea＝5Ec且Da＝5Dc，并在与先前相同的条件下，得到如图9所示的表面电位分布。此图表明所获得的放电限制效应可以与参照图7所描述的实施例所获得的放电限制效应相比拟。通过比较图7和9，可以看到以涂覆整个第二板的连续上层代替隔板肋的顶层并未明显地修改等电位线的分布，从而再次获得了本发明的有益效果。
根据本实施例，调整底层的厚度或高度Da及其构成材料的平均介电常数Ea和顶层的厚度或高度Dc及其构成材料的平均介电常数Ec，从而使Ea大于Ec，Da大于Dc，优选地，使Ea≥3Ec且Da≥4Dc。因此，顶层对应于隔板肋的低介电常数区域。因此，顶层的厚度最多为隔板肋的总高度的五分之一。为了获得显著的限制效应，需要此层的厚度大于3μm。
在第一和第二实施例的情况下，例如，可以由氧化铝的多孔层来形成低介电常数区域15b或15c，而隔板肋的其余部分，即在这种情况下的高介电常数底层15a由氧化铅的玻璃状层来形成。
图11示出了本发明的第三实施例，其组合了上述第一和第二实施例。因此，隔板肋具有三个重叠层，即，位于覆盖第二板12的电极阵列X的电介质层17上的厚度为Da且相对介电常数为Ea的第一底层15a、与第二实施例中一样覆盖整个第二板12的厚度为D’c且相对介电常数为E’c的第二层15c’、以及与第一实施例中一样只覆盖隔板肋的顶部的厚度为Db且相对介电常数为Eb的第三层15b。
此外，根据此第三实施例，E’c＞Ea＞Eb且Da＞D’c≥Db。优选地，E’c≥5Ea以及Ea≥3Eb；且Da≥4D’c以及D’c≥Db。
除了与第一和第二实施例中一样的、位于隔板肋顶部的低介电常数区域，在隔板肋的底部和此低介电常数区域之间插入高介电常数区域。
与本发明的第一和第二实施例相比，将高介电常数中间区域(即第二层15c’)插入到隔板肋中使对应于第一层15a和对应于第二层15c’的隔板肋区域中的等电位线进一步远离，按照第三层15b中的等电位线比先前更加靠近的方式，从而改善了对放电的限制。Eb＝Ea/5、E’c＝5Ea且Db＝D’c＝Da/5，于是，以与前向相同的预定，得到了如图10所示的、在放电区域的半宽度上的等电位线分布。
在此第三实施例中，例如，例如，可以由氧化铝的多孔层来形成低介电常数的第三层15b，由氧化铅的玻璃状层来形成高介电常数的第一层15a，以及对应于低介电常数中间区域的第二层15c’可以是基于TiO2或BaTiO3的层。
为了生产出在刚刚描述的任意一个实施例中的本发明的板，将使用等离子体板领域的普通技术人员所公知的合适材料和方法。
为了操作这样得到的等离子体板，通常使用标准等离子体板电源和驱动系统。
权利要求
1.一种等离子体显示板，包括第一板(11)和第二板(12)，其间留有填充了放电气体的空间，并划分为按照行和列排列的多个放电单元(18)，其还包括绝缘隔板肋阵列，包括每个均用于分隔两个相邻列的单元、且具有位于所述第二板上的底部和与所述第一板相接触的顶部的隔板肋(15)，此第一板包括至少两个被称为保持电极的共面电极阵列(Y、Y’)，其定向为彼此平行且平行于所述行的总方向，对其进行设置，从而每个阵列的电极横跨每个放电单元，因此形成一对，并具有在分隔每对电极的间隙的两侧之一上彼此面对的、被称为发起边缘的边缘(191)，其特征在于每个列分隔隔板肋包括在其顶部且遍及其整个宽度，一连串低介电常数区域(15b；15c)，至少在分隔每对电极的间隙的每一侧延伸，至少从距此对电极的发起边缘(191)的尾端80μm的线开始，其具有大于3μm但不超过所述隔板肋的总高度的五分之一的厚度(Db；Dc)以及比在其底部测得的所述隔板肋的介电常数(Ea)小至少三倍的平均介电常数(Eb、Ec)。
2.根据权利要求1所述的板，其特征在于所述共面电极(Y、Y’)中的每一个在其整个有用长度上具有恒定的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的板，其特征在于位于每个隔板肋顶部的一连串低介电常数区域形成连续的低介电常数区域。
4.根据权利要求1或2所述的板，其特征在于在分隔两列的每个隔板肋的顶部，低介电常数区域是不连续的，并在分隔每对电极的间隙处中断。
5.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于所述低介电常数区域的厚度至少等于5μm。
6.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于所述列分隔肋还具有高介电常数中间区域(15c’)，其位于隔板肋的底部与所述低介电常数区域之间，且具有大于所述低介电常数区域的厚度的厚度(D’c)和高于在其底部测得的所述隔板肋的介电常数(Ea)的平均介电常数(E’c)。
7.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于以电介质层(13)和保护/二次电子发射层(14)涂覆所述共面电极(Y、Y’)。
8.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于所述第二板(12)包括被称为寻址电极的第三电极阵列(X)，每个电极均位于一列单元上。
9.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于所述隔板肋阵列还包括每个用于分隔两个相邻行的单元的隔板肋(16)。
10.根据前述权利要求之一所述的板，其特征在于所述隔板肋具有至少100μm的高度。
全文摘要
一种板，包括隔板肋阵列(15)，每个隔板肋均具有位于板(12)上的底部和与另一板(11)相接触的顶部，所述另一板(11)包括至少两个共面电极阵列(Y、Y’)，每个共面电极(Y、Y’)优选地具有恒定的宽度。根据本发明，这些隔板肋在其顶部具有厚度(D
文档编号H01J17/16GK1685462SQ03823067
公开日2005年10月19日 申请日期2003年9月18日 优先权日2002年9月27日
发明者劳伦·泰西耶 申请人:汤姆森等离子体公司