专利名称：等离子体显示装置及其面板结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示装置的结构，尤其涉及一种改善等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的结构。
背景技术：
近年来，不断开发出了各种新型平面显示器(flat panel display，FPD)，例如液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、有机发光显示器(organic lightemitting diode，OLED)及等离子体显示器(plasma display panel，PDP)，且有渐渐取代传统阴极射线管(cathode ray tube，CRT)的趋势。其中，等离子体显示器是一种借助于气体放电发光的平面显示器，其最大的特点是轻、薄、易大型化且无视角问题。
请参照图1A至1C，它们示出了现有的等离子体显示装置的封装过程。如图1A所示，当等离子体显示装置的前基板14与后基板12以一胶材20完成组装后，需在后基板12的通气孔30上借助于封合材料22设置抽气-灌气管40，接着用抽气-灌气装置50对组合面板10进行抽气-烘烤工艺，以除去不纯物质60(impurity)。当组合面板10达到一定真空度后，如图1B所示，放电气体经由抽气-灌气管40填入组合面板10的显示区域70间。在完成灌气过程后，如图1C所示，以加热的方式融化抽气-灌气管40，使抽气-灌气管40缩口。
在传统的等离子体显示器制造过程中，如形成阻隔壁或封合材料的过程中，往往不可避免地要使用有机溶剂，而且还将产生废气。然而，在等离子体显示器的抽气-烘烤的过程中，不纯物质60易被气流80带至抽气-灌气管40口及通气孔30附近。因此，若抽气-烘烤步骤控制不当或抽气-灌气管40本身存有孔隙(pin hole)，不纯物质60将通过充填放电气体时所产生的气流80进入组合面板10之间并进一步残留于显示区域70内，如此一来，所述不纯物质将污染显示区域70内的等离子体显示单元，并严重影响等离子体显示单元的放电特性(discharge characteristic)，尤其在通气孔30附近，因而导致局部区域出现图象质量及显示特性不均以及异常现象。
因此，降低等离子体显示器内残留的不纯物与放电气体的比例、以避免等离子体显示单元放电特性异常现象发生是等离子体显示装置制造过程中一项急待解决的任务。
发明内容
鉴于此，为了解决上述问题，本发明的主要目的在于利用吸附层吸附在抽气过程中集中于通气孔附近及抽气-灌气管内的不纯物质，避免因抽气-烘烤步骤控制不当或残留于抽气-灌气管孔隙中的不纯物质经由后续的灌气或封管步骤再进入显示区域内而造成等离子体显示单元的放电特性异常，以进一步防止出现等离子体显示装置局部区域图象质量不均的现象。
为实现上述目的，本发明提供一种等离子体显示装置的面板结构，该结构可使等离子体显示装置的显示区域维持均匀放电的特性。所述等离子体显示装置的面板结构包括一基板、一通气孔及一吸附层，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述通气孔由所述基板的第一表面贯穿至所述基板的第二表面；所述吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第一表面上。
根据本发明的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第一表面并可进一步延伸至所述通气孔的部分或全部侧壁上；且所述吸附层还可进一步被形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上，所述基板可为等离子体显示装置的后基板(rearplate)。
本发明等离子体显示装置的面板结构的另一种形式是，其至少包括一基板、一通气孔、一抽气-灌气管及一第一吸附层，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述通气孔由所述基板的第一表面贯穿至基板的第二表面；所述抽气-灌气管以一封合材料结合于所述基板的第一表面上，且所述抽气-灌气管覆盖包括所述通气孔的所述基板；所述第一吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。
本发明的等离子体显示装置的面板结构还可包括一第二吸附层，所述第二吸附层可形成于被所述抽气-灌气管所覆盖的所述基板的第一表面上，其中，该第二吸附层形成于所述基板的第一表面的范围可包括抽气-灌气管所涵盖的基板的第一表面的范围；所述第二吸附层亦可被形成并延伸至所述通气孔的侧壁；该第二吸附层还可被形成在与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上。所述第二吸附层可由与所述第一吸附层相同的材料构成。
本发明所提供的等离子体显示装置，包括本发明的所述等离子体显示装置的面板结构。所述等离子体显示装置至少包括一第一基板、一第二基板、一封合层、一显示区域、一通气孔及一第一吸附层，其中所述第一基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述第二基板可配置于所述第一基板的下方，并以一第三表面与所述第一基板的第二表面相对；所述封合层形成于所述第一基板与所述第二基板的四周，用以封装/组合所述第一基板与第二基板，并形成一封合空间；所述显示区域形成于所述第一基板的第二表面及所述第二基板的第三表面之间的封合空间内；所述通气孔由所述显示区域之外的所述第一基板的第一表面贯穿至所述第二表面；所述第一吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的第一表面。
根据本发明的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的第一表面并可进一步延伸至所述通气孔的侧壁。此外，所述第一吸附层还可进一步被形成在与所述通气孔相邻的所述第一基板的第二表面上。
本发明所述的等离子体显示装置，还可包括一抽气-灌气管及一第二吸附层，其中，所述抽气-灌气管以一封合材料结合于所述第一基板的第一表面上，并覆盖所述通气孔；所述第二吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。此外，所述第二吸附层可由与所述第一吸附层相同的材料构成。
为使本发明的上述目的、特征更明显易懂，下文特举优选实施方式并结合附图作详细说明。
图1A至1C示出了现有的等离子体显示装置的封装过程；图2示出了本发明等离子体显示装置的面板结构的一优选实施方式；图3是对本发明一优选实施方式的等离子体显示装置面板结构进行组装的示意图；
图4是对本发明另一优选实施方式的等离子体显示装置面板结构进行组装的示意图；图5示出了本发明等离子体显示装置面板结构的另一优选实施方式；图6至9示出了本发明的等离子体显示装置面板结构的其它优选实施方式；图10是本发明等离子体显示装置一优选实施方式的剖面结构示意图。
附图标记说明10 组合面板12 后基板14 前基板 20 胶材22 封合材料30 通气孔40 抽气-灌气管 50 抽气-灌气装置60 不纯物质70 显示区域80 气流方向100 面板结构110 基板112 第一表面114 第二表面116 第三表面120 通气孔 122 通气孔侧壁130 吸附层 132 第二吸附层14 封合层 150 前基板160、166抽气-灌气管 162 抽气-灌气管侧壁170 封着材料190 显示区域200 等离子体显示装置210 后基板250 前基板具体实施方式
本发明的改善了等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的面板结构的特点在于在基板的通气孔附近的区域及(或)抽气-灌气管的内侧形成一吸附层，当进行抽气-灌气及封管步骤时，可有效地将在形成显示区域、抽气-灌气及封管过程中产生的不纯物(impurity)集中并吸附在显示区域之外，以保持等离子体显示装置内的等离子体显示单元正常运作。
以下，将结合附图并以等离子体显示装置的后基板为例详细说明本发明的可改善等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的面板结构。
首先，请参见图2。该图示出了本发明等离子体显示装置的面板结构的一优选实施方式，用来进一步解释各部件的相对关系。如图2所示，本发明的等离子体显示装置的面板结构100至少具有一基板110、一通气孔120及一吸附层130。其中，所述基板110具有一第一表面112及一位于所述第一表面112相反侧的第二表面114。在此实施方式中，面板结构100为等离子体显示装置所使用的后基板，基板110上的第二表面114可以已完成任何等离子体显示区域190所需的组件，例如电极、阻隔壁、荧光体及封合层，此处为使附图简化，仅以平整的基板表示；通气孔120设置于等离子体显示区域190以外的基板110中，且由所述基板110的第一表面112贯穿至所述基板110的第二表面114；吸附层130形成于与通气孔120相邻的所述基板的第一表面上，且该吸附层为一活性薄膜，具有可吸附杂质(例如，溶剂、易挥发溶质、有机物质、水气、氧气、或其它粉尘)的特性，其适合的材料可以是镁化物、铝化物或锆化物，尤以氧化镁为佳。利用氧化镁作为吸附层的优点在于，氧化镁普遍作为前板的二次电子放射保护层，因此以氧化镁作为吸附层时可与前板共享相同的材料及设备。此外，形成吸附层130的方法例如可为溅镀法、蒸镀法、网印法、旋涂法或汽相沉积法等。
请参照图3，当面板结构100与相对应的面板结构150(此处为等离子体显示装置的前基板，为简化附图，也仅以一平整的基板表示)以封合层140进行组装后，将抽气-灌气管160设置于基板110的第一表面112上并覆盖通气孔120，以利于接续进行抽气-灌气步骤，其中，吸附层130形成在基板110的第一表面112上的范围可小于抽气-灌气管160所涵盖的基板110的第一表面112的范围，如图3所示。此外，吸附层130形成在基板110的第一表面112上的范围亦可大于抽气-灌气管160所涵盖的基板110的第一表面112的范围，如图4所示。在抽气过程中，部分不纯物质将经由抽气-灌气管160而被抽出。再者，残留的不纯物质亦可被气流带至抽气-灌气管160口及通气孔120附近而被吸附层130集中并予以吸附。因此，当进行灌气步骤时，不纯物质不会随放电气体进入显示区域190内。
在本发明的另一优选实施方式中，为增加吸附杂质的能力，吸附层130除了可形成于与通气孔120相邻的基板110的第一表面112外，亦可进一步延伸至所述通气孔的侧壁122上，如图5所示；且所述吸附层130还可进一步被形成于与通气孔120相邻的基板110的第二表面114上，请参照图6。
在本发明的其它优选实施方式中，所述改善等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的面板结构100还可包括一以封合材料170结合于所述基板110的第一表面112上并覆盖所述通气孔120的抽气-灌气管160，而吸附层130形成于所述抽气-灌气管160内的侧壁162上，请参照图7。此外，所述等离子体显示装置的面板结构100还可包括一第二吸附层132，该第二吸附层132形成于被抽气-灌气管160所覆盖的基板110的第一表面112上，如图8所示。第二吸附层132的形成于所述基板110的第一表面112的范围还可包括所述抽气-灌气管160所涵盖的所述基板110的第一表面112的范围，如图9所示。第二吸附层132还可被形成并延伸至所述通气孔120的侧壁122，且第二吸附层132可被形成于与通气孔120相邻的所述基板110的第二表面114上。第二吸附层132可由与第一吸附层130相同的材料构成。
此外，请参照图10，该图示出了本发明的改善了等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置200的一优选实施方式。该等离子体显示装置包括一后基板210、一前基板250、一封合层140、一显示区域190、一通气孔120及一吸附层130，其中，后基板210具有一第一表面112及一第二表面114，第二表面114位于第一表面112的相反侧；前基板250可配置于后基板210的下方，并以一第三表面116与后基板210的第二表面114相对；封合层140形成于后基板210与前基板250的四周，用以组装前基板250与后基板210并形成一封合空间；显示区域190形成于后基板210的第二表面114及前基板250的第三表面116之间的封合空间内；通气孔120由显示区域119之外的后基板210的第一表面112贯穿至第二表面114；且吸附层130形成于与通气孔120相邻的后基板210的第一表面112上。再者，等离子体显示装置200还可包括抽气-灌气管166，抽气-灌气管166的一端封合，一端与所述通气孔连通。
综上所述，本发明的改善等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置及其面板结构，在基板的通气孔附近的区域及(或)抽气-灌气管的内侧形成一吸附层，当进行抽气-灌气及封管步骤时，可有效地将在形成显示区域、抽气-灌气及封管过程中所产生的不纯物(impurity)集中并吸附于显示区域之外，以保持等离子体显示装置内的等离子体显示单元正常运作。
本发明所述的具有均匀放电特性的等离子体显示装置，借助于吸附层、抽气-灌气缓冲层及通气孔之间相互关系的设计，可有效地将抽气-灌气或封管过程中所产生的不纯物质集中于显示区外，并利用吸附层加以吸附，避免不纯物质污染显示区域而影响等离子体显示单元的放电特性，因而可得到均匀放电特性的等离子体显示装置。
本发明虽以优选实施方式被披露如上，然而，所述优选实施方式并非用以限定本发明的范围，本领域技术人员在不超出本发明的构思和保护范围的前提下，可以作出各种更改与润饰，因此本发明的保护范围应以后附的权利要求书为准。
权利要求
1.一种等离子体显示装置的面板结构，包括一基板，该基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一通气孔，该通气孔由所述基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；以及一第一吸附层，该吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的所述第一表面上。
2.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层进一步延伸至所述通气孔的侧壁。
3.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层进一步形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上。
4.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料包括镁化物、铝化物或锆化物。
5.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料为氧化镁。
6.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一抽气-灌气管，该抽气-灌气管一端封合，一端与所述通气孔连通。
7.如权利要求6所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一形成于所述抽气-灌气管的侧壁上的第二吸附层。
8.如权利要求6所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层形成在所述基板的第一表面的范围内，该范围不小于所述抽气-灌气管所涵盖的所述基板的第一表面的范围。
9.如权利要求7所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层由与所述第一吸附层相同的材料构成。
10.一种等离子体显示装置的面板结构，包括一基板，该基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一通气孔，该通气孔由所述基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；一抽气-灌气管，该抽气-灌气管以一封合材料结合于所述基板的所述第一表面上，并覆盖所述通气孔；以及一第一吸附层，该第一吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。
11.如权利要求10所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一形成于被所述抽气-灌气管所覆盖的所述基板的所述第一表面上的第二吸附层。
12.如权利要求11所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层形成于所述基板的所述第一表面的范围内，该范围不小于所述抽气-灌气管涵盖的所述基板的所述第一表面的范围。
13.如权利要求11所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层进一步形成并延伸至所述通气孔的侧壁。
14.如权利要求11所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层进一步形成于与所述通气孔相邻的所述基板的所述第二表面上。
15.如权利要求10所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料包括镁化物、铝化物或锆化物。
16.如权利要求10所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料为氧化镁。
17.如权利要求11所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层由与所述第一吸附层相同的材料构成。
18.一种等离子体显示装置，包括一第一基板，该第一基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一第二基板，其配置于所述第一基板的下方，并以一第三表面与所述第一基板的所述第二表面相对；一封合壁，其位于所述第一基板与所述第二基板的四周，用以封合所述第一基板与所述第二基板；一形成于所述第一基板的所述第二表面及所述第二基板的所述第三表面之间的显示区域；一通气孔，该通气孔由所述显示区域之外的所述第一基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；以及一第一吸附层，该第一吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的所述第一表面上。
19.如权利要求18所述的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层进一步延伸至所述通气孔的侧壁。
20.如权利要求18所述的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层进一步被形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的所述第二表面上。
21.如权利要求18所述的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层的材料包括镁化物、铝化物或锆化物。
22.如权利要求18所述的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层的材料为氧化镁。
23.如权利要求18所述的等离子体显示装置，其中，还包括一抽气-灌气管，该抽气-灌气管以一封合材料结合于所述第一基板的所述第一表面上，一端封合，一端与所述通气孔相连；以及一第二吸附层，该第二吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。
24.如权利要求23所述的等离子体显示装置，其中，所述第二吸附层由与所述第一吸附层相同的材料构成。
全文摘要
本发明公开了一种等离子体显示装置及其面板结构。主要目的在于利用吸附层吸附在抽气过程中集中于通气孔附近及抽气－灌气管内的不纯物质，避免因抽气－烘烤步骤控制不当或残留于抽气－灌气管孔隙中的不纯物质通过后续的灌气或封管步骤再进入显示区域内而造成等离子体显示单元的放电特性异常，以进一步防止出现等离子体显示装置局部区域图象质量不均的现象。
文档编号H01J17/16GK1564301SQ20041003005
公开日2005年1月12日 申请日期2004年3月18日 优先权日2004年3月18日
发明者陈柏丞, 吴俊翰 申请人:友达光电股份有限公司