专利名称：伞形栅极阵列结构的平板显示器及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于平面显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到带有伞形栅极阵列结构的、碳纳米管阴极的场致发射平面显示器件的制作工艺。
背景技术：
碳纳米管是一种同轴的管状物质，在外加电压的作用下能够发射出大量的电子，它具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率，良好的场致发射特性以及优良的物理化学稳定性，是一种相当优秀的冷阴极发射材料，已经引起了众多研究人员的高度关注。利用碳纳米管作为阴极材料的平板显示器是一种新兴的场致发射类型显示器件，具有高亮度、平面化以及高清晰度等优点，其应用越来越广泛，未来具有相当大的发展空间。
为了有效的降低总体器件成本，降低器件的工作电压，以便于能够和常规的集成驱动电路结合到一起，制作三极结构的场致发射显示器件已经成为了一种必然的选择。在三极结构的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件当中，控制栅极结构是比较关键的元件之一，它对碳纳米管阴极的电子发射起着十分必要的控制作用。无论是制作控制栅极的材质，制作工艺，还是控制栅极的结构形式等，都是研究人员们值得重视的方面。目前，大多数平板显示器中都选择了控制栅极位于碳纳米管阴极上方的结构形式，即高栅结构。这种栅极结构的强有力控制作用明显，制作工艺比较简单，但是所形成的栅极电流比较大，控制栅极电压比较高，这是其不利之处。那么，应该如何对这种结构进行改进，使之既能够充分利用这种栅极结构的强有力控制作用，加大对碳纳米管阴极电子发射的管制，同时还要有效的减小栅极电流，降低栅极工作电压，这是需要值得思考和研究的现实问题。如何在充分利用直接生长法制备碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性的基础上，将控制栅极结构和碳纳米管阴极结构有机的结合到一起，从而促进整体器件的高度集成化发展，以及如何选择适合的栅极结构形式，如何选择适合的栅极制作工艺，等等，这些都是需要重点考虑的现实问题。
此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有伞形栅极阵列结构的平板显示器件及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极面板上制作有伞形栅极阵列结构。
所述的伞形栅极结构包括阴极面板、设置在阴极面板上的栅极导电层、设置在栅极导电层上面的掺杂多晶硅层，其中掺杂多晶硅层的形状为一个伞形结构，刻蚀后的绝缘隔离层覆盖住全部掺杂多晶硅层，绝缘隔离层将栅极导电层和阴极导电层相互隔离开来，阴极导电层存在于相邻伞形掺杂多晶硅层中间的位置，并存在于和阴极面板相平行的平面上，阴极导电层的上面存在催化剂金属层，在催化剂金属层上制备有碳纳米管阴极。
栅极导电层为锡铟氧化物膜层、金属层之一，栅极导电层的上面的掺杂多晶硅层为n型或为p型。所述的绝缘隔离层为二氧化硅层，刻蚀后的绝缘隔离层覆盖住全部掺杂多晶硅层和栅极导电层，阴极导电层为金属金、银、铜、铝、锡、铟、钼之一，阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的。所述的催化剂金属层为金属铁、钴、镍之一。
一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下1)、阴极而板的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极面板；2)、栅极导电层的制作在阴极面板上蒸镀一层金属铬，然后结合常规的光刻工艺，对金属铬层进行刻蚀，形成栅极导电层；3)、掺杂多晶硅层的制作在栅极导电层的上面制备出掺杂多晶硅层，然后结合常规的光刻工艺，对掺杂多晶硅层进行刻蚀；刻蚀后的多晶硅层的形状为一个伞形结构，4)、绝缘隔离层的制作在阴极面板的上面制备出一层二氧化硅层，然后结合常规的光刻工艺，对二氧化硅层进行刻蚀，形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层要覆盖住全部掺杂多晶硅层和栅极导电层，此绝缘隔离层将栅极导电层和阴极导电层相互隔离开来；5)、阴极导电层的制作在绝缘隔离层的上面蒸镀上一个金属层，然后结合常规的光刻工艺，对金属钼层进行刻蚀，形成阴极导电层；刻蚀后的阴极导电层仅仅存在于相邻伞形掺杂多晶硅结构中间的位置，并且仅仅存在于和阴极面板相平行的平面上，其余位置的阴极导电层需要去除掉；阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的；6)、催化剂金属层的制作在阴极导电层上蒸镀一层金属，然后结合常规的光刻工艺，对金属层进行刻蚀，形成催化剂金属层；7)、碳纳米管阴极的生长利用催化剂金属层作为生长碳纳米管用的催化剂，结合低温直接生长法，在阴极导电层的表面生长出碳纳米管阴极；8)、阳极玻璃面板的制作对整体平板玻璃进行裁剪，制作出阳极玻璃面板；9)、阳极电极层的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；结合常规的光刻工艺，对锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极电极层；10)、绝缘浆料层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度150℃，保持时间5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度580℃，保持时间10分钟；11)、荧光粉层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度120℃，保持时间10分钟；12)、器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定，13)、成品制作对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果本发明中的最主要特点在于制作了伞形栅极阵列结构，并制作了带有伞形栅极阵列结构的、碳纳米管阴极的场致发射平板发光显示器件。
首先，在本发明中的伞形栅极阵列结构中，制作的伞形栅极对碳纳米管阴极的电子发射起着强有力的控制作用。当在伞形栅极上施加适当电压以后，在碳纳米管阴极表面顶端就会形成强大的电场强度，迫使碳纳米管阴极发射出大量的电子，在阳极高电压的作用下向阳极高速运动，轰击荧光粉层而发出可见光。制作的伞形栅极会在碳纳米管阴极的顶部和侧向都施加强大的电场强度，有助于进一步增加碳纳米管顶端表面的电场强度，有利于进一步提高碳纳米管阴极的电子发射效率，增高显示器件的显示亮度，提高整体器件的制作成功率，显著提高了器件的发光效率。此外，在本发明中的伞形栅极阵列结构中，是在全部栅极结构都制作完毕的情况下，最后才进行碳纳米管阴极的生长，也就是说碳纳米管阴极的制作不受到其它显示器件工艺的影响，也就极大地减少了碳纳米管阴极的损伤；其次，在本发明的伞形栅极阵列结构中，伞形栅极结构和碳纳米管阴极之间用绝缘隔离层相互隔离开来，不会导致二者之间短路现象的出现。这样，通过有效的控制绝缘隔离层的厚度，就可以有效地控制阴极和栅极之间的距离，也可以进一步的缩减二者之间的有效距离，从而降低整体显示器件的工作电压；由于阴极和栅极之间用绝缘隔离层完全隔离开来，因此不必担心二者之间短路打火现象的发生，极大地提高了整体器件的制作成功率；制作了阴极导电层，在阴极导电层的基础上制作了催化剂金属层，利用低温直接生长法制备了碳纳米管阴极，这样就充分利用了直接生长法制备碳纳米管阴极的良好的场致发射特性，有助于进一步增大整体器件的电子发射电流，增大碳纳米管阴极的发射电流均匀性，提高碳纳米管阴极的发射电流密度；第三，在本发明中的伞形栅极阵列结构中，在阴极导电层的上面制作了催化剂金属层，这就为后续工艺中的碳纳米管阴极的生长作了充分的准备，这样就可以在阴极导电层的表面直接生长碳纳米管阴极了，也就使得栅极结构和碳纳米管阴极结构高度集成到一起，既简化了整体器件的制作工艺，同时也有利于进一步提高整体器件的显示分辨率。
此外，在本发明中的伞形栅极阵列结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。
图1给出了伞形栅极阵列结构的纵向结构示意图；图2给出了伞形栅极阵列结构的横向结构示意图；图3给出了带有伞形栅极阵列结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。
本发明包括由阴极面板1、阳极面板11和四周玻璃围框8所构成的密封真空腔；在阳极而板11上有光刻的阳极导电层12以及制备在阳极导电层12上面的荧光粉层14；支撑墙结构9以及消气剂附属元件10，在阴极面板1上制作有伞形栅极阵列结构。
所述的伞形栅极结构包括阴极面板1、设置在阴极面板1上的栅极导电层2、设置在栅极导电层2上面的掺杂多晶硅层3，其中掺杂多晶硅层3的形状为一个伞形结构，刻蚀后的绝缘隔离层4覆盖住全部掺杂多晶硅层3，绝缘隔离层4将栅极导电层2和阴极导电层5相互隔离开来，阴极导电层5存在于相邻伞形掺杂多晶硅层3中间的位置，并存在于和阴极面板相平行的平面上，阴极导电层5的上面存在催化剂金属层6，在催化剂金属层6上制备有碳纳米管阴极7。
栅极导电层2为锡铟氧化物膜层、金属层之一，栅极导电层2的上面的掺杂多晶硅层为n型或为p型。
所述的绝缘隔离层4为二氧化硅层，刻蚀后的绝缘隔离层覆盖住全部掺杂多晶硅层3和栅极导电层2，阴极导电层为金属金、银、铜、铝、锡、铟、钼之一，阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的。所述的催化剂金属层6为金属铁、钴、镍之一。
本发明中的伞形栅极结构包括阴极玻璃面板、栅极导电层、掺杂多晶硅层、绝缘隔离层、阴极导电层、催化剂金属层、碳纳米管阴极部分，并采用如下的工艺进行制作1、阴极玻璃面板的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2、栅极导电层的制作在阴极面板上蒸镀一层金属铬，然后结合常规的光刻工艺，对金属铬层进行刻蚀，形成栅极导电层；3、掺杂多晶硅层的制作在栅极导电层的上面制备出n型掺杂多晶硅层，然后结合常规的光刻工艺，对掺杂多晶硅层进行刻蚀；刻蚀后的多晶硅层应具有如下的形状，即其基本形状为一个伞形结构，即通过对掺杂多晶硅层进行刻蚀，除掉多余部分；4、绝缘隔离层的制作在阴极面板的上面制备出一层二氧化硅层，然后结合常规的光刻工艺，对二氧化硅层进行刻蚀，形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层要覆盖住全部掺杂多晶硅层和栅极导电层，此绝缘隔离层将栅极和阴极相互隔离开来；5、阴极导电层的制作在绝缘隔离层的上面蒸镀上一个金属钼层，然后结合常规的光刻工艺，对金属钼层进行刻蚀，形成阴极导电层；刻蚀后的阴极导电层应该具有如下的形状，即阴极导电层仅仅存在于相邻伞形掺杂多晶硅结构中间的位置，并且仅仅存在于和阴极面板相平行的平面上，其余位置的阴极导电层需要去除掉；阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的；6、催化剂金属层的制作在阴极导电层上蒸镀一层金属钴，然后结合常规的光刻工艺，对金属钴层进行刻蚀，形成催化剂金属层；7、伞形栅极阵列结构的表面清洁处理对伞形栅极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；8、碳纳米管阴极的生长利用催化剂金属层作为生长碳纳米管用的催化剂，结合低温直接生长法，在阴极导电层的表面生长出碳纳米管阴极；9、碳纳米管阴极的后处理对碳纳米管阴极进行后处理，进一步改善碳纳米管阴极的场致发射特性。
本发明中带有伞形栅极阵列结构的碳纳米管场致发射平板显示器的制作工艺如下
1、阴极玻璃面板的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2、栅极导电层的制作在阴极面板上蒸镀一层金属铬，然后结合常规的光刻工艺，对金属铬层进行刻蚀，形成栅极导电层；3、掺杂多晶硅层的制作在栅极导电层的上面制备出n型掺杂多晶硅层，然后结合常规的光刻工艺，对掺杂多晶硅层进行刻蚀；刻蚀后的多晶硅层应具有如下的形状，即其基本形状为一个伞形结构，即通过对掺杂多晶硅层进行刻蚀，除掉多余部分；4、绝缘隔离层的制作在阴极面板的上面制备出一层二氧化硅层，然后结合常规的光刻工艺，对二氧化硅层进行刻蚀，形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层要覆盖住全部掺杂多晶硅层和栅极导电层，此绝缘隔离层将栅极和阴极相互隔离开来；5、阴极导电层的制作在绝缘隔离层的上面蒸镀上一个金属钼层，然后结合常规的光刻工艺，对金属钼层进行刻蚀，形成阴极导电层；刻蚀后的阴极导电层应该具有如下的形状，即阴极导电层仅仅存在于相邻伞形掺杂多晶硅结构中间的位置，并且仅仅存在于和阴极面板相平行的平面上，其余位置的阴极导电层需要去除掉；阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的；6、催化剂金属层的制作在阴极导电层上蒸镀一层金属钴，然后结合常规的光刻工艺，对金属钴层进行刻蚀，形成催化剂金属层；7、伞形栅极阵列结构的表面清洁处理对伞形栅极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；8、碳纳米管阴极的生长利用催化剂金属层作为生长碳纳米管用的催化剂，结合低温直接生长法，在阴极导电层的表面生长出碳纳米管阴极；9、碳纳米管阴极的后处理对碳纳米管阴极进行后处理，进一步改善碳纳米管阴极的场致发射特性。
10、阳极玻璃面板的制作对整体钠钙平板玻璃进行裁剪，制作出阳极玻璃面板；11、阳极电极层的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；结合常规的光刻工艺，对锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极电极层；12、绝缘浆料层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度150℃，保持时间5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度580℃，保持时间10分钟)；13、荧光粉层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度120℃，保持时间10分钟)；14、器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定。
15、成品制作对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
本发明中的带有伞形栅极阵列结构的平板发光显示器制作了伞形栅极阵列结构，在充分利用直接生长法制备的碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性的基础上，进一步加强了对碳纳米管阴极电子发射的控制；降低了器件的工作电压，提高了碳纳米管阴极的电子发射效率。
本发明中的伞形栅极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极面板上；本发明中的伞形栅极阵列结构中的栅极结构和阴极结构是高度集成到一起的；本发明中的伞形栅极阵列结构中的栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射；本发明中的伞形栅极阵列结构中的衬底材料为大型、具有相当良好的耐热性和可操作性、成本低廉的高性能绝缘材料；本发明中的伞形栅极阵列结构中的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃，硼硅玻璃，也就是显示器件的阴极面板；本发明中的伞形栅极阵列结构中的阴极面板上存在栅极导电层，可以结合常规的光刻工艺进行刻蚀；本发明中的伞形栅极阵列结构中的栅极导电层可以为锡铟氧化物膜层，也可以为金属层，如金属金、银、钼、铬、铝、钨、锡；本发明中的伞形栅极阵列结构中的栅极导电层的上面存在一个掺杂多晶硅层，可以结合常规的光刻工艺进行刻蚀；本发明中的伞形栅极阵列结构中的掺杂多晶硅层可以为n型，也可以为p型；本发明中的伞形栅极阵列结构中的掺杂多晶硅层可以为一层，也可以为多层；本发明中的伞形栅极阵列结构中的刻蚀后的多晶硅层应具有如下的形状，即其基本形状为一个伞形结构，即通过对掺杂多晶硅层进行刻蚀，除掉多余部分；本发明中的伞形栅极阵列结构中的阴极面板上存在一个绝缘隔离层，为二氧化硅层，可以结合常规的光刻工艺进行刻蚀；本发明中的伞形栅极阵列结构中的刻蚀后的绝缘隔离层要覆盖住全部掺杂多晶硅层和栅极导电层，此绝缘隔离层将栅极和阴极相互隔离开来；本发明中的伞形栅极阵列结构中的绝缘隔离层的上面存在一个阴极导电层，可以结合常规的光刻工艺进行刻蚀；本发明中的伞形栅极阵列结构中的刻蚀后的阴极导电层应该具有如下的形状，即阴极导电层仅仅存在于相邻伞形掺杂多晶硅结构中间的位置，并且仅仅存在于和阴极面板相平行的平面上，其余位置的阴极导电层需要去除掉；本发明中的伞形栅极阵列结构中的阴极导电层为金属层，可以为金属金、银、铜、铝、锡、铟、钼；本发明中的伞形栅极阵列结构中的阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的；本发明中的伞形栅极阵列结构中的阴极导电层的上面存在一个催化剂金属层，可以结合常规的光刻工艺进行刻蚀；本发明中的伞形栅极阵列结构中的催化剂金属层可以为金属铁、钴、镍；本发明中的伞形栅极阵列结构中可以利用催化剂金属作为催化剂来制备碳纳米管阴极。
权利要求
1.一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，包括由阴极面板[1]、阳极面板[11]和四周玻璃围框[8]所构成的密封真空腔；在阳极面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层[12]上面的荧光粉层[14]；支撑墙结构[9]以及消气剂附属元件[10]，其特征在于在阴极面板[1]上制作有伞形栅极阵列结构。
2.根据权利要求1所述的一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，其特征在于所述的伞形栅极结构包括阴极面板[1]、设置在阴极面板[1]上的栅极导电层[2]、设置在栅极导电层[2]上面的掺杂多晶硅层[3]，其中掺杂多晶硅层[3]的形状为一个伞形结构，刻蚀后的绝缘隔离层[4]覆盖住全部掺杂多晶硅层[3]，绝缘隔离层[4]将栅极导电层[2]和阴极导电层[5]相互隔离开来，阴极导电层[5]存在于相邻伞形掺杂多晶硅层[3]中间的位置，并存在于和阴极面板相平行的平面上，阴极导电层[5]的上面存在催化剂金属层[6]，在催化剂金属层[6]上制备有碳纳米管阴极[7]。
3.根据权利要求2所述的一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，其特征在于栅极导电层[2]为锡铟氧化物膜层、金属层之一，栅极导电层[2]的上面的掺杂多晶硅层为n型或为p型。
4.根据权利要求2所述的一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，其特征在于所述的绝缘隔离层[4]为二氧化硅层，刻蚀后的绝缘隔离层覆盖住全部掺杂多晶硅层[3]和栅极导电层[2]，阴极导电层为金属金、银、铜、铝、锡、铟、钼之一，阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的。
5.根据权利要求2所述的一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器，其特征在于所述的催化剂金属层[6]为金属铁、钴、镍之一。
6.一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于其制作工艺如下1)、阴极面板的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极面板[1]；2)、栅极导电层的制作在阴极面板上蒸镀一层金属铬，然后结合常规的光刻工艺，对金属铬层进行刻蚀，形成栅极导电层[2]；3)、掺杂多晶硅层的制作在栅极导电层[2]的上面制备出掺杂多晶硅层[3]，然后结合常规的光刻工艺，对掺杂多晶硅层进行刻蚀；刻蚀后的多晶硅层的形状为一个伞形结构，4)、绝缘隔离层的制作在阴极面板的上面制备出一层二氧化硅层，然后结合常规的光刻工艺，对二氧化硅层进行刻蚀，形成绝缘隔离层[4]；刻蚀后的绝缘隔离层要覆盖住全部掺杂多晶硅层[3]和栅极导电层[2]，此绝缘隔离层将栅极导电层[2]和阴极导电层[5]相互隔离开来；5)、阴极导电层的制作在绝缘隔离层[4]的上面蒸镀上一个金属层，然后结合常规的光刻工艺，对金属钼层进行刻蚀，形成阴极导电层[5]；刻蚀后的阴极导电层仅仅存在于相邻伞形掺杂多晶硅结构中间的位置，并且仅仅存在于和阴极面板相平行的平面上，其余位置的阴极导电层需要去除掉；阴极导电层和栅极导电层的走向是相互垂直的；6)、催化剂金属层的制作在阴极导电层[5]上蒸镀一层金属，然后结合常规的光刻工艺，对金属层进行刻蚀，形成催化剂金属层[6]；7)、碳纳米管阴极的生长利用催化剂金属层作为生长碳纳米管用的催化剂，结合低温直接生长法，在阴极导电层的表面生长出碳纳米管阴极[7]；8)、阳极玻璃面板的制作对整体平板玻璃进行裁剪，制作出阳极玻璃面板；9)、阳极电极层的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；结合常规的光刻工艺，对锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极电极层；10)、绝缘浆料层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度150℃，保持时间5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度580℃，保持时间10分钟；11)、荧光粉层的制作结合丝网印刷工艺，在阳极电极层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度120℃，保持时间10分钟；12)、器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定，13)、成品制作对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
全文摘要
本发明特别涉及到带有伞形栅极阵列结构的平板显示器及其制作工艺，带有伞形栅极阵列结构的平板显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极面板上制作有伞形栅极阵列结构，在充分利用直接生长法制备的碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性的基础上，进一步加强了对碳纳米管阴极电子发射的控制；降低了器件的工作电压，提高了碳纳米管阴极的电子发射效率，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
文档编号H01J9/00GK1794407SQ20051010734
公开日2006年6月28日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者李玉魁 申请人:中原工学院