场增强等离子体显示面板的制作方法

专利名称：场增强等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及用作平板显示器的彩色等离子体显示面板(彩色PDP)中 的电场增强材料和电子发射材料。更具体地，本发明提供纳米管、纳米线、 纳米带、纳米锥、微米管、和微米纤维、以及纳米笼状材料和复合纳米结 构，使用这些材料增强电场以减小放电驱动电压和增加用作引火源的发射 电子而更快地寻址。
背景技术：
多数商业等离子体显示面板(PDP)属于表面放电类型。下面参照附 图说明现有技术等离子体显示面板的构造。
图l示出了彩色等离子体显示面板的示意性构造。AC彩色PDP包括 具有用于每行像素点的维持电极111和112的前板(前玻璃141) 110。还 对具有电极111和112的前板110覆盖介质玻璃层113和由氧化镁(MgO) 制成的保护层114。
常规PDP还包括背板115，在背板上以介质层117覆盖、并以障肋118 隔开多个列寻址电极116(也称为数据电极)。将红色荧光粉层120、绿色 焚光粉层121、和蓝色焚光粉层122置于介质层117上面。
在表面i文电式PDP中，如图2所示，惰性气体混合物例如Ne - Xe填 充在前板组件210 - 214和背板组件215 - 221之间的空间225。
参照图2，障肋218隔开彩色面板并与维持电极211 —起形成子像素 200。由维持电极间维持电压所产生的气体放电产生分别激发红色、绿色、 和蓝色荧光粉层以发射可见光的真空紫外(VUV)光。例如，如图2所示， VUV光激发子像素200中的绿色荧光粉221以由绿色荧光粉层产生绿光。图3示出了限定为一个区域的子像素,其包括前板上透明维持电极311 (及其相邻的总线电极310)和扫描电极312 (及其相邻的总线电极313) 的电极对与背板上数据电极316的交点。
由维持间隙330的几何形状、介质层、气体混合物、和前板上保护 MgO层314的二次电子发射系数确定PDP的运行维持电压。维持放电中 所产生的可见光决定彩色PDP的亮度。由维持放电之前通it^J'司隙331的 寻址放电完成维持放电的触发，这一点将在后面说明。通过适当控制维持 电极和寻址电极上的驱动电压而生成全彩色图象。
为在等离子体显示面板上显示来自视频信号源的全彩色图象，需要适 当的驱动方案以获得足够的灰度级和最小的运动图象失真。在AC等离子 体显示面板中，获得像素中灰度级所广泛采用的驱动方案是Shinoda提出 的所谓ADS (隔开的寻址显示器)(Yoshikawa K， Kanazawa Y, Wakitani W, Shinoda T and Ohtsuka A, 1992 Japan. Display 92， 605)。
参照图4可以看出，在该方法中将16.7毫秒的帧时间(一个TV帧) 如图4所示分成八个子帧。将八个子帧的每个进一步分为寻址周期和维持 周期。先前寻址的像素被点亮(turnon)并在维持周期期间发光。维持周 期的持续时间取决于子帧。通过在寻址周期期间控制对指定像素的寻址， 可将像素强度改变至256个灰度级中的任何一个。
如图4所示，因为在每个子帧中必须对每行显示器进行寻址，所以寻 址所用时间消耗大部分帧时间(16.7ms)。为尽可能减小时间调制亮度方 案如ADS造成的运动图象失真(MPD)，需要更多子帧例如10到12个 子帧来克服这个问题。用作HDTV (高清晰度TV， 720p，或者1080i)装 置乃至FHD (全高清晰度TV, 1080p)的等离子体显示面板需要更多行以 显示更好的图象。每个子帧中的扫描脉冲时序是每个水平行(扫描电极) 寻址时间的总和。TV显示帧(16.7ms)中的总扫描时间是子帧数和每个 子帧中扫描脉冲时序的乘积。更多的子帧和更高分辨率的PDPTV装置需 要较短的总扫描时间以为确定显示器亮度的维持周期留出足够时间。该要 求转换成每个子帧中更快的寻址。为实现快速可靠的寻址，应当使板间隙放电启动的延迟时间尽可能地短，并使放电抖动尽可能地低。
由越过板间隙中气体的电场确定也称为建立延迟的放电启动延迟时 间。越过气体的电场越强，放电的建立延迟就越短。放电抖动，也称为统
计延迟，主要取决于在寻址时间出现的引火颗粒(uv光子、电子、离子、
和亚稳原子)数量。在寻址时间留下的更多引火颗粒降低寻址期间发生的 抖动(更短的统计延迟)。
为降低数据驱动电路的成本，施加在数据电极上的寻址电压保持在
80V以下。本发明的目标在于在板间隙中提供更强的场而不提高寻址电压。 甚至降低该电压也是可能的。另一个目标在于提供寻址时更好的引火条件。 因此，可实现快速寻址的目标。

发明内容
等离子体显示面板(PDP)的性能。极快的寻址时间(<lps)可为更多子 帧提供更多时间，这一点可产生更高分辨率，和/或为维持放电提供更多时 间，这一点可提高亮度。
为实现上述目标，将场增强材料例如纳米管、纳米线、纳米带、纳米 树、纳米锥、纳米纤维、微米管、微米线、微米锥、微米纤维、纳米笼状 材料或者其组合添加到背板结构中以降低板间隙(前板和背板间间隙)的 击穿电压，并增加引火颗粒而使寻址快得多。
因此，本发明提供气体放电设备，包括多个电极和设置在电极上的场 增强材料，其中将该多个电极和场增强材料密封在含有可放电气体的腔中， 从而使场增强材料暴露在可放电气体中。
本发明还提供荧光粉层/膜，例如设置在M上的红色、绿色或者蓝色 荧光粉层，该荧光粉层/膜包拾没置在荧光粉层/膜表面上或者埋置其中的场 增强材料。
本发明还提供实现上述目标的等离子体显示面板。该等离子体显示器 包括具有多个障肋的第一14l;设置在第一a上的第二^141，从而障肋形成笫一基板和笫二基板之间用于容纳可放电气体的腔；设置在该腔中 的场增强材料；以及在由多个障肋隔开的第一和第二141上的多个电极， 其中该腔含有可放电气体使得场增强材料暴露在可放电气体中。
一方面，根据本发明的等离子体显示面板包括具有用于每行像素点的 扫描电极和维持电极的前板；具有设置在其上的多个列寻址电极的背板； 覆盖该列寻址电极的介质层；设置在介质层上方并隔开列寻址电极的多个 障肋，所述列寻址电极与所述障肋间隔地相邻；和设置在障肋间的介质层 上的荧光粉层；其中每个荧光粉层包括设置在每个荧光粉层表面上或者埋 置其中的场增强材料。
另一方面，根据本发明的等离子体显示面板包括，具有用于每行像素 点的扫描电极和维持电极的前板；具有设置其上的多个列寻址电极的背板； 覆盖该列寻址电极的介质层；设置在介质层上方并隔开列寻址电极的多个 障肋，所述列寻址电极与所述障肋间隔地相邻；和顺序设置在障肋间的介 质层上的红色焚光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层；其中每个红色荧 光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层包括^殳置在每个荧光粉层表面上或 者埋置其中的场增强材料。
优选，场增强材料为纳米材料，例如碳纳米管或者纳米笼。背板中所 用的碳纳米管/笼(CNT )提供板间隙内的强大的场增强和良好的电子发射。 通过碳纳米管(CNT)的场增强有助于减小板间隙的击穿电压，这一点使 得寻址时间大大减少或者寻址电压降低。
从碳纳米管(CNT)发射的电子还改进寻址放电的引火环境。因此， 可实现更快的寻址。
这些以及其它优点将通过参照附图对本发明的详细描述而清晰。


图l是常规彩色等离子体显示器结构的示意图(现有技术)；
图2是AC彩色等离子体显示器单个子像素结构的示图(现有技术)；
图3是子像素中电极、维持间隙、板间隙的示图(现有技术)；图4是寻址显示分离(ADS)灰度级技术的驱动方案(现有技术)； 图5是常规荧光粉层的截面图(现有技术)；
图6是在荧光粉层上的并与荧光粉层混合的场增强材料碳纳米管 (CNT)的示图7是与随意设置的场增强材料碳纳米管(CNT)混合的荧光粉的示
图8是埋置在荧光粉层/膜中的阵列纳米管或纳米线材料的示图9是仅具有荧光粉层的常规结构、具有荧光粉层覆盖的碳纳米管的
结构、和具有埋置在荧光粉层中但仍然暴露在放电气体中的碳纳米管材料
结构的寻址放电建立延迟之间的比较；
图10是仅具有荧光粉层的常规结构、具有荧光粉层覆盖的碳纳米管的
结构、和具有埋置在荧光粉层中但仍然暴露在放电气体中的碳纳米管材料
结构的寻址放电统计延迟之间的比较；
图11是在荧光粉层下具有碳纳米管层的背板结构的示图(现有技术)； 图12是置于数据电极上方和扫描总线电极下方区域中的场增强材料
示图13示出了本发明的彩色等离子体显示面板的总体实施例。 优选实施方式
本发明包括气体放电设备中的场增强材料。将该场增强材料设置在电 极上并且直接暴露在可放电气体中。还以介质和设置在介质材料表面上的 场增强材料覆盖该电极。
根据本发明的气体放电设备中场增强材料可以是碳、硅、二氧化硅、 锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、氧化锌、铟锡氧化物、氧化锡、(TCO) 或其组合。
优选，场增强材料是例如如下的形态纳米管、纳米线、纳米带、纳 米树、纳米锥、纳米纤维、微米管、微米线、微米锥、微米纤维、纳米笼 状材料及其组合或复合物，其直径处于l-100nm的范围；或者微米管、微维，其直径处于0.1pm到100pm的范围，或者上 述两类的组合。优选，纳米材料是碳纳米管或碳纳米笼。
在本发明上下文中的术语"内置"意味着设置在材料表面附近、部分 地或者完全地埋置其中。优选，将场增强材料内置在荧光粉材料的至少一 部分表面上。然而，可以将其内置在荧光粉层的全部表面上或者设置在荧 光粉层全部主体内部。
优选，可放电气体包括如下至少一种元素氙、氖、氩、氦、氪、汞、 氮、氧、氟和钠。
图13示出了本发明的彩色等离子体显示面板的总体实施例。彩色等离 子体显示面板(PDP)包括具有用于每行像素点的扫描电极1311和维持电 极1312的前板(前玻璃基板)1310。还以介质玻璃层1313和由氧化镁 (MgO)制成的保护层1314覆盖具有电极1311和1312的前板1310。等 离子体显示面板(PDP)还包括背板1315，在背板1315上以介质层1317 覆盖多个列寻址电极1316 (也称作数据电极)并以障肋1318隔开多个列 寻址电极1316。将红色焚光粉层1320、绿色荧光粉层1321、和蓝色荧光 粉层1322设置在介质层1317上。根据本发明的等离子体显示面板(PDP) 包拾没置在荧光粉层表面上或者埋置在荧光粉层1320、 1321、和1322中 的场增强材料1323。
常规背板结构包括寻址电极、介质玻璃层、障肋、和背板玻璃基板上 的焚光粉层。该焚光粉层包括三种发出红色、绿色、和蓝色的不同荧光粉。 常规等离子体显示面板的荧光粉层是用于红色的(Y，Gd)B03:Eu"、用于绿 色的(Y,G)B03:Tb3+和Zn2Si04:Mn2+的混合物、和用于蓝色的 BaMgAl10O17:Eu2+。
根据本发明的等离子体显示面板中的场增强材料可以是碳、硅、二氧 化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物、 (TCO )或其组合。
优选，场增强材料是例如如下的形态纳米管、纳米线、纳米带、纳 米树、纳米锥、纳米纤维、纳米笼或其组合，其直径处于l-100nm的范围；
15或者微米管、微米线、微米锥、和微米纤维，其直径处于G.ljim到100pm 的范围，或者上述两类的组合。优选，纳米材料是碳纳米管纳米笼。
可以将场增强材料施加到红色、绿色和蓝色荧光粉层每个的一部分上 或全部层上，或者将其埋置在红色、绿色和蓝色荧光粉层每个的一部分上 或全部红色、绿色和蓝色荧光粉层中。
图12示出了将场增强材料1204施加到一部分荧光粉层1203上的一个 实例。在该特别情形中，将场增强材料1204置于数据电极1202上选定区 域中和扫描总线电极1201区域下。埋置在一部分焚光粉层中或者涂敷在其 上的场增强材料不限于该实例。
场增强材料可以是场增强纳米材料的对齐阵列。优选，至少一部分场 增强纳米材料是场增强纳米材料的对齐阵列。
根据本发明的等离子体显示面板还包括粘接场增强材料的粘接材料， 该粘接材料可以是荧光粉材料。
在一个实施例中，场增强材料出现在无焚光粉区域。该无焚光粉区域 是背板中没有由荧光粉层覆盖的区域，例如像素间区域。
根据本发明的等离子体显示面板还包括埋置在红色、绿色和蓝色荧光 粉层中或者背板组件的无荧光粉区域中的场增强端部。本发明还包括具有
场增强材料或者结构的任何背板结构。
例如可以以如下方法在背板障肋上形成场增强材料
(a) 电泳沉积；
(b) 丝网印刷场增强材料；
(c) 通过喷墨工艺印刷；或者
(d) 在背板的障肋上气雾罐喷涂场增强材料。
通常在非常高的温度下(例如，根据荧光粉组成大约为1200°C )点火 常规等离子体显示面板中使用的荧光粉，在该温度下晶体可能成为球状并 且尺寸为2到10pm。通过喷墨印刷或者丝网印刷含荧光粉颗粒和媒介物 (有机膏)的混合物而形成荧光粉层。然后在大约450。C-550。C的温度下 点火面板以去除膏剂中的有机粘接剂成份。参照图5可以看出，荧光粉层在如图5所示的粘接剂烧除过程之后通 常具有荧光粉颗粒500之间的空隙501。
背板中常规的等离子体显示面板材料(包括荧光粉层)在寻址放电期 间通常没有良好的引火颗粒。本发明想要将场增强和电子发射材料置于背 板中以降低板间隙中的击穿电压或者促进引火颗粒的电子发射。
板间隙击穿电压取决于气体混合物、跨越间隙的电场、和前板上MgO 膜与背板中荧光粉层的二次电子发射系数。纳米管、纳米线或纳米锥纳米 笼状材料具有当施加电压时可产生大电场增强的针形结构(Bonard， J. M., Kind, H,， Stoc叫T., and Nilsson， L. A., Solid-State Electronics, 45, (6)， 893-914,2001 )。
因此，本发明还提供例如如下的荧光粉层设置在a上的红色、绿 色或蓝色焚光粉层，该荧光粉层包括设置在荧光粉层表面上或者埋置在其 中的场增强材料。可将场增强材料至少施加到每个荧光粉层的一部分(或 者所有)表面上，或者可将其埋置在每个荧光粉层的至少一部分(或者整 体)中。
所述荧光粉层即红色、绿色或蓝色荧光粉层可应用于荧光灯、放电灯、 等离子体显示面板、场致发射面板、和其它使用荧光粉层的发射型显示器。
尽管已经将纳米管材料例如碳纳米管作为电子发射端部应用于场致发 射显示器(FED)中，但是在本发明前没有将那些场增强材料成功地应用 于等离子体显示面板中。
在本发明中，将纳米管、纳米线或纳米锥材料埋置在数据电极区域上 方荧光粉层的表面上或者至少接近于该荧光粉层的顶面，产生越it^间隙 中气体的大场增强。因此期望较低的寻址电压。如果场增强材料',是良 好的电子发射体，那么增加的电子发射产生更好的激发。这一点可以减小 寻址放电的统计延迟(抖动)，并且可进一步降低寻址时间。
为实现上述目标，场增强材料必须与等离子体显示面板中电极区域上 的气体混合物紧密接触。碳纳米管(CNT)以其场增强性能和作为电子发 射体而广为所知。发明人已经开发出几种将纳米材料例如碳纳米管(CNT)置于背板结 构中的技术。下面的非限制性实例说明了一些这样的技术
实例1
第一种方法是通过电泳沉积方法在荧光粉层或部分荧光粉层上沉积碳 纳米管(CNT)。将碳纳米管(CNT)材料置于醇溶液中，并将静电场施 加在背板中的金属电极和电极616之间。
参照图6可以看出，可将CNT 602如图6所示均匀地涂覆到数据电极 616正上方的荧光粉区域上。借助适当的掩模和构图技术，还可涂覆数据 电极上方焚光粉层的选定区域。这样，结合场增强材料的第一实施例通过
首先将碳纳米管(CNT )材料放入0.01mg/L到100mg/L范围内的醇溶液 中进行稀释。将静电场施加在背板中金属电极和电极616之间的溶液中。 因此，可如图6所示将CNT602均匀地涂覆到数据电极616正上方的荧光 粉区域上。借助适当的掩模和构图技术，还可涂覆数据电极上方荧光粉层 的选定区域。用这种方法还可沉积Si纳米线、SiO;j纳米线、ZnO纳米线、 和其它纳米线、納米管、以及纳米锥材料。
实例2
结合场增强物质的第二种方法是混合碳纳米管和荧光粉颗粒。将碳纳 米管(CNT)与在0.01重量％到90重量％范围内的荧光粉混合。通过丝 网印刷或者喷墨方法将碳纳米管(CNT)混合物涂覆到肋结构上，然后点 火该混合物以去除有机粘接剂。最终的荧光粉层具有如图7所示随意填充 在荧光粉颗粒700之间的空隙中的碳纳米管材料702。借助适当的掩模和 构图技术，还可将混合物涂覆在荧光粉层部分区域中。用这种方法还可将 其它纳米线、纳米管、以及纳米锥材料埋置在荧光粉层中。
参照图7可以看出，最终的荧光粉层具有如图7所示随意填充在荧光 粉颗粒700之间的空隙中的碳纳米管材料702。
实例3
参照图8可以看出，在第三种方法中，将荧光粉颗粒800放入如图8所示垂直对齐的碳纳米管阵列802的开方文空间中。埋置场增强材料的第三 个实施例将焚光粉颗粒800 i文入如图8所示垂直对齐的碳纳米管阵列802 的开放空间中。首先，在数据电极816上选定区域的介质层803上方生长 垂直对齐的碳纳米管。以低温CVD方法(低于500。C )生长对齐的碳纳米 管(CNT)。其后，通过丝网印刷或者喷墨印刷方法沉积荧光粉层，然后 点火该荧光粉层以去除有机粘接剂。
本发明不限于上述方法。使场增强材料与气体紧密接触的任何组合或 者包括场增强材料以促进电子发射和/或增强板间隙之间的场的任何结构
都是本发明的中心。
将参照附图在等离子体显示面板环境中详细描述本发明。 图9示出了具有背板中常规绿色荧光粉的面板、具有以绿色荧光粉覆 盖的CNT的面板、和具有与绿色荧光粉混合的CNT的面板之间寻址放电 建立延迟的比较。当在复位脉冲后96ms (接近6TV帧)延迟处对面板寻 址时，在具有CNT和绿色荧光粉混合物的面板中可实现600ns以下的建立 延迟。
通过建立延迟和统计延迟确定寻址时间。建立和统计延迟越短，寻址 PDP就越快。已经在本发明的背景技术部分讨论了更快寻址的好处。
和具有大约2000ns建立延迟的常规面板相比，对减少建立延迟时间的 改进大于三倍。
寻址放电中的建立延迟取决于板间隙放电，板间隙放电然后传到维持 间隙放电。埋置于荧光粉层中或者位于其上的碳纳米管有助于增强电场并 降低板间隙放电的击穿电压。因此，同样的寻址电压下，这些配置中的板 间隙击穿要快得多。
由碳纳米管引入场增强的原理可以直接推测建立延迟的大大减小。
参照图10可以看出，统计延迟的减小更大。在具有CNT和荧光粉混 合物的面板的复位脉沖后的96ms处的统计延迟低于100ns,低于常规的 600ns的六分之一。
在寻址时间的统计延迟与引火条件有关。碳纳米管是良好的电子发射
19体材料。源自碳纳米管(CNT)的电子发射有助于改善寻址时间的引火条 件。统计延迟的重大改a明，当将碳纳米管添加到荧光粉层里面或者上 面时存在更好的引火条件。
Won-tae Lee等人(美国专利6,346,775 )已经描述了将碳纳米管(CNT) 置于荧光粉层和数据电极(或者介质层)之间的努力。我们也尝试了该方 法，下面是结果。
图11示出了该专利描述的结构。将碳纳米管层1102置于荧光粉层 1100和介质玻璃层1117之间，并以障肋1118隔开碳纳米管层。因为荧光 粉层覆盖碳纳米管(CNT)层，所以碳纳米管(CNT)的电子发射性能的 场增强几乎不存在。
参照图9可以看出，在复位脉冲之后的lms的延迟，该结构寻址放电 的建立延迟与常规情况中非常接近。对于96ms延迟，当如本发明将碳纳 米管(CNT)暴露在气体中时，和75 %的改进相比仅有25 %的改进。实 际上，统计延迟没有改进，并且示出了比常规情况更长的延迟。该结果并 不令人吃惊，因为荧光粉层覆盖了碳纳米管层，并且电子不能穿透通常为 15到20樣i米厚的焚光粉层。寻址时间是建立延迟和统计延迟的总和。总 的来说，和先前的专利结构相比寻址时间几乎没有改进。
已经特别参照优选实施例描述了本发明。应当理解前面的描述和实例 仅仅是对本发明的说明。本领域技术人员在不偏离本发明的实质和范围下 可以对其进行各种替换和更改。因此，本发明旨在包括所有落入所附权利 要求书范围的替换、更改、和变化。
权利要求
1. 一种气体放电设备，包括多个电极；和设置在所述电极上的场增强材料；其中将所述多个电极和所述场增强材料密封在容纳可放电气体的腔中，使得至少所述场增强材料暴露在所述可放电气体中。
2. 如权利要求l所述的气体放电设备，还包括 位于所述电极和所述场增强材料之间的介质材料。
3. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述电极也暴露在所述可 放电气体中。
4. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被设置在 所述电极的表面上。
5. 如权利要求l所述的气体放电设备，还包括荧光粉材料。
6. 如权利要求5所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被内置在 所述荧光粉材料的表面上。
7. 如权利要求6所述的气体放电设备,其中所述场增强材料被内置在 所述荧光粉材料的至少一部分所述表面上。
8. 如权利要求6所述的气体放电设备,其中所述场增强材料纟皮设置在 所述荧光粉材料的整体中。
9. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述场增强材料选自于下 述材料碳、硅、二氧化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、氧化锌、 氧化锡、铟锡氧化物及其组合。
10. 如权利要求1所述的气体放电设备,其中所述场增强材料是纳米材料。
11. 如权利要求10所述的气体;^文电设备，其中所述纳米材料是下述形 态的材料纳米管、纳米线、纳米带、纳米树、纳米锥、纳米纤维、纳米 笼、微米管、微米线、微米锥、微米纤维及其组合。
12. 如权利要求10所述的气体放电设备，其中所述纳米材料是碳。
13. 如权利要求6所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被施加到 所述荧光粉层的全部表面上。
14. 如权利要求6所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被埋置在 所述荧光粉层的整体中。
15. 如权利要求1所述的气体放电设备,其中所述场增强材料的至少部 分是场增强纳米材料的对齐阵列。
16. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述场增强材料是场增强 纳米材料的对齐阵列。
17. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述荧光粉层包括选自于 如下的荧光粉材料红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及其组合。
18. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述腔包括基板。
19. 如权利要求18所述的气体放电设备，其中所述J41包括多个与其 垂直的障肋。
20. 如权利要求19所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被设置 在所述基板的至少部分上。
21. 如权利要求20所述的气体放电设备，其中所述场增强材料被设置 在所述障肋的至少第一部分上。
22. 如权利要求20所述的气体放电设备，其中所述场增强材料和所述 荧光粉一起被内置在所述障肋的至少第二部分上。
23. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述可放电气体包括选自 于如下元素的至少一种元素氙、氖、氩、氦、氪、汞、氮、氧、氟和钠。
24. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述气体放电设备是荧光灯。
25. 如权利要求1所述的气体放电设备,其中所述气体放电设备是高强 度放电灯。
26. 如权利要求1所述的气体放电设备，其中所述气体放电设备是等离 子体显示器。
27. —种被设置在g上的荧光粉层，包括设置在所述焚光粉层的表面 上或者埋置在其中的场增强材料。
28. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料被施加到所 述荧光粉层的至少部分上。
29. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料被埋置在所 述荧光粉层的至少部分中。
30. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料选自于如下 材料碳、硅、二氧化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、氧化锌、 及其组合。
31. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料是纳米材料。
32. 如权利要求31所述的荧光粉层，其中所述纳米材料是下述形态的 材料纳米管、纳米线、纳米带、纳米树、纳米锥、微米管、微米线、微 米纤维、纳米笼及其组合。
33. 如权利要求31所述的荧光粉层，其中所述纳米材料是碳。
34. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料被施加到所 述荧光粉层的全部表面上。
35. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料被埋置在所 述荧光粉层的整体中。
36. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述场增强材料的至少部分 是场增强纳米材料的对齐阵列。
37. 如权利要求36所述的荧光粉层，其中所述场增强材料是场增强纳 米材料的对齐阵列。
38. 如权利要求27所述的荧光粉层，其中所述焚光粉选自于如下荧光 粉红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及其组合。
39. 如权利要求27所述的荧光粉层，还包括设置在所述基板和所述荧 光粉层之间的介质层。
40. —种等离子体显示器，包括 第一141,其具有多个障肋；第二141，其被设置在所述第一基板上，从而所述障肋在所述第一基板和所述第二基板之间形成用于容纳可放电气体的腔； 场增强材料，其^皮设置在所述腔中；以及多个电极，其位于由多个障肋隔开的所述第一a和所述第二基板上； 其中所述腔容纳可》文电气体，使得所述场增强材料暴露在所述可放电 气体中。
41. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料被设 置在第一^f象素和第二^f象素之间。
42. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料被设 置在所述第一M的部分上、并与所述第二J41上的至少一个电极对齐。
43. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中荧光粉材料层被设置 在至少部分所述障肋之间，从而这样形成荧光粉层，使得所述场增强材料 与所述荧光粉材料的至少部分被一起内置。
44. 如权利要求43所述的等离子体显示器，其中所述荧光粉材料独立 选自于如下荧光粉红色焚光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及其组合。
45. 如权利要求44所述的等离子体显示器，其中所述荧光粉层被设置 在所述障肋之间。
46. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料选自 于下述材料碳、硅、二氧化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、氧 化锌及其组合。
47. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料是下 述形态的材料纳米管、纳米线、纳米带、纳米树、纳米锥、纳米纤维、 纳米笼、微米管、微米线、微米锥、微米纤维及其组合。
48. 如权利要求47所述的等离子体显示器，其中所述纳米材料是碳。
49. 如权利要求40所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料与所 述荧光粉材料的表面的至少部分一起被内置。
50. 如权利要求43所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料被埋 置在所述荧光粉材料中。
51. 如权利要求43所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料被施 加到所述荧光粉层的至少部分上。
52. 如权利要求43所述的等离子体显示面板，还包括被埋置在所述荧 光粉层中的场增强端部。
53. 如权利要求44所述的等离子体显示器，其中所述场增强材料被施 加到所述红色、绿色、和蓝色荧光粉层的不同部分。
54. 如权利要求40所述的等离子体显示面板，其中所述场增强纳米材 料的至少部分是场增强纳米材料的对齐阵列。
55. 如权利要求40所述的等离子体显示面板，还包括用于粘接所述场 增强材料的粘接材料。
56. 如权利要求55所述的等离子体显示面板，其中所述粘接材料是荧 光粉材料。
57. 如权利要求43所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料通 过电泳沉积;故沉积到所述焚光粉层上。
58. 如权利要求43所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料是 埋置在所述荧光粉层中的纳米材料。
59. 如权利要求58所述的等离子体显示面板，其中所述埋置场增强纳 米材料通过在所述背板的所述障肋上丝网印刷场增强材料而形成。
60. 如权利要求40所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料通 过在所述背板的所述障肋上以喷墨方法印刷所述场增强材料而形成。
61. 如权利要求40所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料通 过在一部分所述障肋上气雾罐喷涂所述场增强材料而形成。
62. —种等离子体显示面板，包括前板，其具有用于每行像素点的扫描电极和维持电极； 背板，其具有设置在其上的多个列寻址电极； 介质层，其覆盖所述列寻址电极；多个障肋，其被设置在所述介质层上方并隔开所述列寻址电极，所述 列寻址电极与所述障肋间隔地相邻；以及荧光粉层，其被设置在所述障肋之间的所述介质层的上面； 其中每个所述荧光粉层包括场增强材料，其被设置在每个所述荧光粉 层的表面上或者被埋置在其中。
63. 如权利要求62所述的等离子体显示面板，其中每个所述荧光粉层 独立地选自于如下荧光粉层红色荧光粉、绿色荧光粉和蓝色荧光粉层。
64. 如^又利要求62所述的等离子体显示面板，其中所述红色荧光粉、 绿色荧光粉和蓝色荧光粉层^^顺序地设置在所述障肋之间。
65. 如权利要求62所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料选 自于下述材料碳、硅、二氧化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、 氧化锌及其组合。
66. 如权利要求62所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料是 下述形态的材料纳米管、纳米线、纳米带、纳米树、纳米锥、纳米纤维、 纳米笼、微米管、微米线、微米锥、微米纤维及其组合。
67. —种等离子体显示面板，包括前板，其具有用于每行像素点的扫描电极和维持电极； 背板，其具有设置在其上的多个列寻址电极； 介质层，其覆盖所述列寻址电极；多个障肋，其被设置在所述介质层上方、并隔开所述列寻址电极，所 述列寻址电极与所述障肋间隔地相邻；以及红色荧光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层，其被顺序设置在所述障肋之间的所述介质层的上面；其中每个所述红色荧光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层包括场增 强材料，所述场增强材料被设置在每个所述荧光粉层的表面上或者^皮埋置在其中。
68. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料选 自于下述材料碳、硅、二氧化硅、锗、氧化锗、氧化镁、氧化铝、锌、 氧化锌及其组合。
69. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料是下述形态的材料纳米管、纳米线、纳米带、纳米树、纳米锥、纳米纤维、 纳米笼、微米管、微米线、微米锥、微米纤维及其组合。
70. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中在所述扫描电极和 所述维持电极上方的介质玻璃层覆盖所述前板。
71. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中保护层覆盖所述所 述介质玻璃层。
72. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料被 施加到每个所迷红色、绿色、和蓝色荧光粉层的至少部分上。
73. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料被 埋置在每个所述红色、绿色、和蓝色荧光粉层的至少部分中。
74. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料被 施加到每个所述红色、绿色、和蓝色荧光粉层的全部表面上。
75. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料被 埋置在每个所述红色、绿色、和蓝色荧光粉层的整体中。
76. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料是 场增强纳米材料的对齐阵列。
77. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强纳米材 料的至少部分是场增强纳米材料的对齐阵列。
78. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，还包括用于粘接所述 场增强材料的粘接材料。
79. 如权利要求78所述的等离子体显示面板，其中所述粘接材料是荧 光粉材料。
80. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，还包括被埋置在所述荧 光粉层中的场增强端部。
81. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料通 过电泳沉积;陂沉积到所述荧光粉层上。
82. 如^5L利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料是 被埋置在所述焚光粉层中的纳米材料。
83. 如权利要求82所述的等离子体显示面板，其中所述埋置场增强纳 米材料通过在所述背板的所述障肋上丝网印刷所述场增强材料而形成。
84. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强纳米材 料通过在所述背板的所述障肋上以喷墨方法印刷所述场增强材料而形成。
85. 如权利要求67所述的等离子体显示面板，其中所述场增强材料通 过在所述背板的所述障肋上气雾罐喷涂所述场增强材料而形成。
全文摘要
一种气体放电设备，其包括多个电极；和设置在电极上的场增强材料；其中将该多个电极和场增强材料密封在含有可放电气体的腔中从而至少使场增强材料暴露在可放电气体中。还提供一种等离子体显示面板，其包括具有用于每行像素点的扫描电极和维持电极的前板；具有设置在其上的多个列寻址电极的背板；覆盖该列寻址电极的介质层；设置在介质层上方并隔开列寻址电极的多个障肋，所述列寻址电极与所述障肋间隔地相邻；以及设置在障肋之间的介质层的上面的荧光粉层；其中每个荧光粉层包括设置在每个荧光粉层表面上或者埋置在其中的场增强材料。
文档编号H01J17/49GK101438370SQ200580039142
公开日2009年5月20日 申请日期2005年11月17日 优先权日2004年11月17日
发明者B·L·巴拉尔德, P·拉维利塞提, Q·严 申请人:松下电器产业株式会社