专利名称：用于等离子显示面板的介质合成物和等离子显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于等离子显示面板的介质合成物和包含由介质合成物形成的介质层的等离子显示面板。
背景技术：
现有等离子显示面板包括前面板和后面板。在前面板和后面板之间形成的阻挡条形成放电单元。每个单元充满比如氖(Ne)、氦(He)或Ne-He气体混合物的主放电气体以及包含少量氙(Xe)的惰性气体。
由提供至等离子显示面板的高频电压产生惰性气体的放电，而惰性气体的放电放射真空紫外线。真空紫外线放射阻挡条之间形成的荧光材料以在等离子显示面板上显示对应于图像数据的图像。
由于可以将等离子显示面板制造得薄而轻，已经考虑将等离子显示面板作为下一代显示设备。
传统地，已经使用具有高张力点的玻璃基片来制造等离子显示面板。但是，最近，等离子显示面板的制造者已经在用碱石灰玻璃基片代替更昂贵的具有高张力点的玻璃基片。
虽然碱石灰玻璃基片便宜，碱石灰玻璃基片在高于特定温度的温度下严重变形。因此，在等离子显示面板的制造中，考虑到碱石灰玻璃基片的使用，等离子显示面板的介质层必须具有520℃或以下的烧制温度。
发明内容
因此，本发明的目的是至少解决背景技术的问题和缺点。
本发明的实施例提供用于具有低烧制温度的等离子显示面板的介质合成物。
本发明的实施例提供等离子显示面板，其包括由用于具有低烧制温度的等离子显示面板的介质合成物形成的介质层。
根据本发明的一方面，提供了用于包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂(modifier)的等离子显示面板的介质合成物，其中，基于介质合成物的总重量，改良剂等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于介质合成物的总重量的等于或大于60wt％到小于或等于75wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量等于或大于3wt％到小于或等于20wt％的B2O3、基于介质合成物的总重量的等于或大于5wt％到小于或等于30wt％的SiO2、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％的Al2O3和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于介质合成物的总重量的等于或大于63.7wt％到小于或等于68.5wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量的等于或大于3.5wt％到小于或等于19wt％的B2O3、基于介质合成物的总重量的等于或大于5.8wt％到小于或等于29wt％的SiO2、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5.5wt％的Al2O3和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于PbO-B2O3-SiO2的玻璃粉末、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％的中间氧化物和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
根据本发明的另一方面，提供了包括基片、在基片上形成的电极和在电极上形成的介质层的等离子显示面板，其中，介质层由包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的介质合成物形成，并且改良剂基于介质合成物的总重量等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
根据本发明的实施例的用于等离子显示设备的介质合成物降低了介质层的烧制温度。
根据本发明的实施例的等离子显示面板包括具有由于该介质合成物的低烧制温度的介质层，从而使得能够在等离子显示面板制造过程中使用碱石灰玻璃基片。
所包括的提供了本发明的进一步理解并被包括在本说明书中构成本说明书的一部分的附图示出本发明的实施例并且和描述一起用于解释本发明的原理，在附图中图1示出根据本发明的实施例的等离子显示面板的结构。
具体实施例方式
现在将具体参考本发明的实施例，其实例在附图中示出。
根据本发明的一方面，提供了用于包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的等离子显示面板的介质合成物，其中，基于介质合成物的总重量，改良剂等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的Pbo等于或大于60wt％到小于或等于75wt％。
基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的B2O3等于或大于3wt％到小于或等于20wt％。
基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的SiO2等于或大于5wt％到小于或等于30wt％。
基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的Al2O3等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％。
介质合成物形成的介质层的玻璃相变温度等于或大于425℃到小于或等于455℃。
介质合成物形成的介质层的热膨胀系数等于或大于70×10-7/℃到小于或等于88×10-7/℃。
介质合成物形成的介质层的烧制温度大于或等于500℃到小于或等于520℃。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于介质合成物的总重量的等于或大于60wt％到小于或等于75wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量的等于或大于3wt％到小于或等于20wt％的B2O3、基于介质合成物的总重量的等于或大于5wt％到小于或等于30wt％的SiO2、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％的Al2O3和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％、并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
改良剂等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于介质合成物的总重量的等于或大于63.7wt％到小于或等于68.5wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量的等于或大于3.5wt％到小于或等于19wt％的B2O3、基于介质合成物的总重量的等于或大于5.8wt％到小于或等于29wt％的SiO2、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5.5wt％的Al2O3和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％、并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
介质合成物形成的介质层的玻璃相变温度等于或大于425℃到小于或等于455℃。
介质合成物形成的介质层的热膨胀系数等于或大于70×10-7/℃到小于或等于88×10-7/℃。
介质合成物形成的介质层的烧制温度大于或等于500℃到小于或等于520℃。
根据本发明的另一方面，提供了用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于PbO-B2O3-SiO2的玻璃粉末、基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％的中间氧化物和基于介质合成物的总重量的等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％、并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。
玻璃粉末包括基于介质合成物的总重量的等于或大于63.7wt％到小于或等于75wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量的等于或大于3wt％到小于或等于20wt％的B2O3、基于介质合成物的总重量的等于或大于5wt％到小于或等于30wt％的SiO2。
中间氧化物包括Al2O3。
根据本发明的实施例的等离子显示面板包括基片、在基片上形成的电极和在电极上形成的介质层，其中，介质层由包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的介质合成物形成，并且改良剂基于介质合成物的总重量等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
基于介质合成物的总重量的Pbo等于或大于60wt％到小于或等于75wt％。
基于介质合成物的总重量的B2O3等于或大于3wt％到小于或等于20wt％。
基于介质合成物的总重量的SiO2等于或大于5wt％到小于或等于30wt％。
基于介质合成物的总重量的Al2O3等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％。
以下，将参考附图具体描述本发明的示例性实施例。
根据本发明的实施例的用于等离子显示面板的介质合成物包括基于PbO-B2O3-SiO2的玻璃粉末、中间氧化物和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂。中间氧化物包括Al2O3。基于PbO-B2O3-SiO2的玻璃粉末包括PbO、B2O3和SiO2。
优选地，基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的Pbo的含量等于或大于60wt％到小于或等于75wt％。当PbO的含量少于60wt％时，介质合成物形成的介质层的烧制温度过高。此外，当PbO的含量大于75wt％时，介质层的热膨胀系数(CTE)过高并且介质层的烧制温度过低。
优选地，基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的B2O3的含量等于或大于3wt％到小于或等于20wt％。当B2O3的含量超过上述范围时，难以使成玻璃状并且玻璃的粘性也增加。结果，介质层的烧制温度增加。
优选地，基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的SiO2的含量等于或大于5wt％到小于或等于30wt％。当SiO2的含量超过上述范围时，难以使成玻璃状并且玻璃的粘性也增加。结果，介质层的烧制温度增加。
优选地，基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的Al2O3的含量等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％。Al2O3增加稳定性给玻璃并防止玻璃的结晶化。但是，当Al2O3的含量高于6wt％时，由于玻璃的结晶化，玻璃的粘性过高，使得介质层的烧制温度增加。
优选地，基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量的包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的含量等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。改良剂用于开放玻璃的结构。当改良剂小于0.0001wt％时，介质合成物形成的介质层的烧制温度由于切断玻璃的结合中的困难而不够低。此外，当改良剂的含量大于5wt％时，由于玻璃网络被切断，当介质层的烧制温度降低时，介质层的热膨胀系数过高。
介质合成物形成的介质层的玻璃相变温度等于或大于425℃到小于或等于455℃。介质合成物形成的介质层的热膨胀系数等于或大于70×10-7/℃到小于或等于88×10-7/℃。介质合成物形成的介质层的烧制温度大于或等于500℃到小于或等于520℃。
现在将参考本发明的实例实施例更充分地描述本发明。但是，不应将本发明理解为仅限于在此阐述的实例实施例。
例1至9表1指出如例1至9中所示的包括不同量的PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的介质合成物的玻璃相变温度、热膨胀系数和烧制温度。
表1
如表1中所示，依据例1至9组成的介质合成物形成的介质层的烧制温度是520℃或更低，也就是，高于或等于500℃到低于或等于520℃。此外，介质层的热膨胀系数等于或大于71.8×10-7/℃到小于或等于87.9×10-7/℃。如表1所示，介质层的热膨胀系数中的变化是最小的。包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂基于用于等离子显示面板的介质合成物的总重量，等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。更优选地，改良剂等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％。
图1示出根据本发明的实施例的等离子显示面板的结构。如图1中所示，根据本发明的等离子显示面板包括前面板100和后面板110。前面板100包括前玻璃基片101并且后面板110包括后玻璃基片111。
扫描电极102和维持电极103成对以形成维持电极对。在前玻璃基片101上形成维持电极对，其用于通过在扫描电极102和维持电极103之间相互放电保持单元的光发射。扫描电极102和维持电极103各包括由透明材料，也就是ITO制成的透明电极102a和103a以及由金属材料制成的总线电极102b和103b。将用于等离子显示面板的扫描的扫描脉冲和用于放电保持的维持脉冲施加至扫描电极102。维持脉冲主要被施加至维持电极103。在维持电极对的上部上形成上介质层104以限制放电电流并提供扫描和维持电极之间的绝缘。在上介质层104的上表面上形成保护层105以促进放电条件。
在后玻璃基片111上形成寻址电极113以与维持电极对交叉。在寻址电极113的上部上形成下介质层115以提供寻址电极之间的绝缘。在下介质层115上形成阻挡条112以形成放电单元。在阻挡条112之间涂覆荧光材料层114以放射可见光。
上介质层104或下介质层115由根据本发明的实施例的介质合成物形成。在扫描电极102和维持电极103或寻址电极113上形成介质合成物并且之后烧制其。根据本发明的实施例的介质合成物包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和RO(BaO+MgO+ZnO)。PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的含量的范围分别是从60wt％到75wt％、3wt％到20wt％、5wt％到30wt％、0.0001wt％到6wt％和0.0001wt％到5wt％。
这样描述了本发明的实施例，很明显可以以多种方式变更。不认为这样的变更脱离本发明的精神和范围，并且所有这样的修改对于本领域的技术人员来说将是明显的，并意在将其包括在下面的权利要求的范围内。
权利要求
1.一种用于等离子显示面板的介质合成物，其包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂，其中，该改良剂基于介质合成物的总重量，为等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
2.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该Pbo基于介质合成物的总重量为等于或大于60wt％到小于或等于75wt％。
3.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该B2O3基于介质合成物的总重量为等于或大于3wt％到小于或等于20wt％。
4.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该SiO2基于介质合成物的总重量为等于或大于5wt％到小于或等于30wt％。
5.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该Al2O3基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％。
6.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的玻璃相变温度是等于或大于425℃到小于或等于455℃。
7.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的热膨胀系数是等于或大于70×10-7/℃到小于或等于88×10-7/℃。
8.如权利要求1所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的烧制温度是大于或等于500℃到小于或等于520℃。
9.一种用于等离子显示面板的介质合成物，其包括Pbo，其基于介质合成物的总重量为等于或大于60wt％到小于或等于75wt％；B2O3，其基于介质合成物的总重量为等于或大于3wt％到小于或等于20wt％；SiO2，其基于介质合成物的总重量为等于或大于5wt％到小于或等于30wt％；Al2O3，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％；和改良剂，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种。
10.如权利要求9所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该改良剂是等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％。
11.一种用于等离子显示面板的介质合成物，其包括Pbo，其基于介质合成物的总重量为等于或大于63.7wt％到小于或等于68.5wt％；B2O3，其基于介质合成物的总重量为等于或大于3.5wt％到小于或等于19wt％；SiO2，其基于介质合成物的总重量为等于或大于5.8wt％到小于或等于29wt％；Al2O3，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于5.5wt％；和改良剂，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.5wt％到小于或等于3.5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种。
12.如权利要求11所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的玻璃相变温度是等于或大于425℃到小于或等于455℃。
13.如权利要求11所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的热膨胀系数是等于或大于70×10-7/℃到小于或等于88×10-7/℃。
14.如权利要求11所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该介质合成物形成的介质层的烧制温度是大于或等于500℃到小于或等于520℃。
15.一种用于等离子显示面板的介质合成物，其包括基于PbO-B2O3-SiO2的玻璃粉末；中间氧化物，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％；和改良剂，其基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％，并且包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种。
16.如权利要求15所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该玻璃粉末包括基于介质合成物的总重量的等于或大于63.7wt％到小于或等于75wt％的Pbo、基于介质合成物的总重量的等于或大于3wt％到小于或等于20wt％的B2O3和基于介质合成物的总重量的等于或大于5wt％到小于或等于30wt％的SiO2。
17.如权利要求15所述的用于等离子显示面板的介质合成物，其中，该中间氧化物包括Al2O3。
18.一种等离子显示面板，其包括基片；电极，其在基片上形成；和介质层，其在电极上形成，其中，该介质层由包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3和包括BaO、MgO或ZnO中的至少一种的改良剂的介质合成物形成，并且该改良剂基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于5wt％。
19.如权利要求18所述的等离子显示面板，其中，该Pbo基于介质合成物的总重量为等于或大于60wt％到小于或等于75wt％。
20.如权利要求18所述的等离子显示面板，其中，该B2O3基于介质合成物的总重量为等于或大于3wt％到小于或等于20wt％。
21.如权利要求18所述的等离子显示面板，其中，该SiO2基于介质合成物的总重量为等于或大于5wt％到小于或等于30wt％。
22.如权利要求18所述的等离子显示面板，其中，该Al2O3基于介质合成物的总重量为等于或大于0.0001wt％到小于或等于6wt％。
全文摘要
提供了一种用于等离子显示面板的介质合成物和包括由介质合成物形成的介质层的等离子显示面板。该介质合成物包括PbO、B
文档编号H01J11/24GK1841622SQ200610004288
公开日2006年10月4日 申请日期2006年2月13日 优先权日2005年2月14日
发明者李晟旭 申请人:Lg电子株式会社