专利名称：双向环型调节结构的平板显示器及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于平板显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到带有双向环型调节结构的、碳纳米管阴极的场致发射平板显示器件的器件制作及其制作工艺。
背景技术：
碳纳米管是一种小管状结构，属于碳同素异构体家族中的一个新成员，其直径的范围大致在4～30nm左右，而其长度却在几个微米的数量级，所以碳纳米管具有非常小的尖端曲率半径。由于都有独特的结构和优异的性能，因此关于碳纳米管的研究已经引起了一股热潮，尤其在电学应用领域的影响更加明显。碳纳米管具有优良的场致发射特性，可以用来制造新一代场致发射显示器件。这种显示器件具有体积小、亮度高、视角大、功耗低等优点，将来有望在显示市场占据比较大的份额。
制作大面积的平板显示器件，这已经是一种不可逆转的发展趋势。随着显示器件种显示面积的增大，相对应的碳纳米管阴极的数量也就随之而成倍的增加。当在控制栅极上施加适当电压的时候，在碳纳米管顶端形成的强大电场强度就会迫使碳纳米管发射出大量的电子；在阳极高电压的作用下加速向阳极运动，轰击荧光粉层而发出可见光。那么在数量众多的碳纳米管阴极中，很难保证所有的碳纳米管阴极都具有相同的场致发射能力，也就是说，可能有的碳纳米管阴极发射的电子多一些，而有的碳纳米管阴极发射的电子少一些；由此看来，用于轰击荧光粉层的电子就会有所区别，也就造成了各个像素点的发光亮度有所区别，引起显示图像质量的下降。由此可以看出，还需要对碳纳米管阴极建立一个有效的辅助电学调节结构，干预和调节不同碳纳米管阴极的场致发射能力，调节各个碳纳米管阴极所对应的像素点发光亮度，以期望达到整体显示图像亮度的均匀性和稳定性。
此外，在尽可能不影响碳纳米管阴极的场致发射能力的前提下，还需要进一步减低整体平板显示器件的制作成本；在能够进行大面积显示器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有双向环型调节结构的碳纳米管阴极的平板显示器件及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有栅极、碳纳米管阴极以及双向环型调节结构。
所述的带有双向环型调节结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层；阻塞层的上面存在一个n型掺杂硅一层，刻蚀后的n型掺杂硅一层的下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；n型掺杂硅一层的上面存在一个二氧化硅层，刻蚀后的n型掺杂硅一层上面的二氧化硅层构成绝缘一层，用于门极和n型掺杂硅一层之间的相互绝缘；绝缘一层的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成门极层，位于n型掺杂硅一层的中间凹陷位置；掺杂多晶硅层上面的刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层；绝缘一层和绝缘二层是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层；在绝缘二层的上面存在一个n型掺杂硅二层，刻蚀后的n型掺杂硅二层的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层相互接触阴极玻璃面板上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极和漏极部分，分别位于门极的两侧；源极和漏极是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层相互接触；阴极玻璃面板上存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层；源极引线层位于源极部分的上面，漏极引线层位于漏极部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；阴极玻璃面板上存在一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；绝缘三层旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；阴极引线层上刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层；绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层；碳纳米管阴极制备在电子通道孔中的阴极引线层上。
所述的带有双向环型调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上。门极层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。阴极玻璃面板上存在一个金属层，可以为金属金、银、铝、锡、铬、镍、钴，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层。栅极层可以为金属金、银、钼、铝、铬。
一种带有双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下
1)阴极玻璃面板的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2)阻塞层的制作在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；3)n型掺杂硅一层的制作在阻塞层的上面制备出一个n型掺杂硅一层，刻蚀后形成n型掺杂硅一层，其下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；4)绝缘一层的制作在n型掺杂硅一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成的绝缘一层；5)门极的制作在绝缘一层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅，刻蚀后形成门极层，位于n型掺杂硅一层的中间凹陷位置；6)绝缘二层的制作在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后构成绝缘二层；7)n型掺杂硅二层[7]的制作在绝缘二层的上面制备出一个n型掺杂硅二层，刻蚀后形成n型掺杂硅二层；n型掺杂硅二层的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层相互接触；8)源极和漏极的制作在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极和漏极部分，分别位于门极的两侧；源极和漏极是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层相互接触；9)源极引线层和漏极引线层的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属铝层，刻蚀后的铝层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层；源极引线层位于源极部分的上面，漏极引线层位于漏极部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；10)绝缘三层的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；11)阴极引线层的制作在绝缘三层的旁侧制备出一个金属铬层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；12)绝缘隔离层的制作在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；13)栅极的制作在绝缘隔离层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成栅极；14)双向环型调节结构的表面清洁处理对整体双向环型调节结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；15)碳纳米管的制备将碳纳米管制备在阴极引线层上；16)阳极玻璃面板的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；17)阳极导电层的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；18)绝缘浆料层的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；19)荧光粉层的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；20)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；
21)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤6具体为在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层；绝缘一层和绝缘二层是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层；所述步骤18具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度150℃，保持时间5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度580℃，保持时间10分钟)；所述步骤19具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度120℃，保持时间10分钟)；所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果首先，在所述的双向环型调节结构中，将碳纳米管阴极制备在旁侧的阴极引线层上，而阴极引线层和漏极引线层是相互连通的。这样，既利用了双向环型调节结构对流经碳纳米管的阴极电流进行调节，同时又减少了对漏极的接触，避免了漏极的损伤，提高了器件的制作成功率；其次，在所述的双向环型调节结构中，制作了二氧化硅绝缘三层，将源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层全部覆盖住，避免了其它杂质的不良影响；第三，所述的双向环型调节结构是能够对流经碳纳米管阴极的电子发射电流进行控制和调节的。通过门极上电压的变化，能够同时改变n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层中导电沟道的形状；当在源极上施加适当电压的时候，通过在掺杂硅层中的导电沟道就会施加到漏极上，而漏极引线层和阴极引线层是相互连通的，当然其电压也就会施加到碳纳米管阴极上；这样，通过控制导电沟道的形状，也就控制了流经碳纳米管的电流。而在双向环型调节结构中，利用一个门极就可以同时控制两个导电沟道，就允许流经碳纳米管的电流比较大，同时还进一步增强了对其的强有力控制作用。
此外，在双向环型调节结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。
图1给出了双向环型调节结构的纵向结构示意图；图2给出了双向环型调节结构的横向结构示意图；图3给出了带有双向环型调节结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。
所述的一种带有双向环型调节结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[17]和四周玻璃围框[22]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[18]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[20]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[21]以及消气剂[23]附属元件；在阴极玻璃面板上有栅极[15]、碳纳米管[16]阴极以及双向环型调节结构。
所述的带有双向环型调节结构包括阴极玻璃面板[1]、阻塞层[2]、n型掺杂硅一层[3]、绝缘一层[4]、门极[5]、绝缘二层[6]、n型掺杂硅二层[7]、源极[8]、漏极[9]、源极引线层[10]、漏极引线层[11]、绝缘三层[12]、阴极引线层[13]、绝缘隔离层[14]、栅极[15]和碳纳米管[16]部分。
所述的带有双向环型调节结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层；阻塞层的上面存在一个n型掺杂硅一层，刻蚀后的n型掺杂硅一层的下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；n型掺杂硅一层的上面存在一个二氧化硅层，刻蚀后的n型掺杂硅一层上面的二氧化硅层构成绝缘一层，用于门极和n型掺杂硅一层之间的相互绝缘；绝缘一层的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成门极层，位于n型掺杂硅一层的中间凹陷位置；掺杂多晶硅层上面的刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层；绝缘一层和绝缘二层是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层；在绝缘二层的上面存在一个n型掺杂硅二层，刻蚀后的n型掺杂硅二层的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层相互接触；阴极玻璃面板上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极和漏极部分，分别位于门极的两侧；源极和漏极是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层相互接触；阴极玻璃面板上存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层；源极引线层位于源极部分的上面，漏极引线层位于漏极部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；阴极玻璃面板上存在一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；绝缘三层旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；阴极引线层上刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层；绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层；碳纳米管阴极制备在电子通道孔中的阴极引线层上。
所述的带有双向环型调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上。门极层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。阴极玻璃面板上存在一个金属层，可以为金属金、银、铝、锡、铬、镍、钴，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层。栅极层可以为金属金、银、钼、铝、铬。
一种带有双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下1)阴极玻璃面板[1]的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2)阻塞层[2]的制作在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；3)n型掺杂硅一层[3]的制作在阻塞层的上面制备出一个n型掺杂硅一层，刻蚀后形成n型掺杂硅一层[3]，其下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；4)绝缘一层[4]的制作在n型掺杂硅一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成的绝缘一层[4]；5)门极[5]的制作在绝缘一层[4]的上面制备出一个n型掺杂多晶硅，刻蚀后形成门极层，位于n型掺杂硅一层的中间凹陷位置；6)绝缘二层[6]的制作在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后构成绝缘二层；
7)n型掺杂硅二层[7]的制作在绝缘二层的上面制备出一个n型掺杂硅二层，刻蚀后形成n型掺杂硅二层[7]；n型掺杂硅二层的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层相互接触；8)源极[8]和漏极[9]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极和漏极部分，分别位于门极的两侧；源极和漏极是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层相互接触；9)源极引线层[10]和漏极引线层[11]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属铝层，刻蚀后的铝层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层；源极引线层位于源极部分的上面，漏极引线层位于漏极部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；10)绝缘三层[12]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；11)阴极引线层[13]的制作在绝缘三层的旁侧制备出一个金属铬层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；12)绝缘隔离层[14]的制作在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；13)栅极[15]的制作在绝缘隔离层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成栅极；14)双向环型调节结构的表面清洁处理对整体双向环型调节结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；
15)碳纳米管[16]的制备将碳纳米管制备在阴极引线层上；16)碳纳米管的后处理阳极玻璃面板[17]的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；17)阳极导电层[18]的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；18)绝缘浆料层[19]的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；19)荧光粉层[20]的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；20)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[21]和四周玻璃围框[22]装配到一起，并将消气剂[23]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；21)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤6具体为在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层；绝缘一层和绝缘二层是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层；所述步骤18具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度150℃，保持时间5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度580℃，保持时间10分钟)；所述步骤19具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度120℃，保持时间10分钟)；所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
权利要求
1.一种双向环型调节结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[17]和四周玻璃围框[22]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[18]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[20]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[21]以及消气剂[23]附属元件，其特征在于在阴极玻璃面板上有栅极[15]、碳纳米管阴极[16]以及双向环型调节结构。
2.根据权利要求1所述的一种双向环型调节结构的平板显示器，其特征在于所述的带有双向环型调节结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层[2]；阻塞层的上面存在一个n型掺杂硅一层[3]，刻蚀后的n型掺杂硅一层的下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；n型掺杂硅一层的上面存在一个二氧化硅层，刻蚀后的n型掺杂硅一层上面的二氧化硅层构成绝缘一层[4]，用于门极层[5]和n型掺杂硅一层[3]之间的相互绝缘；绝缘一层[4]的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成门极层[5]，位于n型掺杂硅一层[3]的中间凹陷位置；掺杂多晶硅层上面的刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层[6]；绝缘一层[4]和绝缘二层[6]是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层；在绝缘二层[6]的上面存在一个n型掺杂硅二层[7]，刻蚀后的n型掺杂硅二层[7]的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层[3]相互接触；阴极玻璃面板[1]上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极[8]和漏极[9]部分，分别位于门极层[5]的两侧；源极[8]和漏极[9]是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层[3]和n型掺杂硅二层[7]相互接触；阴极玻璃面板上存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层[10]和漏极引线层[11]；源极引线层[10]位于源极[8]部分的上面，漏极引线层[11]位于漏极[9]部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；阴极玻璃面板上存在一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层[12]，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；绝缘三层旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[13]；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；阴极引线层上刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层[14]；绝缘隔离层[14]的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层[13]；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层[15]；碳纳米管阴极16]制备在电子通道孔中的阴极引线层上。
3.根据权利要求2所述的一种双向环型调节结构的平板显示器，其特征在于所述的带有双向环型调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，门极层的掺杂类型可以为n型或p型，阴极玻璃面板上存在一个金属层，为金属金、银、铝、锡、铬、镍、钴，刻蚀后的金属层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层，栅极层为金属金、银、钼、铝、铬。
4.一种双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下1)阴极玻璃面板[1]的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2)阻塞层[2]的制作在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；3)n型掺杂硅一层[3]的制作在阻塞层的上面制备出一个n型掺杂硅一层，刻蚀后形成n型掺杂硅一层[3]，其下表面为一个平面，和阻塞层相接触，而其上表面为一个凹面；4)绝缘一层[4]的制作在n型掺杂硅一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成的绝缘一层[4]；5)门极[5]的制作在绝缘一层[4]的上面制备出一个n型掺杂多晶硅，刻蚀后形成门极层，位于n型掺杂硅一层的中间凹陷位置；6)绝缘二层[6]的制作在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后构成绝缘二层；7)n型掺杂硅二层[7]的制作在绝缘二层的上面制备出一个n型掺杂硅二层，刻蚀后形成n型掺杂硅二层[7]；n型掺杂硅二层的两侧要和暴露的n型掺杂硅一层相互接触；8)源极[8]和漏极[9]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极和漏极部分，分别位于门极的两侧；源极和漏极是互不接触的，但是都与n型掺杂硅一层和n型掺杂硅二层相互接触；9)源极引线层[10]和漏极引线层[11]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后的铝层分为两部分，用于形成源极引线层和漏极引线层；源极引线层位于源极部分的上面，漏极引线层位于漏极部分的上面；源极引线层和漏极引线层是互不连通的；10)绝缘三层[12]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘三层，要覆盖住源极及源极引线层，漏极及漏极引线层，以及暴露的n型掺杂硅二层；11)阴极引线层[13]的制作在绝缘三层的旁侧制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；12)绝缘隔离层[14]的制作在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；13)栅极[15]的制作在绝缘隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极；14)双向环型调节结构的表面清洁处理对整体双向环型调节结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；15)碳纳米管[16]的制备将碳纳米管制备在阴极引线层上；16)阳极玻璃面板[17]的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；17)阳极导电层[18]的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；18)绝缘浆料层[19]的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；19)荧光粉层[20]的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；20)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[21]和四周玻璃围框[22]装配到一起，并将消气剂[23]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定，在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；21)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
5.根据权利要求4所述的一种双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤6具体为在n型掺杂多晶硅层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层构成绝缘二层；绝缘一层和绝缘二层是相互接触的，共同形成一个环型结构，将门极层包围在中间；刻蚀后的绝缘二层的两侧要暴露出下面的n型掺杂硅一层。
6.根据权利要求4所述的一种双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤18具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度150℃，保持时间5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度580℃，保持时间10分钟。
7.根据权利要求4所述的一种双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤19具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度120℃，保持时间10分钟。
8.根据权利要求4所述的一种双向环型调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤21具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
全文摘要
本发明涉及一种双向环型调节结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有栅极、碳纳米管阴极以及双向环型调节结构；通过两条导电沟道来调节流经碳纳米管阴极电流，从而控制碳纳米管阴极的电子发射能力，实现整体显示图像的均匀性和稳定性，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
文档编号H01J29/04GK1909172SQ200610048528
公开日2007年2月7日 申请日期2006年8月2日 优先权日2006年8月2日
发明者李玉魁 申请人:中原工学院