专利名称：用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法
技术领域：
本发明涉及检测技术领域，属于离子迁移率谱仪(IMSIon MobilitySpectrometer)技术，尤其涉及一种用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场和瞬态漂移电场产生方法。
背景技术：
离子迁移率谱仪(ion mobility spectrometry)是从二十世纪六十年代末发展起来的一种新的检测技术，它与飞行时间质谱有些类似，但离子迁移率谱不像质谱那样需要高真空条件，而是在大气压下工作。离子迁移率谱仪选择性好，检测灵敏度高，是检测痕量爆炸物、毒品、生化战剂的有效工具。
离子迁移率谱仪是根据大气压下离子在弱电场中(约200V/cm量级)迁移率的不同来分离不同物质。它主要由漂移管和外围电路及气路系统、进样系统组成。漂移管是离子形成和漂移的场所，是离子迁移率谱仪(IMS)中最重要的特种器件，它的性能直接决定了整个离子迁移率谱仪的指标；气路系统、进样系统提供了离子迁移率谱仪工作的环境和条件；外围电路完成离子迁移率谱仪过程控制、信号采集及数据处理功能。
漂移管主要由四部分组成1离化室；2离子漂移区；3位于离化室与离子漂移区之间的离子控制门；4作为离子检测器的法拉第盘。使用离子迁移率谱仪(IMS)检测样品时，首先使被测物(可以是气体或者微粒)在离化室离化形成带电离子，然后离子通过离子控制门进入离子漂移区，在电场作用下经过一定时间漂移至法拉第盘，测量离子通过离子漂移区所需的时间可以计算出离子的迁移率。离子迁移率受漂移气体、温度、压强等外界因素影响，在一定条件下，小离子的迁移率主要取决于它的分子量，而大离子的迁移率主要由碰撞截面决定。由于在一定条件下各种物质离子的迁移率互不相同，测量漂移时间可间接得到样品的有关信息。
与一般化学分析仪器相比，离子迁移率谱仪(IMS)有体积小、重量轻、功耗低的优点，它对炸药、毒品等物质的探测灵敏度高达10-8-10-14g或者ppb(10-9)-ppt(10-12)量级，特别适合用于行李包裹的实时检测。
在图1所示的离子迁移率谱仪(IMS)原理图中，离子漂移区中有多个漂移电极，传统结构的离子迁移率谱仪(IMS)仪器是在各漂移电极加上恒定电压，在漂移区的整个空间建立所需强度约200V/cm的漂移电场，这就需要使用1000V量级的高压电源，电路不易集成，更难以利用比较成熟的IC技术实现。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于离子迁移率谱仪(IMS)漂移管的瞬态漂移电场思想和产生的方法。使用本发明可以将离子迁移率谱仪(IMS)漂移管中产生漂移电场所需电压降低到几十伏甚至几伏，可以比较容易地利用普通IC电路产生漂移电场，这对离子迁移率谱仪(IMS)电路的集成化，以及离子迁移率谱仪(IMS)微型漂移管与电路的集成，具有重要的意义。
为达到上述目的，本发明的技术解决方案是提供一种用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法，其使用瞬态电场作为离子迁移率谱仪漂移管中的漂移电场，即在时刻(T+mΔT)到(T+(m+1)ΔT)之间，离子团全部漂移到第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极之间的区域，于漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极上分别加电压V(m+1)(m+1)、V(m+1)(n+m+1)和V(m+1)(n+m+2)，V(m+1)(m+1)、V(m+1)(m+2)和V(m+1)(m+3)满足V(m+1)(m+1)-V(m+1)(m+2)＝V(m+1)(m+2)-V(m+1)(m+3)＝EL，在漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场。
所述的瞬态漂移电场方法，其步骤是S1、在强度为E的漂移电场作用下，需要检测的离子通过间距为L的相邻漂移电极之间区域所需时间为ΔT＝L/KE，其中K为离子的迁移率，则在时刻T到(T+ΔT)之间，于漂移管第一、第二、第三个漂移电极上分别加电压V11、V12和V13，V11、V12和V13满足V11-V12＝V12-V13＝EL，在漂移管第一、第二、第三个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场，在这段时间需要检测的离子团位于漂移管第一、第二、第三个漂移电极之间的区域内并受到该瞬态电场作用，所述T为离子团全部进入离子漂移区的时刻；S2、在时刻(T+ΔT)到(T+2ΔT)之间，离子团漂移到第二、第三、第四个漂移电极之间的区域，于漂移管第二、第三和第四个漂移电极上分别加电压V22、V23和V24，V22、V23和V24满足V22-V23＝V23-V24＝EL，在漂移管第二、第三、第四个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场；S3、在时刻(T+2ΔT)到(T+3ΔT)之间，离子团漂移到第三、第四、第五个漂移电极之间的区域，于漂移管第三、第四和第五个漂移电极上分别加电压V33、V34和V35，V33、V34和V35满足V33-V34＝V34-V35＝EL，在漂移管第三、第四、第五个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场；S4、重复以上S1、S2、S3步骤，控制相邻三个漂移电极的电压以在其之间的区域构成强度为E的瞬态电场，每经过ΔT的时间，受控制的漂移电极就向后顺序推移1个，使需要检测的离子团所在的空间区域总有强度为E的瞬态电场存在；S5、使需要检测的离子团全部漂移到法拉第盘。
所述的瞬态漂移电场方法，其所述加在不同漂移电极上的电压，其波形是方波、三角波、锯齿波、正弦波，或是上述各种波形的叠加，或是不规则的波形。
本发明使用低电压产生随被测物质离子漂移而移动的瞬态电场代替传统离子迁移率谱仪(IMS)中使用高电压产生的稳态漂移电场。本发明在漂移管不同漂移电极加上瞬态电压产生所需的漂移电场，其所述加在漂移区漂移电极上的电压，其频率由被测物的迁移率及漂移区的尺寸决定，其大小由所需要产生的漂移电场强度和漂移电极的间距决定，其所述加在漂移区漂移电极上的电压的波形及不同漂移电极上电压的相位关系可根据理论分析和实验数据进行调整。
本发明所提出的瞬态漂移电场的思想及方法大大降低离子迁移率谱仪(IMS)建立漂移电场所需电压，有利于离子迁移率谱仪(IMS)电路的集成化。
图1为离子迁移率谱仪(IMS)结构示意图；图2为传统离子迁移率谱仪(IMS)漂移电极上所加电压示意图；图3是一种说明本发明方法瞬态漂移电场基本原理的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极所加电压示意图；图4为本发明方法一种实现瞬态漂移电场的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极所加电压示意图；图5为本发明方法另外一种实现瞬态漂移电场的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极所加电压示意图；图6为本发明方法一种改进的实现瞬态漂移电场的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极所加电压示意图。
具体实施例方式
本发明用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法原理为
带电离子在漂移电场作用下加速向前运动时，会和中性漂移气体分子发生碰撞而减速，然后离子继续被电场加速，再碰撞后减速，如此反复运动。这种离子微观上的运动在宏观上表现为离子获得一平均的漂移速度vd，在弱电场情况下，它和电场强度E成正比vd＝KE，式中的比例常数K为离子的迁移率，它是和离子以及漂移气体分子的质量、大小、碰撞截面以及偶极矩等因素有关的物理量，它还受到温度、气压等外界因素的影响。离子迁移率K是化合物(或者功能基团、离子)的特性，它与迁移气体有关，在低电场强度下，特定离子的迁移率可以根据Mason-Schamp方程[E A Mason，Ion mobilityIts role in plasma chromartograhpy，TW Carr，Ed.，New YorkPlenum Press，1984，43]等理论和实验数据确定。
离子在漂移电场中的运动情况由离子的受力情况决定，而离子在一个时刻所受到的电场力只与它此时刻所在区域的电场有关。即从理论上讲，如果在漂移过程中能够保证每个时刻离子所在区域的电场强度总为E，则离子的运动情况与在一个强度为E的稳恒均匀电场中的运动情况是一样的。根据此原理，并不需要在漂移的全过程中保持整个离子漂移区的电场，而只需保持离子所在区域的漂移电场即可。离子在离子漂移区中运动的宏观表现已为人们所熟知，根据离子漂移区电场强度及特定离子的迁移率K可以知道离子某时刻在离子漂移区的位置，只在该区域建立所需的漂移电场即可保证离子的漂移，这样可以显著降低建立漂移电场所需的电压。
为了方便论述，参见图1，假设图1所示离子迁移率谱仪(IMS)漂移管中共有N个漂移电极6均匀排列，相互之间的距离为L。我们需要检测的某种特定离子的迁移率为K。则在强度为E的漂移电场作用下，离子通过相邻电极6之间区域所需时间ΔT＝L/KE。
考虑一个迁移率为K的特定离子在漂移电场中的运动情况。
在传统的离子迁移率谱仪(IMS)中，通过在第n个电极6上加恒定电压(V0-nEL) (式中n＝1，2，3……N，V0为一常量)来获得强度为E的漂移电场，需要使用电压至少为((N-1)EL)的电源。而在本发明的方法中，在时刻T到(T+ΔT)之间，离子处于第一、第二个电极6之间的区域，在这段时间于第一、第二个电极6上分别加电压V11、V12，V11和V12满足V11-V12＝EL；在时刻(T+ΔT)到(T+2ΔT)之间，离子已经运动到第二、第三个电极6之间的区域，在这段时间于第二、第三个电极6上分别加电压V22、V23，V22和V23满足V22-V23＝EL；……在时刻(T+(n-1)ΔT)到(T+nΔT)之间，离子运动到第n、第(n+1)个漂移电极6之间的区域，在时刻(T+(n-1)/ΔT)到(T+nΔT)的时间于第n、第(n+1)个漂移电极6上分别加电压Vnn、Vn(n+1)，Vnn和Vn(n+1)满足Vnn-Vn(n+1)＝EL(式中n＝1，2，3……N)，这样所需使用的电源电压只需高于(EL)，仅为传统方法中所使用电压的1/N-1。
以上论述只是本发明的基本原理，实际由于离子团分布在一定空间中，而且漂移电极6上电压的切换需要一定时间，所以只在两个相邻漂移电极6之间建立漂移电场的离子迁移率谱仪(IMS)性能很差，只能使离子团中的极少数离子完成漂移过程。从离子团分布、电压切换以及漂移电场均匀性等方面考虑，应在至少三个相邻漂移电极之间建立漂移电场。本发明用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法，在三个相邻漂移电极之间建立漂移电场的步骤是S1、因在强度为E的漂移电场作用下，需要检测的离子通过间距为L的相邻漂移电极之间区域所需时间为ΔT＝L/KE，其中K为离子的迁移率，则在时刻T到(T+ΔT)之间，于漂移管第一、第二、第三个漂移电极6上分别加电压V11、V12和V13，V11、V12和V13满足V11-V12＝V12-V13＝EL，在漂移管第一、第二、第三个漂移电极6之间的区域构成强度为E的瞬态电场，在这段时间需要检测的离子团位于漂移管第一、第二、第三个漂移电极6之间的区域内并受到该瞬态电场作用。在漂移管除第一、第二、第三个漂移电极6以外的其它漂移电极6上可加任意电压或处于悬浮状态。所述T为离子团全部进入离子漂移区的时刻。
S2、在时刻(T+ΔT)到(T+2ΔT)之间，离子团漂移到第二、第三、第四个漂移电极6之间的区域，于漂移管第二、第三和第四个漂移电极6上分别加电压V22、V23和V24，V22、V23和V24满足V22-V23＝V23-V24＝EL，在漂移管第二、第三、第四个漂移电极6之间的区域构成强度为E的瞬态电场。在漂移管除第二、第三、第四个漂移电极6以外的其它漂移电极6上可加任意电压或处于悬浮状态。
S3、在时刻(T+2ΔT)到(T+3ΔT)之间，离子团漂移到第三、第四、第五个漂移电极6之间的区域，于漂移管第三、第四和第五个漂移电极6上分别加电压V33、V34和V35，V33、V34和V35满足V33-V34＝V34-V35＝EL，在漂移管第三、第四、第五个漂移电极6之间的区域构成强度为E的瞬态电场。在漂移管除第三、第四、第五个漂移电极6以外的其它漂移电极6上可加任意电压或处于悬浮状态。
S4、重复以上步骤，控制相邻三个漂移电极的电压以在其之间的区域构成强度为E的瞬态电场，每经过ΔT的时间，受控制的漂移电极就向后顺序推移1个，使需要检测的离子团所在的空间区域总有强度为E的瞬态电场存在。
即在时刻(T+mΔT)到(T+(M+1)ΔT)之间，离子团漂移到第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极之的区域，于漂移管第第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极6上分别加电压V(m+1)(m+1)、V(m+1)(m+2)、和V(m+1)(m+3)，V(m+1)(m+1)、V(m+1)(m+2)和V(m+1)(m+3)满足V(m+1)(m+1)-V(m+1)(m+2)＝V(m+1)(m+2)-V(m+1)(m+3)＝EL，在漂移管第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极6之间的区域构成强度为E的瞬态电场。在漂移管除第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极6以外的其它漂移电极6上可加任意电压或处于悬浮状态。
S5、使需要检测的离子团全部漂移到法拉第盘7。
设所要检测的离子团在漂移方向上的分布长度为l，若l和L满足l＜L，则在时刻T，离子团全部位于第一、第二各漂移电极之间的区域，在上述瞬态漂移电场作用下，离子团的全部离子可以漂移到法拉第盘7(不考虑离子的碰撞损失及扩散并假设瞬态漂移电场为均匀电场)。
若l和L不能满足l＜L，则无法使需要检测的离子团在(T+mΔT)时刻，全部漂移到第m+1、第m+2个漂移电极之的区域，即该时刻前的ΔT时间段内构成瞬态电场的三个相邻的漂移电极中的后两个漂移电极之间，这样无法使离子团的全部离子在所述瞬态漂移电场作用下漂移到法拉第盘7。
假设l＜hL，其中h为大于1的整数。为了使离子团的全部离子都可以漂移到法拉第盘7以提高离子迁移率谱仪(IMS)的灵敏度，则应在至少h+1个相邻漂移电极之间建立瞬态漂移电场。其方法与在三个相邻漂移电极之间建立瞬态漂移电场的方法类似控制相邻h+1个漂移电极的电压以在其之间的区域构成强度为E的瞬态电场，每经过ΔT的时间，受控制的漂移电极就向后顺序推移1个，使需要检测的离子团所在的空间区域总有强度为E的瞬态电场存在。
下面结合
本发明的具体实施方法图1所示为离子迁移率谱仪(IMS)原理和结构示意图。图中，进样口1，离化源2，离化室3，离子控制门4，离子漂移区5，漂移电极6，法拉第盘7，漂移气体入口8，漂移气体出口9，外围电路10等，具体结构为公知技术，在此不作赘述。
样品由进样口1进入离化室3，在离化室3被离化后，通过离子控制门4进入离子漂移区5，在电场作用下通过离子漂移区5，由法拉第盘7检测出离子电流，通过分析漂移图谱可以得到样品的有关信息。离子漂移区5中有多个漂移电极6，传统结构的离子迁移率谱仪(IMS)仪器是在各漂移电极6加上恒定电压，在漂移区5的整个空间建立所需的漂移电场(如200V/cm)，需要使用上千伏的高电压，很难用集成电路实现。
图2是传统离子迁移率谱仪(IMS)中各漂移电极6所加电压示意图。图中，各漂移电极6所加电压为稳恒电压，间距为L的相邻漂移电极6所加电压差为EL，这样在整个漂移区5形成强度为E的稳恒漂移电场。为形成该漂移电场需使用电压至少为(N-1)EL的电源，其中N为漂移电极6的数目。
图3是一种说明本发明方法瞬态漂移电场基本原理的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极6所加电压示意图。图中各漂移电极6上所加电压只有两种状态，分别为V和V+EL，控制各漂移电极6所加电压波形如图3所示，则在T到(T+ΔT)时间段，由于间距为L的相邻漂移电极11和漂移电极12上所加电压分别为V+EL和V，在漂移电极11和漂移电极12之间的空间形成强度为E的漂移电场；同样原理，在(T+ΔT)到(T+2ΔT)时间段，漂移电极12和漂移电极13之间的空间形成强度为E的漂移电场……在(T+(n-1)ΔT)到(T+nΔT)时间段，漂移电极(n+10)和漂移电极(n+11)之间的空间形成强度为E的漂移电场，其中n＝1，2…N-1，N为漂移电极的数目。这样就可以在整个离子漂移区形成一个随时间而移动的瞬态漂移电场，调节时间参数ΔT可以使电场的移动速度与所要检测离子的漂移速度相同，该离子的运动情况与在强度为E的稳恒漂移电场中的运动情况相同，而采用本发明方法所需使用的电源电压只需高于EL即可，仅为传统方法中所使用电压的1/N-1。
图4、图5分别为本发明方法另外两种实现瞬态漂移电场的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管各漂移电极6所加电压示意图。加在漂移电极6上的电压分别为锯齿波和三角波，都可以保证在T到(T+ΔT)时间段，间距为L的相邻漂移电极11和漂移电极12之间的空间中有强度为E的漂移电场；在(T+ΔT)到(T+2ΔT)时间段，间距为L的相邻漂移电极12和漂移电极13之间的空间中有强度为E的漂移电场……，可以在整个离子漂移区形成一个随时间而移动的瞬态漂移电场。
本发明方法所提出的瞬态漂移电场，可以用于多种形式的离子迁移率谱仪(IMS)漂移管，本发明方法的内容包括但不仅仅限于用于图1所示结构离子迁移率谱仪(IMS)漂移管的瞬态漂移电场。
本发明提出的瞬态漂移电场可以有多种形式，图4、图5只是其中的两个例子。根据所需检测的物质种类，专业人员很容易从本发明的思想出发选择很多其它形式的瞬态漂移电场，本发明的内容包括但不仅仅限于图3、4、5所示的瞬态漂移电场实现方法。加在漂移管各漂移电极6上电压的波形可以是方波、三角波、锯齿波、正弦波等，也可以是上述各种波形的叠加，还可以是各种不规则的波形。
需要指出，图3、图4、图5只是为说明本发明方法的示意图，没有考虑真实情况下离子团具有一定的空间分布、电极电压切换需要时间以及漂移电场均匀性等因素。考虑到上述因素后，离子团中只有很少比例的离子可以通过图3、图4、图5所示的瞬态漂移电场。为了提高瞬态漂移电场的性能，需要同时至少在三个相邻漂移电极之间建立漂移电场。
图6是本发明方法一种同时在三个相邻漂移电极6之间建立漂移电场的各漂移电极6所加电压示意图。图中各漂移电极6上所加电压只有三种状态，分别为V、V+EL、V+2EL，控制各漂移电极6所加电压波形如图6所示，则在T到(T+ΔT)时间段，由于间距为L的相邻漂移电极11、12、13上所加电压分别为V+2EL、V+EL和V，在漂移电极11、12、13之间的空间形成强度为E的漂移电场；同样原理，在(T+ΔT)到(T+2ΔT)时间段，漂移电极12、13、14之间的空间形成强度为E的漂移电场……在(T+(n-1)ΔT)到(T+nΔT)时间段，漂移电极(n+10)、(n+11)、(n+12)之间的空间形成强度为E的漂移电场，其中n＝1，2…N-2，其中N为漂移电极的数目。这样就可以在整个离子漂移区5形成一个随时间而移动的瞬态漂移电场，调节时间参数ΔT可以使电场的移动速度与所要检测离子团的漂移速度相同，即在(T+(n-1)ΔT)到(T+nΔT)时间段，离子团从位于漂移电极(n+10)和(n+11)之间的空间移动到漂移电极(n+11)和(n+12)之间的空间。这样可以保证离子团所在区域电场强度总为E，离子团的运动情况与在强度为E的稳恒漂移电场中的运动情况相同，而采用本发明方法所需使用的电源电压只需高于2EL即可。同样原理在相邻的三个漂移电极6上加三角波、正弦波等其它波形的电压信号也可实现与图6所示相同的瞬态漂移电场。
本发明的方法中，加在漂移电极6上的电压信号频率由被测物的迁移率及漂移区的尺寸决定。一般离子在200V/cm的弱电场中的漂移速度约在5～10m/s，若漂移电极6的间距L在毫米或厘米量级，则离子通过相邻漂移电极6之间区域所需时间ΔT在10-4秒或10-3秒量级，加在漂移电极6上的电压信号频率在10KHz或更低的量级上。随着漂移区尺寸的缩小和漂移电极6数目的增加，电压信号频率将升高，但还在集成电路可实现的范围内。
权利要求
1.一种用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法，其特征在于使用瞬态电场作为离子迁移率谱仪漂移管中的漂移电场，即在时刻(T+mΔT)到(T+(m+1)ΔT)之间，离子团全部漂移到第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极之间的区域，于漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极上分别加电压V(m+1)(m+1)、V(m+1)(n+m+1)和V(m+1)(n+m+2)，V(m+1)(m+1)、V(m+1)(m+2)和V(m+1)(m+3)满足V(m+1)(m+1)-V(m+1)(m+2)＝V(m+1)(m+2)-V(m+1)(m+3)＝EL，在漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场。
2.如权利要求1所述的瞬态漂移电场方法，其特征在于步骤是S1、在强度为E的漂移电场作用下，需要检测的离子通过间距为L的相邻漂移电极之间区域所需时间为ΔT＝L/KE，其中K为离子的迁移率，则在时刻T到(T+ΔT)之间，于漂移管第一、第二、第三个漂移电极上分别加电压V11、V12和V13，V11、V12和V13满足V11-V12＝V12-V13＝EL，在漂移管第一、第二、第三个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场，在这段时间需要检测的离子团位于漂移管第一、第二、第三个漂移电极之间的区域内并受到该瞬态电场作用，所述T为离子团全部进入离子漂移区的时刻；S2、在时刻(T+ΔT)到(T+2ΔT)之间，离子团漂移到第二、第三、第四个漂移电极之间的区域，于漂移管第二、第三和第四个漂移电极上分别加电压N22、N23和N24，N22、N23和N24满足N22-N23＝N23-N24＝EL，在漂移管第二、第三、第四个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场；S3、在时刻(T+2ΔT)到(T+3ΔT)之间，离子团漂移到第三、第四、第五个漂移电极之间的区域，于漂移管第三、第四和第五个漂移电极上分别加电压V33、V34和V35，V33、V34和V35满足V33-V34＝V34-V35＝EL，在漂移管第三、第四、第五个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场；S4、重复以上S1、S2、S3步骤，控制相邻三个漂移电极的电压以在其之间的区域构成强度为E的瞬态电场，每经过ΔT的时间，受控制的漂移电极就向后顺序推移1个，使需要检测的离子团所在的空间区域总有强度为E的瞬态电场存在；S5、使需要检测的离子团全部漂移到法拉第盘。
3.如权利要求1或2所述的瞬态漂移电场方法，其特征在于所述加在不同漂移电极上的电压，其波形是方波、三角波、锯齿波、正弦波，或是上述各种波形的叠加，或是不规则的波形。
全文摘要
本发明一种用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法，涉及检测技术，其使用瞬态电场作为离子迁移率谱仪(IMS)漂移管中的漂移电场，即在时刻(T+mΔT)到(T+(m+1)ΔT)之间，离子团全部漂移到第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极之间的区域，于漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极上分别加电压V
文档编号H01J49/00GK101093211SQ20061008934
公开日2007年12月26日 申请日期2006年6月21日 优先权日2006年6月21日
发明者高晓光, 李建平, 何秀丽, 贾建, 郭会勇 申请人:中国科学院电子学研究所