专利名称：Ic内置型荧光显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在收纳具有荧光体层的阳极和释放电子的阴极的容器部的内面上形 成有凹部、利用该凹部的空间在容器部内设置控制用IC的IC内置型荧光显示装置，特别 涉及尽管有凹部的形成带来的容器部内容积的增大、也可使容器部内的真空度提高而达 到较高的寿命的IC内置型荧光显示装置。
背景技术：
已知有在容器部内设置具有荧光体层的阳极和释放电子的阴极、从阴极释放电 子而使其向荧光体射击、通过其发光而进行显示的荧光显示装置。作为具备这样的基本 构造的荧光显示装置，已知有在阴极中使用灯丝而释放热电子的类型、及具备通过电场 释放而释放电子的冷阴极的类型等，在冷阴极之中还已知有具备斯宾迪(Spindt)型的电 子释放元件的结构、以及具备利用碳纳米管的电子释放元件的结构(特别将该类型的荧 光显示装置称作碳纳米管场致发射显示器)。在这样的荧光显示装置中，一般在制造时使容器部的内部成为高真空状态，并 且通常在容器部的内部设置吸附气体分子的吸气剂(getter)。在上述荧光显示装置中的、在阴极中使用灯丝的类型的荧光显示装置中，在其 构造上，容器部的内容积较大，所以在容器部内设置在金属制的环状的容器内填充有吸 气剂物质的构造，在容器部的组装后通过高频率加热使吸气剂物质蒸发，在容器部的内 面上形成吸气剂物质的镜面，成为用来吸附气体分子的吸气剂。在具备冷阴极的类型的荧光显示装置中，使用使在内面上形成有阳极的阳极基 板与在内面上设有冷阴极的阴极基板隔开规定间隔地对置、将其外缘用密封材料密封的 薄型面板构造的容器部，由于容器部的基板间隔很微小(例如30 μ m 100 μ m左右)， 所以不能收纳上述蒸发型的吸气剂。所以，在这样具备基板间隔较窄的面板状的容器部 的荧光显示装置中，为了达到及维持真空度，作为非蒸发型的吸气剂，将钒锆(ZrV)吸 气剂印刷涂布在容器部的内面的重要部位上。专利文献1公开了在这样的基板间隔较窄的面板状的荧光显示装置中，为了在 较窄的容器部内设置非蒸发型的吸气剂，将作为非蒸发型的吸气剂材料的ZrV以鳞片状 的粒形状加工为厚度15 μ m左右的方法。根据该技术，即使是基板间隔为30 μ m左右的 窄间隙的荧光显示装置，也能够将ZrV通过印刷法设在容器部内。为了控制荧光显示装置的驱动，有将荧光显示装置通过配线等连接到外部的控 制机构的方法，和将控制用IC收纳在荧光显示装置的容器部内、用该IC进行控制的方 法。根 据将控制用IC设置在容器部内的方法，使荧光显示装置与处于其外部的装置群之 间的连接配线的走线简单化，此外，封入在被保持为高真空状态的容器部内的IC由于环 境条件为固定，所以可以认为动作的稳定性较高，与将IC安装到设在容器部外的控制机 构的控制基板上的情况相比，动作的可靠性较高。因而，在荧光显示装置中，处于更多 地要求将控制用IC收纳在容器部内的类型的状况，作为成为该对象的荧光显示装置的种类，并不限于上述那样的在阴极中使用灯丝的具有较大的容器部的类型，对于具有使用 冷阴极的薄型面板构造的容器部的类型，也要求IC内置类型。但是，在上述具备斯宾迪型的电子释放元件的荧光显示装置、或使用碳纳米管 的荧光显示装置中，如上所述，由于薄型面板构造的容器部中的基板间隔较窄，所以不 能原样内置IC，需要将构成容器部的基板的内面锪孔加工而形成凹部、设置能够将IC配 置到容器部内的空间上的富余。专利文献2公开了在荧光显示装置中、在基板的表面上形成用来配置IC的凹部 的技术。专利文献2中记载的荧光显示装置是作为电子源而具有灯丝的结构，但通过化 学蚀刻处理或喷砂处理在基板上设置阶差而形成凹部，通过将半导体芯片设置在该凹部 内，不受半导体芯片的存在制约而将灯丝与荧光体显示部的距离设定得较小，能够以低 消耗电力达到亮度的提高。[专利文献1]日本特开2006-228690号公报 [专利文献2]日本特开平6-76768号公报如上所述，在电子释放元件中使用碳纳米管的薄型面板状的荧光显示装置中， 在将IC内置到容器部中的情况下，将构成容器部的基板的内面锪孔加工而形成凹部，此 外由于是薄型，所以作为吸气剂而印刷涂布非蒸发型的ZrV吸气剂。并且，在制造这样 的荧光显示装置的情况下，通常在高真空气体环境中组装容器部，在规定的封闭温度下 使密封玻璃熔融而将容器部封闭，残留在内部中的气体在封闭温度下被活化的容器部内 的吸气剂吸附而得到需要的真空度。在这样的荧光显示装置中，非蒸发型的ZrV吸气剂的印刷涂布面积一般以容器 部的内侧的基板面积的5%左右为基准，但因为以下说明的各种原因，有难以在制造时 间点得到所需的真空度的问题、和特别在动作过程中容器部的内部中的真空度下降的问 题，为此有作为发光元件的寿命下降的问题。首先，由于将容器部的内面锪孔加工而形成凹部，所以与没有凹部的情况相比 容器部的内容积增大了数倍。因此，有在没有凹部的容器部的情况下设定的面积的ZrV 吸气剂、例如上述那样的容器部的内侧的面积的5%左右的ZrV吸气剂，在制造时难以使 容器部的内部成为足够的真空度的情况。参照图5，用具体的数值例进行说明。图5(a)及图5(b)是表示在容器部的 内部中没有安装IC的荧光显示装置的尺寸例的图，容器部以外的构造省略。该容器部 的内侧的尺寸是纵向40mm、横向68mm、容器部的阳极基板与阴极基板之间的间隔是 0.03mm，容器部的内容积(面板容积)是40X68X0.03 = 81.6mm3。为了将IC安装到 这样的尺寸的荧光显示装置的容器部内，将容器部的外径沿横向延长而在一个基板上形 成了凹部的荧光显示装置，在图5(c)及图5(d)中示出。在这些图中，也将容器部以外 的构造省略。该容器部的内侧的尺寸是纵40mm、横78mm，容器部的阳极基板与阴极基 板之间的间隔是0.03mm，为了安装IC而形成的凹部的尺寸是纵35mm、横8mm、深度 1mm。因而，将容器部沿横向延长IOmm而形成凹部的容积是40X10X0.03+35X8X1 =292mm3,结果，能够将IC安装到内部中的该荧光显示装置的容器部的内容积(面板容 积)是81.6+292 = 373.6mm3。因而，为了将IC安装到内部中而扩大、在内面上设置了 凹部的荧光显示装置的内容积，与没有安装IC的只有显示部分的荧光显示装置的内容积相比，达到了约5倍(=373.6 + 81.6)。因而，有利用以没有凹部的通常的容器部为基准的规定面积的非蒸发型吸气 齐U，不能使形成有凹部的较大的内容积的容器部内成为需要的真空度的情况，为此，作 为发光元件的寿命下降。此外，如果因以下说明那样的各种原因，在动作过程中在容器部内产生气体， 则在比封闭温度低的动作温度下ZrV吸气剂等的非蒸发型吸气剂不发挥有效的吸附力， 所以产生的气体没有被吸附，容器部内的真空度下降，因此有作为发光元件的寿命下降 的问题。这个问题如在上述专利文献1的图6及参照该图的该文献中的说明中也记述了 的那样，是因为ZrV吸气剂在作为容器部的封闭温度的500度左右下活化而发挥较高的吸 附力、但是在作为荧光显示装置的通常的使用温度的100度以下的温度域中气体的吸附 性能显著地下降的性质而引起。首先，作为这样的使用时的气体的产生原因，可以举出由于在用来形成凹部的 锪孔加工中使用开孔钻、所以形成于玻璃制的基板上的凹部的内面成为毛玻璃状、表面 积变得非常大这一点。如果这里吸收的水分被释放，则在使用时的温度下容器部内的真 空度进一步下降。此外，在电子释放元件中使用碳纳米管的薄型面板状的荧光显示装置中，如果 将IC安装到阳极基板上，则采用将来自处于阴极基板侧的阴极的配线导引到阳极基板 上、将来自阴极的配线也与连接在阳极及IC上的配线一起在阳极基板上走线、将所有的 配线连接到阳极基板上的外部端子上、向容器部的外侧导出的构造的情况较多。为了这 样将处于一个基板上的电极导引到另一个基板上，在容器部的内部中、在阳极基板与阴 极基板之间设有接点(connector)部件。该接点部件是使用由Ag等的导电材料构成的糊剂 (paste)制造的，所以表面为多孔质，积存在孔的部分中的水分及气体在将容器部用密封 玻璃密封的工序或之后的使用时被释放，成为使容器部内的真空度进一步下降的原因。此外，设在容器部的内部中的IC通过芯片接合糊剂(die bond paste)粘接在基 板上，但考虑IC的耐热性，使芯片接合糊剂的烧制温度为比作为荧光体层的烧制温度的 510°C低的480°C左右，因此，在烧制时有可能气体没有被从芯片接合糊剂完全释放，在 之后的使用时有可能从芯片接合糊剂释放气体而成为使容器部内的真空度进一步下降的 原因。
发明内容
本发明是为了解决上述以往技术的问题而做出的，目的是在利用形成于容器部 的内面上的凹部的空间在容器部内设有控制用IC的IC内置型荧光显示装置中，尽管有凹 部的形成带来的容器部内容积的增大及使用时的气体的发生、也使容器部内的真空度提 高或维持，由此得到较高的寿命特性。技术方案1所述的IC内置型荧光显示装置，具备容器部；阳极，具备荧光体 层并设在上述容器部的内面上；阴极，以与上述阳极相对置的方式设在上述容器部的内 面上，并释放电子；凹部，形成在上述容器部的内面上；以及控制用IC，在上述容器部 的内部中以与上述凹部相对应的方式配置；使从上述阴极释放的电子射击到上述荧光体 层上而使其发光；其特征在于，在上述容器部的内部中设置有分隔壁，该分隔壁将上述容器部的内部划分为设有上述阳极及上述阴极的第1部分和设有上述凹部及上述IC的第 2部分。技术方案2所述的IC内置型荧光显示装置在技术方案1所述的IC内置型荧光显 示装置中，其特征在于，将上述阴极或上述阳极中的一个与设在设有上述阴极或上述阳 极中的另一个的一侧的上述容器部的内面上的上述IC相连接的连接电极，设在上述容器 部的上述第2部分中。技术方案3所述的IC内置型荧光显示装置在技术方案1或2所述的IC内置型荧 光显示装置中，其特征在于，在上述容器部的内部中，至少在上述第1部分中设有非蒸 发型吸气剂。技术方案4所述的IC内置型荧光显示装置，具有容器部，将在内面上形成有 具有荧光体层的阳极的阳极基板、和在内面上设有对电子进行电场释放的阴极的阴极基 板配置为，使上述阳极和上述阴极隔开规定的间隔对置，沿着其外缘用密封材料以周状 进行密封而成；凹部，设在上述阴极基板与上述阳极基板中的一 个的内面的一部分上； 以及控制用IC，以与上述凹部相对置的方式设在上述阴极基板与上述阳极基板中的另一 个的内面的一部分上；其特征在于，在上述容器部的内部中，用上述密封材料形成有分 隔壁，该分隔壁将上述容器部的内部划分为设有上述阳极及上述阴极的第1部分和设有 上述凹部及上述IC的第2部分。发明效果根据技术方案1所述的IC内置型荧光显示装置，由于将容器部的内部用气密构 造的分隔壁分隔，划分隔绝为存在设有阳极和阴极的发光显示部分的第1部分、和设有 在使用时容易成为气体产生的原因的凹部和IC的第2部分，所以作为发光显示部分的第 1部分的内容积变小，在制造时容易通过非蒸发型吸气剂达到需要的真空度而得到良好的 寿命特性，并且不易发生因使用时的气体产生而使发光显示部分的发光特性劣化的不良 状况。根据技术方案2所述的IC内置型荧光显示装置，在技术方案1所述的IC内置型 荧光显示装置带来的效果中，由于特别将设在构成容器部的阳极基板与阴极基板之间的 连接电极设在容器部的第2部分中，与作为发光显示部分的第1部分相隔离，所以即使在 使用时从连接电极产生了气体，也不会使第1部分的真空度下降而使发光部分的寿命特 性劣化。根据技术方案3所述的IC内置型荧光显示装置，在技术方案1或2所述的IC内 置型荧光显示装置带来的效果中，由于在容器部的第1部分中设置非蒸发型吸气剂，所 以能够通过非蒸发型吸气剂提高内容积较小的第1部分的真空度，可靠地达到并维持需 要的真空度，能够得到发光显示部分的良好的寿命特性。根据技术方案4所述的IC内置型荧光显示装置，在密封了对置的阳极基板和阴 极基板的外缘的容器部的内面上形成凹部、在该凹部内配置有IC的IC内置型荧光显示装 置中，由于将容器部的内部空间用气密构造的分隔壁划分，划分隔绝为存在设有阳极和 阴极的发光显示部分的第1部分、和设有容易在使用时成为气体产生的原因的凹部和IC 的第2部分，所以作为发光显示部分的第1部分的内容积变小，在制造时通过非蒸发型吸 气剂容易达到需要的真空度而得到良好的寿命特性，并且不易发生通过使用时的气体产生使发光显示部分的发光特性劣化的不良状况。
图1是第1实施方式的荧光显示装置的俯视图。图2是图1的X-X切断线的剖视图的一部分。图3是在包括实施方式的荧光显示 装置的薄型面板构造的荧光显示装置中，以 非蒸发型吸气剂的面积为参数而表示封装容积与容器部内的压力的关系的曲线图。图4是第2实施方式的荧光显示装置的剖视图的一部分。图5(a)是表示在容器部的内部中没有安装IC的荧光显示装置的尺寸例的俯视 图，图5(b)是图5(a)的b_b切断线的剖视图。此外，图5(c)是表示为了在容器部的内 部中安装IC而将图5(a)及图5(b)所示的荧光显示装置沿横向扩大、在内面上形成了凹 部的荧光显示装置的尺寸例的俯视图，图5(d)是图5(c)的d-d切断线的剖视图。[标号说明]1、1'荧光显示装置2容器部3阴极基板4阳极基板7 阳极10 阴极15分隔壁16非蒸发型吸气剂20 凹部2IIC25连接电极A第1部分B第2部分
具体实施例方式1、第1实施方式(图1 图3)参照图1 图3说明第1实施方式的荧光显示装置。图1及图2所示的第1实施方式的荧光显示装置1是具有利用碳纳米管的电子释 放元件的薄型面板构造的荧光显示装置(碳纳米管场致发射显示器)。作为薄型面板的容器部2包括作为透光性的矩形的玻璃板的阴极基板3、和与阴 极基板3为大致相同形状但一对长边稍长的阳极基板4。阳极基板4和阴极基板3将外 形对齐而相互平行地配置，以使阳极基板4的长边侧的一部分突出。两基板3、4的间隔 通过在两基板3、4之间作为衬垫5配置规定外径(例如30 μ m 100 μ m左右)的小珠 (beads)等而设定。并且，沿着阴极基板3的外缘，将两基板3、4之间用熔块玻璃(7 U 7卜力‘，^ )等的密封材料6以周状密封。在阳极基板4的内面上形成有阳极7。阳极7包括形成在阳极基板4的内面上的阳极导体8、和形成在阳极导体8的表面上的荧光体层9。本实施方式的阳极7是沿着图 1的上下方向及图2的纸面垂直方向延伸设置的带状，在图1及图2的左右方向上隔开规 定间隔并排设置有多条。在阴极基板3的内面上，形成有阴极10以使其与上述阳极7对置。阴极10包括 形成在阴极基板3的内面上的阴极导体11、和设在阴极导体11的表面上的碳纳米管12。 本实施方式的阴极是沿着与阳极7正交的方向延伸设置的带状，隔开规定间隔并排设置 有多条。因而，多条并排的带状的阳极7和与其交叉而多条并排的带状的阴极10构成矩 阵，两电极的交点作为像素发光。在容器部2的内部中，设有将容器部2的内部空间气密地划分为两个部分的分隔 壁15。分隔壁15例如由与在容器部2的密封中使用的熔块玻璃等的密封材料6相同的材 料构成，在将上述阳极基板4与阴极基板3的外周部密封的工序中一起形成。在由分隔 壁15分隔的容器部2的内部空间中的第1部分A中有阳极7和阴极10。在该第1部分 中，在没有设置阳极7的阳极基板4的表面的角或没有设置阴极10的阴极基板3的表面 的角上，以细长的矩形状的图案(pattern)通过印刷法覆盖形成有ZrV等的非蒸发型吸气 剂16。
在由分隔壁15分隔的容器部2的内部空间中的第2部分B中，在阴极基板3的 内面上通过锪孔加工而形成有大致长方体形状的凹部20。此外，在与凹部20对置的阳极 基板4的内面上，通过芯片接合糊剂安装有作为控制元件的IC21。包括芯片接合糊剂的 IC21的高度比阳极基板4与阴极基板3的间隔大，但由于在阴极基板3的内面上形成有 凹部20，所以IC21及IC21的接合线(bonding wire) 22不与阴极基板3干涉、接触而收纳 在容器部2内。该凹部是锪孔加工而成的，因此其内面是细微的凹凸状，如果水分等附 着则在使用时成为产生气体的原因，此外，将IC固定的芯片接合糊剂也有可能在使用时 成为产生气体的原因。但是，即使产生了气体，由于这些凹部20及芯片接合糊剂设在与 包括发光区域的第1部分A相隔绝的第2部分B中，所以不会发生通过产生的气体使第 1部分A的真空度下降的不良状况，不会发生荧光体层9的劣化带来的寿命的缩短等的不 良状况。在容器部2的内部空间的第2部分B中，在阳极基板4与阴极基板3之间设有 连接电极25。连接电极25使设在阳极基板4上的连接配线26与阴极导体11导通。进 而，连接配线26与IC21通过接合线22连接，IC21还通过其他接合线22连接在设于阳 极基板4上并将容器部2的封闭部气密地贯通的端子电极配线27上。另外，虽然没有图 示，但阳极基板4上的阳极7与阴极10同样经由IC21通过端子电极配线27导出到容器 部2之外。该连接电极25是使用由Ag等的导电材料构成的糊剂制造的，所以有可能在容 器部2内产生气体。但是，即使产生气体，由于本实施方式的连接电极25设在与包括发 光区域的第1部分A相隔绝的第2部分B中，所以不会发生通过产生的气体使第1部分 A的真空度下降的不良状况，不会发生荧光体层9的劣化带来的寿命的缩短化等的不良状况。在以上说明的实施方式的荧光显示装置的制造方法中，特别对与容器部2内的真空度相关的工序进行说明。使阳极基板4与阴极基板3夹着衬垫5对置，将其外周部用密封材料6密封的工 序，在500°C左右的高温且高真空气体环境的封闭炉中进行。在封闭工序中，处于容器部 的第1部分A及第2部分B的内部中的受热而膨胀的气体通过在封闭后温度下降到室温， 将容器部内减压。此外，设在第1部分A中的非蒸发型吸气剂16在320°C以上活化，特 别在第1部分A中将容器部内的气体有效地吸附。真空密封的情况下的容器部内的压力 在封闭的高温时通过用泵抽取而成为例如IPa左右，在非蒸发型吸气剂16活化后，当封 闭完成而成为室温时，没有非蒸发型吸气剂16的凹部20所在的第2部分B的压力成为从 上述压力下降1位数的程度，关于有非蒸发型吸气剂16的第1部分A，达到作为荧光显 示装置需要的真空度。这样，实施方式的荧光显示装置的容器部2内的第1部分成为较 高的真空状态。并且，实施方式的荧光显示装置原本是薄型的，并且有阳极7的第1部 分A通过分隔壁15与内容积较大的具有凹部20的第2部分B相隔离，进而在密封后通 过处于容器部2内的非蒸发型吸气剂16吸附处于第1部分A中的气体分子的效果，虽然 比活化时低但仍可以期待，所以能够将第1部分A维持为较高的真空状态。将上述容器部2的外周部用密封材料6密封的工序也可以在惰性气体环境下的封 闭炉内进行。作为惰性气体，可以使用Ar、CO2, N2等。惰性气体环境下的封闭工序 中的容器部内的压力在封闭的高温时成为作为大气压的101325Pa左右，在非蒸发型吸气 剂16活化后，当封闭完成而成为室温时，没有非蒸发型吸气剂16的凹部20所在的第2部 分B的压力成为从上述压力下降1位数的程度，对于具有非蒸发型吸气剂16的第1部分 A，是比上述真空密封的情况压力稍高的程度，但能够实现作为荧光显示装置所需要的程 度的真空度。这样，在基于惰性气体环境下的密封工序的荧光显示装置中，对于容器部 2内的第1部分A能够得到在实用上在发光方面没有问题的真空状态。并且，实施方式 的荧光显示装置原本是薄型的，并且有阳极7的第1部分A通过分隔壁15与内容积较大 的有凹部20的第2部分B相隔离，进而在密封后，通过处于容器部2内的非蒸发型吸气 剂16吸附处于第1部分A中的气体分子的效果，也虽然比活化时低但仍可以期待，所以 能够将第1部分A维持为在实用上在发光方面没有问题的真空度。这样的制造方法比在 高真空气体环境下进行的方法容易，制造成本也更少就足够。将上述容器部2的外周部用密封材料6密封的工序也可以在大气气体环境下的封 闭炉内进行。在此情况下，容器部内的压力为与惰性气体环境下的封闭工序中的容器部 内的压力同样，能够得到与具备在惰性气体环境下封闭的容器部的荧光显示装置同样的 效果。此外，这样的制造方法与在高真空气体环境下进行的方法、及在惰性气体环境下 进行的方法相比更容易，制造成本也更少就足够。这里，对本实施方式的荧光显示装置中的锪孔加工带来的影响、还有设置分隔 壁15的效果进行说明。根据帕邢(Paschen)法则，在平行 的电极间火花放电产生的电压，是气体压力与 电极间隔的乘积的函数。即，如果真空度变高，则放电阈值变高，放电带来的电极的破 坏变得不易发生。因而，仅通过用锪孔加工在容器部2内设置凹部20，容器部2的内容积 增大而真空度恶化，结果，放电阈值下降而会容易发生阴极10等的放电破坏。但是，根 据本实施方式，由于在容器部2内设置分隔壁15，将发光显示部存在的部分与有凹部20的部分气密地划分分离，在存在发光显示部的部分中设置了非蒸发型吸气剂16，所以能 够至少使有发光显示部的部分成为较高的真空度的状态，并且能够维持该状态，结果， 将放电阈值保持得较高，不易发生阴极10及阳极7的放电破坏。制作出与具有64点(dot) X 128点的发光显示部的本实施方式的荧光显示装置仅 在没有分隔壁15这一点不同、其他与本实施方式的荧光显示装置相同结构的比较例的荧 光显示装置。上述点结构意味着带状的阴极10有64条、带状的阳极7有128条。这 里，将比较例与实施方式的两荧光显示装置实际驱动规定时间，比较研究在阴极配线中 观察到的放电带来的断线的发生率。结果，如果将阴极10的上述条数中的断线的条数的 比例表示为断线率，则在比较例中是6.8%，相对于此，在本实施方式中仅为0.8%，是 低的比率，可知通过真空度较高使放电变得不易发生。图3是在本实施方式那样的薄型面板构造的荧光显示装置中、以非蒸发型吸气 剂16的面积为参数表示封装容积与容器部2内的压力的关系的曲线图。在该图中，在横 轴上相对地处于左方的“封装容积小”的区域对应于实施方式的荧光显示装置，可知不 论ZrV的面积的大小如何，都能够得到在纵轴上相对地处于下方的“真空度高”。这样，根据本实施方式的荧光显示装置1，是为了在薄型的荧光显示装置中将 IC21设置到容器部2内而在容器部2的内面上锪孔加工了凹部30的构造，并且对于容器 部2内的至少有发光区域的部分(第1部分A)能够得到足够的真空度，并且使用中的真 空度也稳定，因此电压电流特性(电压亮度特性)提高，也不易发生放电带来的电极的破 坏，还能够得到作为发光元件的寿命也提高的效果。2、第2实施方式(图4)参照图4说明第2实施方式的荧光显示装置1'。该第2实施方式的荧光显示装置1 ’是具有与第1实施方式的荧光显示装置1大 致同样的结构的碳纳米管场致发射显示器，对于与第1实施方式相同的结构部分赋予与 图2相同的标号而省略说明，仅对与第1实施方式不同的部分进行说明。在第2实施方式的荧光显示装置1'中，在有阳极7和阴极10的第1部分A中 设有连接电极25。 S卩，处于由分隔壁15分隔的第2部分B中的主要的结构要素只是凹 部20、IC21、接合线22等，连接电极25不在第2部分B中。根据本例，在能够期待从 连接电极25几乎不释放气体的情况下，能够得到与第1实施方式同样的效果。即使从连 接电极25释放了若干气体，对于将容器部2的内容积扩大并且担心从内面释放气体的凹 部20，由于通过分隔壁15与发光显示部相隔离，所以至少对于这部分能够得到提高真空 度或真空度不下降的效果。另外，在以上说明的实施方式中，将IC21设在阳极基板4上，将凹部20设在阴 极基板3上，但也可以是将IC21设在阴极基板3上、将凹部20设在阳极基板4上的结 构。此外，本发明在具备斯宾迪型电子释放元件的结构、及碳纳米管场致发射显示器那 样的薄型面板构造的荧光显示装置中特别有效，但当然应用到在阴极中使用灯丝的类型 的荧光显示装置中也能够得到效果。
权利要求
1.一种IC内置型荧光显示装置， 具备容器部；阳极，具备荧光体层并设在上述容器部的内面上；阴极，以与上述阳极相对置的方式设在上述容器部的内面上，并释放电子； 凹部，形成在上述容器部的内面上；以及控制用IC，在上述容器部的内部中以与上述凹部相对应的方式配置； 使从上述阴极释放的电子射击到上述荧光体层上而使其发光； 其特征在于，在上述容器部的内部中设置有分隔壁，该分隔壁将上述容器部的内部划分为设有上 述阳极及上述阴极的第1部分和设有上述凹部及上述IC的第2部分。
2.如权利要求1所述的IC内置型荧光显示装置，其特征在于，将上述阴极或上述阳极中的一个与设在设有上述阴极或上述阳极中的另一个的一侧 的上述容器部的内面上的上述IC相连接的连接电极，设在上述容器部的上述第2部分 中。
3.如权利要求1或2所述的IC内置型荧光显示装置，其特征在于， 在上述容器部的内部中，至少在上述第1部分中设有非蒸发型吸气剂。
4.一种IC内置型荧光显示装置，具有容器部，将在内面上形成有具有荧光体层的阳极的阳极基板、和在内面上设有对 电子进行电场释放的阴极的阴极基板配置为，使上述阳极和上述阴极隔开规定的间隔对 置，沿着其外缘用密封材料以周状进行密封而成；凹部，设在上述阴极基板与上述阳极基板中的一个的内面的一部分上；以及 控制用IC，以与上述凹部相对置的方式设在上述阴极基板与上述阳极基板中的另一 个的内面的一部分上； 其特征在于，在上述容器部的内部中，用上述密封材料形成有分隔壁，该分隔壁将上述容器部的 内部划分为设有上述阳极及上述阴极的第1部分和设有上述凹部及上述IC的第2部分。
全文摘要
一种IC内置型荧光显示装置。在容器部的凹部内设有控制用IC的荧光显示装置中，使容器部内的真空度提高而达到较高的寿命特性。荧光显示装置(1)的容器部(2)是使设有阳极(7)的阳极基板(4)与设有阴极(10)的阴极基板(3)隔开规定的间隔对置、将外缘用密封材料(6)以周状密封的结构。在阴极基板的内面上设有凹部(20)，设在阳极基板上的IC(21)收纳在凹部内。容器部的内部被分隔壁(15)气密地划分为设有阳极及阴极的第1部分(A)、和设有凹部及IC的第2部分(B)。凹部的内容积较大，但由分隔壁分隔出的部分(A)的容积较小，通过非蒸发型吸气剂，能够得到较高的真空度。
文档编号H01J31/12GK102013377SQ201010276058
公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月7日 优先权日2009年9月8日
发明者利根川武, 吉村智志, 森山武, 横山三喜男, 都仓勝司, 高山定则 申请人:双叶电子工业株式会社