专利名称：干刻蚀底部电极及干刻蚀装置的制作方法
技术领域：
干刻蚀底部电极及干刻蚀装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种干刻蚀技术领域，尤其涉及一种改进的干刻蚀底部电极及干刻蚀装置。
背景技术：
[0002]干法刻蚀工艺，是在掩膜曝光后，对基板非金属进行膜刻蚀的过程。若在制造过程中采用了半曝光技术，在干刻过程中就需要增加对胶的灰化过程。如图1和2所示，现有技术中，干刻蚀底部电极的电极底板1上阵列设置的支撑凸起2 (Embossing)为立方体结构。 如图3所示，一待灰化的玻璃基板3放置在干刻蚀底部电极上，等待灰化过程。在实现本实用新型的过程中，发明人发现干刻蚀底部电极的电极底板1上的立方体支撑凸起2在其发挥支撑和吸附玻璃基板的同时，由于应力和温度作用的存在，使得干刻蚀底部电极与玻璃基板接触的区域和非接触区有很大差异，该较大差异会造成不同区域间的灰化效果不同， 进而影响后续的工艺质量。特别是现有的制造TFT-LCD所采用的4Mask工艺中，会出现与干刻蚀底部电极相关的制造不良，这种不良是阵列工艺的一大顽疾，不仅造成废品率高且过程中难以监控。实用新型内容[0003]针对上述问题，本实用新型提供一种能够有效改善制造不良，提高制造质量的干刻蚀底部电极及干刻蚀装置。[0004]为达到上述目的，本实用新型所述干刻蚀底部电极，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。[0005]进一步地，本实用新型所述干刻蚀底部电极，还包括设置在所述电极底板和所述半球形结构支撑凸起上的绝缘层。[0006]优选地，所述绝缘层的材质为陶瓷。[0007]特别地，所述半球形结构支撑凸起在所述电极底板上的投影圆直径为1. 24mm。[0008]特别地，所述的半球形结构支撑凸起的高度为0. 62mm。[0009]进一步地，所述的半球形结构支撑凸起上还设有真空吸附孔。[0010]特别地，所述的真空吸附孔的孔径为0. 05mm。[0011]为达到上述目的，本实用新型所述干刻蚀装置，至少包括顶部电极，以及与所述顶部电极平行相对配置的底部电极，所述底部电极为上述的干刻蚀底部电极。[0012]本实用新型的有益效果[0013]本实用新型所述干刻蚀底部电极通过将现有的立方体结构的支撑凸起改为半球形结构支撑凸起，将干刻蚀底部电极与玻璃基板之间的面接触改为点接触，大大减小了干刻蚀底部电极与玻璃基板的接触面积，减小了接触区域和非接触区域的温度差异，提高了灰化效果，进而避免了对后续制造工艺的不良影响。[0014]另外，本实用新型采用半球形结构支撑凸起的干刻蚀底部电极，能避免划伤放置在该干刻蚀底部电极上的玻璃基板。
[0015]图1是现有技术中干刻蚀底部电极的结构示意图；[0016]图2是图1的A-A向视图；[0017]图3是现有技术中的干刻蚀底部电极上放置有玻璃基板的示意图；[0018]图4是本实用新型所述的干刻蚀底部电极的结构示意图；[0019]图5是图4的B-B向视图；[0020]图6是本实用新型所述的干刻蚀底部电极上放置有玻璃基板的示意图。[0021]图7为本实用新型实施例中所述的干刻蚀底部电极的尺寸图具体实施方式
[0022]下面结合说明书附图对本实用新型做进一步的描述。[0023]如图4至图6所示，本实用新型所述干刻蚀底部电极，包括电极底板1，以及阵列设置在所述电极底板1上的支撑凸起2，该支撑凸起2为半球形结构。[0024]作为本实用新型进一步地实施例，所述的干刻蚀底部电极，还包括设置在所述电极底板1和所述半球形结构支撑凸起2上的绝缘层4。优选地，该绝缘层的材质可选为陶ο[0025]实施例1[0026]本实施例所述的的干刻蚀底部电极，包括电极底板1，以及阵列设置在所述电极底板1上的支撑凸起2，该支撑凸起2为半球形结构。该电极底板1及支撑凸起2上设有陶瓷绝缘层。如图7所示，该半球形结构支撑凸起2在所述电极底板1上的投影圆直径为 1. 24mm。所述的半球形结构支撑凸起2的最高点距电极底板1的上表面的距离为0. 62mm。 各半球形结构支撑凸起2之间的间距可依据实际的尺寸和需求进行设定。该半球形结构支撑凸起2上还设有孔径为0. 05mm的真空吸附孔。该支撑凸起2不仅能起到支撑和吸附放置在其上的玻璃基板，减小干刻蚀底部电极与玻璃基板的接触面积，减小接触区域和非接触区域的温度差异，提高灰化效果，进而避免对后续制造工艺的不良影响；还能有效避免划伤玻璃基板。[0027]实施例2[0028]本实用新型所述的干刻蚀装置，至少包括顶部电极，以及与所述顶部电极平行相对配置的底部电极，所述底部电极为上述的干刻蚀底部电极。具体地，可以采用实施1所述的干刻蚀底部电极。[0029]本实用新型在不影响支撑和吸附玻璃基板的功能下，减少了底部电极与玻璃基板的接触面积，从而有效的提高灰化效果，进而改善后续的工艺质量。[0030]以上，仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
权利要求1.一种干刻蚀底部电极，其特征在于，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。
2.根据权利要求1所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，还包括设置在所述电极底板和所述半球形结构支撑凸起上的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述绝缘层的材质为陶瓷。
4.根据权利要求1 3任一项所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述半球形结构支撑凸起在所述电极底板上的投影圆直径为1. 24mm。
5.根据权利要求4所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的半球形结构支撑凸起的高度为0. 62mm。
6.根据权利要求1 3任一项所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的半球形结构支撑凸起上还设有真空吸附孔。
7.根据权利要求6所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的真空吸附孔的孔径为 0. 05mmo
8.一种干刻蚀装置，至少包括顶部电极，以及与所述顶部电极平行相对配置的底部电极，其特征在于，所述底部电极为权利要求1至7中任意一所述的干刻蚀底部电极。
专利摘要本实用新型公开一种干刻蚀底部电极及干刻蚀装置，主要是为了改善干刻蚀工艺质量而设计。本实用新型所述干刻蚀底部电极，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。本实用新型通过将现有的立方体结构的支撑凸起改为半球形结构支撑凸起，将干刻蚀底部电极与置于其上的玻璃基板之间的面接触改为点接触，大大减小了干刻蚀底部电极与玻璃基板的接触面积，减小了接触区域和非接触区域的温度差异，提高了灰化效果，进而避免了对后续制造工艺的不良影响。
文档编号H01J37/32GK202307791SQ201120453529
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月15日 优先权日2011年11月15日
发明者彭志龙, 董云 申请人:北京京东方光电科技有限公司