用于聚焦带电粒子束的磁透镜的制作方法

用于聚焦带电粒子束的磁透镜的制作方法
【专利摘要】本发明涉及用于聚焦带电粒子束的磁透镜。现有技术的带电粒子磁透镜包括轭和空气间隙。该空气间隙限定其中磁场存在于透镜的光轴上的位置。根据本发明，一种用于聚焦沿着光轴行进的带电粒子束的磁透镜包括：轴向孔，布置在所述光轴周围以容纳所述束；磁场生成装置，用于生成磁场；以及磁轭，用以引导和集中所述磁场朝向所述光轴以便形成用于所述束的聚焦区域，其中，所述轭具有复合结构，包括外部主要部分和内部次要部分；所述次要部分被安装为所述主要部分内的单体插件以便被布置在所述聚焦区域周围；所述次要部分包括围绕所述孔并充当磁收缩区的腰部区域，其被配置成使得所述磁场在所述腰部区域中经受饱和，从而使磁通量离开所述腰部区域并且在所述聚焦区域中形成聚焦场。此类腰部区域取代了现有技术透镜中的空气间隙的角色。
【专利说明】用于聚焦带电粒子束的磁透镜
[0001] 本发明涉及用于聚焦沿着光轴行进的带电粒子束的磁透镜，该透镜包括： -轴向孔，布置在所述光轴周围以容纳所述束； -磁场生成装置，用于生成磁场；以及 -磁轭，用以引导和集中所述磁场朝向所述光轴以便形成用于所述束的聚焦区域。
[0002] 本发明还涉及一种使用此类磁透镜来聚焦带电粒子束的方法。
[0003] 本发明另外涉及一种制造此类磁透镜的方法。
[0004] 本发明还涉及带电粒子显微镜，包括： -带电粒子源，用于产生沿着光轴传播的带电粒子的辐射束； -样本保存器，用于保存要被辐射的样本； -粒子-光学柱，用于将所述束导向至所述样本上； -检测器，用于检测响应于所述辐射而从所述样本发出的输出电子的通量， 其中所述粒子-光学柱包括如以上开始段落中所阐述的至少一个磁透镜。
[0005] 例如根据常规电子显微镜法，如以上开始段落中所阐述的磁透镜是已知的，并且 被描述例如在 L. Reimer 的〃Scanning Electron Microscopy"，Springer Verlag (1985), ISBN 3-540-13530-8 中，更具体地来自章节 2.2.1: Electron lenses (第 20-23 页）。
[0006] Reimer描述了一种具有用于生成磁场的电线圈和一对磁极片(包括轭)的磁透镜， 该极片将磁场集中为透镜的对称轴上的旋转对称轴向场。行进通过该轴向场的带电粒子 (电子）受到洛伦兹力并且因而经历聚焦效应。该极片对被设置成使得跨介于中间的"空气 间隙"彼此面对，当所述电线圈被激励(调用）时，来自极片的磁场线穿过所述"空气间隙"。 尽管常规地被称作"空气间隙"，但是实际上此类间隙可能是空的，或者可能填充有非磁性 材料。
[0007] 透镜的焦度(其焦距）是其激励(所述电线圈中的电流和匝数）以及被聚焦的带电 粒子的质量和能量的函数。磁透镜通常用于聚焦电子，然而静电透镜常常优选用于聚焦离 子。
[0008] 如本领域技术人员公知的，此类磁透镜中的极片必须跨介于中间的空气间隙良好 地对齐。如果极片未对齐，即一个极片的(柱体）对称轴未与另一个极片的(柱体）对称轴重 合，那么结果所得的透镜轴将非期望地歪曲，从而导致功能不良的聚焦动作。为了促进合适 的对齐和性能，此类极片通常需要被制造成严格的机械容差(通常10 μ m的量级或者更小） 因此这些极片趋于是相对昂贵的部件。其复杂之处在于包括在极片中的磁性材料应该理想 地具有相对低的滞后；为了实现此，所述材料通常是经退火的，这限制了极片的后续可加工 性(例如，利用车床和铣床)。
[0009] 对于常规透镜的另一个问题在于极片之间的空气间隙还(不需要地）传递垂直于 光轴的杂散磁场。此类垂直场(包括50Hz磁场)会非期望地影响通过透镜的束，并且会是附 加的歪曲源。
[0010] 针对关于磁性材料的更多信息，通常引用R. Boll的德语出版物 "Weichmagnetische Werkstoffe", Vacuumschmelze GmbH & Co. KG, ISBN 3-80090154604。
[0011] 本发明的目的是解决这些问题。特别地，本发明的目的是提供一种磁透镜设计，其 允许组成部件的更准确且更容易的对齐。此外，本发明的目的在于：此类设计应当适合于关 键部件的更容易加工，从而导致降低的制造成本。另外，本发明的目的是提供一种磁透镜设 计，其具有对垂直杂散磁场的减少的磁化率，从而导致具有改进的粒子-光学特性。
[0012] 在以上开始段落中所阐述的磁透镜中实现了这些和其他目的，根据本发明所述磁 透镜的特征在于： -所述轭具有复合结构，包括外部主要部分和内部次要部分； -所述次要部分被安装为所述主要部分内的单体插件以便被布置在所述聚焦区域周 围； -所述次要部分包括围绕所述孔并充当磁收缩区（constriction)的腰部区域，其被配 置成使得所述磁场在所述腰部区域中经受饱和，从而使磁通量离开腰部区域并且在所述聚 焦区域中形成聚焦场。
[0013] 本发明基于多个协同的洞察，如下： -使用在两个相对极片之间的空气间隙是促使磁通量逃脱轭并进入要在其中产生聚 焦效应的区域中的传统方式。然而，此类空气间隙的存在实际上需要存在两个极片(具有随 之而来的准确地对齐它们的纵轴的困难)。
[0014] -本发明采取与该传统安排根本上不同的机制。作为使用空气间隙的代替，在聚 焦区域处提供了轭而具有磁收缩区(腰部)，所述磁收缩区在被来自透镜的磁场生成装置的 磁场充满时变得磁饱和。由于收缩区内的此类磁饱和，所以促使磁通量在该位置处逃脱轭 (原因在于它无其他地方可去)。然后利用该新出现的通量来在孔（同义的井、隧道、通道)内 产生所期望的聚焦效应/场，其通常沿着透镜的柱体轴而布置。
[0015] -因为在新设计中不存在空气间隙，所以不需要两个相对的极片。作为代替，摩鈇 设计变得可能(因而回避了相互对齐两个极片的需要)。换言之：现有技术"聚焦结构"包括 跨介于中间的空气间隙而相对于彼此对齐的两个单独的极片，然而本发明的"聚焦结构"包 括单个组件，其中腰部作为空气间隙的代替。
[0016] -为了促进制造，轭被给出复合结构，包括： ?相对大的主要部分，被制造成相对低的容差并且通常包括轭块、位于(相对关键的）聚 焦区域的远端。该主要部分能够包括(如果需要的话）多个协作的子组件。 ?相对小的单体次要部分，被制造成相对高的容差、位于(相对关键的）聚焦区域的附 近。该次要部分能够完全非原位地被制造，并且然后被安装为主要部分内的单个插件(在主 要部分中提供的基座结构)。
[0017] 这些主要和次要部分将通常包括不同材料。
[0018] -通量从饱和腰部的逃脱(逃逸)能够被利用以产生对称的轴向聚焦场。由于在本 发明的设计中不存在空气间隙，所以回避了以上所提及的杂散磁场。因为围绕聚焦区域的 材料通常将只在轴向方向上饱和，所以垂直于轴向方向的磁导率将是高的，从而产生比 采用空气间隙的常规透镜大得多的屏蔽。
[0019] 要注意，尽管由经受磁饱和的腰部区域来替换磁透镜中的空气间隙可能看起来是 相对简单的设计特征，但是其对于本领域技术人员不是显而易见的，尤其针对以下原因： -有意地使轭的一部分饱和(如本发明那样）导致如下现象：由此当在高激励处使用透 镜时，饱和材料的体积将比在低激励处使用透镜时更大；当转变为（具有空气间隙的）常规 透镜的情况时，某人能够想到此类改变作为空气间隙中的尺寸改变的等价物，具有随之而 来的根据激励的透镜焦度的变化。在常规透镜中，将带电粒子能量增加四倍将可预测地需 要透镜激励/电流增加两倍，以便产生相同的聚焦效应；然而，在根据本发明的使用饱和材 料的透镜中，可以根据该简单的函数依赖而预期不可预测地偏离，这是由于以上提到的体 积改变效应。
[0020] -现今，磁透镜设计通常借助于基于模拟的有限元建模（FEM)完成。在现代FEM程 序中，对于给定模拟中的每一个元(对应于体素)，在连续迭代中计算(见上文)的值。随 着更多的体素变得越来越饱和，随之而来的迭代数目急剧增加。因而，透镜设计者趋于偏向 在饱和材料方面相对差的透镜设计。
[0021] -在根据本发明的透镜中，某人趋于需要(在被用作磁场生成装置的线圈中的）比 常规透镜的情况更多的安培匝来产生给定的(磁）聚焦场。这是因为，在本发明的透镜中， 一定量的线圈电流被用来在不导致随之而来的轴向磁场的情况下使腰部区域中的材料饱 和；相反，在常规透镜中，该相同量的电流容易地可用于在间隙中生成磁场，因而促成轴向 磁场。
[0022] 因而传统地，带电粒子显微镜的设计者已经具有若干理由来将磁饱和材料的量保 持得尽可能地低，例如限制于限定空气间隙的边缘。此类趋势强烈地偏离本发明。
[0023] 令人意外地，发明人已经发现：（腰部）区域与磁饱和材料的有意合并趋于导致更 平滑的轴向场改变(较低的dB/dz，其中B是磁场并且z沿着光轴被测量)，从而导致相比于 具有类似大小的聚焦区域的现有技术透镜更低的透镜像差。这是由于磁通量从饱和材料更 平缓地逃脱，如相比于在现有技术透镜中轭/空气间隙边界处进行的突然阶跃。
[0024] 通常，次要部分将具有"沙漏"形状(或者与其类似的形状)，具有从相对大的直径 (在一端处）到相对小的直径(在腰部处)、并且回到相对大的直径(在另一端处）的平缓的过 渡；例如见图2。然而，情况并不一定必须如此，并且同样可想到从更大到更小的直径的更 像阶跃式的过渡；例如见图3。次要部分通常将具有圆形截面(垂直于粒子-光轴/孔而查 看)，并且通常将在纵向截面中是对称的。轭的主要部分通常将具有次要部分的端部可以被 拟合和固定到其中的洞/腔/穴。
[0025] 在本发明的实施例中，所述磁场生成装置从包括如下项的组中选择：电线圈、永磁 体、及其组合。
[0026] 基于永磁体的透镜是公知的，并且具有以下优势：它们在使用中不需要消耗电力。 采用电线圈的透镜趋于更常用，这是因为它们允许经由调整被发送通过所讨论中的(一个 或多个）线圈的电流来在场强方面（以及因而粒子-光学行为）进行调整。这两种方法的结 合允许一种其中大部分磁场能够由所采用的永磁体而生成的透镜，而该场的变化(变到更 高或更低的水平）能够通过适当激励附随的(一个或多个）电线圈来实现。
[0027] 在另一实施例中，所述主要和次要部分包括不同的磁性材料。
[0028] 在此类实施例中，轭的仅相对小的部分(所述次要部分）需要由被加工为高准确度 并退火到最高磁性标准的高品质磁性材料构成，而轭的其他部分(所述主要部分）能够包括 具有无约束的容差、磁性品质和/或退火标准的较低级材料(从而导致制造起来更便宜且 更容易的复合轭)。
[0029] 在又另一实施例中，轭的至少次要部分包括从包括如下项的组中选择的磁性材 料：铁磁材料、铁氧体、及其组合。
[0030] (低滞后的）铁磁材料的示例包括（以纯形式或作为合金）Fe、Co和Ni，并且这些可 以由微量的例如Cu、Mo、Si、Va、和/或Cr补充。
[0031] 铁氧体(包括铁氧化物）还适合于此类使用：在该方面，见： http://en.wikipedia. org/wiki/Ferrite %28magnet%29 在另一实施例中，本发明的磁透镜还包括辅助电线圈，其布置得接近于所述腰部区域 并且能够被调用以在所述磁收缩区中产生辅助磁场，从而允许所述聚焦场的调整。
[0032] 该实施例背后的基本想法在于：由辅助电线圈产生的辅助磁场将(依赖于场方向） 在腰部区域中产生局部（并且可控的）强化或弱化磁通量，从而影响所述区域中的饱和程 度，并且因而还影响通量从所述区域逃脱的程度，这对应地影响发生在聚焦区域中的聚焦 场。本领域技术人员将了解，在一些情况中，所期望的是能够进行对透镜焦度的快速调整。 在现有技术透镜中，此类调整需要使用位于透镜的孔中的调整线圈（由于若干理由，这趋于 不合期望的，例如因为涉及冷却、可达性/检修等的问题)。通过代替地将辅助线圈置于真 空屏障(孔)之外，避免了此类问题。当前的实施例使用此类外部辅助线圈，其位于腰部区域 处/附近的次要轭部分(插件）的外表面近旁/处；例如，线圈可以有些像腰带那样围绕腰 部区域。
[0033] 由于此类辅助电线圈的感应系数将趋于比围绕非饱和材料的类似电线圈的感应 系数更低，所以如上所描述的辅助线圈允许对透镜焦度进行高频改变。
[0034] 在本发明的又另一实施例中，在所述孔内提供至少一个附加的粒子-光学元件， 所述附加元件从包括以下项的组中选择：偏转元件、检测元件、静电透镜元件、多极元件、校 正器、辅助透镜、及其组合。
[0035] 在带电粒子显微镜(例如诸如SEM、TEM、STEM、FIB-SEM、离子显微镜或质子显微镜） 的相对狭窄的光学柱中，相当常见的是具有位于孔中的许多附加的粒子-光学元件。例如， 一组偏转器能够布置在孔中，以便实现带电粒子束相对于样品保存器上的样品的表面的定 位/扫描运动(例如见图7)。
[0036] 在特定的实施例中，如上所指定的磁饱和(在腰部区域中）的发生导致所述聚焦场 的方向上的增量磁导率μ Λ减少到可得到的最大增量磁导率μ 的至多10%，并且优选 地到μ 的至多1%。
[0037] 通过在增量磁导率μ Λ= δ Β/ δ Η方面限定饱和(其中Η为磁场强度)，并且通过在 μ 发生处的磁场值以上的磁场处规定μ δ_Λ〇(并且优选地μ δ_Λ〇〇)， 目标值能够被视为饱和，而不是经常使用的"渐近值"的定义。
[0038] 在另一实施例中，透镜与沿着光轴设置的其他组件形成真空密封。
[0039] 此类实施例提供了一种将此类组件例如沿着电子显微镜的粒子-光轴堆叠在一 起的简单又有效的方式。对齐各堆叠的组件能够例如使用诸如荷兰专利申请号NL 1025037 中所描述的原理来完成。
[0040] 要注意磁性材料在被磁化时经常改变尺寸，这是由于已知为磁致伸缩的效应；相 反地，磁性材料上的应力/张力会影响其磁性质。鉴于此，通常期望的是当将次要轭部分 (插件）安装在主要轭部分内时避免其中的不当的压力/张力。
[0041] 作为最后的评论，应当注意如应用于次要轭部分(插件）的术语"单体"旨在暗示以 其最基本形式的插件(例如不具有如上提及的辅助线圈、或者用来将其放置/对齐/附标在 主要轭部分内的任何安装结构）是一体式组件。这未必就意味着它从其制造的结构不能是 复合的：例如，某人能够想象从具有层压结构的工作件来加工次要插件，或者某人可以在制 造之后利用薄膜来涂敷插件等等。术语"单体"主要意在与其中两个单独的、个别的、独立 的极片被定位在空气间隙的任一侧上的现有技术情形相区分。
[0042] 现在将借助于实施例和示意性附图来阐明本发明，在所述附图中： 图1示意性地示出根据本发明的磁透镜的实施例。
[0043] 图2示意性地示出包括插件(次要轭部分）的图1的细节。
[0044] 图3示意性地示出包括插件以及辅助电线圈的图1的细节。
[0045] 图4示意性地示出包括可替代的插件(次要轭部分）的图1的细节。
[0046] 图5示意性地示出B (H)和μ JH)之间的关系(根据磁场强度的磁场和磁导率)。
[0047] 图6示意性地示出在两种模拟中使用的透镜设计，其之一基于现有技术透镜，并 且其另一个基于根据本发明的透镜的实施例。
[0048] 图7示出如扫描电子显微镜（SEM)中所采用的物镜。
[0049] 在图中，其中相关的相同附图标记指示对应的特征。
[0050] 实施例1 图1示意性地示出根据本发明的实施例的(旋转对称的）磁透镜10的截面视图。
[0051] 带电粒子(例如电子)束1沿着光轴2行进。环绕光轴2提供了复合磁轭13、16和 电线圈(磁场生成装置)12。磁轭13包括中心(轴向)孔11，并且包括外部主要部分13和内 部次要部分16,后者（16)被安装为前者（13)内的单体插件。次要部分16包括(具有减少的 外径的）腰部区域15,其围绕所述孔11并充当磁收缩区。在操作中（当给线圈12通电时)， 该腰部区域15磁饱和，因此轴向(聚焦）磁场形成于聚焦区域14中。次要部分16 (并且特 别地腰部区域15)具有高的磁性品质，然而轭的主要部分13能够具有较低的磁性品质，例 如原因在于其包括具有不同（磁性方面较差的）成分的材料，已经经受不同的退火和/或加 工过程等。
[0052] 图2示意性地示出包括次要轭部分(插件）16的图1的细节。图2相对于图1被 侦贿。
[0053] 次要部分/插件16坐进主要轭部分13的"根端"17中的合适地裁制的腔/穴中， 并且包括具有减少的外径的腰部区域15。因为该腰部区域15是相对窄的，所以它形成用于 轭13、16内的通量的磁收缩区并且饱和得比轭的邻近部分更早。
[0054] 由于饱和行为主要由所图示区Α内的材料控制，所以仅区Α中的孔和直径需要被 加工成高准确度。区A之外的材料的磁性质具有较小的重要性，特别是"较差的"磁性部分 13的品质。
[0055] 实施例2 图3示意性地示出具有用于执行高频透镜调制的辅助电线圈18和次要部分(插件）16 的透镜10。
[0056] 该图示出具有腰部部分15的次要部分/插件16。辅助电线圈18接近于(在该情 况下围绕）腰部部分16。在透镜操作期间，辅助线圈18将因而围绕饱和材料，并且因此线 圈18的感应系数将是相对低的，从而允许透镜焦度随相对高的频率而变化。对于沿着光轴 2的轴向场，不发生由于涡电流的屏蔽。
[0057] 实施例3 图4示意性地示出包括可替代的次要部分/插件16的图1的细节。
[0058] 此处，插件16包括凹槽19,其导致半岛状部分20与轭的其余部分（13、16)隔离。 因为此类半岛状部分是磁性"独立式的"，所以它屏蔽轴向区域使其免于杂散磁场的影响。 优选地，插件的独立式半岛状部分延伸超出其中使插件16坐于轭的其余部分（13、17)上的 接头，因而避免磁场在所述接头处的不需要的逃脱。
[0059] 实施例4 图5示意性地示出铁磁材料的B-H曲线和增量磁导率μ Λ= δ Β/ δ H。
[0060] 以特斯拉为单位的磁场强度Β是以A/m表述的Η的结果。这两者之间的关系 为(μ。为真空/空气的磁导率；μ ι?为相对磁导率)。所示曲线是针对纯 (99. 98%) Fe (也公知为磁铁）的示例。如该曲线中所见，材料在近似1. 5Τ的场强处饱和， 并且如本领域技术人员公知的，经过良好退火的纯铁片具有大约40000的最大μ p对于完 全饱和的材料而言，场Β仍在增加，但是然后导数δΒ/δΗ等于μ。，与空气/真空相同。导 数δ Β/ δ Η也公知为增量磁导率μ Λ。
[0061] 出于实用的原因，"饱和"在此处能够限定为针对其μ Λ等于μ Λ_/1〇更优选地 μ Λ_/1〇〇 (见上文）的场强Β。
[0062] 实施例5 图6示意性地示出被用于两种模拟中的透镜设计。
[0063] 图6示出透镜的一半，该透镜是环绕光轴2 (r指示从该轴的半径）旋转对称的。 透镜包括轭13和使该轭磁化的线圈12。被用于模拟中的材料是纯铁，其中在图5中示出 BH曲线和μ Λ。所述两种模拟之间的不同在于： -在第一模拟中，部分601不存在，因而表示具有空气间隙的现有技术透镜。
[0064] -在第二模拟中，部分601由与被用于所模拟的轭13的其余部分中的相同的纯铁 制成。部分601然后形成由本发明所规定的腰部区域/磁收缩区。
[0065] 在第一模拟中，针对具有空气间隙的透镜，透镜的激励（ΝΙ) (3133安培匝（A *t)) 被选择成导致7. 27mm的焦距（F&P。
[0066] 在第二模拟中，针对根据本发明的不具有空气间隙的透镜，选择另一激励，即3548 安培匝，因此用于这两种模拟的焦距是相同的。
[0067] 如(带电光学的）透镜设计的领域的技术人员公知的，球差Cs和色差Cc对于此类 透镜而言是重要参数。一般，这些像差越低越好。模拟示出以下特性： 表1 :针对图6中所示的透镜的模拟透镜特性
【权利要求】
1. 一种用于聚焦沿着光轴行进的带电粒子束的磁透镜，所述透镜包括： -轴向孔，布置在所述光轴周围以容纳所述束； -磁场生成装置，用于生成磁场；以及 -磁轭，用以引导和集中所述磁场朝向所述光轴以便形成用于所述束的聚焦区域， 其特征在于： -所述轭具有复合结构，包括外部主要部分和内部次要部分； -所述次要部分被安装为所述主要部分内的单体插件以便被布置在所述聚焦区域周 围； -所述次要部分包括围绕所述孔并充当磁收缩区的腰部区域，其被配置成使得所述磁 场在所述腰部区域中经受饱和，从而使磁通量离开所述腰部区域并且在所述聚焦区域中形 成聚焦场。
2. 根据权利要求1所述的磁透镜，其中所述磁场生成装置从包括以下项的组中选择： 电线圈、永磁体、及其组合。
3. 根据权利要求1或2所述的磁透镜，其中所述主要和次要部分包括不同的磁性材料。
4. 根据权利要求1-3中任一项所述的磁透镜，其中所述次要部分包括从包括以下项的 组中选择的磁性材料：铁磁材料、铁氧体、及其组合。
5. 根据权利要求4所述的磁透镜，其中所述次要部分具有大体上沙漏形状。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的磁透镜，包括辅助电线圈，其布置得接近于所述 腰部区域并且能够被调用以在所述磁收缩区中产生辅助磁场，从而允许所述聚焦场的调 整。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的磁透镜，其中，在所述孔内提供的是至少一个附 加的粒子-光学元件，其从包括以下项的组中选择：偏转元件、检测元件、静电透镜元件、多 极元件、校正器、辅助透镜、及其组合。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的磁透镜，其中所述磁饱和使所述聚焦场的方向上 的增量磁导率μ Λ减少到可得到的最大增量磁导率μ 的至多1〇%，并且优选地到μ 的至多1%。
9. 一种聚焦沿着光轴行进的带电粒子束的方法，其使用磁透镜，所述磁透镜包括： -轴向孔，布置在所述光轴周围以容纳所述束； -磁场生成装置，用于生成磁场；以及 -磁轭，用以引导和集中所述磁场朝向所述光轴以便形成用于所述束的聚焦区域， 其特征在于所述方法包括以下步骤： -将所述轭提供为复合结构，包括外部主要部分和内部次要部分； -将所述次要部分提供为被安装在所述主要部分内的单体插件，以便被布置在所述聚 焦区域周围并且包括围绕所述孔并充当磁收缩区的腰部区域； -调用所述磁场生成装置以在所述腰部区域中产生饱和的磁场，从而使磁通量离开所 述腰部区域并且在所述聚焦区域中形成聚焦场； -使用所述聚焦场来聚焦所述带电粒子束。
10. 根据权利要求9所述的聚焦方法，包括以下附加步骤： -提供接近于所述腰部区域的辅助电线圈； -调用所述辅助电线圈以便在所述磁收缩区中产生辅助磁场； -使所述辅助磁场变化以便调整所述聚焦场。
11. 一种制造磁透镜的方法，所述磁透镜用于聚焦沿着光轴行进的带电粒子束，所述透 镜包括： -轴向孔，布置在光轴周围以容纳所述束； -磁场生成装置，用于生成磁场；以及 -磁轭，用以引导和集中所述磁场朝向所述光轴以便形成用于所述束的聚焦区域， 其特征在于所述方法包括以下步骤： -制造所述轭的主要部分； -将所述轭的次要部分制造为单体组件，包括围绕所述孔并充当磁收缩区的腰部区 域； -将所述次要部分对齐并安装为所述主要部分内的插件，以使得所述次要部分布置在 所述聚焦区域周围， 由此，在制造期间，所述次要部分的至少部分被加工成比所述主要部分更高的精度。
12. -种带电粒子显微镜，包括： -带电粒子源，用于产生沿着光轴传播的带电粒子的辐射束； -样本保存器，用于保存要被辐射的样本； -粒子-光学柱，用于将所述束导向至所述样本上； -检测器，用于检测响应于所述辐射而从所述样本发出的输出电子的通量， 其中所述粒子-光学柱包括如权利要求1-8中所要求保护的至少一个磁透镜。
【文档编号】H01J37/14GK104299872SQ201410343248
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年7月18日 优先权日:2013年7月18日
【发明者】O.沙内尔 申请人:Fei 公司