专利名称：镭射隐形切割晶粒的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片的加工方法，具体涉及一种镭射隐形切割晶粒的方法。
背景技术：
现有镭射隐形切割完成后，切割痕距晶粒正面或背面约为等距，切割痕距元件主
要作用区域过近(若器件为LD或LED，即为MQW区)，易诱发元件损伤产生漏电等问题。另外，现有镭射隐形切割完成后，若切割痕距背面距离较大，在后续制程过程中，易由隐形切割处崩裂；若切割痕距背面距离较小，在后续制程过程中不易分离，因此造成后续制程困难。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种镭射隐形切割晶粒的方法，本发明能够减小元件损伤，在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易。本发明通过以下技术方案实现
一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。优选的，所述改变切痕深度通过以下步骤完成一次镭射动作配合镭射焦聚改变或平台高度改变完成。优选的，所述改变切痕深度通过以下步骤完成于一条割道上来回切割二次或二次以上，每次以脉冲方式切出不同深度。本发明提供的方法使部份切割痕距元件主要作用区距离变大，因而减少对元件主要作用区的影响，减小了元件损伤；在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易，提高了后续制程的优良率。
图I是利用本发明后的晶粒侧视图。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。实施例I一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图I所示；
所述改变切痕深度通过以下步骤完成一次镭射动作配合雷射焦聚改变完成。实施例2
一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图I所示；
所述改变切痕深度通过以下步骤完成一次镭射动作配合平台高度改变完成。实施例3
一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切 痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图I所示；
所述改变切痕深度通过以下步骤完成于一条割道上来回切割二次或二次以上，每次以脉冲方式切出不同深度。
权利要求
1.一种镭射隐形切割晶粒的方法，其特征在于，在镭射隐形切割过程中，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。
2.根据权利要求I所述的镭射隐形切割晶粒的方法，其特征在于，所述改变切痕深度通过以下步骤完成一次镭射动作配合镭射焦聚改变或平台高度改变完成。
3.根据权利要求I所述的镭射隐形切割晶粒的方法，其特征在于，所述改变切痕深度通过以下步骤完成于一条割道上来回切割二次或二次以上，每次以脉冲方式切出不同深度。
全文摘要
本发明公开了一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程中，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。本发明的提供的方法使部份切割痕距元件主要作用区距离变大，因而减少对元件主要作用区的影响，减小了元件损伤；在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易，提高了后续制程的优良率。
文档编号B23K26/38GK102896428SQ20121027067
公开日2013年1月30日 申请日期2012年8月1日 优先权日2012年8月1日
发明者单立伟 申请人:合肥彩虹蓝光科技有限公司