专利名称：低损耗大功率弧焊逆变器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种弧焊逆变器，尤其指要求低损耗的大功率弧焊逆变器。
目前，常见的半桥式弧焊逆变器，如
图1所示，以串联的二可自关断开关管P1、P2(P1发射极与P2集电极相连)和串联的电容器C1、C2并联、并且每只可自关断开关管P1、P2分别加R－C－D吸收电路S(包含电阻R、电容C及二极管D，其中电容器C的电容量约为0.01微法)；通常决定大功率弧焊逆变器效率的主要因素有三方面一种是可自关断开关管本身的损耗、另一种是变压器铜、铁的损耗，还有一种是可自关断开关管电压尖峰会分别在二吸收电路损耗(电路充放电)，一般达200～500瓦，约降低整机效率2～10％。
鉴此，本实用新型的目的是提供一种低损耗大功率弧焊逆变器，以两串联可自关断开关管构成半导体模块，加上一个大电容C的R－C－D吸收电路，从而降低电路损耗。
本实用新型的目的是这样实现的一种低损耗大功率弧焊逆变器包括由一块半导体模块构成的二串联可自关断开关管P1、P2，二串联电容C1、C2及R－C－D吸收电路，上述模块上的可自关断开关管P1集电极和可自关断开关管P2发射极之间跨接一个R－C－D吸收电路，并且该吸收电路中的电容C限定为0.1微法以上，此外，二串联电容C1、C2与半导体模块之间的连接导线长度≤30厘米，同时，上述半导体模块的正、负电位输入端分别串联电流互感器T1、T2，而在其交流输出端串联电流互感器T3。
由于采用上述方案电路能量损耗大大降低(不超过2瓦)，相应使用寿命延长，此外，重量轻、体积小，安装简单又可靠。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1现有技术的电路原理图。
图2本实用新型典型实施例电路原理图。
图中电容C1、C2半导体模块M可自关断开关管P1、P2吸收电路S 电阻R 电容C 二极管D 电流互感器T1、T2和T3。
如图2所示，半导体模块M(IGBT、TPM等)，是由可自关断开关管P1发射极与可自关断开关管P2集电极串联构成一体；在可自关断开关管P1集电极和可自关断开关管P2发射极之间跨接(并联)一个R－C－D吸收电路S(由电阻R、电容C及二极管D组成)，只要在正、负电位输入端不出现过电压，吸收电路S中不会产生电压尖峰(不会充放电)，一般电容C要求在0.1微法以上(限制在0.1～1微法较佳)，大电容C既能使可自关断开关管P1、P2不出现尖峰，又能吸收电路中的过电压(过电压保护)，此外，电容C1、C2与半导体模块M之间的连接导线长度要求尽量短，一般≤30厘米(以小于10厘米更佳)，因为连接导线长度短、电感小，不易与大电容C产生振荡。
电流互感器T1、T2分别串联在半导体模块M的正、负电位输入端，构成过电流保护电路，对该逆变器过流、短路、模块温度过高等起保护作用；电流互感器T3串联在半导体模块M的交流输出端，对该逆变器进行逐个脉冲控制。
权利要求一种低损耗大功率弧焊逆变器包括由一块半导体模块构成的二串联可自关断开关管P1、P2，二串联电容C1、C2及R-C-D吸收电路，其特征是上述模块上的可自关断开关管P1集电极和可自关断开关管P2发射极之间跨接一个R-C-D吸收电路，并且该吸收电路中的电容C限定为0.1微法以上，此外，二串联电容C1、C2与半导体模块之间的连接导线长度≤30厘米，同时，上述半导体模块的正、负电位输入端分别串联电流互感器T1、T2，而在其交流输出端串联电流互感器T3。
专利摘要本实用新型涉及一种弧焊逆变器，尤其指要求低损耗的大功率弧焊逆变器。它包括由一块半导体模块构成的二串联可自关断开关管P
文档编号B23K9/10GK2201207SQ94222389
公开日1995年6月21日 申请日期1994年9月29日 优先权日1994年9月29日
发明者刘振英 申请人:刘振英