齿圈淬火变形校正机的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种校正装置，特别涉及一种齿圈的校正装置。
【背景技术】
[0002]齿圈在淬火过程中，容易因加热温度不均匀、冷却不均匀等问题导致齿圈变形；因此在淬火结束后需要对齿圈的圆度进行校正，以使产品合格。
[0003]但是现有的齿圈校正一般由人工实现，校正工作效率较低，劳动强度较高。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明的目的是提供一种齿圈淬火变形校正机，以解决现有技术中人工校正齿圈存在校正工作效率低、劳动强度高的技术问题。
[0005]本发明齿圈淬火变形校正机，包括支撑台、设置在支撑台上的底座、固定在底座上的中轴、套在中轴上并与中轴转动配合的旋转平台、固定在旋转平台上用以固定齿圈的定位心轴、以及固定在支撑台上的转角油缸，所述转角油缸的转轴上固定连接有捶打齿圈的敲击锤。
[0006]进一步，所述支撑台上还设置有L形支架，所述L形支架上设置有活塞杆竖向下伸的液压缸，所述液压缸的活塞杆上垂直连接有平压板。
[0007]进一步，所述底座和旋转平台之间设置有平面推力轴承。
[0008]进一步，所述旋转平台的侧面上设置有手柄。
[0009]本发明的有益效果:
本发明齿圈淬火变形校正机，将需要校正的齿圈放置在旋转平台上，并转动旋转平台使其需要校正的变形部位与敲击锤的击打位置相对，然后通过控制转角油缸使敲击锤多次敲击齿圈变形部位，即可实现齿圈校正，校正击打操作有转角油缸实现，校正工作效率高，劳动强度低。
【附图说明】
[0010]图1为本实施例齿圈淬火变形校正机的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
[0012]如图所示，本实施例齿圈淬火变形校正机，包括支撑台1、设置在支撑台上的底座
2、固定在底座上的中轴3、套在中轴上并与中轴转动配合的旋转平台4、固定在旋转平台上用以固定齿圈的定位心轴5、以及固定在支撑台上的转角油缸6，所述转角油缸的转轴上固定连接有捶打齿圈的敲击锤7。
[0013]本实施例齿圈淬火变形校正机，将需要校正的齿圈放置在旋转平台上，并转动旋转平台使其需要校正的变形部位与敲击锤的击打位置相对，然后通过控制转角油缸使敲击锤多次敲击齿圈变形部位，即可实现齿圈的圆度校正，校正击打操作有转角油缸实现，校正工作效率高，劳动强度低。
[0014]作为对本实施例的改进，所述支撑台上还设置有L形支架8，所述L形支架上设置有活塞杆竖向下伸的液压缸9，所述液压缸的活塞杆上垂直连接有平压板10 ;当齿圈端面跳动超差式，通过液压缸驱动压板对齿圈端面施加压力，可实现对齿圈端面变形进行校正，校正装置的校正范围更广，实用性更好。
[0015]作为对本实施例的改进，所述底座和旋转平台之间设置有平面推力轴承11，设置平面推力轴承能使旋转平台的转动更灵活，校正操作更容易。
[0016]作为对本实施例的改进，所述旋转平台的侧面上设置有手柄12，通过手柄转动旋转平台，操作方便性更好。
[0017]最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种齿圈淬火变形校正机，其特征在于:包括支撑台、设置在支撑台上的底座、固定在底座上的中轴、套在中轴上并与中轴转动配合的旋转平台、固定在旋转平台上用以固定齿圈的定位心轴、以及固定在支撑台上的转角油缸，所述转角油缸的转轴上固定连接有捶打齿圈的敲击锤。2.根据权利要求1所述的齿圈淬火变形校正机，其特征在于:所述支撑台上还设置有L形支架，所述L形支架上设置有活塞杆竖向下伸的液压缸，所述液压缸的活塞杆上垂直连接有平压板。3.根据权利要求1所述的齿圈淬火变形校正机，其特征在于:所述底座和旋转平台之间设置有平面推力轴承。4.根据权利要求1所述的齿圈淬火变形校正机，其特征在于:所述旋转平台的侧面上设置有手柄。
【专利摘要】本发明公开了一种齿圈淬火变形校正机，包括支撑台、设置在支撑台上的底座、固定在底座上的中轴、套在中轴上并与中轴转动配合的旋转平台、固定在旋转平台上用以固定齿圈的定位心轴、以及固定在支撑台上的转角油缸，所述转角油缸的转轴上固定连接有捶打齿圈的敲击锤。本发明齿圈淬火变形校正机，将需要校正的齿圈放置在旋转平台上，并转动旋转平台使其需要校正的变形部位与敲击锤的击打位置相对，然后通过控制转角油缸使敲击锤多次敲击齿圈变形部位，即可实现齿圈校正，校正击打操作有转角油缸实现，校正工作效率高，劳动强度低。
【IPC分类】B21D43/00, B21D3/14
【公开号】CN105268778
【申请号】CN201510723413
【发明人】崔家川
【申请人】綦江永跃齿轮有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月29日