专利名称：半导体激光器及其生产方法
技术领域：
本发明涉及用于光盘系统中光源等的半导体激光器，尤其是具有脊型条纹结构的半导体激光器，其中用电介质膜抑制了电流，消除了掩埋增长(burying growth)。
背景技术：
近年来，由于DVD和CD的广泛使用，半导体激光器应用于各种领域，因此强烈要求减少半导体激光器的生产费用和产品从订货到交货的时间。
图6(参见JP6(1994)-237038A)示出了半导体激光器常用的掩埋脊型条纹结构。这种结构由下述方法生成。
首先，使用金属有机物气相生长方法(以下称MOCVD法)在第一电导型衬底201上外延生长以下各层缓冲层202，第一电导型包层203，引导层204，有源层205，引导层206，第二电导型包层207，异质缓冲层(hetero buffer layer)208和覆盖层209。
绝缘层(图中未显示)在覆盖层209上生成并呈条纹图案，再以该条纹图案为掩膜将第二电导型包层207刻蚀生成脊型。之后，使用MOCVD法选择性生长第一电导型电流阻挡层210。除去该条纹图案后，使用MOCVD法生长第二电导型接触层211。此外，再分别生成n极212和p极213。
采用这种结构，生产过程中要完成三次MOCVD工艺，因此很难减少生产费用。
其次，以电介质膜为电流阻挡层的脊型条纹结构半导体激光器如图7A(见JP11(1999)-186650A)所示。生成这种结构的过程中，使用MOCVD法在第一电导型衬底301上外延生长以下各层缓冲层302，第一电导型包层303，引导层304，有源层305，引导层306，第二电导型包层307，异质缓冲层308和覆盖层309。绝缘层(图中未显示)在覆盖层309上生成并呈条纹图案，此后，再以该条纹图案为掩膜将第二电导型包层307刻蚀成脊型。此外，在该脊的两侧均提供由电介质膜制成的电流阻挡层310。进而，再分别生成n极311和p极312。
使用电介质膜的脊型条纹结构只需完成一次MOCVD工艺，因此生产费用会比图6所示例子减少很多。而且，由于减少了生长步骤，制造过程中的生产时间也将减少。尤其在单片型双波长激光器中，晶体生长步骤和生产过程更为复杂，因此可以认识到，采用图7A所示结构会大大减少生产费用和产品从订货到交货的时间。
生产如图7A所示的具有脊型条纹结构的激光器仅使用一次外延生长法，这种激光器可采用诸如氧化硅(以下称SiO2)膜或氮化硅(以下称SiN)膜等电介质膜作为电流阻挡层，与AlGaAs或AlGaInP为基质的半导体层相比，这些膜具有相当小的折射率。例如，对于波长为650nm的光，各折射率为AlGaAs＝3.1到4.1，AlGaInP＝3.2到3.6；而SiO2＝1.5，SiN＝2.0。
相应地，电流阻挡层与构成脊型部分和包层的半导体层间的折射率差变大了。因此，为了调整出射光的张角，如图7A所示，需要增加脊型部分外侧的第二电导型包层307的膜厚度H以增强对光的限制。因此，如图7B所示，电流的无效部分314从光发射区域313泄漏，注入了有源层305，由此引出工作电流增加的问题。工作电流的增加有可能降低半导体激光器元件的温度特性，并大大降低其高温可靠性。
发明概述为了克服上述传统例子中的缺点，本发明的一个目的是提供了一个脊型条纹结构的半导体激光器，该激光器用电介质膜作为电流阻挡层，这种电介质膜对于发射波长具有足够小的吸收系数，且与包层的折射率差也足够小，正适合于限制光，所以半导体激光器有很小的激光振荡阈值并在高温和大功率下振荡时表现出极好的电流特性。而且，本发明的另一个目的是提供生产此种半导体激光器的方法。
为了解决上述问题，本发明的半导体激光器包括以下几部分第一电导型包层，第二电导型包层，该包层至少有一个在谐振器方向延伸脊型结构，位于两包层间的有源层和电流阻挡层，该电流阻挡层至少要覆盖脊型结构一个侧面。电流阻挡层包括氢化第一电介质膜。
附图简述
图1是根据实施例1的半导体激光器的横截面结构图；图2A到图2C是根据实施例1的半导体激光器制造过程的横截面图；图3A和图3B是根据实施例1的半导体激光器的电流特性曲线；图4是根据实施例1的半导体激光器的内部损耗与氢化非晶硅的膜厚度间的关系曲线；图5是根据实施例2的半导体激光器的横截面结构图；图6是根据现有技术中掩埋脊型条纹结构半导体激光器的横截面结构图；图7A和图7B是根据现有技术中具有电介质膜电流阻挡层的条纹结构半导体激光器的横截面结构图；图8A和图8B分别是波长与折射率间的相互关系，以及波长与不同电介质材料吸收系数间的相互关系的曲线；图9A到图9C是根据现有技术中半导体激光器的安装过程的横截面图。
优选实施例的描述本发明的半导体激光器中，氢化第一电介质膜用作电流阻挡层，这种膜对于发射波长具有大的折射率和足够小的吸收系数。因此，可以减小脊型部分内外的折射率差。相应地，可以减少引入有源层的无效电流，并同时减小了元件的阈值电流，因此半导体激光器元件在高温和大功率振荡时有极好的电流特性，且元件可被大产量生产。
本发明的半导体激光器中，为阻止氢扩散，电流阻挡层最好包括位于第一电介质膜和脊型结构间的第二电介质膜。这种结构可以抑制电流阻挡层等各层中，由第一电介质膜扩散的氢引出的障碍物的出现。
第一电介质膜最好是非晶硅，非晶硅的厚度最好为0.1μm或更大。
更优选的是，能在第一电介质膜的两面都提供第二电介质膜。
当然，第二电介质膜最好含氮或铝。具体地说，第二电介质膜最好由下列物质构成氮化硅(SiN)，氮化铝(AlN)，氧化铝(Al2O3)，包含这些原料的化合物或氮化钛铝(AlTiN)。
第一和第二电介质膜可以相邻。
第二电介质膜的厚度优选为在2nm到50nm(包括2nm和50nm)的范围，最好在5nm到50nm(包括5nm和50nm)的范围。
生产一种上述结构的半导体激光器时，最好能使用电子回旋共振(以下称ECR)溅射法或ECR-CVD法生成第一电介质膜和第二电介质膜。
为了解决上述现有技术中的问题，本发明者用电介质膜作为电流阻挡层进行试验，这种膜对于该发射波长有足够小的吸收系数并具有比SiO2或SiN更大的折射率。关于不同的电介质材料，图8A示出了折射率对波长的依赖关系，以及图8B示出了吸收系数对波长的依赖关系。试验的结果是，发现氢化非晶硅在对于波长是600nm或者更长的光具有比SiO2或SiN更大的折射率以及足够小的吸收系数。
发明者因此研究性地生产了包含这种材料作为电流阻挡层的半导体激光器，但已意识到，在不同的情况下可能发生以下问题。
以具有图7A所示结构的半导体激光器为例子进行描述。在这种半导体激光器生产过程中，形成电流阻挡层310后，电流阻挡层310的一部分将被除去，以露出覆盖层309的顶部。此后，在衬底的背面形成由Au，Ge和Ni做成的n极311，在衬底的正面形成由Cr/Pt/Au做成的p极312，然后进行合金处理，以得到欧姆接触。
但是，已认识到，在合金处理中，电流阻挡层310和p极312有可能被抬升或脱落。这个现象的出现可认为有以下原因在氢化非晶硅膜作为电流阻挡层310的情况下，半导体激光器暴露在200℃或更高温度时，引起了非晶硅膜中的氢的扩散，这些扩散后的氢在包层307和电流阻挡层310间积累，然后膨胀，于是导致像水泡一样地脱落。
如果发生了这样的脱落现象，那么电流阻挡层的隔离作用就不能保持，因此大量的无效电流流入激光器，导致工作电流的增加。如果脱落现象显著，电极本身可能会分裂成片。
当然，在安装半导体激光器和副底座(sub-mount)过程中也可能出现类似的失效。参照图9A到9C，对大功率半导体激光器的安装过程进行描述。在安装过程中，首先如图9A所示，一个大功率半导体激光器401由一个弹簧夹头404夹住，再安装到另一个组件上，如通过焊料402安装到副底座403上。这个过程中，副底座403一直在焊料402的熔点或更高温度下被加热。在大功率半导体激光器401降低到如图9B所示的状态后，副底座403和半导体激光器401被挤压并结合到一起。之后，如图9C所示，抬升弹簧夹头404。
在上述的过程中，当副底座403和半导体激光器401被挤压并结合到一起时，由于弹簧夹头404的负荷和大功率半导体激光器元件40 1的形状而产生了残余应力。残余应力的产生也是因为在传统大功率半导体激光器401的结构中，谐振器的长度比宽度长，谐振器的长度为0.5到1mm。
半导体激光器元件一般是通过在靠近光发射区域的表面与副底座相连的，这个面被称为连接面(junction down)，这样连接是为了能有好的散热特性，因此，在半导体激光器内部产生的残余应力会集中在激光器与副底座的结合处。由残余应力产生的形变可能导致激光器性能的恶化，降低其长期工作的可靠性。
可采用一些方法以减轻这种残余应力，如在200℃或更高的温度下组装大功率半导体激光器401，或在安装后去掉弹簧夹头404，在没有负荷的情况下重新加热，使焊料402再次融化(达350℃)。
可是，在满足上述结构和条件下生产大功率半导体激光器时，包含氢化膜的电流阻挡层会暴露在200℃或更高的温度下，氢化膜中包含的氢有可能扩散，由此导致膜像水泡一样脱落。
而且，由于加热操作导致了氢的解吸附作用，使得氢化非晶硅膜的折射率发生了变化，非晶硅膜原本是为了减小吸收系数，但这里却增加了吸收系数。因而，光限制性能也随之改变，最后导致激光器性能的恶化。
正如上面提到的，发明者已经认识到，只要第二电介质膜包含在电流阻挡层中，就可以解决这个问题，第二电介质膜位于第一电介质膜与脊型结构间，用来阻止氢的扩散。这种结构可以抑制电流阻挡层等各层中，由第一电介质膜扩散的氢所引起的障碍物的出现。
下面将参考附图对根据本发明实施例的半导体激光器及其生产方法进行详细描述。
实施例1图1是根据实施例1基于AlGaInP的激光器的横截面示意图。本实施例中的半导体激光器具有脊型条纹结构，其中在n型GaAs衬底101上生成以下各层n型GaAs缓冲层102，n型AlGaInP包层103，未掺杂的AlGaInP光引导层104，多量子阱有源层105，未掺杂的AlGaInP光引导层106，p型AlGaInP包层107，p型GaInP异质缓冲层108，p型GaAs覆盖层109和层状电流阻挡层112，而且，在n型衬底101的背面生成n极113，在接触层109上生成p极114。
下面描述每一层的具体例子。n型GaAs衬底101由Si掺杂n型GaAs生成。n型GaAs缓冲层102由Si掺杂n型GaAs(Si浓度n＝2×1018cm-3，膜厚度t＝0.5μm)生成。n型AlGaInP包层103由Si掺杂n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P(载流子浓度1×1018cm-3，t＝1.5μm)生成。未掺杂AlGaInP光引导层104由未掺杂的(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P(t＝25nm)生成。
多量子阱有源层105包括未掺杂的(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P阱(t＝5nm三层)和未掺杂的Ga0.5In0.5P阱(t＝6nm四层)生成。未掺杂的AlGaInP光引导层106由未掺杂的(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P(t＝25nm)生成。p型AlGaInP包层107由Zn掺杂的p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P(载流子浓度1×1018cm-3，t＝1.3μm)。
p型GaInP异质缓冲层108由Zn掺杂p型Ga0.5In0.5P(载流子浓度1×1018cm-3，t＝50μm)生成。p型GaAs覆盖层109由Zn掺杂p型GaAs(载流子浓度1×1019cm-3，t＝200μm)生成。层状电流阻挡层112包括氮化硅膜110(t＝10nm)和氢化非晶硅膜111(t＝100nm)。
生成的一对比脊型部分还要高的突出部分115，这样可以将脊型部分置于其中，在通过连接面装配时，减少了对脊型部分的损伤。
此外，在激光器的谐振器端面上生成窗型结构(图中未示出)。通过对由Zn扩散形成的多量子阱进行互结晶，而使窗型结构将带隙扩大，并减少了对具有发射光波长的光吸收，因此抑制了端面处的光学损伤。
下面来描述由图1描绘的半导体激光器的生产方法。图2A到2C是本实施例中生产半导体激光器各步骤的横截面图。
使用MOCVD法完成对包层103、包层107、有源层105等的晶体生长，并在AlGaInP、AlInP和GaAs晶体生长时使用三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)、磷化氢(PH3)和砷化氢(AsH3)作为原料气体。
进行p掺杂和n掺杂时，分别使用二甲基锌(DMZn)和硅化氢(SiH4)。使用电阻加热器对n型GaAs衬底101进行加热。此处，生长温度为660℃，生长气压为4666Pa(＝35Torr)。生长速度约为每小时2um。
首先，如图2A所示，n型GaAs衬底101安装在MOCVD反应器上，然后，按n型GaAs缓冲层102、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P包层103、未掺杂的(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P光引导层104、有源层105、未掺杂的(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P光引导层106、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P包层107、p型Ga0.5In0.5P缓冲层108和p型GaAs覆盖层109的顺序逐层生长以生产出异质结结构的衬底。从MOCVD反应器中取出异质结结构的衬底后，可选择性的在谐振器的端面区域形成ZnO膜(图中未显示)，并经过热扩散使其互结晶成多量子阱结构，这样就生成了端面的窗型结构。
下一步，如图2B所示，使用气压加热CVD法(370℃)沉积0.3μm厚的氧化硅膜116。之后，使用光刻和干法刻蚀技术将氧化硅膜116变成2μm宽的条纹图案。用硫酸刻蚀剂选择性刻蚀p型GaAs覆盖层109，用盐酸刻蚀剂刻蚀p型Ga0.5In0.5P缓冲层108，用硫酸或盐酸刻蚀剂刻蚀p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P包层107，以这种图案作为掩膜，生成如图2B所示的台面结构。
随后，如图2C所示，用氢氟酸刻蚀剂去除氧化硅膜116的所有条纹图案，采用ECR-CVD装置以这种顺序沉积氮化硅膜110(t＝10nm)和氢化非晶硅膜111(t＝100nm)来生成电流阻挡层112。
在高温下(＞200℃)，氮化硅膜110对氢化非晶硅膜111中的氢扩散有阻碍特性，厚度为5nm或更厚氮化硅膜在直到温度达350℃或更高时能够抑制氢的解吸附作用。而氮化硅膜110的厚度不宜为2nm或更小，因为这样会减小对氢的阻碍特性，而实现对氢的阻碍正是本实施例的一个目的。依据这种阻碍特性，氮化硅膜的厚度最好为5nm或者更大。然而，该氮化硅膜的厚度最好是50nm或更小，因为如果大于50nm，在应力作用下可能会出现分层。当氮化硅膜的厚度在此范围内时，光的限制特性不会受到很大影响。
之后，通过光刻和刻蚀工艺，氮化硅膜110和脊型结构中位于p型GaAs覆盖层109顶部的氢化非晶硅膜111被刻蚀掉。以使用CF4气体进行干法刻蚀做为这步刻蚀的一个例子。在这个过程中，靠近谐振器端面窗型区域内的电流阻挡层112被保留，从而抑制了无效电流注入窗型区域。
最后，在衬底101的背面形成用Au、Ge和Ni制成的n极113，在氢化非晶硅膜111的表面和覆盖层109上生成用Cr/Au/Pt制成的p极114，这样就得到了如图1所示结构的半导体激光器。
根据下面所描述的实验结果，为了在n极上得到欧姆接触，合金处理的温度应定在350℃或更低。
在高温下安装时，比较本实施例中半导体激光器与电流阻挡层中不包含氮化硅膜的半导体激光器的表现。在对比试验中，生成电极的合金处理在350℃氮气环境中持续10分钟，用显微镜观察每个半导体激光器p极表面的情况。
结果，在电流阻挡层包含氮化硅膜的半导体激光器中没有观察到p极被抬升的现象。而电流阻挡层不包含氮化硅膜的半导体激光器中，可在很多部分观察到p极被抬升的现象。另外，已证实这种抬升是由于脊型部分侧面和氢化非晶硅膜间的脱落现象导致的。
根据以上结果，已证实，即使在约为350℃高温下，本实施例中半导体激光器也不会发生电流阻挡层脱落的现象，其中氮化硅膜作为对氢的阻挡层。
接下来，与根据传统技术的半导体激光器做比较，下面描述本实施例中半导体激光器的特征。
图3A和3B显示了实施例1中半导体激光器的电流-光输出的特性。图3A是25℃时的测量结果，图3B是75℃时的测量结果。通过给半导体激光器施加脉冲电流(脉冲周期200nsec，占空比50％)来进行测量。
如图3A所阐明的，依照本实施例的结构生产的红色半导体激光器的阈值电流下降到了使用常规SiN膜为电流阻挡层的红色半导体激光器的约70％。另外，如图3B所示，高温时的工作电流值也下降了，因此实现了半导体激光器元件在大功率振荡时仍具有极好的电流特性。
图4显示了膜厚度与电流阻挡层使用了氢化非晶硅的半导体激光器的内部损耗之间的关系。实际应用中内部损耗最好低于0.1/cm-1，但图中也显示了当氢化非晶硅的膜厚度为0.1μm或更大时，内部损耗可以足够的小。因此，氢化非晶硅的膜厚度最好为0.1μm或更大。
实施例2图5是根据实施例2中半导体激光器的横截面结构图。因为其基本结构与图1中的半导体激光器相似，所以给相同的元件标以相同的参考编号，具体的解释就不再重复了。这个半导体激光器与根据实施例1的半导体激光器的不同点在于其电流阻挡层117是一个三层结构，其中氢化非晶硅膜111夹在两个氮化硅膜110间。
当氢化非晶硅膜中的氢向外热扩散时，向与脊型部分相连的界面的扩散会被氮化硅膜阻止，这在实施例1中已描述过。这种情况下，氢也会向相反的方向扩散，也就是说，向与p极114相连的界面扩散。
一般认为是电极材料Cr/Pt/Au阻止了氢向外扩散。然而，正如我们所知，考虑到不同的金属材料，轻的元素，如氢，它的穿透情况是根据生成金属膜的方法而变化的。当电极材料不能阻挡氢的扩散时，非晶硅膜的折射率和吸收系数就随氢的解吸附作用变化，而且，也无法得到我们希望的性能。另外，如果突然出现氢的解吸附状态，氢会在电极和电流阻挡层间积累，由此可能产生电极等的脱落现象。
根据本实施例，不仅向与脊型的界面的氢扩散而且向与电极的界面的氢扩散也得到了阻止，因此不会出现上述问题，可得到稳定的激光器特性。
并且，根据本实施例的结构还会带来以下优点。一般而言，非晶硅容易被氧化，且生成的自然氧化膜位于其表面。由于自然氧化膜的作用是做一个抑制层，所以即使对其加热到350℃左右，硅和电极的最底层金属材料Cr也很难相互发生反应。
然而，在电极材料生成前，做一个预处理来改善p极114和覆盖层109间的欧姆接触时，自然氧化膜就可能被去掉。这种情况下，即使热处理在300℃左右，Cr和Si也会相互发生反应。如果生成了这样的硅化物，电流阻挡层就得不到隔离作用，由于折射率、吸收系数、电极材料的质量等的变化这将引起的激光器正常操作的失效。
采用本实施例的结构，可得到阻止上述硅化物生成反应的显著效果。
在实施例1和2中，最好使用ECR-CVD装置生成氢化非晶硅膜以改善脊型部分的斜面覆盖情况，但ECR溅射装置也可与衬底的旋转机械装置及另一个机械装置一同使用，该机械装置能使从靶上溅射出的原子在倾斜方向上也很容易落在衬底上。使用了ECR溅射装置，可将膜生成过程中施加在元件上的损伤降到最低，且可生成浓密、均匀的氮化硅膜，氮化硅膜的作用是作为阻挡层阻挡氢化非晶硅中的氢扩散。但是，只要可以均匀的覆盖脊型部分的表面，其它的装置也是可以使用的，例如，与上述ECR溅射装置相似的磁电管溅射装置。
在实施例1和2中，介绍了基于AlGaInP的半导体激光器的例子，即使将本实施例的技术用到其它材料体系的激光器中，例如，以AlGaAs为基质的激光器，其包层的折射率低于电流阻挡层的折射率，仍可以得到具有优良特性的半导体激光器。此外，半导体激光器的结构并不受本实施例中所描述的结构的限制，只要是具有脊型的半导体激光器结构就都可以应用。
同时，在实施例1和2中，描述了氮化硅作为对氢具有阻挡特性的材料的情况，而氮化铝、氧化铝或含有这些材料的化合物也被确认具有对氢的阻挡作用。另外，氮化钛和氮化铝钛(TiAlN)也对氢有良好的阻挡作用。
在不背离本发明的精神和基本特征的情况下，可以采取其它形式来实现本发明。本申请公开的具体实施例被认为在各个方面作了示意性的描述而不是限制。本发明的范围由后附的权利要求书来指出而不是基于前面的描述，在本方法和与权利要求等同的范围之内的所有变化都将被包括在其中。
权利要求
1.一种半导体激光器，包括第一电导型包层；第二电导型包层，其具有在谐振器方向延伸的至少有一个脊型结构；位于所述两包层间的有源层；和至少覆盖该脊型结构一个侧面的电流阻挡层，其中该电流阻挡层包括氢化第一电介质膜。
2.根据权利要求1的半导体激光器，其中电流阻挡层包括位于第一电介质膜和所述脊型结构间用于阻挡氢扩散的第二电介质膜。
3.根据权利要求1的半导体激光器，其中的第一电介质膜包括非晶硅。
4.根据权利要求2的半导体激光器，其中的第一电介质膜包括非晶硅。
5.根据权利要求2的半导体激光器，其中包括氢的氢化非晶硅层的膜厚度为0.1μm或更大。
6.根据权利要求2的半导体激光器，其中第一电介质膜的两个表面均设有第二电介质膜。
7.根据权利要求2的半导体激光器，其中第二电介质膜包括氮或铝。
8.根据权利要求6的半导体激光器，其中第二电介质膜包括氮或铝。
9.根据权利要求2的半导体激光器，其中第二电介质膜由下列物质构成氮化硅(SiN)，氮化铝(AlN)，氧化铝(Al2O3)，包含这些材料的化合物或氮化钛铝(AlTiN)。
10.根据权利要求6的半导体激光器，其中第二电介质膜由下列物质构成氮化硅(SiN)，氮化铝(AlN)，氧化铝(Al2O3)，包含这些材料的化合物或氮化钛铝(AlTiN)。
11.根据权利要求2的半导体激光器，其中第一电介质膜和第二电介质膜彼此相邻。
12.根据权利要求6的半导体激光器，其中第一电介质膜和第二电介质膜彼此相邻。
13.根据权利要求2的半导体激光器，其中第二电介质膜的膜厚度在2nm到50nm范围，包括2nm和50nm。
14.根据权利要求6的半导体激光器，其中第二电介质膜的膜厚度在2nm到50nm范围，包括2nm和50nm。
15.根据权利要求13的半导体激光器，其中第二电介质膜的膜厚度在5nm到50nm范围，包括5nm和50nm。
16.根据权利要求14的半导体激光器，其中第二电介质膜的膜厚度在5nm到50nm范围，包括5nm和50nm。
17.制造半导体激光器的方法，包括生成第一电导型包层、有源层和具有在谐振器方向延伸的至少有一个脊型结构的第二电导型包层；有源层位于所述两包层间；以及生成至少覆盖所述脊型结构一个侧面的电流阻挡层，该电流阻挡层包括氢化第一电介质膜，其中该第一电介质膜采用电子回旋共振溅射法或ECR-CVD法生成。
全文摘要
本发明的半导体激光器包括第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。
文档编号C23C14/35GK1585219SQ200410057538
公开日2005年2月23日 申请日期2004年8月17日 优先权日2003年8月18日
发明者牧田幸治, 足立秀人 申请人:松下电器产业株式会社