专利名称：溶液气化式cvd装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于溶液气化式化学气相沉积[CVD(chemical vapordeposition)]装置，特别是有关于可以高精度控制CVD用的原料的流量的溶液气化式CVD装置。
背景技术：
熟知的CVD通过在反应器(reactor)流过气体状的反应材料而引起化学反应，作为在由硅(silicon)等构成的半导体基板上沉积各种组成的薄膜的技术。关于通过CVD形成薄膜，是以必须准备气体状的反应材料作为技术上的前提。然而，通过CVD形成的膜因为膜质和高度落差覆盖性(step coverage)比较良好，希望消除此技术的前提，使CVD适用于各种的半导体组件、半导体集成电路的制造上。
例如，说明关于制造高介电常数体内存(高速非挥发性内存)FeRAM-LSI的场合。利用高介电常数体(PZT、SBT等)的分极磁滞(hysteresis)现象，以制作高速非挥发性内存FeRAM的技术，当时由于无法制造出含有Zr、Sr、Bi的气体状反应材料，所以高介电常数体的薄膜无法利用CVD法而是以溶液涂布手法被形成。然而，利用溶液涂布手法形成的高介电常数材料薄膜(400-300nm)的高度落差覆盖性不佳，在薄膜化(150-40nm)的场合，存在穿孔增加而电性绝缘性降低等的问题。
在此，为了使被要求断差多、且高介电常数体的薄膜化(100-50nm)的FeRAM-LSI能够实用化，已提出通过CVD形成高品质的高介电常数体薄膜的装置。此装置的构成概略如图15所示。在此装置中，通过使钛、锆石、铅的固体化合物升华而气体化。
然而，通过使固体化合物原料升华而气体化的方法存在各种问题。具体而言，由于使固体化合物原料升华时的升华速度缓慢，所以难以增加反应物质的流量，再者，反应物质的流量控制有困难，所以薄膜的沉积速度慢，且再现性不佳。再者，难以将被升华的固体原料使用加热至，例如，250℃的配管，搬运至反应炉。
有鉴于上述情形，本发明者不通过升华来气体化，而着眼于通过依据溶液气化的CVD而形成高品质的高介电常数体SBT的薄膜。溶液气化式CVD是为将蒸气压低的个体或液体材料溶解于蒸气压高的有机溶媒，通过高温加热的气化器在一瞬间蒸发升华而气体化，并导引至CVD炉，通过高温加热等以产生化学反应，而在基板上沉积薄膜的技术。通过溶液气化式CVD，可使薄膜高速沉积，又，可形成具有优良的高度落差覆盖性、电气特性的高介电常数体的薄膜。
作为被使用在溶液气化式CVD的气化器的一例子是在日本特许第3103595号、特表2000-507649公告中揭示。此气化器是在加热的多孔性壁材上使原料化合物溶液气体化。因而，使用蒸发速度慢的原料化合物的话，原料化合物在多孔性壁材上滞留，而慢慢地热分解而气体化，形成新的化合物，而有使多孔性壁材阻塞的情形。又，在此气化器，因为多种原料溶液通过以一定比率被混合，以泵被传送，所以在构造上，多种原料在溶液中反应，形成溶解度小的化合物，形成升华温度高的化合物，而有溶液配管和多孔性壁材等阻塞的情形。又，原料溶液经由细管(外形1/16英吋)而被传送至被加热至高温的气化管内部，在构造上，流过原料溶液的细管被加热至高温。因此，在未流过被加压的溶液的场合，滞留在细管内部的溶液沸腾，而只有溶媒蒸发，且残存的原料化合物阻塞细管。又，在日本特许第3470055号公报中揭示的气化器采用两段喷雾方式，由于溶媒的蒸发量大，有因此而析出的反应原料阻塞喷雾流路和喷雾口的情形。
又，气化器的其它例子在日本特开2000-216150号以及日本特开2002-105646号公报中揭示。只是，在这些气化器中，存在并无法安定地形成高品质的SBT薄膜的情形。关于此详细说明如下。在用以形成SBT薄膜的反应物质中，可采用Sr(DPM)2、BiPh3、Ta(OEt)5、Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2、Bi(OtAm)3、Bi(MMP)3等，特别是使用Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2+Bi(MMP)3的场合，可以在350℃至420℃的低温下高速沉积(20-100nm/min)，可形成表现良好高度落差涂覆性与良好电性特性的高品质SBT薄膜。但是，Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2+Bi(MMP)3的溶液在室温下混合的话，Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2与Bi(MMP)3会反应而被合成为溶解度变小且难以升华的物质，所以流过溶液的流路或气化管的前端阻塞。
又，在上述气化器中，在减压环境(约5-30Torr)下的高温气化管上部，将Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2、Bi(MMP)3以及溶剂(例如，乙基环已烷ECH)与载气(例如氩气、氮气等)喷雾并且雾化。此时，雾的一部分会附着于喷雾口且液化。由于减压环境与高温气化管的辐射热，使附着于此喷雾口的溶液，仅蒸发出溶媒(例如，乙基环己烷ECH)，而使得溶质析出而阻塞住喷雾口。
又，因为日本特开2002-105646号公报中揭示的气化器采用比较小型的高温气化箱，雾附着在气化箱的表面，在短时间内进行气体化有困难，而产生不完全的气体化。通过不完全的气体化，产生溶解的固体溶质的析出(微小粒子[particle]的形成)，而使形成的薄膜品质低落。
又，同样的气化器在日本特许第2767284号公报以及日本特许第3047241号公报中揭示。然而，因为这些气化器以在TEOS等的蒸气压高的液状原料的气化作为目的，并非以使Bi(MMP)3等的固体原料溶液的气体化作为目的。因此，将这些气化器用于溶液气化式CVD的场合，产生因为溶液中的固体原料析出的阻塞，在混合多种溶液时产生配管等的阻塞，被喷雾的雾附着在高温气化器的壁，溶质产生蒸气压低的原料变质等的问题。
如上所述，在室温下加热固体的化学原料使其升华气体化，然后将其当作反应气体使用时，存在薄膜沉积速度缓慢，且品质不平均的问题。又，在溶液气化式的场合，虽然沉积速度快，但是在溶液状态下会产生化学反应的现象等，而存在使溶液配管和气化器等阻塞的问题。由于阻塞，只能在短时间内连续地运转CVD装置。
发明内容
有鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种溶液气化式CVD装置，能够以高精度长时间控制CVD用的原料溶液的流量。
为了达到上述目的，关于本发明的第一观点的溶液气化式CVD装置，具备气化器，其包括孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状；一种以上的原料溶液用通路，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化部，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，连接上述气化部与上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被导入上述气化部。
上述溶液式CVD装置更包括监测机构，监测上述载气的压力；以及洗净机构，对应于上述监测机构的监测结果，洗净该孔口管、该细孔以及该气化部之中至少一者。
为了达到上述目的，关于本发明的第二观点的溶液气化式CVD装置包括气化器，包括供给被加压的载气的载气用配管、与上述载气用配管的前端连接的孔口管、与上述孔口管的前端连接的细孔、与上述孔口管的侧面连接且以相互隔离的方式供给一种以上的原料溶液的一种以上的原料溶液用配管、与上述细孔的前端连接的气化管、以及具有加热上述气化管的加热装置；反应室，与上述气化管连接；以及真空排气机构，使上述反应室真空排气。
在上述孔口管中，混合上述载气和上述一种以上的原料溶液，在该载气中使该一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状，该被分散的微粒子状或雾状的原料溶液经由上述细孔被导入于上述汽化管，亦可通过上述加热装置被加热而被气化。又，即使位在被设置于上述细孔的构件中的上述气化管内的表面被形成凸形状部份亦可。
为了达到上述目的，关于本发明的第三观点的溶液气化式CVD装置包括气化器，包括供给被加压的载气的载气用配管、供给原料溶液的原料溶液用配管、与上述原料溶液用配管连接的孔口管、与上述孔口管连接且与上述载气用配管连接而使载气中的原料溶液被分散为微粒子状或雾状的分散部、气化在上述分散部被分散的上述原料溶液的气化管、连接上述气化管与上述分散部而使在上述分散部被分散的上述原料溶液被导入于上述气化管的细孔、以及具有加热上述气化管的加热装置；反应室，与上述气化管连接；以及真空排气机构，使上述反应室真空排气。
上述细孔被设置在喷雾凸缘(flange)中，即使在位于在上述气化管侧且具有上述细孔的前端的上述喷雾凸缘的表面被形成为凸形状部份亦可。
上述溶液气化式CVD装置更包括监测机构，监测上述载气用配管内的载气的压力；以及洗净机构，通过对应于上述监测机构的监测结果供给溶剂，洗净上述孔口管、上述细孔以及上述气化管之中至少一者。
又，上述溶液气化式CVD装置可更包括洗净机构，通过载气和溶剂直接洗净上述喷雾凸缘的凸形状部份。
在上述气化管的一端被形成为约略球状或约略半球状，在该气化管的一端连接上述细孔，上述加热装置延伸至该气化管的一端的端部亦可。
上述溶液气化式CVD装置也可更包括质量流动(mass flow)控制器，控制上述载气和上述原料溶液的个别流量；以及冷却机构，在上述气化管的附近被形成，且使上述质量流动控制器被冷却。
上述气化管的另一侧经由气化管通气阀(vent valve)而与第一配管连接，上述第一配管经由第二配管与上述真空排气机构连接，上述气化管经由分隔阀与上述反应室连接，上述反应室经由第三配管与主导引阀连接，上述主导引阀与上述第二配管连接亦可。
上述溶液气化式CVD装置也可更包括压力调整阀，被设置在上述第三配管和上述反应室之间。
上述气化管的另一端被连接于上述反应室，该反应室经由压力调整阀被连接于第一配管的一端，该第一配管的另一端经由主导引阀被连接至第二配管的一端，该第二配管的另一端被连接至上述真空排气机构亦可。
发明效果通过采用如上述般的构成，本发明可提供溶液气化式CVD装置，能够以高精度长时间控制CVD用的原料溶液的流量。
图1是表示关于本发明的第一实施例的气化器的构成的概略图；图2是表示关于本发明的第二实施例的气化器的构成的概略图；图3是表示关于本发明的第三实施例的气化器的构成的概略图；图4是表示关于本发明的第四实施例的气化器的构成的概略图；图5是表示相对于图4的气化器的比较例的构成的概略图；图6是表示关于本发明的第五实施例的气化器的构成的概略图；图7是表示关于本发明的第六实施例的气化器的构成的概略图；
图8是表示关于本发明的第七实施例的气化器的构成的概略图；图9是表示在图8所示的气化管的底端及其附近、以及喷嘴的前端及其附近的扩大图；图10是表示关于本发明的第八实施例的气化器的构成的概略图；图11是表示关于本发明的第九实施例的溶液气化式CVD装置的构成的概略图；图12是表示关于本发明的第十实施例的溶液气化式CVD装置的构成的概略图；图13是表示关于本发明的第十一实施例的溶液气化式CVD装置的构成的概略图；图14是表示关于本发明的第十二实施例的溶液气化式CVD装置的构成的概略图；以及图15是表示为了作成高介电常数体薄膜的习知CVD装置的一例子的图标。
其中，附图标记说明如下1-原料溶液用配管；2-喷嘴；3-载气用配管；4～7-关闭阀；8-氮气供给阀；9-压力信号电测转换器；10-气化管；11-喷雾凸缘；11b-喷雾凸缘；12-加热器；13-O形环；14-隔热材；15-隔热材；16-水冷片；21～25-第一至第五原料溶液用配管；26～30-第一至第五关闭阀；31-气化管；34-气化管；35-气化管；32-喷嘴；33-载气用配管；36-洗净机构；37-洗净机构；38-质量流动控制器；39-质量流动控制器；40-气化管通气阀；41-配管；42-配管；47-配管；49-配管；53-配管；55-配管；43-真空泵；44-分隔阀；45-反应腔室；54-反应腔室；46-处理气体导入机构；48-反应压力调整阀；50-主导引阀；51-通气线路；52-通气线路驱动泵；56-被处理基板；61-金属屏蔽。
具体实施例方式
以下参照附图以详细说明关于本发明的实施例的溶液气化式CVD装置。
(第一实施例)图1是表示关于本发明第一实施例的气化器的构成。
此气化器是在室温下将固体或液体的有机金属化合物溶解为溶剂的溶液气化，供给此气化的原料气体至溶液气化式CVD装置。气化器具有溶液供给系统，此溶液供给系统具有第一至第五原料溶液用配管21～25。
第一原料溶液用配管21的底端侧与供给原料溶液与溶剂的第一供给机构(未图示)连接。第一供给机构具有用来供给原料溶液(例如，Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2溶液)的供给源与用来供给溶剂(例如，乙基环己烷ECH)的供给源。在原料溶液的供给源与第一原料溶液用配管21之间则是装设有第一关闭(block)阀26与质量流动控制器。又，在溶剂的供给源与第一原料用配管21之间装设有第一关闭阀26与质量流动控制器。在原料溶液与溶剂的供给源和第一原料溶液用配管21之间设置的关闭阀出口中，溶剂与原料溶液合流。关闭阀是为使流路的死空间(dead space)减少的阀。关闭阀的构造如图4等详细所示，流体的入口有两处，出口也有两处。在流体入口，供给原料溶液与溶媒的机构被连接。流体出口是被连接在通气侧(未图示)及原料溶液用配管。
第二至第五原料溶液用配管22～25的各底端侧也与第一原料溶液用配管21具有同样的构成。
详细而言，第二至第五原料溶液用配管22～25的底端侧分别与供给原料溶液与溶剂的第二至第五供给机构连接。
第二供给机构具有用来供给原料溶液(例如，Bi(MMP)3的溶液)的供给源与用来供给溶剂的供给源。在第二原料溶液用配管22与对应的原料溶液的供给源之间则是装设有第二关闭阀27与质量流动控制器。再者，在第二原料溶液用配管22与溶剂的供给源之间也装设有第二关闭阀27与质量流动控制器。溶剂与原料溶液能够在原料溶液和溶剂的供给源与第二原料溶液用配管22之间合流。
同样地，第三至第五供给机构也分别具有用来供给原料溶液的供给源与用来供给溶剂的供给源。在第三至第五原料溶液用配管23～25与对应的原料溶液的供给源之间则分别装设有第三至第五关闭阀28～30以及质量流动控制器。又，在第三至第五原料溶液用配管23～25与对应的溶剂的供给源之间也各自装设有第三至第五关闭阀28～30与质量流动控制器。溶剂与原料溶液能够各自在第三至第五原料溶液用配管23～25与对应的原料溶液的供给源之间合流。
第一至第五原料溶液用配管21～25的各自前端分别被连接至孔口管。孔口管的前端被连接至细孔的底端侧。细孔和孔口管被设置在喷嘴32内。在孔口管的内部中，分别从第一至第五原料溶液用配管21～25的前端流出的第一至第五原料溶液和通过载气用配管33而流入的氮气等的载气被混合，在载气中，第一至第五原料溶液被分散为微粒子状或雾状。
又，孔口管的底端与载气用配管33连接。载气用配管的内径比孔口管的内径小。详细而言，孔口管的内径是，例如，为1mm左右，而孔口管的长度为100mm左右。又，上述细孔的内径为0.2～0.7mm左右。
载气用配管33的底端侧被连接至供给氮气的供给机构。在此供给机构和载气用配管33之间，设置氮气供给阀8和以及质量流率控制器(未图示)。再者，在载气用配管33设置着压力信号电测转换器(transducer)9。压力信号电测转换器9可以正确地测量载气用配管33内的载气的压力及其变动，一边纪录且随时监控。压力信号电测转换器9可以传送具有对应于载气的压力水准(level)的信号水准的输出信号至未图标的控制部。基于此输出信号的信号水准，能够在未图示的控制画面显示载气的压力而加以监视。
细孔的前端(喷嘴32的前端的吐出口)被连接至半球型式的气化管31的底端。在气化管31的周围，安装加热气化管31至，例如，270℃左右的加热器12。气化管31的底端侧通过O形环13而被密封。又，在气化管31的底端和孔口管之间，配置隔热材14。通过隔热材14，来自气化管31的热不易被传达至孔口管。又，气化管31的底端侧经由隔热材15被连接至水冷片(plate)16，在水冷片16上，上述质量流动控制器被配置。水冷片16通过在其内部循环水，冷却质量流动控制器。在水冷片16不存在时，质量流动控制器因为通过自被加热的气化管31发生的热气，而被加热至45～50℃左右，流量控制的精确度降低。然而，在水冷片16上配置质量流动控制器，通过水冷片16水冷冷却质量流动控制器，质量流动控制器的温度上升被防止，可由此提高流量控制的精确度。又，气化管31的前端侧被连接至未图示的反应室。
自细孔被喷雾的雾不会沾湿气化管壁是较佳的。此系在被沾湿的壁，蒸发面积大规模减少。在此，较佳的是采用气化管壁完全不会被污染的构造即可。又，以气化管壁的污染可被简单地评价出来的方式，气化管壁镜面加工即可。
其次，说明具有以上的构成的气化器的动作。
首先，打开氮气供给阀8，供给载气至载气用配管33。此载气经由孔口管和细孔而被导入至气化管31。此时，载气通过质量流动控制器被控制流量。在本实施例中，虽然利用氮气作为载气，但利用氦气、氢气等其它的载气也可。载气的工作是为将溶液喷雾的事、在高温气化管内部加热雾而气体化的事、以及在反应腔室内、在被处理基板上沉积起化学反应的薄膜时、形成适当的气流的事。在此，利用热传导性良好的氮气、氦气、氢气是较佳的。又，流量控制后的载气压力通过载气流量(约0.5～3.0L/分)、溶液流量、以及喷雾口(细孔)的尺寸而增减，最终的是变化喷雾口的尺寸以控制载气压力在500～1000Torr是较佳的。
其次，打开关闭阀26～30，在所定的压力下，从第一至第五供给机构分别导入第一至第五原料溶液于第一至第五原料溶液用配管21～25。被导入的第一至第五原料溶液分别被供给至孔口管内。此时，第一至第五原料溶液分别通过质量流动控制器被控制流量。在此孔口管中，第一至第五原料溶液和载气被混合，在载气中，第一至第五原料溶液被分散为微粒子状或雾状。而且，被分散的第一至第五原料溶液经由细孔在气化管31以高速(230m/秒～35km/秒)被喷雾。在气化管31中，被分散而雾化的第一至第五原料溶液通过加热器12而在瞬时被加热至约270℃。又，第一至第五原料溶液在孔口管内被混合直到喷雾在气化管内的时间为止是最好在极短的时间(较佳的是在0.1秒～0.002秒以内)为较佳。
此时，孔口管内的压力与气化管31之内的压力具有很大的差异。相对于气化管31内的压力例如为10Torr左右，孔口管内的压力例如为500～1000Torr。通过设置此种压力差使得载气以高速(例如，230m/秒～35km/秒)喷出于气化管31，并且因压力差而膨胀。通过将原料溶液和载气以高速的方式在气化管31喷雾，雾的尺寸微细化(雾的直径1μm以下)，可达到蒸发面积的增大以及蒸发速度的增大。雾的尺寸减少一位的话，蒸发面积增大一位。又，通过使气化管31内减压，在第一至第五原料溶液中分别含有的化学原料的升华温度会降低，所以通过加热器12产生的热会使第一至第五原料溶液被气化。再者，通过高速的载气的流动，第一至第五原料溶液在孔口管内被分散后随即变成微细的雾状，所以容易在瞬间于气化管31内气化。又，只气化溶剂的现象被抑制。又，由于上述理由，以自喷雾口被喷出的雾不会与气化管壁冲突的方式，来设计喷雾口的角度和气化管的尺寸是较佳地。
如上所述，通过CVD用气化器气化第一至第五原料溶液以形成原料气体。此原料气体经由气化管31送至反应室，在此反应室内沉积薄膜。
又，除了上述的成膜方法以外，可适用以下的成膜方法。
首先，通过使第一和第二原料溶液和载气经由气化管而在所定时间流动至反应室，沉积第一薄膜。其次，自气化管出口的气体在排气侧被切换，而中断第一薄膜的沉积。之后，第三和第四原料溶液和载气以所定流量流至气化管，第三和第四原料溶液的流量和(容积)超过自关闭阀至细孔为止的配管容量的一倍至五倍，通过使第三和第四原料溶液和载气经由气化管而在所定时间流动至反应室，沉积第二薄膜。由此，可通过CVD连续形成组成不同的两种薄膜。
又，如上述般，通过进行三次以上的原料溶液的切换，可连续沉积三种以上的薄膜。又，在切换原料时，可变更被处理基板的温度、反应压力等的成膜条件。
如上所述，气化原料溶液时，通过压力信号电测转换器9随时地监控载气的压力。连续地使用CVD用气化器的话，原料溶液中的溶质会慢慢地析出于孔口管与细孔之中至少一个，进而阻塞细孔(喷雾口)。
以下详细描述此现象。在上述气化器，在减压(约5-20Torr)的环境下的高温气化管31的上部将原料溶液和载气喷雾并且雾化，然而，此时，雾的一部分会附着于细孔(喷雾口)而液化。接着，由于减压环境与高温状态下气化管10的辐射热，使附着于此喷雾口的溶液，仅蒸发出蒸气压大的溶剂，而使得溶质的固体原料析出而阻塞住喷雾口。然而，因为具有喷雾口的喷嘴32的前端具有凸形状，与后述第五实施例相同，可延后至喷雾口阻塞为止的时间。例如，通过使喷雾口前端为45～135°(较佳的是30～45°)，可抑制被析出的固体原料阻塞喷雾口。在喷雾口的前端为平面和钝角等的场合，被析出的少量固体原料在短时间简单地阻塞喷雾口。
随着上述阻塞的进行，载气用配管33内的载气的压力会变高。接着，控制部从压力信号电测转换器9接收到表示载气压力超过既定压力(例如，200KPa)的输出信号后，停止原料溶液的供给，仅流入溶剂。然后，将上述高温气化管的出口从反应器切换至排气侧，接着，仅供给溶剂及载气于孔口管及细孔以进行洗净。此时，溶剂的流量增加到原料溶液流量的两倍乃至十倍以上时，可提高洗净效果。又，流动溶剂的时间在1～3分左右是较佳的。由此，从喷雾口喷雾化溶剂，然后通过溶剂将原料溶液之中析出附着的溶质再度溶解，因此能够洗净去除之。又，上述溶剂是选自至少一种由乙基环己烷、正己烷、苯、甲苯、THF、辛烷、癸烷、以及醋酸丁酯组成的族群或其多个混合物是较佳的。在此较佳的溶剂希望为蒸气压低、原料溶解度大、与原料不反应、在氧化环境中易燃烧而不残留碳，在氢气环境下容易分解而不残留碳。因此，作为溶剂的话，与醋酸丁酯、THF、正己烷、三氯乙烷、甲苯相对比较，乙基环己烷最佳。
又，本实施例之中，虽然在洗净步骤所使用的溶剂是由供给机构供给，也可以另外设置洗净步骤用的溶剂供给机构，而由此溶剂供给机构供给洗净用的溶剂。再者，在洗净去除之前，最好取出反应室内的被处理基底，待洗净去除完成后，再投入新的被处理基底为较佳。原料溶液中的溶质析出而附着于喷雾口(细孔)之外时，CVD薄膜的沉积速度降低，CVD薄膜的组成改变。因而，引起CVD薄膜沉积步骤的再现性降低且品质降低、良率降低。为了避免此现象，最好在观测到气化器的阻塞之前先进行洗净步骤，例如制造一片晶片之后，如果放入下一片被处理基板于腔室而开始薄膜沉积的数分钟的等待时间当中，进行气化管等的洗净处理的话，能够提升再现性。
在上述洗净步骤之中，可利用压力信号电测转换器9来随时监测载气用配管33内载气的压力。由此，可监测细孔阻塞的状况持续。进行上述洗净步骤时，析出的溶质会溶解，所以可消除细孔(喷雾口)阻塞的问题。因此，载气的压力会降低。接着，载气压力变成所定压力(例如100Kpa)以下，控制部接收到从压力信号电测转换器9送出的通知后，重新开始供给原料溶液以进行原料溶液的气化。
再者，将在CVD时流过的溶液流量作为Xcc/分时，分别自第一至第五关闭阀26～30到第一至第五原料溶液用配管21～25的前端为止的配管容量最好为8Xcc以下，2Xcc以下更佳，Xcc以下最佳。即使在以下实施例的情形中也相同。
再者，在实施例中，通过溶剂洗净去除产生在喷雾口等阻塞的时机点，是由压力信号电测转换器9监测载气的压力来决定，然而不限于此，也可以在经过既定的时间之后，流入溶剂与载气以进行洗净。
如上述，利用溶剂在细孔(喷雾口)完全地阻塞之前洗净喷雾口，可以再次将喷雾口恢复为原来的状态。因此，通过在使用气化器期间进行洗净步骤，可以使气化器使用极长的时间。比起将阻塞的气化器分解、洗净，并再度组合需要花费十小时左右，上述洗净步骤只需要数分钟即可完成，所以能够使装置的操作时间大幅地增加，而且可大幅地降低制造成本。
又，如上所述，即使设置用来当作监控阻塞的监测器的压力信号电测转换器9，由于必须进行洗净步骤，所以无法完全连续地使用CVD用气化器。因此，如果一台反应室对应地设置具有多台洗净机构的气化器的话，则能够实现连续沉积数百小时以上的溶液气化式CVD装置。具体而言，设置具有例如十二台洗净机构的气化器，而且其中两台经常地处于洗净状态下，其它十台气化器则是经常地连续地使用。如此，不仅溶液气化式CVD装置可以连续运转数百个小时以上，且可以显著地提升薄膜的沉积速度。此种一边依序洗净多个气化器、一边进行长时间连续沉积的溶液气化式CVD装置，例如，用在非常长的带(tape)状基板上沉积10μm左右厚度的超传导氧化物薄膜的YBCO时，特别地有效。
如上述般，根据本实施例，配置第一至第五原料溶液用配管21～25，以将第一至第五原料溶液相互分离的方式供给至孔口管。具体而言，将两种以上的反应材料，例如，(Sr[Ta(OEt)5(OC2H4OMe)]2)与(Bi(MMP)3)的溶液以在到孔口管的配管途中不混合的方式供给于该孔口管。由此，可以防止在原料溶液用配管内部，各原料溶液在溶液状态引起化学反应，并且可以防止阻塞。因而，可以延长气化器连续的使用时间。
再者，根据本实施例，由于在载气用配管33中被加压的载气是以高速流动而导入于孔口管(例如，在500～1000Torr下、200ml/min～2L/min)，所以可以抑制孔口管中的原料溶液的温度上升。因此，可以抑制孔口管中仅有原料溶液中的溶剂蒸发气化，且可抑制在孔口管使原料溶液高浓度化，粘度的上升及超过溶解度而析出的现象产生。因此，可抑制细孔阻塞。
再者，根据本实施例，通过使原料溶液在孔口管被分散，将此分散后的微粒子状或雾状的原料溶液在细孔(喷雾口)喷雾，且可以在气化管31内瞬间地加热而气化(气体化)。因而，可以抑制细孔或细孔附近的气化管31之中仅有原料溶液中的溶剂气化，而抑制细孔产生阻塞。因此，可以延长气化器的连续使用的时间。
如以上说明，根据本实施例，通过抑制分散部(孔口管)、细孔以及气化管的阻塞，可使气化器稳定且能够长时间连续地使用。因而，可以沉积再现性以及薄膜特性良好的高介电常数材料PZT、SBT等薄膜、铜、钽、钌等的金属薄膜、超导体材料YBCO的薄膜、可应用在透明电极等的氧化锌薄膜。而实现高性能的气化器以及溶液气化式CVD装置。
(第二实施例)图2为表示根据本发明的第二实施例的气化器的构成的图示，与图1相同的部分，具有相同的符号，省略其详细说明，在以下的实施例中也相同。
在本实施例中，气化管34的底端侧具有球形状。由此，可均一地加热气化管34的底端侧。
(第三实施例)图3为表示根据本发明的第三实施例的气化器的构成的图示。
代替如图1所示的隔热材(聚四氯乙烯封装材等)14，配置金属屏蔽(metalseal)61。因为金属屏蔽61对应于超高真空、具有机械强度、耐热性高的特性，所以可提高气化管35的加热温度至300℃以上。然而，因为孔口管的温度也上升，而容易产生因固体原料的析出的细孔等的阻塞。因此，在此场合中，例如，适度增加洗净步骤的次数，防止阻塞即可。
(第四实施例)图4表示根据本发明的第四实施例的气化器的构成。此气化器具备溶液供给系统，此溶液供给系统具有原料溶液用配管1。原料溶液用配管的前端与配管内径小的溶液配管的底端被连接，在配管内径小的溶液配管的前端设置喷嘴2。配管内径小的溶液配管的前端延伸至喷嘴2前端的吐出口。配管内径小的溶液配管的内径比原料溶液用配管1的内径小。详细而言，配管内径小的溶液配管的内径是，例如，为1mm左右，而其长度为10mm左右。
原料溶液用配管1的底端侧被连接在用来供给原料溶液与溶剂的供给机构。此供给机构具有用来供给原料溶液[例如，Pb(DPM)20.05mol/L，Zr(IBPM)20.03mol/L，Ti(OiPr)2(DPM)20.03mol/L，Nb(DPM)40.01mol/L混合溶液]的供给源、与用来供给溶剂的供给源。在原料溶液的供给源与原料溶液用配管1之间装设有关闭阀4以及质量流率控制器。在溶剂供给源与原料溶液用配管1之间则是装设有关闭阀5与质量流率控制器。再者，溶剂与原料溶液能够在溶剂供给源与原料溶液用配管1之间合流。又，溶剂的供给源经由关闭阀6而连接至通气侧的配管。原料溶液的供给源经由关闭阀7而连接至通气侧的配管。
在较喷嘴2的前端位于孔口侧的该喷嘴的外侧，设置导入载气的导入口。此导入口被连接在载气用配管3的前端侧。此载气用配管3的底端侧被连接至供给氮气的供给机构。此供给机构和载气用配管3之间则是装设有氮气供给阀8以及质量流率控制器(未图示)。再者，与第一实施例相同，在载气用配管3安装压力信号电测转换器9。
在喷嘴2的前端附近及其周围设置分散部，此分散部连接上述导入口。又，分散部经由细孔与直管型式的气化管10的底端连接，此细孔被设置在喷雾凸缘11。在具有位在气化管侧的细孔的前端的喷雾凸缘11的表面，平面形状部份被形成。在喷嘴2的前端自上述细孔分离，气化管10的内部经由细孔与分散部连接。此分散部混合由喷嘴2前端流出的原料溶液、以及通过载气用配管3而自上述导入口流出的氮气。
在气化管10的周围设有加热器12，将气化管10加热至例如270℃左右。气化管10的底端侧通过O形环13而被密封。又，在气化管10的底端、分散部、以及喷雾凸缘11之间，隔热材14被配置。通过此隔热材14，自气化管10的热不易被传达至喷雾凸缘11以及分散部。又，在气化管10的底端侧配置隔热材15。与气化管10分离的水冷片16被形成，在水冷片16上，配置上述质量流动控制器。再者，气化管10的前端侧连接着未图示的反应室。
其次，说明上述气化器的动作。
首先，在关闭阀5、6、7关闭的状态下，打开关闭阀4，在既定的压力下，从原料供给机构供给原料溶液于原料溶液用配管1。此时，原料溶液为将固体化合物溶解在溶剂中等，通过质量流动控制器控制流量。再者，打开氮气供给阀8，供给载气于载气用配管3。此时，载气通过质量流动控制器被控制流量。载气例如为氮气。
其次，原料溶液经由原料溶液用配管1供给于分散部，且载气经由载气用配管3供给于分散部。接着，在分散部之中，原料溶液与载气被混合。从原料溶液在分散部之中被混合直到以雾状被喷雾为止的时间最好在1秒以内(在0.1秒以内更好)。
其次，在分散部中分散于载气之中的原料溶液经由细孔被导入气化管10。在气化管10之中，利用加热器12瞬间将雾化之后的原料溶液加热至大约270℃左右。
与第一实施例中的孔口管和气化管31相同，分散部之内的压力与气化管10之内的压力具有很大的差异。气化管10内为减压状态，而为5～30Torr，分散部内的压力例如为500～100Torr。通过压力差使得载气以超高速喷出于气化管上部，并且因压力差而膨胀。由此，原料溶液含有的固体等化合物的升华温度会降低，所以通过加热器12产生的热会使原料溶液(亦包含有化学原料)被气化。再者，通过高速的载气的流动，原料溶液在分散部分散后随即变成微细的雾状，所以容易在瞬间于气化管10气化。
如上述般，通过使用气化器将原料溶液气化以形成原料气体。此原料气体经由气化管10被送至反应室，然后在此反应室内沉积薄膜。
气化原料溶液期间，通过压力信号电测转换器9随时地监控载气的压力。如第一实施例所说明的，通过连续地使用气化器的话，会阻塞细孔(喷雾口)。关于此现象的详细说明，由于已在第一实施例中说明，在此省略。
由于上述阻塞，控制部从压力信号电测转换器9接收到表示载气压力超过既定压力(例如200KPa)的输出信号后，关闭阀4而停止化学原料的溶液的供给，然后打开关闭阀5，仅流入溶剂。或是，将上述高温气化管的出口从反应器切换至排气侧(未图示)，接着，仅供给溶剂及载气于原料溶液用配管1及载气用配管3以进行洗净。由此，从喷雾口喷雾化溶剂，然后利用溶剂将原料溶液之中析出的溶质再度溶解，因此能够洗净去除的。又，与第一实施例相同，也可以另外设置洗净步骤用的溶剂供给机构，而由此溶剂供给机构供给溶剂亦可。关于洗净步骤及其优点的详细说明，由于已在第一实施例中说明，在此省略其说明。
通过洗净，随即解决细孔(喷雾口)阻塞的问题。因此，载气的压力会随即降低。控制部从压力信号电测转换器9接收到表示载气压力变成既定压力(例如100KPa)以下的输出信号后，再次打开关闭阀4，开始供给溶液以进行原料溶液的气化。
在本实施例中，以溶剂洗净去除产生在喷雾口的阻塞的时机点，是通过压力信号电测转换器9监测载气的压力来决定，然而不限于此，也可以在经过既定的时间之后，流入溶剂与载气以进行洗净。
如上述般，根据本实施例，气化器除了经由原料用配管1，将原料溶液导入分散部，同时经由载气用配管3，将载气导入分散部。原料溶液和载气分别地供给于分散部，在分散部中，使原料溶液分散。而且，被分散的原料溶液自细孔的前端喷雾至气化管10。因为细孔前端的喷雾凸缘11的表面为平面形状，可抑制细孔前端的阻塞。由此，可以延长气化器连续的使用时间。
图5表示作为相对于本实施例的气化器的比较例的气化器的构成图。此气化器除了细孔前端的喷雾凸缘的表面形状成为凹形状以外，与第四实施例相同。如此将此细孔前端的喷雾凸缘的表面形状作为凹陷于细孔的底端侧的凹形状的话，在细孔的前端容易造成阻塞的事已被确认。与此种气化器相比，本实施例的气化器不易阻塞。
又，在本实施例中，在载气用配管3中被加压的载气以高速流动而导入分散部。由此，可抑制在分散部中的原料溶液的温度上升，结果可抑制细孔的阻塞。
又，在本实施例中，使原料溶液在分散部分散，此被分散的微粒子状或雾状的原料溶液在气化管10内加热，而使其一瞬间气化。由此，可抑制起因于只有原料溶液中的溶剂气化的气化管等的阻塞。
如上所述，本实施例的气化器因为可抑制阻塞，所以可长时间连续使用。
(第五实施例)图6为表示根据本发明的第五实施例的气化器的构成的图示。在位于气管侧10侧具有细管的前端的喷雾凸缘11b的表面，凸形状的喷雾口被形成。不设置配置有质量流动控制器的水冷机构。
通过细孔前端的喷雾凸缘11b的表面作为凸形状，在被分散的原料溶液自细孔前端喷雾至气化管10之时，可抑制在细孔前端产生阻塞。又，与第四实施例相比，可延长气化器的使用时间。
(第六实施例)图7为表示根据本发明的第六实施例的气化器的构成的图示。气化管35的底端侧作为半球形状，加热器12与图6所示的相比，卷绕直到气化管35的底端侧的喷雾口附近为止。通过采用如此构成，可均一地加热至气化管35的底端侧为止，更可抑制溶液的溶质的析出，且更可抑制阻塞。
(第七实施例)图8为表示根据本发明的第七实施例的气化器的构成的图示。图9表示在图8所示的气化管的底端及其附近、以及喷嘴的前端及其附近的扩大图。
如图8和图9所示，气化管35具有洗净机构36。洗净机构36在气化管35内的底端侧的细孔及其附近直接供给洗净用溶剂粒子。洗净用溶剂粒子流是在氮气混合溶剂。在细孔的前端附近附着析出物(原料溶液的溶质)时，此析出物可通过自洗净机构36的洗净用溶剂粒子流而除去。
其次，说明有关利用洗净机构36的洗净。
在气化原料溶液之时，通过压力信号电测转换器9实时地监控载气的压力。伴随着气化器的连续使用，即会阻塞细孔。
伴随着阻塞的进行，载气用配管3内的载气压力升高。载气压力超过既定压力(例如200KPa)，控制部接收到从压力信号电测转换器9送出的输出信号后的洗净步骤，与第四实施例相同。除了此洗净步骤，在本实施例中，通过洗净机构36在气化管35内的底端侧的细孔及其附近直接供给载气(氮气)及溶剂。由此，可除去细孔的前端附近的析出物。
又，依据洗净机构36的洗净步骤并不需每次进行第四实施例的洗净步骤即进行也可。例如，相对于多次的第四实施例的洗净步骤，进行一次洗净机构36的洗净步骤也可。又，只单独进行洗净机构36的洗净步骤也可。
(第八实施例)图10为表示根据本发明的第八实施例的气化器的构成的图示。与图8和图9相同的部份赋予相同的符号。如图10所示的气化管35具有洗净机构37。此洗净机构37自气化管35的侧面直接供给洗净用溶剂粒子至该气化管35内的底端侧的细孔及其附近。洗净用溶剂粒子流在氮气混合溶剂。在细孔的前端附近附着析出物(原料溶液的溶质)时，可通过自洗净机构37的洗净用溶剂粒子流将此析出物除去。
关于洗净机构37的动作，除了停止预先加热气化管31、冷却直到室温附近的必要点以外，与第八实施例相同。
(第九实施例)图11为表示根据本发明的第九实施例的气化式CVD装置的构成的图示。此CVD装置具有如图1所示的气化器。在水冷片16上，配置质量流动控制器38、39。
气化管31的前端被连接至气化管通气阀40，气化管通气阀40经由配管41、42而被连接至真空泵43。又，气化管31经由分隔阀44与反应腔室(反应室)45连接，反应腔室45与导入处理气体的处理气体导入机构46连接，通过处理气体导入机构46，处理气体被导入反应腔室45内。又，反应腔室45经由配管47被连接至反应压力调整阀48。反应压力调整阀48经由配管49与主导引阀50连接，主导引阀50经由配管42被连接真空泵43。
第一至第五关闭阀26～30分别被连接至通气线路51的一端，通气线路51的另一端被插入通气线路驱动泵52。又，通气线路驱动泵52经由配管53被连接至配管42。
其次，说明上述溶液气化式CVD装置的动作。
上升反应腔室45内的温度(例如，600℃)，温度稳定后，在反应腔室内配置被处理基板。其次，启动真空泵43，开启主导引阀50和反应压力调整阀48，将反应腔室45内减压至所定的真空度，除去腔室内的氧等。接着，通过处理气体导入机构46，将处理气体导入反应腔室内，通过反应压力调整阀48，将反应腔室45内调整至所定压力。其次，如在第一实施例中说明的，所定流量的载气和原料溶液流入气化管31，打开气化管通气阀40，经由配管41、42，通过真空泵34导引。确认载气和原料溶液的流量稳定后，关闭气化管通气阀40，打开分隔阀44，将原料气体导入反应腔室45内。通过如此方式将薄膜沉积在被处理基板上。
将所希望的厚度的薄膜形成之后，打开气化管通气阀40，关闭分隔阀44，将原料气体流入通风侧以停止薄膜沉积。接着，操作关闭阀26～30以停止原料溶液(有机金属化合物的溶液)，将所定流量的溶媒流入1～2分钟于气化管31，以洗净喷嘴32。而且，通过氮气洗净气化管31内及反应腔室45内。反应腔室45内通过氮气洗净后，自反应器取出试料。又，通过上述方法在次一个被处理基板上沉积薄膜。重复此处理。
(第十实施例)图12为表示根据本发明的第十实施例的溶液气化式CVD装置的构成的图示。在此CVD装置未设有如图11所示的配管47和反应压力调整阀48，而以设置导入氮气至配管42的配管55代替。
其次，说明上述溶液气化式CVD装置的动作。
关闭气化管通气阀40，打开分隔阀44和主导引阀50，通过导入适当流量的氮气至真空泵43和配管42，调整反应腔室45内至所定压力，如第一实施例所说明的，自气化管31导入原料气体至反应腔室45内，通过处理气体导入机构46，导入处理气体到反应腔室内。由此在被处理基板上沉积薄膜。
形成所定厚度的薄膜后，关闭分隔阀44，打开气化管通气阀40，停止至气化管31的原料溶液的导入，约一分钟停止流入溶剂后停止。又，通过氮气洗净气化管31内和反应腔室45内。其次，通过上述方法在下一个被处理基板上沉积薄膜。重复此种处理。
(第十一实施例)图13为表示根据本发明的第十一实施例的溶液气化式CVD装置的构成的图示。气化管31的前端被直接连接至反应腔室(反应室)45。又，气化管31被连接至气化管通气阀40。在第九实施例，CVD装置以自反应腔室45的旁边(亦即，导入处理气体侧的相反侧)导入原料的方式被构成，相对于此，在本实施例中，以自反应腔室45的正上方导入原料气体的方式被构成。即使采用此种构成，可得到与第九实施例相同的效果。
(第十二实施例)图14为表示有关本发明的第十二实施例的溶液气化式CVD装置的构成的图示。气化管31的前端被连接至反应腔室54。反应腔室54在带(tape)状的被处理基板56上沉积超传导氧化物薄膜YBCO和铜薄膜。被处理基板56自一边的滚子被供给，在薄膜被沉积之后，被卷取在另一方的滚子。被处理基板56亦可来回，可沉积薄膜。反应腔室54被连接至导入处理气体的处理气体导入机构46。反应腔室54经由配管47被连接至反应压力调整阀48。反应压力调整阀48经由配管49与主导引阀50连接，此主导引阀50经由配管42被连接真空泵43。又，并列多个具有原料溶液供给系统的气化器，而成膜也可。
其次，说明上述溶液气化式CVD装置的动作。
打开主导引阀50，通过真空泵43和反应压力调整阀48，调整反应腔室54内至所定压力，自气化管31导入原料气体至反应腔室54内，通过处理气体导入机构46，导入处理气体至反应腔室内。由此方式在被处理基板上沉积薄膜。
即使通过本实施例的CVD装置，可得到与第九实施例相同的效果。又，在本实施例中，由于在气化管作为不设置阀的构成，适用于连续沉积数μm～数十μm的膜厚的厚膜的情形。亦即，在沉积膜厚的厚膜的情形中，由于容易产生在阀附着量多的原料的问题，所以在气化管作为不设置阀的构成。
权利要求
1.一种溶液气化式CVD装置，具备气化器，其中上述气化器包括孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液分散为微粒子状或雾状；一个以上的原料溶液用通路，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化部，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，被连接在上述气化部与上述孔口管，将在上述孔口管被分散的上述原料溶液导入于上述气化部。
2.如权利要求1所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括监测机构，监测上述载气的压力；以及洗净机构，因应于上述监测机构的监测结果，洗净上述孔口管、上述细孔以及上述气化部之中至少一者。
3.一种溶液气化式CVD装置，其中包括气化器，包括供给被加压的载气的载气用配管、与上述载气用配管的前端连接的孔口管、与上述孔口管的前端连接的细孔、与上述孔口管的侧面连接且以相互隔离的方式供给一种以上的原料溶液的一个以上的原料溶液用通路、与上述细孔的前端连接的气化管、以及具有加热上述气化管的加热装置；反应室，与上述气化管连接；以及真空排气机构，使上述反应室真空排气。
4.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是在上述孔口管中，混合上述载气和上述一种以上的原料溶液，在该载气中使该一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状，该被分散的微粒子状或雾状的原料溶液经由上述细孔被导入上述气化管，通过上述加热装置加热而被气化。
5.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是位在设置上述细孔的构件中的上述气化管内的表面被形成凸形状部份。
6.一种溶液气化式CVD装置，其中包括气化器，包括供给被加压的载气的载气用配管、供给原料溶液的原料溶液用配管、与上述原料溶液用配管连接的孔口管、与上述孔口管连接且与上述载气用配管连接而在载气中使原料溶液分散为微粒子状或雾状的分散部、将在上述分散部被分散的上述原料溶液气化的气化管、连接上述气化管与上述分散部而使在上述分散部被分散的上述原料溶液导入于上述气化管的细孔、以及具有加热上述气化管的加热装置；反应室，与上述气化管连接；以及真空排气机构，使上述反应室真空排气。
7.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是上述细孔被设置在喷雾凸缘中，且在具有位于在上述气化管侧的上述细孔的前端的上述喷雾凸缘的表面形成为凸形状部份。
8.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括监测机构，监测上述载气用配管内的载气的压力；以及洗净机构，通过因应于上述监测机构的监测结果供给溶剂，洗净上述孔口管、上述细孔以及上述气化管之中至少一者。
9.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括监测机构，监测上述载气用配管内的载气的压力；以及洗净机构，通过因应于上述监测机构的监测结果供给溶剂，洗净上述孔口管、上述细孔以及上述气化管之中至少一者。
10.如权利要求7所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括洗净机构，通过载气和溶剂直接洗净上述喷雾凸缘的凸形状部份。
11.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是在上述气化管的一端被形成为约略球状或约略半球状，且在该气化管的一端连接上述细孔，而上述加热装置延伸至该气化管的一端的端部。
12.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是在上述气化管的一端被形成为约略球状或约略半球状，且在该气化管的一端连接上述细孔，而上述加热装置延伸至该气化管的一端的端部。
13.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括质量流动控制器，控制上述载气和上述原料溶液的个别流量；以及冷却机构，在上述气化管的附近被形成，且使上述质量流动控制器被冷却。
14.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括质量流动控制器，控制上述载气和上述原料溶液的个别流量；以及冷却机构，在上述气化管的附近被形成，且使上述质量流动控制器被冷却。
15.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是上述气化管的另一侧经由气化管通气阀而与第一配管连接，上述第一配管经由第二配管与上述真空排气机构连接，上述气化管经由分隔阀与上述反应室连接，上述反应室经由第三配管与主导引阀连接，上述主导引阀与上述第二配管连接。
16.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是上述气化管的另一侧经由气化管通气阀而与第一配管连接，上述第一配管经由第二配管与上述真空排气机构连接，上述气化管经由分隔阀与上述反应室连接，上述反应室经由第三配管与主导引阀连接，上述主导引阀与上述第二配管连接。
17.如权利要求15所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括压力调整阀，被设置在上述第三配管和上述反应室之间。
18.如权利要求16所述的溶液气化式CVD装置，其特征是还包括压力调整阀，被设置在上述第三配管和上述反应室之间。
19.如权利要求3所述的溶液气化式CVD装置，其特征是上述气化管的另一端被连接于上述反应室，该反应室经由压力调整阀被连接于第一配管的一端，该第一配管的另一端经由主导引阀被连接至第二配管的一端，该第二配管的另一端被连接至上述真空排气机构。
20.如权利要求6所述的溶液气化式CVD装置，其特征是上述气化管的另一端被连接于上述反应室，该反应室经由压力调整阀被连接于第一配管的一端，该第一配管的另一端经由主导引阀被连接至第二配管的一端，该第二配管的另一端被连接至上述真空排气机构。
全文摘要
本发明提供一种溶液气化式CVD装置，能够以高精度长时间控制CVD用的原料溶液的流量。溶液气化式CVD装置所具备的气化器包括孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状；一种以上的原料溶液用通路21～25，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路33，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化管13，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，连接上述气化管与上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被导入上述气化管。
文档编号C23C16/448GK1754982SQ200510054728
公开日2006年4月5日 申请日期2005年3月11日 优先权日2004年10月1日
发明者矢元久良, 腰前伸一 申请人:尤泰克株式会社, 矢元久良