专利名称：用于盘状衬底除气的装置的制作方法
用于盘状衬底除气的装置 本发明涉及一种根据权利要求1的用于盘状衬底除气的装置以及一
种根据权利要求13的用于盘状衬底除气的方法。
就当代真空处理设备而言，在这种全自动的真空处理系统中对圆形 的扁平衬底或工件(也称为晶圓)进行表面处理，例如涂层、蚀刻、清 洁、热处理等。为了使得这种过程自动化和为了能够在不同的设备区域 中进行多阶段的过程，在此使用自动的输送系统——种操作机器人。特 别地，在这种过程中，对半导体晶圆的处理要求很高的处理质量，特别 是例如高纯度、高精度和对衬底的谨慎处理。由于上述高的要求，这种 设备优选具有闸门室，其中晶圓从大气环境进入到真空室中，然后进入 到处理站中，或者通常相继地进入多个处理站中，以便可以进行所要求 的表面处理。在此，晶圆借助输送装置优选在水平的输送平面中从闸门 室进入到处理室中，其中在晶圓置于处理室中之后通常将处理室封闭， 以便在那里在所要求的真空处理环境下进行处理。当需要多个处理步骤 时，晶圆通过同样的方式再次从纯净的处理室中被输送出来，并且为了 后续的处理步骤而输送到其它处理室中。其中一种特别有益的设备是所 谓的集群系统。在这种系统中，围绕基本处于中央的输送室的周围设有 闸门室和处理室或多个室。在多于一个的闸门室的情况下，特别是在多 个处理室的情况下，这些室以星形方式围绕处于中央的输送室设置。于 是输送装置位于该处于中央的输送室中，并且一方面可够到至少一个闸 门室，另一方面可够到处理室。在输送室和余下的室之间通常且优选设 有所谓的闸i' :i阀，以便能够在过闸过程中或者在处理步骤期间使得这些 室相互隔离。于是在输送晶圆的过程中，输送装置相应地经过打开的闸 门，以便将晶圓放置在所希望的位置。闸门室和可分离的处理室一方面 用于使得不同的气体相互隔离，特别是用于阻止不希望的污染物，这些 污染物可能会导致处理过程中的污染。
在这些真空过程中，例如特别是为了沉积薄层，衬底表面的清洁度 和质量很重要，并非常明显地影响着例如所沉积的层的质量。在真空环 境下，可以在衬底上找到的主要物质是水或水蒸气和有机物质。这些污 染物质在衬底表面上被吸收，且通常通过提高所述污染物质的蒸汽压
力，例如通过提高温度被去除。这种温度提高例如通过对村底的红外辐 射，或者通过对衬底的加热，通过传导即热传导来产生。当衬底上达到 所提高的温度时，需要一种附加的有效的抽气机构，以便能够将从衬底 表面流出的、现在以气态存在的污染物抽出。此点通常通过在低的真空 压力下抽出来实现。
在
图1中示出饱和有水蒸气的金属表面的除气特性曲线的实例。曲 线1为金属表面上的水蒸汽的停留时间t。关于衬底的表面温度Tw的曲
线。停留时间to作为表面上的被吸收物的衬底温度Tw的函数符合如下 公式
其中NA是阿伏加德罗常数，kb是玻尔兹曼常数，To是固体材料的特征 振动周期(约为10"3秒)，Eads是金属上的水的吸收能量(约为105焦 耳)。相似的曲线适于真空系统中的衬底特性。图2中示出一种具有两
个平行的板的装置，其中一个板是衬底2，另一个板是外围3。可以设 有朝向衬底的气流4和离开衬底的气流5。当系统在经过一定的停留时 间后达到平衡时，可以基于衬底2和外围3之间的温度差达到最大的除 气效率。在这种情况下，除气不再独立于过程持续多久而改变。为了使 得平衡朝向衬底上的最低被吸收物浓度移动，如前所述，以公知的方式 通过一种抽气装置来抽出，其中该抽气装置在图3中以抽气孔6示意性 地示出。在这种情况下，被吸收物浓度与温度平衡和从系统中实际去除 的被吸收物成比例。此点最好取决于抽吸功率、抽气孔6和时间。因此 较大的抽吸功率或较长的抽吸时间会导致改善的结果。但如前所述，此 点会导致必需大功率的抽吸、长的抽吸时间或高的温度。在这种系统中， 超高真空和400摄氏度的温度并非不常用，以便针对除气周期实现足够 短的例如30s的处理时间。
在基于辐射加热的系统中，在系统中必须使用高的能量值，以便补 偿这种系统的较低的热效率。作为单个的除气单元，这种系统尚可工 作。作为嵌入在较大系统中的除气部件或模块，这种系统的冷却要求非 常昂贵和复杂。另外在很多情况下，衬底是其周围中最冷的部件之一，因此不会表现出良好的除气特性。
传导的加热装置或带有热传导机构的加热装置本已是一种改进的 方案。在这种情况下，衬底通常粘接到被加热的体上，其中在体和衬底 之间导入气体，以便产生从体到衬底的热传导。抽气系统用于去除污染 物，这些污染物来自于未遭受接触气体的一侧。
这两种技术都是高真空方法。系统的效率主要由抽气系统的效率决 定。环境中的真空度越高，系统的除气效果就越好。但这导致抽气系统 很大且很昂贵。另外，需要较长的处理时间来去除被吸收物。这又导致 很长的不希望的处理时间，其降低了生产系统的经济性。在使用较高的 温度时，处理时间会缩短，但这在很多情况下由于这种衬底的敏感性是 不希望的或者甚至根本不可能。
本发明的目的在于，克服现有技术的所述缺点。该目的特别是在于， 实现用于为盘状的衬底、特别是半导体晶圆除气的一种装置和一种方 法，该装置具有高的效率，且在小心谨慎地处理衬底时可以缩短处理时 间，由此可以在生产过程中实现高的经济性。根据本发明，所述目的通过根据权利要求1的用于为盘状的衬底除
气的装置和根据权利要求13的方法得以实现。从属权利要求限定了其
它有益的实施方式。
根据本发明，本发明的解决方案在于用于为在真空的环境2中的 盘状的衬底、特别是半导体晶圆除气的装置包括基本扁平的平行的体， 所述体间隔设置，且间隔小于所述体的纵向长度或直径；和由此形成一 个中间腔，在该中间腔中，衬底设置在所述体之间，所述体中的至少一 个体在边缘区域中突出，其中在至少一个体中设有气体供应机构，用于 在中间腔中产生沿着所述体和沿着衬底在径向方向朝向所述体的外围 的层流的气流；和在那里设有抽气孔，用于将气流抽出。
其中对装置进行几何结构设计和对气流状况进行调节，从而在板状 的体之间沿着衬底表面实现处于层流区域中的气流，和所述体之间的气
体在处理期间多次更替。层流的气流在如下情况下产生，即平行于衬底 表面的气体运动受气流驱动，和垂直于衬底的各种物质移动受扩散驱 动。这种状况可以通过如下方式来产生，即在预先给定衬底尺寸并由此 预先给定所述体的尺寸的情况下，对所述体的间隔或所形成的中间腔的 间隙宽度进行选择，从而在设计有气体供应机构和形成压力状况(它们
决定了气体量连同抽吸功率)的情况下，会出现所希望的层流。针对除 气过程还设有加热机构，该加热才几构例如设置在一个或两个+反内，并对 衬底进行加热，以便附加地加速除气过程。采用这种除气装置可以明显
地提高除气效率和/或明显缩短除气时间，例如提高了大于系数2。在通 常的用于半导体晶圆的处理设备中，各个处理步骤的处理时间决定性地 决定了设备的产能，并由此决定了设备的经济性。其中特别是持续时间 最长的处理步骤具有决定意义。迄今为止，持续时间最长的步骤通常是 对于为衬底除气来说必需的处理步骤。简单的例如在原理上说明除气的 过程对于设备产能来说没有决定的意义，而是具有局限的意义。在实际 设计这种半导体系统时，这种除气步骤例如在大约30s内就应结束，从 而可以为余下的处理步骤或处理时序实现约50s的时间。这20s的时间 差对于抽吸过程和衬底的输送和把持来说是必需的。
下面举例地对照附图详细i:兌明本发明。图中示出
图4为平行设置的扁平的衬底和间隔设置的扁平的体的局部横剖视 图，根据本发明在它们之间存在层流的气流；
图5为本发明的装置的示意性的横剖视图6示出气体供应机构的实例；
图7为根据图6的气体供应机构的气体供应孔的详细横剖视图； 图8为具有设置在两个体中的加热部件的除气装置的示意性的横剖 视图9为具有设置在一个体中的加热部件的除气装置的示意性的^f黄剖 视图，衬底平放在该体上；
图10为具有设置在一个体中的加热部件的除气装置的示意性的横 剖视图，衬底表面与该体相对；
图11为衬底上的残留水关于温度的根据本发明设有层流的气流时 和根据现有技术没有气流时的曲线图，
根据改进的方法，可以有效地排出被吸收物，根据本发明，通过如 下方式来影响衬底表面区域中的被吸收物浓度，即尽可能地消除或避免 如图2所示朝向衬底2的被吸收物流4，由此使得所述平衡移动。
如果在衬底2的表面区域中产生未被吸收的气体7的层流的或紊流 的气流，则事先预调节的考虑到平衡的模型显著地变化。这种设置示意 性地在图4的剖视图中示出。如果两个盘之间的气流是层流或紊流的，
那么气体中的气体微粒的自由路径长度明显短于系统的标志性尺寸，即
村底2和相对设置的盘3之间距离8。此点也适于从衬底表面蒸发的被 吸收物的短的自由路径长度，由此从衬底2蒸发的各种物质9都是气流 7的一部分， 一旦该物质已离开衬底表面。于是一旦衬底温度达到一定 的值，此时被吸收物的停留时间相比于通常的处理时间非常短，那么可 以认为，被吸收物与衬底表面弹性地碰撞，由此形成惰性的气流的围绕 衬底的组成部分。在例如对于30s的处理步骤来说停留时间达到百分之 一s时便为此种情况。当达到如下温度值时会达到这些停留时间，即例 如根据图l的曲线l,温度从430至480开氏度，其约等于160至200 摄氏度。当达到这些温度时，释出物将是气流7的组成部分，这种释出 物的运动路径尚仅取决于气流速度。出于这个原因，必须产生一种气流， 这种气流在所选择的处理时间内在衬底的区域中产生完全的气体更替。 有益的是，进行多次气体更替，优选多于五次，以确保完全消除被吸收 物。为了产生气流，优选使用惰性气体，其中氩气是特别有益的。
本发明的一种有益的设计在于，应被除气的衬底IO设置在长度为1 的两个体11,12之间，这两个体以距离d相间隔，并在那里形成中间腔 28，如图5的剖视图所示。其中衬底10通过加热装置被加热到较高的 温度，例如20(TC。在至少一个体11,12和衬底IO之间将产生气流13, 该气流13形成沿着衬底10的整个表面的层流的气流。在衬底10的或 至少一个体11,12的边缘区域中设有最好环绕村底10的抽气孔14，气 体连同污染气体一起经由该抽气孔被抽出，由此从系统中被去除。对于 圓形的衬底IO(其例如用于优选的半导体晶圆或存储盘)来说，用于气 体供应机构13的气体可以被喷射经过带有孔18的体15,这些孔18以 如下方式设置，即径向流16从中央朝向外围调节。这种设置可以结合 以环形地设置在外围的抽气孔17或者多个环形设置的孔。利用这些环 形设置的抽气孔17,以如下方式确定或限定抽气装置的抽气速度，即主 要通过气流而非通过泵尺寸(Pumpabmessungen)来确定气流形成，如 根据图6的三维视图所示。
衬底10和体11, 12之间的气流应是尽可能不受干扰的层流，以便 减小返回至衬底IO的污染气流。由此对在衬底IO上方的区域中设计气 体喷射点产生特殊的要求。在图7的横截面中示出具有气体供应点的一 种优选的进入装置的一个实例。这些气体喷射点应产生预定的限定的气
体流，因此对这些气体喷射点进行如下设计，即每个喷射点的所述限定 的气体流受喷射点的设计自身决定。为了能够满足该要求，为这些气体 喷射点设有很小的孔18,以便在该区域中能够实现高的气体速度。由此
同样在所述区域中层流的气体流结构或分布19受到显著的干扰。如前 所述，此点应予以避免，且必需减小喷射的气体经过孔18的速度，其 方式为，具有4艮小直径的孔18通入到具有明显大的直径的区域中，该 区域形成喷嘴的出口，喷嘴通入到层流的气流16的区域中。采取该措 施可以将喷射的气体减速至如下速度水平，即该速度水平不会显著干扰 衬底10的区域中的层流的气流。
根据本发明的另一种设计，包围衬底10的两个体11、 12设有加热 部件23,以便对体ll、 12进行加热，由此加热衬底10,此点如在图8 的横剖视图中示意性地示出。在根据图9的另一种变型方案中，只加热 一个体12，衬底10位于该体之上，由此衬底与该体接触。在根据图10 的另一种优选的变型方案中，优选对与衬底IO相对的体11、 12进4亍加 热，其中衬底10本身热浮地、即基本绝缘地设置在位置较低的体11的 上方。通过这种设置可以实现特别简单地设计除气站。
本方法的有益的产品的特性曲线在图11中示出。在除气之后衬底 10上的残留水R W (也可以是残留气体)表示成单位为摄氏度的衬底温 度T的函数，其中残留水RW被标准化地示出(任意单位U.A.)。曲线 26示出根据现有技术无气体时的效果，曲线27示出根据本发明在使用 具有层流的气流16的装置的情况下的效果。作为用于层流的气流的运 载气体，使用氩气。可清楚地看到，通过本发明的装置，从150摄氏度 的温度起，衬底的残留气体明显有效地被排出，因此在同样的装置和同 样的时间内在衬底10上残留明显少的气体。
除气装置或衬底10的工作温度可以通过水在晶圆表面上的停留时 间和所希望实现的处理时间来确定。从IOO摄氏度起将达到有益的除气 值，此时衬底上的所吸收的物质可以在层流的气流中足够块地被排出， 以便能够通过该气流将该物质去除。较高的工作温度一方面通过实际设 计的方案来确定，另一方面通过对敏感的衬底的允许并由此进一步通过 对该衬底的使用来达到。在此将看到，合适的较高的极限温度为400摄 氏度。在该温度以上，利用除气装置将不会实现明显改善的作用。如前 所述，对于调节气流的工作范围来说重要的是，加热器的平行板装置与
衬底10 —起实现层流的气流。为此还要考虑，在处理期间实现在4反状 的体ll、 12的中间腔28中的一定的气体更替速度。其中气体更替速度 是中间腔28的气体被完全更换的次数。因此，最佳的气流范围在4艮大 程度上取决于对装置的结构设计。在如下情况下可以实现有利的装置， 即全部气流在从300sccm至1000sccm的范围内，且气体更换速度在5 至15倍的范围内，此时处理时间至多为30s。为了保持层流的气流，在 所述范围内需要10至50mbar的工作压力。其中下限由克努森/分子流区 域确定。上限由该装置的几何尺寸的雷诺数限定。当压力进一步提高时， 会出现紊流区域。如前所述，层流区域对于最佳的作用来说是非常优选 的。该装置特别适于半导体晶圆的除气，但也适于直径大于150mm的 存储盘的除气，其中这些衬底呈盘状且厚度为O.lmm至mm。该装置特 别适于盘直径在150至300mm的范围内。但也可以处理大于300mm的 盘，在这种情况下成本迅速上升，产品也不经济。板状的体11、 12之 间的体距离d在5至30mm的范围内，但优选从8至15mm选择，以便 产生合适的层流。为了把持，该装置最好水平，并将衬底10置于下面 的板11上，且上面的板12含有气体淋浴机构(Gasdusche)，其具有加 热装置，加热装置的热功率至多约为1200瓦特。
当能够在晶圆两侧进行除气时将实现特别好的除气效果。为此将晶 圆10放置在至少三个针脚28上，所述针脚是带有尖的销钉，从而晶圆 10与位于其下方的板状的体11相间隔，类似于针对晶圆上表面的前述 内容，此点例如在图11和12中示出。由此可以使得晶圆10无论在上 侧还是在下侧都被有效地去除释出气体或除气。因此这种装置是特别优 选的。另一种改进在于，如前面针对表面除气所述，在晶圆10和下方 的体11之间的间隙中产生类似的层流的下面的气流29,此点例如在图 13中示出。在这种情况下，如前面针对上侧处理所述，同样通过在下面 的体11上的小的分布的孔18进行气体供应。于是这种组合的装置可以 实现对整个晶圆IO的有效的彻底的除气。
通过本发明可以实现全自动的半导体处理工艺设备，该设备可以在 使用有效的运输机器人系统的情况下实现在各个处理步骤之间的有效 的除气，同时相应地实现经济的产能。
权利要求
1.用于对真空环境中的板状的衬底(10)除气的装置，具有两个基本扁平的平行的体(11，12)，所述体具有小于其纵向长度(l)的间隔(d)而形成一个中间腔(28)，所述衬底(10)设置在所述体(11，12)之间并且所述体在边缘区域中至少突出于所述衬底，其特征在于，在至少一个体(11，12)中设有气体供应机构(13)，用于在所述中间腔(28)中产生沿着所述体(11，12)和所述衬底(10)在径向方向朝向所述体(11，12)的外围的层流的气流；和在那里设有抽气孔(14)，用于将所述气流抽出。
2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，设有用于加热所述衬底 (10)的加热装置(23)。
3. 如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述加热装置(23)是 电加热部件，优选是电阻加热部件，该电加热部件优选集成在所述体(11, 12)之一中或该两个体(11, 12)中。
4. 如权利要求2或3中任一项所述的装置，其特征在于，所述加热 装置(23 )在衬底(10 )上产生100至400摄氏度的温度。
5. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，体间隔(d) 4立于5mm至30mm的范围内， <尤选为8mm至15mm。
6. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，衬底直径大 于150mm,优选为150mm至300mm。
7. 如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述衬底(10)为盘状， 优选为存储盘，特别是半导体晶圆。
8. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述扁平的 体(ll, 12)基本水平设置，所述衬底(10)优选置于下方的板状的体(11 )上。
9. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述扁平的 体(ll， 12)基本水平设置，所述衬底(10)优选置于至少三个针脚(28) 上，所述针脚安装在下方的板状的体(11)上并确定了间隙状的间隔。
10. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，在所述衬 底(10)的两侧设有提供层流的径向的气流的气体供应机构(13)。
11. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述气体 供应机构(13)布置成基本上在所述体(11， 12)中至少之一的中央引向所述中间腔(28)。
12. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述气体 供应机构至少在所述体(11, 12)之一上，优选在位于上方的体(12) 上设有多个用于形成气体淋浴的孔(18)。
13. 如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述孔(18)在体(11, 12)的表面上分布地设置，并在面向所述中间腔(28)的一侧优选具有 不同的孔径。
14. 如前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，气体供应 机构(13)的设置、中间腔(28)的尺寸设计，连同所述抽气孔(14) 一起，在所述中间腔(28)中产生层流的气流，其中优选在30秒的处 理时间内保持5至15次的气体更换。
15. 用于对真空环境中的板状的衬底(10)除气的方法，具有两个 基本扁平的平行的体(11, 12),所述体具有小于其纵向长度(1)的间 隔(d)而形成一个中间腔(28),和一个扁平的衬底(10)设置在所 述体(ll， 12)之间，其特征在于，在在所述体(ll, 12)的至少一个 中设有气体供应机构(13)，其用于在所述中间腔(28)中产生沿着所 述体(ll, 12)和所述衬底(10)在径向方向朝向所述体(11, 12)的 外围的层流的气流；和在那里通过抽气孔(14)将所述气流抽出。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，通过加热装置(23) 加热所述4十底(10)。
17. 如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述加热装置(23) 作为电加热部件、优选作为电阻加热部件来工作，该电加热部件优选集 成在所述体(ll, 12)之一中或该两个体(11, 12)中。
18. 如权利要求15或16中任一项所述的方法，其特征在于，将所 述衬底(10)加热到100至400摄氏度的温度。
19. 如前述权利要求15至18中任一项所述的方法，其特征在于， 将体间隔(d )保持在5mm至30mm的范围内，优选保持在8mm至15mm 的范围内。
20. 如前述权利要求15至19中任一项所述的方法，其特征在于， 对直径大于150mm,优选在150mm至300mm范围内的衬底(IO)除气。
21. 如前述权利要求15至20中任一项所述的方法，其特征在于， 所述扁平的体(ll, 12)基本水平设置，所述衬底(10)优选置于至少 三个针脚(28)上，这些针脚安装在位于下方的板状的体(11)上并确 定一个间隙状的间隔。
22.如前述权利要求15至21中任一项所述的方法，其特征在于， 在所述衬底(10)的两侧设有用于形成层流的径向的气流的气体供应机 构(13)。
全文摘要
本发明涉及一种装置，用于为在真空的环境中的板状的衬底(10)除气，具有两个基本扁平的平行的体(11，12)，所述体具有小于其纵向长度(1)的间隔(d)，并形成一个中间腔(28)，和所述衬底(10)设置在所述体(11，12)之间，所述体中的至少一个体在边缘区域中突出，其中在至少一个体(11，12)中设有气体供应机构(13)，用于在所述中间腔(28)中产生沿着所述体(11，12)和所述衬底(10)在径向方向朝向所述体(11，12)的外围的层流的气流；和在那里设有抽气孔(14)，用于将所述气流抽出。
文档编号C23C14/02GK101361164SQ200680051253
公开日2009年2月4日 申请日期2006年12月4日 优先权日2006年1月18日
发明者B·肖尔特范马斯特 申请人:Oc欧瑞康巴尔斯公司