专利名称：调整蚀刻偏差的方法
技术领域：
本发明涉及多晶硅形成制程，尤其涉及一种调整蚀刻偏差的方法。
背景技术：
多晶硅形成制程包括多晶硅光刻(Polyphoto),蚀刻前预烤(Hardbake), 抗反射涂层蚀刻(ARC etch)，多晶硅蚀刻(Poly etch),光阻去除(Asher)以 及湿式蚀刻(Wet strip )。
光刻后特定图形尺寸的大小通过ADI( After Develop inspection) CD( Critical Dimension)表征，AEI (After ETCH inspection) CD是蚀刻后介质层尺寸的大 小。ADICD与AEICD的差值得到是蚀刻偏差(Etchbias)。
在实际的蚀刻制程中，影响蚀刻偈差的因素主要是光罩透光率(Mask transmissionrate)和多晶硅蚀刻制程，其中，光罩透光率与光罩设计相关， 一般 进入制程无法对光罩透光率进行调整；关于调整多晶硅蚀刻制程的参数也可以 改变蚀刻偏差，然而，改动多晶硅蚀刻制程的参数很有可能会影响最后多晶硅 的形状。在现有制程中，为了保证生产状况稳定，并且调整蚀刻偏差达到标准， 通常调整光刻后的ADICD改变蚀刻偏差，这种方法的缺陷在于，如果遇到蚀刻 偏差十分大的产品，它的偏差值的浮动也会十分大，会导致当ADI CD稳定时 候AEI CD的结果浮动仍然很大，最终会影响电性参数的浮动也4艮大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种调整蚀刻偏差的方法，其可以有效减小蚀刻偏差。
为实现上述目的，本发明提供一种调整蚀刻偏差的方法，其中，调整抗反 射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的 大小。降低抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后
形成图形尺寸的大小，以减小蚀刻偏差。蚀刻偏差是光刻后图形尺寸的大小与 蚀刻后图形尺寸的大小的差值。
与现有技术相比，本发明通过改变蚀刻抗反射涂层中蚀刻气体的含氧量就 可以控制蚀刻后图形的尺寸，从而达到有效控制蚀刻偏差的效果，而且，不会 影响到多晶硅的塑型，所以采用该方法生产的稳定性4艮好。
具体实施例方式
本发明提供一种新方法来调整蚀刻偏差。完整的多晶硅形成制程包括多晶
硅光刻(Poly photo )，蚀刻前预烤(Hardbake),抗反射涂层蚀刻(ARC etch )， 多晶硅蚀刻(Poly etch),光阻去除(Asher)以及湿式蚀刻(Wet strip )。蚀刻偏 差是光刻后图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后图形尺寸的大小AEI CD的差值。
本发明通过多次实验证明，在光刻后图形尺寸的大小和多晶硅蚀刻的参数 均相同的前提下，蚀刻后图形尺寸的大小与抗反射涂层蚀刻有关系，即抗反射 涂层蚀刻会影响蚀刻偏差。
经实验证明，在蚀刻抗反射涂层过程中充入蚀刻气体中的含氧量对蚀刻偏 差有很大影响，蚀刻气体含氧量高会使抗反射涂层蚀刻速率更快，所以.蚀刻后 图形的尺寸要偏小，则会导致在后续多晶蚀刻制程中，蚀刻后图形的尺寸变小， 即蚀刻后图形尺寸的大小偏小，从而影响最后蚀刻偏差。如果含氧量小则会让 图形尺寸相反方向变化。
基于本发明的上述原理，当制程中发现蚀刻偏差很大的时候，可以通过降 低蚀刻抗反射涂层的气体中的含氧量，使蚀刻抗反射涂层后的图形尺寸增大， 则多晶硅在抗反射涂层被蚀刻掉的区域进行蚀刻，则会增加多晶硅蚀刻后图形 的尺寸，即增加了蚀刻后图形尺寸的大小，有效减少了蚀刻偏差，使生产达到 很好的稳定性。
权利要求
1.一种调整蚀刻偏差的方法，其特征在于:调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。
2、 如权利要求1所述的一种调整蚀刻偏差的方法，其特征在于降低抗反射涂 层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大 小，以减小蚀刻偏差。
3、 如权利要求1所述的一种调整蚀刻偏差的方法，其特征在于蚀刻偏差是光 刻后图形尺寸的大小与蚀刻后图形尺寸的大小的差值。
全文摘要
本发明提供一种调整蚀刻偏差的方法，其中，调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。降低抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小，以减小蚀刻偏差。蚀刻偏差是光刻后图形尺寸的大小与蚀刻后图形尺寸的大小的差值。与现有技术相比，本发明通过改变蚀刻抗反射涂层中蚀刻气体的含氧量就可以控制蚀刻后图形的尺寸，从而达到有效控制蚀刻偏差的效果，而且，不会影响到多晶硅的塑型，所以采用该方法生产的稳定性很好。
文档编号C23F1/12GK101372745SQ20071004504
公开日2009年2月25日 申请日期2007年8月20日 优先权日2007年8月20日
发明者欢 候, 喻 刘, 隆 吕, 王劲松, 陈泰江, 颖 靳 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司