专利名称：：研磨垫的制作方法
技术领域：
：本发明涉及通过化学机械研磨(CMP)使半导体晶片等被研磨体表面的凹凸平坦化时使用的研磨垫，具体而言，涉及具有用于通过光学手段来检测研磨状况等的孔的研磨垫以及使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。
背景技术：
：制造半导体装置时，进行在半导体晶片(以下也称为晶片)表面形成导电膜并通过光刻法、蚀刻等形成布线层的工序、在布线层上形成层间绝缘膜的工序等，通过这些工序而在晶片表面上产生由金属等导体或绝缘体构成的凹凸。近年来，为了实现半导体集成电路的高密度化而进行布线的微细化和多层布线化，与此相伴，使晶片表面凹凸的平坦化成为重要技术。作为使晶片表面凹凸的平坦化方法，一般釆用CMP法。CMP是在将晶片的被硏磨面按压到研磨垫的研磨面上的状态下、使用分散有磨粒的浆状研磨剂(以下称为浆料)进行研磨的技术。CMP中通常使用的研磨装置，例如，如图1所示，具有支撑研磨垫1的研磨平台2、支撑被研磨体(晶片等)4的支撑台(研磨头)5、用于进行晶片的均匀加压的背衬材料、及研磨剂3的供给机构。研磨垫1例如通过用双面胶带粘贴而安装到研磨平台2上。研磨平台2和支撑台5以各自支撑的研磨垫1和被研磨体4相对的方式进行设置，其各自具有旋转轴6、7。另外，在支撑台5—侧设置用于将被研磨体4按压到研磨垫1上的加压机构。进行这样的CMP时，存在晶片表面平坦度判断的问题。即，需要检测达到所希望的表面特性或平面状态的时刻。以往，关于氧化膜的膜厚和研磨速度等，定期对试验晶片进行处理，确认结果后对成为制品的晶片进行研磨处理。但是，该方法中，处理试验晶片的时间和成本成为浪费，另外，完全不进行预加工的试验晶片与制品晶片中，由于CMP特有的加载效果而研磨结果不同，如果不尝试实际地加工制品晶片，则难以正确预计加工结果。因此，最近为了解决上述问题，期待在CMP工艺时、在该情况下能够检测得到所希望的表面特性和厚度的时刻的方法。关于这样的检测使用各种各样的方法，从测定精度和非接触测定中的空间分辨能力的观点考虑，光学检测手段正在成为主流。光学检测手段，具体是指使光束通过孔(透光区域)而穿过研磨垫向晶片照射、通过监控由其反射而产生的干涉信号来检测研磨终点的方法。该方法中，通过监控晶片表面层的厚度变化，并且了解表面凹凸的近似深度，来确定终点。在这样的厚度变化等于凹凸深度的时刻使CMP工艺结束。另外，关于通过这样的光学手段检测研磨终点的方法以及该方法中使用的研磨垫，提出了各种方案。例如，公开了一种研磨垫，其中至少一部分具有固体、均质并且透过l卯nm至350nm波长光的透明聚合物片(专利文献l)。另外，公开了一种研磨垫，其中插入有阶梯的透明塞(专利文献2、3)。另外，公开了一种研磨垫，其中透光性构件含有非水溶性基质材料和在该非水溶性基质材料中分散的水溶性粒子，且400800nm的光4线透过率为0.1%以上(专利文献4、专利文献5)。均作为终点检测用孔而公开。但是，现有的带孔研磨垫，使用时由于砂轮修整机或浆料而使孔表面产生损伤，具有透光率逐渐降低的倾向。因此，如果通过与初期透光率(光反射率)对应的程序来进行终点检测，则具有从研磨垫的使用中期至末期随透光率的下降而产生终点检测误差的问题。专利文献l:日本特表平11-512977号公报专利文献2:日本特开平9-7985号公报专利文献3:日本特开平10-83977号公报专利文献4:日本特开2002-324769号公报专利文献5:日本特开2002-324770号公报
发明内容本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明人鉴于以上现状进行了反复研究，结果发现，通过使用下述的透光区域作为研磨垫用的透光区域，可以解决上述问题。艮P，本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40~60%。本发明人发现通过预先对透光区域的研磨面侧表面进行粗糙化处理，可以抑制使用时透光区域的透光率变化。如果使用本发明的研磨垫，则即使是在通过与初期透光率(光反射率)对应的程序来进行终点检测的情况下，从研磨垫的使用初期至末期也不会随透光率的变化产生终点检测误差。另外，所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率需要为40~60%。使用前的在波长600nm下的透光率如果小于40。/。，则从使用初期就妨碍终点检测。另一方面，如果超过60%，则粗糙化处理不充分，因此不能抑制使用时透光区域的透光率变化。所述透光区域的研磨面侧的表面，优选算术平均粗糙度(Ra)为l~2.2nm。算术平均粗糙度如果小于lpm,则从使用初期至末期的透光率变化变大，容易产生终点检测误差。另一方面，如果超过2.2pm，则由于光的散射造成透光区域的透光率降低，因此具有从使用初期就妨碍终点检测的倾向。另外，本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其中，包括使用所述研磨垫对半导体晶片的表面进行研磨的工序。图1是表示CMP研磨中使用的现有研磨装置的一例的示意构成图。图2是表示本发明的研磨垫的一例的示意截面图。图3是表示本发明的研磨垫的另一例的示意截面图。图4是表示本发明的研磨垫的另一例的示意截面图。图5是表示本发明的研磨垫的另一例的示意截面图。图6是表示具有本发明的终点检测装置的CMP研磨装置的一例的示意构成图。符号说明1:研磨垫2:研磨平台3:研磨剂(浆料)4:被研磨体(晶片)5:支撑台(研磨头)6、7:旋转轴8:透光区域9:研磨区域10、12:双面胶带11:缓冲层13:脱模纸(膜)14:堵住开口部的构件15:激光干涉计16:激光束具体实施例方式本发明的研磨垫，至少具有研磨区域和透光区域，并且所述透光区域的研磨面侧表面进行了粗糙化处理。透光区域的主原料没有特别限制，优选使用在进行研磨的状态下能够进行高精度的光学终点检测、并且在波长600nm下的透光率为75%以上的材料，更优选80%以上的材料。材料自身的透光率低时，有可能随着使用透光区域的透光率下降，因此妨碍终点检测。作为材料，可以列举例如聚氨酯树脂、聚酯树脂、酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂及丙烯酸类树脂等热固性树脂；聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、纤维素类树脂、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、卤素类树脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等)、聚苯乙烯及烯烃类树脂(聚乙烯、聚丙烯等)等热塑性树脂；通过紫外线或电子射线等光进行固化的光固性树脂；以及感光性树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。在使用光固性树脂的情况下，优选同时使用光聚合引发剂。这些材料中，优选使用能够得到所希望的透光率、成形性好、且硬度容易调节的热塑性聚氨酯树脂。7作为将透光区域的单面粗糙化的方法，可以列举例如1)对树脂片的单面进行喷砂处理、纹理处理(压纹处理)、蚀刻处理、电晕放电处理或者激光照射处理等的方法；2)使用纹理加工后的模具进行注射成形或者模压成形的方法；3)在将树脂片挤出成形时在单面上形成图案的方法；4)使用规定表面形状的金属辊、橡胶辊或者压纹辊在树脂片的单面上形成图案的方法；及5)使用砂纸等研磨材料进行磨光的方法等。粗糙化处理面的形状没有特别限制，可以列举例如连续图案、非连续图案、线形图案、非线形图案、纹理样式以及梨皮样式(梨子地模様)等。特别优选纹理样式。粗糙化处理面的算术平均粗糙度(Ra)优选为l~2.2pm，更优选l.l~1.9pm。另外，未进行粗糙化处理的研磨平台侧的透光区域表面的算术平均粗糙度(Ra)通常为约0.3jim。另外，所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率优选为40~55%。透光区域的形状没有特别限制，但优选使其具有与研磨区域的开口部同样的形状和大小。透光区域的厚度没有特别限制，优选与研磨区域的厚度相同或者其以下。透光区域比研磨区域厚时，研磨中有可能由于突出的部分而损伤晶片。研磨区域的形成材料只要是通常作为研磨层材料使用的材料即可，没有特别限制，本发明中优选使用微细发泡体。可以列举例如聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、卤素类树脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烃类树脂(聚乙烯、聚丙烯等)、环氧树脂、及感光性树脂等。这些可以单独使用或者两种以上组合使用。聚氨酯树脂的耐磨损性优良，通过将原料组成进行各种改变可以容易地得到具有所需物性的聚合物，因此，特别优选作为研磨区域的形成材料。使聚氨酯树脂微细发泡的方法没有特别限制，可以列举例如通过添加中空微珠的方法、机械发泡法、以及化学发泡法等使其发泡的方法等。另外，各方法也可以组合使用，特别优选为使用聚垸基硅氧烷与聚醚的共聚物即有机硅类表面活性剂的机械发泡法。作为该有机硅类表面活性剂，可以例示SH-192、L-5340(東1/夕、々〕一二>夕、'、:/!;〕一V制)等作为适合的化合物。以下对制造研磨区域中使用的独立气泡型聚氨酯发泡体的方法的例子进行说明。所述聚氨酯发泡体的制造方法包括以下工序。1)制作异氰酸酯封端预聚物的气泡分散液的发泡工序在异氰酸酯封端预聚物中添加有机硅类表面活性剂，在非反应性气体的存在下进行搅拌，得到使非反应性气体作为微小气泡分散的气泡分散液。所述预聚物在常温下为固体的情况下预热至适当的温度、熔融后使用。2)固化剂(增链剂)混合工序在上述的气泡分散液中添加增链剂，混合并搅拌，得到发泡反应液。3)注模工序将上述发泡反应液注入模具中。94)固化工序对注入模具的发泡反应液进行加热，使其反应固化。作为用于形成微小气泡的非反应性气体，优选非可燃性气体，具体可以例示氮气、氧气、二氧化碳、氦气或氩气等惰性气体以及它们的混合气体，从成本方面考虑，最优选使用干燥除去水分后的空气。作为使非反应性气体成微小气泡状并分散至含有有机硅类表面活性剂的异氰酸酯封端预聚物中的搅拌装置，可以没有特别限制地使用公知的搅拌装置，具体可以例示均化机、溶解器、双轴行星式混合机(planetarymixer)等。搅拌装置的搅拌叶片的形状也没有特别限制，如果使用搅打器型搅拌叶片，则可以得到微小气泡，因此优选。在所述聚氨酯发泡体的制造方法中，对发泡反应液注入模具并反应至不流动而得到的发泡体进行加热和后固化，具有提高发泡体的物理特性的效果，因此极其优选。可以作为将发泡反应液注入模具后立即放入加热烘箱中进行后固化的条件，在这样的条件下热不会立即传导到反应成分中，因此气泡直径不会变大。固化反应在常压下进行时，气泡形状稳定，因此优选。所述聚氨酯树脂的制造中，也可以使用叔胺类、有机锡类等公知的促进聚氨酯反应的催化剂。催化剂的种类、添加量，考虑混合工序后注入规定形状的模具中的流动时间来进行选择。所述聚氨酯发泡体的制造，可以是将各成分计量后投入容器并进行搅拌的间歇方式，也可以是向搅拌装置中连续地供给各成分和非反应性气体并进行搅拌、排出气泡分散液来制造成形品的连续生产方式。研磨区域通过将以上制造的聚氨酯发泡体切割为规定尺寸来制造。包含微小发泡体的研磨区域，优选在与被研磨体接触的研磨侧表面上设置用于保持和更新浆料的沟。该研磨区域，由于是由微小发泡体形成，因此在研磨表面上具有许多开口，起到保持浆料的作用，但是为了更有效地进行浆料的保持性和浆料的更新，或者也为了防止由于与被研磨体的吸附而造成的被研磨体破坏，优选在研磨侧表面上具有沟。沟只要是保持和更新浆料的表面形状即可，没有特别限定，可以列举例如XY格子沟、同心圆状沟、贯通孔、非贯通孔、多角棱柱、圆柱、螺旋状沟、偏心圆状沟、放射状沟以及组合这些沟而成的形状。另外，对于沟间距、沟宽度、沟深等也没有特别限制，进行适宜选择而形成。另外，这些沟一般具有规则性，但是为了得到期望的浆料保持和更新性，也可以在各自一定的范围中使沟间距、沟宽度、沟深等变化。所述沟的形成方法没有特别限制，可以列举例如使用规定尺寸的车刀这样的夹具进行机械切削的方法、将树脂注入具有规定表面形状的模具并使其固化的方法、用具有规定的表面形状的压板按压树脂而形成的方法、使用光刻法形成的方法、使用印刷方法形成的方法、以及通过使用二氧化碳激光等的激光形成的方法等。研磨区域的厚度没有特别限制，为约0.8约4mm。作为制作所述厚度的研磨区域的方法，可以列举使用带锯式或刨式的切片机使所述聚氨酯发泡体的块状物成为规定厚度的方法、将树脂注入具有规定厚度的模穴的模具中并使其固化的方法、以及使用涂布技术或片成形技术的方法等。具有包含研磨区域和透光区域的研磨层的研磨垫的制造方法没有特别限制，可以考虑各种方法，以下说明具体例子。另外，下述具体例中对设置有缓冲层的硏磨垫进行说明，但是，也可以是未设置缓冲层的研磨垫。首先第一例为如下方法如图2所示，将开口为规定尺寸的研磨区域9与双面胶带IO粘贴，在其下方粘贴开口为规定尺寸的缓冲层11使其与研磨区域9的开口部对准，然后，在缓冲层11上粘贴带脱模纸13的双面胶带12，将透光区域8嵌入研磨区域9的开口部，进行粘贴。在此，需要以透光区域8的粗糙化处理面为研磨面侧的方式进行嵌入。以下具体例也同样。作为第二具体例，为如下方法如图3所示，将开口为规定尺寸的研磨区域9与双面胶带IO粘贴，在其下方粘贴缓冲层ll，之后，将双面胶带10及缓冲层11开口为规定尺寸，使其与研磨区域9的开口部对准，然后，在缓冲层11上粘贴带脱模纸13的双面胶带12，将透光区域8嵌入研磨区域9的开口部，进行粘贴。作为第三具体例，为如下方法如图4所示，将开口为规定尺寸的研磨区域9与双面胶带IO粘贴，在其下方粘贴缓冲层ll，之后，在缓冲层11的相反面上粘贴带脱模纸13的双面胶带12，之后，从双面胶带10至脱模纸13开口为规定尺寸，使其与研磨区域9的开口部对准，将透光区域8嵌入研磨区域9的开口部，进行粘贴。此时，透光区域8的相反侧为开放的状态，有可能积存尘埃等，因此优选安装将其堵住的构件14。作为第四具体例，为如下方法如图5所示，将粘贴有带脱模纸13的双面胶带12的缓冲层11开口为规定尺寸，然后将开口为规定尺寸的研磨区域9与双面胶带IO粘贴，使开口部对准来粘贴它们，然后将透光区域8嵌入研磨区域9的开口部，进行粘贴。此时，研磨区域的相反侧为开放的状态，有可能积存尘埃等，因此优选安装将其堵住的构件14。所述研磨垫的制作方法中，将研磨区域或缓冲层等开口的方法没有特别限制，可以列举例如按压具有切削能力的夹具进行开口的方法、利用二氧化碳激光等的激光的方法、利用车刀这样的夹具进行磨削的方法等。另外，研磨区域的开口部的尺寸及形状没有特别限制。所述缓冲层是补充研磨区域(研磨层)的特性的层。在CMP中为了同时具有处于权衡关系的平面性和均匀性二者，缓冲片是必要的。平面性是指将具有形成图案时产生的微小凹凸的晶片研磨时的图案部的平坦性，均匀性是指晶片整体的均匀性。利用研磨层的特性，改善平面性，利用缓冲层的特性，改善均匀性。本发明的研磨垫中，优选使用比研磨层柔软的缓冲层。所述缓冲层的形成材料没有特别限制，可以列举例如聚酯无纺布、尼龙无纺布、丙烯酸类无纺布等纤维无纺布、浸渗有聚氨酯的聚酯无纺布这样的树脂浸渗无纺布、聚氨酯泡沫体、聚乙烯泡沫体等高分子树脂发泡体、丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等橡胶性树脂、及感光性树脂等。作为将研磨区域9中使用的研磨层与缓冲层ll粘贴的方法，可以列举例如用双面胶带夹持研磨区域与缓冲层进行按压的方法。双面胶带，一般具有在无纺布或膜等基材的双面上设置胶粘层的结构。如果考虑防止浆料渗透到缓冲层中等，则优选使用膜作为基材。另外，作为胶粘层的组成，可以列举例如橡胶类胶粘剂或丙烯酸类胶粘剂等。如果考虑金属离子的含量，则丙烯酸类胶粘剂由于金属离子含量低，因此优选。另外，也有时研磨区域与缓冲层的组成不同，因此，也可以使双面胶带的各胶粘层的组成不同，使各层的胶粘力最佳化。作为将缓冲层11与双面胶带12粘贴的方法，可以列举在缓冲层上按压双面胶带进行胶粘的方法。双面胶带与上述同样一般具有在无纺布或膜等基材的双面上设置胶粘层的结构。如果考虑研磨垫使用后从台板上进行剥离，则在使用膜作为基材时能够消除残余胶带等，因此优选。另外，胶粘层的组成与上述相同。所述构件14只要能够堵住开口部则没有特别限制。但是，在进行研磨时，必须能够剥离。半导体器件，通过使用所述研磨垫对半导体晶片的表面进行研磨的工序来制造。半导体晶片一般是在硅晶片上层压有布线金属及氧化膜的晶片。半导体晶片的研磨方法、研磨装置没有特别限制，例如可以使用如下研磨装置等进行，如图1所示，所述研磨装置具有支撑研磨垫1的研磨平台2、支撑半导体晶片4的支撑台5(研磨头)、用于对晶片进行均匀加压的背衬材料和研磨剂3的供给机构。研磨垫1例如通过用双面胶带粘贴而安装在研磨平台2上。研磨平台2和支撑台5以各自支撑的研磨垫1和半导体晶片4相对的方式进行设置，各自具有旋转轴6、7。另外，在支撑台5—侧设置用于将半导体晶片4按压到研磨垫1上的加压机构。研磨时，使研磨平台2和支撑台5旋转的同时将半导体晶片4按压在研磨垫1上，供给酸性浆料的同时进行研磨。酸性浆料的流量、研磨负荷、研磨平台转数以及晶片转数没有特别限制，适当调节后进行。由此除去半导体晶片4表面的突出部分，研磨为平坦状。之后，通过切割、接合、封装等制造半导体器件。半导体器件用于运算处理装置或存储器等。实施例以下，对具体显示本发明的构成和效果的实施例等进行说明。另夕卜，实施例等中的评价项目如下测定。[算术平均粗糙度(Ra)的测定]根据JISB0601-1994，测定透光区域的粗糙化处理面及未处理面的算术平均粗糙度。将粗糙化处理前的透光区域切割为10mmX50mm(厚度1.25mm)的大小，作为透光率测定用试样。将该试样放入填充有超纯水的玻璃池(光程长10mmX光程宽10mmX高度45mm、相互理化学硝子制作所制)中，使用分光光度计(岛津制作所制、UV-1600PC)，在测定波长600nm下测定。将所得到的透光率测定结果使用Lambert-Beer定律换算为厚度lmm的透光率。另外，使用粗糙化处理后的透光区域通过与前述同样的方法测定透光率。将使用前的透光区域的波长600nm下的透光率设为A，对每片晶片(在8英寸硅晶片上形成lpm热氧化膜的晶片)研磨1分钟，并将其重复进行，将500片研磨后的透光区域的波长600nm下的透光率设为B，通过下式计算变化率。变化率优选30%以下。另外，透光率通过与前述同样的方法进行测定。另外，使用SPP600S(冈本工作机械公司制)作为研磨装置。研磨条件是在研磨中以150ml/分钟的流量添加二氧化硅浆(SS12;年卞求、7卜公司制)作为浆料。研磨负荷为350g/cm2;研磨平台转数35rpm;晶片转数30rpm。变化率(％)=[(A-B)/A]X100实施例1使用热塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，S，夕卜，^E567)，使用在单面进行#100喷砂处理后的模具通过注射成形来制作透光区域(纵56.5mm、横19.5mm、厚1.25mm)。在反应容器内，将100重量份聚醚型预聚物(二二口^亇》公司制，7-7VyL-325，NCO浓度2.22meq/g)和3重量份有机硅类表面活性剂(東l/夕》〕一二yy、乂y〕一y公司制，SH-192)进行混合，并将温度调节至8(TC。使用搅拌叶片以900rpm的转数剧烈搅拌约4分钟，使得气泡进入反应体系内。在其中添加预先在12(TC下熔融后的4，4'-亚甲基双(邻氯苯胺)(一八，亇5;力少公司制，,八，年二7SyMT)26重量份。之后，继续搅拌约1分钟，并将反应溶液注入盘式开模中。在该反应溶液的流动性消失的时刻放入烘箱内，在11(TC下进行6小时后固化，得到聚氨酯发泡体块状物。用带锯型切片机(7工、;/^V公司制)将该聚氨酯发泡体块状物切片，得到聚氨酯发泡体片。然后，使用抛光机(7^亍、乂夕公司制)将该片进行表面抛光至规定厚度，得到调节厚度精度后的片(片厚1.27mm)。将该抛光处理后的片冲孔为规定直径(61cm)，并使用沟加工机(东邦钢机公司制)在表面上进行沟宽0.25mm、沟间距1.50mm、沟深0.40mm的同心圆状的沟加工。使用层压机在该片的沟加工面和相反一侧的面上粘贴双面胶带(积水化学工业公司制，夕'7Vl/夕:y夕亍一y)，之后，在该沟加工后的片的规定位置上冲孔用于嵌入透光区域的开口部A(57mmX20mm)，制作带双面胶带的研磨区域。将由对表面抛光并进行电晕处理后的聚乙烯泡沫体(东丽公司制，卜一^乂:7，厚度0.8mm)构成的缓冲层，使用层压机粘贴在制作的带双面胶带的研磨区域的粘合面上。然后，在缓冲层表面上粘贴双面胶带。然后，在用于嵌入透光区域而冲孔的孔部分中，以51mmX14mm的大小将缓冲层冲孔，形成开口部B。然后，将制作的透光区域嵌入开口部A内使得粗糙化处理面为上面(研磨面侧)，由此制成研磨垫。实施例2在透光区域的制作中，使用单面进行#220喷砂处理后的模具代替单面进行#100喷砂处理后的模具，除此以外，通过与实施例1同样的方法来制作透光区域。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。实施例3使用热塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，5:，夕卜，yE567)，使用模具通过注射成形来制作透光区域(纵56.5mm、横19.5mm、厚1.25mm)。之后，使用具有#400砂纸的砂带磨光机对透光区域的单面进行抛光。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。比较例1使用热塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜，乂E567)，使用模具通过注射成形制作透光区域(纵56.5mm、横19.5mm、厚1.25mm)。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。比较例2将聚醚型预聚物(工二口^亇少公司制，7-:7VyL-325)与4,4，-亚甲基双(邻氯苯胺)(一八，亇^力^公司制，,八，年工7^乂MT)按NCO指数为1.10进行混合，并搅拌约l分钟。然后，将反应溶液注入盘式开模中。在该反应溶液的流动性消失的时刻放入烘箱内，在110x:下进行6小时后固化，得到聚氨酯树脂块状物。用带锯型切片机(7工、乂亇y公司制)将该聚氨酯树脂块状物切片，得到聚氨酯树脂片(厚度1.25mm)。然后，将该片冲孔为纵56.5mm、横19.5mm的大小，制成透光区域。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。比较例3使用热塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜歹乂E567)，使用单面进行纹理加工处理(7亇7夕'V公司，AHO-1012型处理)后的模具，通过注射成形制作透光区域(纵56.5mm、横19.5mm、厚1.25mm)。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。比较例4使用热塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜，乂E567)，使用双面进行#220喷砂处理后的模具通过注射成形制作透光区域(纵56.5mm、横19.5mm、厚1.25mm)。除使用该透光区域以外，通过与实施例1同样的方法制作研磨垫。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>权利要求1.一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。2.如权利要求l所述的研磨垫，其中，所述透光区域的研磨面侧的表面的算术平均粗糙度(Ra)为12.2pm。3.—种半导体器件的制造方法，其中，包括使用权利要求l所述的研磨垫对半导体晶片的表面进行研磨的工序。全文摘要本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。文档编号B24B37/20GK101636247SQ20088000853公开日2010年1月27日申请日期2008年3月12日优先权日2007年3月15日发明者下村哲生,小川一幸,数野淳,木村毅申请人:东洋橡胶工业株式会社