专利名称：：用于在扩散阻挡层上的铜膜的粘合增强的材料的制作方法
技术领域：
：在半导|件的制造中，增加的密度和鹏已导致金属化体系中从铝(Al)到铜(Cu)的转变，以减少导体的电阻。为了减少相邻金属线之间的电容耦合,具剤战介电常数的材料被用来在相邻金属线之间形成介电层(dielectriclayere)。此外，为了防止含铜材禾4TMA周围的f狄介电层，^^属层和介电层之间置入了扩散阻挡层。然而，由于电迁移耐力(electromigrationresistance)和空洞形成的可靠性问题，铜和扩散阻挡层之间的粘合是主要的问题。对于现有的典型铜扩散阻挡层，铜对阻挡层的粘合小于所希望的值，并舰于未来的技术节点如22nm以及超出的未来尺寸具有附聚的趋势。US6271131公开了通过化学气相沉积形成含^(Rh)层如铂-^(Pt-Rh)合金作为扩散阻挡层的方法。但&t禾nRh是非常昂贵的贵金属，这使得它们不可能在半导体工业中采用。US1063687描述了用于与互连膜如Cu—起使用的钛-钽(Ti-Ta)阻挡层膜。富Ti/釘a的部分提供对介电膜的良好粘合，并且富Ta/釘鹏部分形成与所躯繊的异质外延界面糊制金属间化合物的形成。US5942799公开了多层扩散阻挡层，包括高熔点金属如^(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo);和高熔点金属氮化物如WNx、TiN、TaN;和由高熔点金属氮化物、高熔点金属硅氮化物如TiSixNy、TaSixNy、WSixNy形成的第二子层(sublayer)。US20050070097公开了非常薄的用于半导#^件的多层扩散阻挡层以及它们的制造方法。该多层扩散阻挡层通过形成由甚至更薄的子层组成的非常薄的多层扩散阻挡层而制造，其中所述子层只有几个原子厚。US2006001306披露了{顿由Ti前体和Ta前体组成的前体、通过形成利用原子层沉积而沉积的混杂型纳米复合材料扩散阻挡层来增强热稳定性和可靠性的方法。US2006115476涉及钌合金作为铜扩散阻挡层，包含钌和周期表中第IV、V，族或它们的组合的至少一禾中元素。US20070264816A1公开了用于形成金属互连的方法以在阻挡层上使用Cu-Al合金层。该Cu-Al合金层可通过铝层和铜层柳顷序ALD或CVD沉积、接着进4fiiii^il程而形成。可选择地，该Cu-Al合金层可M:共脉冲(co-pulsing)铝和铜前体而原位形成。Mamy,F禾口F.Ossola(1992)."EvaluationofTetra画AlkylchromiumPrecursorsforQrganometallicChemicalVapor-Deposition.2.UnusualLow-TemperatureChromiumCarbideDepositionfromCr[C(CH3)3]4"ThinSolidFilms,219(1-2):24-29。因此，仍然需要改进的粘合方法、或金属化方法，其控制铜的附聚(agglomeration)并改善阻挡层和其后沉积的金属层之间的粘合。还需要增进粘合的材料或胶层材料，它们增进阻挡层和其后沉积的金属层之间的粘合。
发明内容在本发明中，已j顿现有技术的计算化学技术来确认粘合增进层(adhesionpromotinglayer)材料，其提供金属种子M(metalseedlayer)到粘合增进层以及粘合增进层到阻挡层的良好粘合。还公开了控制附聚和改善粘合的方法、具有受控的附聚和改善粘合的半导mi件结构、以及用于制造作为粘合增进层材料的铬合金的铬前体。根据具体实施方駄一，用于控制附聚并改善半导体器件粘合的方法(amethodforcontrollingagglomeration肌dimprovingadhesionofasemiconductordevice)包括(1)^f共包括至少一个图案化介电层和至少一个阻挡层的基底；li(2)在所，少一个阻挡层上沉积包含1^金的粘合增,；和(3)在该粘合增进层上沉积金属种子层；其中所述粘合增进层和所述阻挡层之间的粘合能(adhesionenergy)高于所述粘合增进层和所^^属种子层之间的粘合能。根据另一具体实船案，用于控制铜层的附聚并改善铜层和阻挡层之间的粘合的方法包括(1)提供基底，其包括在至少一个图案化介电层上的所超少一个阻挡层；(2)^^述至少一个阻挡层上沉积包含g金的粘合增进层；和(3)在该粘合增进层上沉积所述铜层；其中所述粘合增进层和所述阻挡层之间的粘合能高于所述粘合增进层和所述铜层之间的粘合能。根据又一具体实敝案，半导^l件结构包括(1)至少一个图案化介电层和覆盖该至少一个图案化介电层的至少一个阻挡层；(2)沉积^^f,少一个阻挡层上的粘合增进层，所述粘合增进层基本上由船^a成；和(3)覆^^述粘合增进层的导电金属种子离conductivemetalseedlayer)。图2.MD轨迹的瞬态图(SnapshotoftheMDtrajectory)。[(X)22]图3.(a)在匹配到(commensurateto)TaN(lll)基底的钌(Ru)单层(monolayer)上的铜(Cu)单层。(b)想lu薄片上的Cu单层的初始和平衡结构。图4在匹配到TaN(l1l)基底的钽(Ta)单层上的Cu单层。[(X)24图5在匹配至ljTaN(m)基底的lg(Cr)单层上的Cu单层。图6(a>j￡TaN(l1l)表面上的铬与钒二元(CrV)粘合增进层的平衡结构，顶视图和侧视图。图6(b)叙aN(11l)表面上的CrV粘合增鹏上的Cu单层的平衡结构，顶视图和侧视图。图8(a)^TaN(11l)表面上的铬与锆二元(CrZr)粘合增进层的平衡结构，顶视图禾口侧视图。图8(b)妇aN(lll)表面上的CrZr粘合增鹏上的Cu单层的平衡结构，顶视图和侧视图。图9(a)在TaN(11l)表面上的铬与铌二元(GNb)粘合增进层的平衡结构，顶视图和侧视图。图9(b)叙aN(m)表面上的CrNb粘合增进层上的Cu单层的平衡结构，顶视图和侧视图。图10.二(2,2-二甲基-5-(二甲基氮基乙基-亚氨基)-3-己酮根合-NAN)(羟^)Wbis(2,2-dimethyl-5-(dimethylaininoethyl画imino)腳3-hexanonato-N,0,N，)(hydroxyl)chromium)的晶体结构。具体实施例方式铜对阻挡层的粘合和电迁移耐力是影响器件产率和器件寿命的非常重要的性质。在本发明中，已j顿现有技术的计算化学技术来鉴另鹏合增进层材料，这些材半鹏供金属种子层到粘合增鹏以及粘合增鹏到阻挡层的良好粘合。适宜的阻挡层包含选自钽(Ta)、一氮化钽(TaN)、钽硅氮化物(tantalum-silicon-nitride)(TaSiN)、钛(Ti)、一氮化钛(TiN)以及它们的混合物的材料。适宜的金属种子层选自铜层、铜合金层以及它们的组合。适宜的l^金包含铬和大约10%到大约90%原子量百分比的合金元素。作为实例，所述M金包括铬-铜(CrxCuy)、备银(GxAgy)、铬-钉(CrxRuy)、铬-钒(GxVy)、铬-钽(GxTay)、铬-钛(CrJly)、铬-锆(CrxZry)以及铬-微CrxNby);其中乂为10%到90%。用于沉积所述船金的适宜含铬前体是由下列结构A禾nB表示的多齿阔亚胺盐的含铬络合物15其中.*R1是含1到6个碳原子的支繊大烷基；f选自氢、具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基具有3到6碳原子棚旨环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R"超链的鼓链的，选自具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R"趙链的或支链的，分别选自具有l到6个碳原子的直链烷基、具有1到6个碳原子的，基、具有3到10个碳原子的脂环族基、具有6到10个碳原子的芳基以及含氧或氮原子的杂环基；L是单齿给体配体。对本领域技术人员而言，在考察下列具体实施方案后，本发明的其他目的、优点和新颖特征将变得显而易见，但是这些具体实施方案并不意限制。实施例用包含Ta(钽)禾nN(氮)的四个交替层且N在顶部的薄片模型(slabmodel)描淑aN(lll)表欧图l)。所选择的单位晶胞包含32个Ta和32个N原子，且表面晶胞参数被完全最佳化(a-12.416A，b=10.7533A，a=90°)。在薄片之间雜大约24A的真空空间，以防止薄片之间的有效相互作用。底部的两层保持固定，而顶部的两层和Cu吸附原子完全松驰。使用Perdew-Wang提出的交换-关联函数(exchange-correlationfunctional),在广义梯度近似下，执行密度泛函理论(DFT)计算。PAW赝势被用于表示芯电子，而价轨itfflil具有400eV能量截止(energycut-off)的平面波基组描述，这足以产生良好收敛的结果。用自旋极化方案处理电子开壳层体系。使用Monkhoret和Pack方案以2x2xlK-点来进行布里辦l区积分。舰叙aN(lll)表面上的二聚物形成使用更高的K-点(4x4x2)进行计算，发现结果实质上与用2x2xlK-点得到的结果相同。所有结构首先!顿共轭梯度算靴化，Ji!3i计算本体铜(bulkcopper)的内聚能来检测计算精度。计算的内聚能比3.49eV的实验值高0.05eV，表明用于本6开究的方法是非常精确的。劍门随后在正则系综中在500KiS行从头计算肝动力学(MD)模拟，以1fs的时间步长持续3.5ps，以研究在阻挡层表面上的Cu单层的动力学行为，4顿Nose恒温^(Nosethermostat)进疗温度控制。所有的计算都^(OTVASP模拟包进行。在500。K(其处于典型的ALD温度范围内)，在具有Cu单层的完全平衡的TaN(l1l)表面上实施从头计算舒动力学模拟(MD)。图2显示了几种选择的MD车tt的瞬态图。最初，Cu单层良好排列并与基底匹配。由于MD的发生，然后Cu原子快速散开并iliitt面扩散而离开它们的平衡位置。祖-lps时，一配u原子开始向上移动而三维生长。祖-3ps时，Cu原子聚敏一起，形戯面岛(surfaceislands),并且完美有序的单层结构变得非常杂乱。进一步的MD的发生促使Cu原子连续移动，形成各种形状的表面岛，但是没有观察至U铜,表面上的润湿(wetting)。^TaN(11l)上Cu单层的计算粘合能是2.65eV。第一实施方案Ru(奶作为粘合增进材料在500°K，对在与TaN(l1l)表面匹配的Ru单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算^F动力学模拟。图3a显示了4psMD模拟后完全平衡的结构。除了简单的热运动外没有观察到Cu原子的附聚。如图3b所示，将相同的单层方ica在几层Ru上，没有引起Cu原子的附聚。Cu单层^Ru单层上的计辯占合能是3.50eV，而Ru单层妇aN(l1l)上的计算粘合能是5.01eV，明显大于Cu单层叙aN(lll)上的粘合能。该结果表明Cu单层将不会aiu粘合增进层上附聚。第二实施方案Ta(钽)作为粘合增进材料在500。K，对在与TaN(lll)表面匹配的Ta单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算分子动力学模拟。图4显示了4psMD模拟后完全平衡的结构。除了简单的热运动夕卜没有观察至UCu原子的附聚。将相同的单层方爐在多层Ta上没有弓l起Cu原子的附聚。Cu单层&a单层上的计辯占合能是3.84eV，而Ta单层在TaN(l1l)上的计算粘合能是7.72eV，明显大于Cu单层^TaN(lll)上的粘合能。该结果表明17Cu单层将不会&af占合增进层上附聚。第三实施方案Q(铬)作为粘合增进材料在500°K，对在与TaN(l1l)表面匹配的Cr单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算^f动力学模拟。图5显示了4psMD模拟后完全平衡的结构。除了简单的热运动外没有观察至'JCu原子的附聚。将相同的单层方文置在多层Cr上没有弓l起Cu原子的附聚。Cu单层在Cr单层上的计^^占合能是3.52eV，而Ta单层叙aN(lll)上的计算粘合能是5.10eV，明显大于Cu单层^TaN(lll)上的粘合能。该结果表明Cu单层将不会在Cr粘合增iaM上附聚。第四实施方案Cr(铬)与V(钒)二元体系作为粘合增进材料〖0055〗在500。K，对在与TaN(Ul)表面匹配的CrxVy合叙x:y=l:l)单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算分子动力学模拟。图6显示了4psMD模拟后的平衡结构。图6(a)以顶视图和侧视图显示了^TaN(lll)表面上的CrV粘合增进层的完全平衡结构。图6(b)以顶视图禾口侧视图显示了妇aN(l1l)表面上的CrV粘合增进层上的Cu单层的完全平衡结构。除了简单的热运动外没有观察到Cu原子的附聚。Cu单层在CrV合金单层上的计算粘合能是3.65eV，而CrV单层itTaN(l1l)上的计算粘合能是5.03eV，明显大于Cu单层ftTaN(l1l)上的粘合能。该结果表明Cu单层将不会在CrV粘合增进层上附聚。第五实施方案Qt铬)与Ti(钛)二元体系作为粘合增进材料[(X)58]在500。K，对在与TaN(lll)表面匹配的GxTiy合叙x:y=l:l)单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算M动力学模拟。图7显示了4psMD模拟后的平衡结构。图7(a)以顶视图禾,舰图显示了叙aN(lll)表面上的CrT舶合增进层的平衡结构。图7(b)以顶视图和侧视图显示了^TaN(11l)表面上的QT粥合增进层上的Cu单层的平衡结构。除了简单的热运动外没有观察到Cu原子的附聚。Cu单层在CrTi合金单层上的计算粘合能是3.67eV,而CrTi单层^TaN(11l)上的计算粘合能是5.51eV，明显大于Cu单层^TaN(Ul)上的粘合能。该结驗明Cu单层将不会在CrTi粘合增进层上附聚。第六实施方案G(铬)与Zr(锆)二元体系作为粘合增进材料在500。K，对在与TaN(lll)表面匹配的CrxZry合^(x:y=l:l)单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算^动力学模拟。图8显示了4psMD模拟后的平衡结构。图8(a)以顶视图和侧视图显示了叙aN(lll)表面上的CrZr粘合增进层的平衡结构。图8(b)以顶视图禾,舰图显示了STaN(l1l)表面上的CrZrfe合增进层上的Cu单层的平衡结构。在500。K，对在与TaN(lll)表面匹配的CrxNby合^(x:y=l:l)单层上具有Cu单层的完全平衡的表面进行从头计算^T动力，拟。图9显示了4psMD模拟后的平衡结构。图9(a)以顶视图和侧视图显示了妇aN(l1l)表面上的CrNb粘合增进层的平衡结构。图9(b)以顶视图和侧视图显示了^TaN(11l)表面上的CrNb粘合增进层上的Cu单层的平衡结构。除了简单的热运动外没有观察到Cu原子的附聚。Cu单层在CrNb合金单层上的计辯占合能是3.77eV，而CrNb单层^TaN(11l)上的计辭占合能是5.64eV，明显大于Cu单层toaN(lll)上的粘合能。该结，明Cu单层将不会在CrNb粘合增进层上附聚。工作实施例含Cr(铬)前体二(2,2-二甲基-5-(二甲基氨基乙基-亚氨基》-己酮根合-NAN)(羟基)铬的合成在40。C，向3.45(16.27mmol)配体C在25mL己烷中的浆液(slushysolution)中滴加在己烷中的6.51mL(16.27mmoi:^2.5MnBuLi。将黄绿色溶液升温到室温ffi拌30併中。真空下蒸发除去己烷，且^a，吸收入25mLTHF中。在室温舰套管将该溶液添加到1.00g(8.14mmo)CrC2在10mLTHF中的悬浮液中。加热到60。C保持16小时。真空蒸发除去挥发物得到暗褐色油，将其吸收入热己烷中并过滤。分离2.12g粗产品，其在100。C、在90mTo订真空下进行16小时的升华。从升华的物质M烷生长出针状晶体。55%粗产率。二(2,2-二甲基-5-(二甲基氨基乙基-亚氨基>3-己酮根合-N，0,N)(羟基)铬的晶体结构示于图10中。总之，已经鉴定了几种基于齢金的粘合增进层材料能显著地增强铜膜的粘合。表l概括了阻挡层TaN(lll)和粘合增鹏之间的粘合能(A^)、以及铜种子层和粘合增进层之间的粘合敏AEcuA乂单位:eV)。<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>劍门已经鉴别了导致在各种金属表面上提供铜层的优良粘合的因素以皿生铜膜附聚的环境。为了使粘合增进层稳定且防止附聚，粘合增进层在阻挡层上的粘合能应当高于铜在阻挡层上的粘合能。为了使铜膜稳定且防止附聚，铜种子层在粘合增进层上的粘合能应该高于铜在阻挡层上的粘合能(否则，该铜种子层纟絵在繊层上附萄；为了防止粘合增进层原子扩t^A铜层，粘合增鹏在阻挡层上的粘合育敏该高于铜种子层在iM层上的粘合能。多齿p-酮亚胺盐的含铬乡^^物已被鉴定为含铬前体，以制itffl于所述粘合增进层的铬合金。，本发明的具体实施方案，包括工作实施例，是本发明可以作出的众多具体实施方案的示例。可预期的是可^ffl戶;^方法的许多其它形式，并且所述方法中使用的材料可从具体公开的那些材料之外的众多材料中选择。权利要求1、控制附聚并改进半导体器件的粘合的方法，包括(1)提供包括至少一个图案化介电层和至少一个阻挡层的基底；(2)在所述至少一个阻挡层上沉积含有铬合金的粘合增进层；和(3)在所述粘合增进层上沉积金属种子层；其中所述粘合增进层和所述阻挡层之间的粘合能高于所述粘合增进层和所述金属种子层之间的粘合能。2、如I51利要求1所述的方法，其中所述铬合金具有式QkMy，其中M皿自铜(Cu)、银(Ag)、钌(Ru)、钒(V)、钽(Ta)、钛(Ti)、锆(Zr)以及fg(Nb)的金属，x是Cr的原子量百分比，y是M的原子量百分比，_ax+y=100%。3、如权利要求2所述的方法，其中所述铬合錢自铬-铜(CrxCuy)、铬-银(CrxAgy)、铬-钌(GxRuy)、铬-钒(&xVy)、铬-钽(CrxTay)、铬國钛(GxTiy)、铬-锆(CrxZry)以及铬-,殿CrxNby);其中x为10。/o到90。/。。4、如权利要求l所述的方法，其中所述铬合金是从具有选自结构A和结构B的多齿卩-酮亚胺盐的络合物的含铬前,积；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中r1是含1到6个碳原子的支繊大烷基；R2选自氢、具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到io个碳原子的芳基；r34M:链的^5:链的，选自具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；r"^l链的或支链的，分别选自具有1到6个碳原子的直链烷基、具有1到6个碳原子的M^基、具有3到10个碳原子柳旨环族基、具有6到10个碳原子的芳基、以及含氧或氮原子的杂环基；L是单齿给体配体。5、如权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含选自钽CTa)、氮化钽(TaN)、钽硅氮化物(TaSiN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)以及它们的混合物的材料。6、如权利要求l所述的方法，其中所述金属种子层选自铜层、铜合金层以及它们的组合。7、如权利要求l所述的方法，其中所述粘合增进层M31^自以下的方法沉积原子层沉积(ALD)、等离子体增强的原子层沉积(PEALD)、化学气相沉积(CVD)、以及等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、次常压化学气相沉积(SACVD)、紫外辅助化学气相沉积、灯丝辅助化学气相沉积(FACVD)、以及常压化学气相沉积(APCVD)。8、控制铜层的附聚并改进铜层和至少一个阻挡层之间的粘合的方法，包括:R。-R。构结(1)提供基底，其包括在至少一个图案化介电层上的所,少一个阻挡层；(2)在所,少一个阻挡层上沉积含有I^金的粘合增TO;和(3)顿述粘合增进层上沉积所述铜层；其中所述粘合增进层和所述阻挡层之间的粘合能高于所述粘合增进层和所述铜层之间的粘合能。9、如权利要求8所述的方法，其中所述铬合金具有式CrxMy，其中M^自铜(Cu)、银(Ag)、钌(Ru)、钒(V)、钽(Ta)、钛(Ti)、锆(Zr)以及fg(Nb)的金属，x是Cr的原子量百分比，y是M的原子量百分比，&+y=100%。10、如权禾腰求9所述的方法，其中所述齢雄自铬-铜(GxCuy)、备银(CrxAgy)、铬-钌(QxRuy)、铬-钒(CrxVy)、铬-钽(Q"xTay)、铬-锆(CrxZry)以及铬-铌(CrxNby);其中x为10。/。到900/0。11、如权利要求8所述的方法，其中所述铬合金从具有选自结构A和结构B的多齿p-酮亚胺盐的纟^物的含铬前体沉积，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>结构B其中R1是含1到6个碳原子的支繊大烷基；R2选自氢、具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子柳旨环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；RM錢链的救链的，选自具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R"M:链的或支链的，分别选自具有l到6个碳原子的直基、具有1到6个碳原子的皿基、具有3到10个碳原子的脂环族基、具有6到10个碳原子的芳基、以及含氧或氮原子的杂环基；L是单齿给体配体。12、如禾又利要求8所述的方法，其中所述阻挡层包含选自钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钽硅氮化物(TaSiN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)以及它们的混合物的材料。13、如权利要求8所述的方法，其中所述粘合层M3i选自以下的方法沉积:原子层沉积(ALD)、等离子体增强的原子层沉积(PEALD)、化学气相沉积(CVD)、以及等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、次常压化学气相沉积(SACVD)、紫外辅助化学气相沉积、灯丝辅助化学气相沉积(FACVD)、以及常压化学气相沉积(APCVD)。14、半导mi件结构，包括(1译少一个图案化介电层和覆MM述至少一个图案化介电层的至少一个阻挡层；(2)沉积^^述至少一个阻挡层上的粘合增进层，所述粘合增进层基本上由!^金组成；和(3)覆^^f述粘合增进层的导电金属种子层。15、如权利要求14所述的结构，其中所述导电金属种子层选自铜层、铜合金层以及它们的组合。16、如权禾腰求14所述的结构，其中所述阻挡层包含选自钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钽硅氮化物(TaSiN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)以及它们的混^J的丰才茅斗。17、如权禾腰求14所述的结构，其中所述船金具有式ogviy，其中M是选自铜(Cu)、银(Ag)、钌(Ru)、钒(V)、钽CTa)、钛(Ti)、锆(Zr)以及fg(Nb)的金属，x是Cr的原子量百分比，y是M的原子量百分比，_ax+y=100%。18、如权利要求17所述的结构，其中所述铬合錢自铬-铜(CrxCuy)、铬-银(GxAgy)、铬-钌(CrxRuy)、铬-钒(CrxVy)、铬-钽(QkTay)、铬-锆(CrxZry)以及铬-,殿CrxNby);其中x为10。/。到90。/Q。19、如权利要求14所述的结构，其中所述船金从具有选自结构A和结构B的多齿(3-酮亚胺盐的络合物的含铬前鄉积，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中R1是含1到6个碳原子的支繊大烷基；R2选自氢、具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基具有3到6碳原子柳旨环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R^M:链的駭链的，选自具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R"^:链的或支链的，分别选自具有1到6个碳原子的1M^基、具有1到6个碳原子的皿基、具有3到10个碳原子的脂环族基、具有6到10个碳原子的芳基、以及含氧或氮原子的杂环基；L是单齿给体配体。20、选自结构A和结构B的多齿J3-酮亚胺盐的含铬络合物；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中R1是含1到6个碳原子的支繊大烷基；W选自氢、具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R^M链的鼓链的，选自具有1到6个碳原子的烷基、具有1到6个碳原子的烷氧基、具有3到6碳原子的脂环族基、以及具有6到10个碳原子的芳基；R"是直链的或支链的，分别选自具有1到6个碳原子的直基、具有1到6个碳原子的M^基、具有3到10个碳原子的脂环族基、具有6到10个碳原子的芳基、以及含氧或氮原子的，基；L是单齿给体配体。全文摘要本发明涉及用于在扩散阻挡层上的铜膜的粘合增强的材料。已经使用现有技术的计算化学技术来鉴定为铜种子层到粘合增进层以及粘合增进层到阻挡层提供良好粘合的粘合增进层材料。已经鉴定了导致在各种金属表面上提供铜层的优良粘合的因素以及发生铜膜附聚的环境。已经预测数种有前景的基于铬合金的粘合增进层材料能显著地增强铜膜的粘合。多齿β-酮亚胺盐的含铬络合物已被鉴定作为含铬前体用于制造具有铬的合金。文档编号C23C16/18GK101673706SQ20091017339公开日2010年3月17日申请日期2009年8月14日优先权日2008年8月15日发明者D·A·罗伯茨,D·P·斯彭斯,J·A·T·诺曼,吴金平,周成刚,程汉颂,雷新建,波韩申请人:气体产品与化学公司