专利名称：用于电气电子部件的铜合金材料及其制造方法
技术领域：
本发明涉及适于用在端子、连接器等电气电子部件的电气电子部件用的铜合金材料及其制造方法。
背景技术：
磷青铜(JIS C5210、JIS C5191等)、或者黄铜(JIS C2600)等铜合金具有优异的加工性和机械强度，因而被用于电子设备或汽车内配线用途的连接器、端子等电气电子部件。近年来，在电子设备的小型化、轻量化以及高密度封装化的发展过程中，强烈需求用于电气电子部件的金属材料具有高强度且优异的弯曲加工性。这些电气电子部件通常通过使用了模具的高速压力装置来进行冲切加工。当进行该冲切加工时，材料在通过模具的冲头而发生剪切变形之后，从该材料的与冲头的刀刃接触的部位向材料内部产生裂纹，由此产生断裂变形，被冲切成预定形状。但是，随着通过压力装置进行冲切加工的单行程数(shot number)增加，模具冲头的刀刃磨耗加重，结果从与刀刃接触的部位开始的裂纹的产生变得不均勻，电气电子部件的断裂形状可能会变乱。具体地可能剪切带与断裂带的高低差变大，或者产生大的毛边，或者通过断裂而产生大的材料渣滓，无论发生其中哪个情况，冲切的电气电子部件都无法保证预定形状。因此，作为电气电子部件用材料，需求冲切加工性优异的铜合金材料，以达到降低模具磨耗和维护频率的目的。但是，虽然铜合金材料的强度(抗拉强度)能够通过加工硬化容易提高，但加工硬化材料通常韧性差，因此当加工成端子等时存在发生屈挠龟裂的问题。为了解决该问题，已知有通过向铜(Cu)中添加铁0 )、镍(Ni)以及磷(P)来分散第二相的化合物，并且通过规定最后冷轧制加工前的热处理条件来使得晶粒微细化，以提高铜合金材料的弯曲性的技术(参见专利文献1)。此外，关于改善铜合金材料的冲切加工性的方法，已知有向磷青铜 (Cu-Sn-Ρ系合金)添加铅(Pb), M (Bi)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、碲(Te)等元素、分散第二相的化合物来提高冲压性(> 7性)的技术(参见专利文献幻。此外，作为用于同时提高铜合金材料的强度、弯曲加工性、应力松弛特性的技术，已知有包括直径为1 50nm且密度为IO6 101°个/mm2的析出物和直径为50 500nm且密度为IO4 IO8个/mm2的析出物的Cu-Sn系合金(参见专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1 国际公开第W02002/053790号小册子专利文献2 日本特开平10-195562号公报专利文献3 日本特开2006-274445号公报
发明内容
发明要解决的问题但是，专利文献1 3所述的发明并没有满足强度(抗拉强度)、弯曲加工性以及冲切加工性全部。本申请的发明人经过对迄今常用的磷青铜系材料进行各种研究，发现了在维持强度(抗拉强度)、弯曲加工性的情况下可改善冲切加工性的方法，并且通过进一步的研究最终完成了本发明。因此，本发明要解决的问题在于，提供一种连接器端子等电气电子部件所要求的诸多特性(尤其，抗拉强度、弯曲加工性、冲切加工性)优异的铜合金材料。用于解决问题的手段本发明的铜合金材料的特征之一是在铜合金中分别包含适量的使晶粒微细化的直径更小的化合物(以下的化合物X)和提高冲切加工性的直径更大的化合物(以下的化合物Y)。此外，如上大小不同的两种化合物能够通过特定的工序来生成。即，根据本发明， 可提供以下的解决手段[1] 一种用于电气电子部件的铜合金材料，包含3.0 13.0质量％的Sn;总量为
0.01 2.0质量％的从i^e、Ni中选择的任意一种或两种；以及0.01 1.0质量％的P；并且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述铜合金材料的特征在于，晶粒的平均直径为
1.0 5. 0 μ m，平均直径大于等于30nm且小于等于300nm的化合物X以密度IO4 IO8个/ mm2分布，平均直径大于0. 3 μ m且小于等于5. 0 μ m的化合物Y以密度IO2 IO6个/mm2分布，抗拉强度大于等于600MPa。[2] 一种用于电气电子部件的铜合金材料，包含3.0 13.0质量％的Sn;总量为 0. 01 2. 0质量％的从Fe、Ni中选择的任意一种或两种；总量为0. 01 1. 0质量％的从 Co、Cr、Mn中选择的一种或两种以上；以及0. 01 1. 0质量％的P ；并且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述铜合金材料的特征在于，晶粒的平均直径为1. 0 5. 0 μ m，平均直径大于等于30nm且小于等于300nm的化合物X以密度IO4 IO8个/mm2分布，平均直径大于0. 3 μ m且小于等于5. 0 μ m的化合物Y以密度IO2 IO6个/mm2分布，抗拉强度大于等于 600MPa。[3]如[1]或[2]所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于，所述化合物X的平均直径的平均值大于等于50nm且小于等于200nm。[4]如[1]或[2]所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于，所述化合物Y的平均直径的平均值大于等于0. 5 μ m且小于等于3. 0 μ m。[5]如[1]至[4]中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于， 关于所述化合物Y，以{(从表层至厚度10%以内的区域的化合物Y的密度)/ (从表层至厚度40 60%的区域的化合物Y的密度)}表示的比在0.8 1.0的范围内。[6] 一种用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，用于制造[1]至[5]中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，所述制造方法的特征在于，对在铸造时的冷却速度快于l°c /秒且慢于100°c /秒的条件下制出的铸块进行均质处理，并对表面实施表面切削Irnm以上的工序，然后重复进行冷轧制和中间退火，之后进行精轧制、去应力退火。[7]如[6]所述的用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，其特征在于，在 300 550°C下进行精轧制之前的最后的中间退火工序。本发明的电气电子部件用铜合金材料的抗拉强度(化)为600Mpa以上，且强度高，并且优选抗拉强度为700MPa以上。该抗拉强度的上限值不特别限制，但从重视弯曲特性 (弯曲加工性)的观点来说，优选为SOOMpa以下。发明效果本发明的铜合金材料能够在不损害强度(抗拉强度)、弯曲加工性的情况下提高冲切加工性，可得到电气电子部件用的例如端子和连接器用的铜合金所要求的高级别的特性。本发明的上述及其他特征和优点可通过适当参考附图阅读下述记载的内容来了解。
图1是示出优选的温度和时间的均质化热处理条件的曲线图，图中被梯形包围的范围是优选的均质化热处理条件。
具体实施例方式以下，对本发明优选的实施方式进行说明。在以下的说明中，作为铜合金材料，特别提及板材。本发明的铜合金材料的形状在冲切加工的前提下，优选为板状(板材、条材
寸乂 O在本发明的铜合金材料中，通过在铜合金中含有铁(Fe)或镍(Ni)中的至少一种元素和磷(P)，而具有由这些添加元素组成的化合物(具体来说斤『 、附- 1『·- )。在本发明中，将该化合物区分为微小化合物X (直径大于等于30nm且小于等于300nm)、和比化合物X大的化合物Y(直径大于0.3 μ m且小于等于5.0 μ m)来规定。化合物的直径(平均直径)和密度是通过用透射电子显微镜对压延平行方向上的截面拍摄照片、并在该照片上测量化合物的直径(长径和短径的平均值)和密度而得的。将铜合金中的化合物X的平均直径设置为大于等于30nm且小于等于300nm的范围的理由是为了将晶粒微细化。在比这个过小的粒子的情况下，无法针扎晶界，不能获得晶粒的微细化效果。另一方面，在比这个大的粒子的情况下，上述晶界的针扎和由此得到的晶粒的微细化效果小。化合物X的平均直径优选为大于等于50nm且小于等于200nm。此外， 化合物X的平均直径的平均值优选为大于等于50nm且小于等于200nm。在本发明中，比平均直径30nm小的化合物虽其自身几乎不影响冲切加工性和弯曲加工性，但如果这种化合物的密度过高，化合物X和化合物Y的密度就会减少。从而，比平均直径30nm小的化合物的密度优选非常低。将化合物X的密度设置为IO4 IO8个/mm2的理由是因为能够稳定地制备上述的晶粒。如果化合物X的密度过低，就无法抑制晶粒的生长，导致晶粒变得粗大。如果化合物 X的密度过高，化合物的直径就会变小，从而无法抑制晶粒的生长，导致晶粒变得粗大。化合物X的密度优选为IO5 IO8个/mm2，更优选为IO6 IO8个/mm2。将化合物Y的平均直径设置为大于0. 3 μ m且小于等于5. 0 μ m的理由是因为提高冲切加工性。比这个过大的粒子在弯曲加工时会发生应力集中，从而会产生以该点为起点的曲挠龟裂的问题。另一方面，在比这个小的粒子的情况下，提高冲切加工性的效果小。此外，如果比化合物Y小的化合物过多，化合物Y的密度就会下降。化合物Y的平均直径优选为大于等于0. 5 μ m且小于等于3. 0 μ m。此外，化合物Y的平均直径的平均值优选为大于等于0. 5 μ m且小于等于3. 0 μ m，更优选为大于等于0. 6 μ m且小于等于3. 0 μ m。将化合物Y的密度设定为IO2 IO6个/mm2是因为提高冲切加工性的缘故。如果化合物Y的密度过低，则由于在冲切加工时应成为断裂裂纹的起点的化合物Y的密度低，而无法提高冲切加工性。如果化合物Y的密度过高，化合物的直径就会变小，从而不能抑制晶
粒的生长，导致晶粒变得粗大。并且恶化弯曲加工性。化合物Y的密度优选为IO3 IO5个
/ 2 /mm 。本发明的铜合金材料含有锡(Sn)、磷(P)、铁(Fe)和/或镍(Ni)，并根据需要含有其它添加元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成。在本发明的铜合金材料中，将Sn的含量设定为3. 0 13. 0质量％的理由是为了提高强度(抗拉强度)。如果过少，则通过固溶强化得到的强度就会不足，如果过多，就会形成脆度强Cu-Sn金属间化合物，从而引起恶化可加工性的问题。Sn的含量优选为5. 0 11.0质量％，更优选为7.0 11.0质量％。本发明的铜合金材料中包含的i^e、Ni分别优选为0. 01 1. 0质量％，其中任意一种或两种的总量设定为0. 01 2. 0质量％。！^的含量优选为0. 05 0. 5质量％。Ni的含量优选为0. 02 0. 4质量％。！^和Ni中的任意一种或两种的总含量优选为0. 05 0. 5 质量％。此外，在本发明的铜合金材料中，含有0. 01 1. 0质量％的P，更优选含有0. 03 0. 30质量％的P。在本发明的铜合金材料中，通过分别含有预定量的狗和/或Ni、以及P， 晶粒大小不会变得粗大，压延中也不会发生断裂。此外，当构成所述化合物Y的化合物的O^e+Ni)量为68 88质量％、P量为10 25质量％时，能够稳定地分散有效地发挥压力冲切性的粒子，能够提高冲切加工性。有时上述含量的总和不到100质量％的原因是因为化合物Y中有时含有其它元素(例如Cu或Sn等)。本发明的铜合金材料中也可以包含选自钴(Co)、铬(Cr)、锰(Mn)的至少一种。这些C0、Cr、Mn与磷(P)作为第二相(化合物)结晶出或者析出，有效于晶粒大小的控制、冲切加工性的提高。添加时，将所述Co、Cr、Mn中的一种或者两种以上的总含量设为0. 01 1.0质量％的理由是因为如果过少，就不能充分获得其效果，如果过多，铸造时就会结晶出粗大的化合物，恶化弯曲加工性。在本发明中，将铜合金材料的晶粒的平均直径(平均晶粒大小)设为1.0 5.0μπι的理由是因为强度(抗拉强度)和弯曲加工性二者均优异。如果过小，与强度(抗拉强度)的提高相比延展性的劣化更为显著，其结果，韧性差，弯曲加工性劣化。并且存在工业上无法稳定地制造的问题。如果过大，就会引起通过晶粒微细化得到的强度(抗拉强度)不足的问题。该晶粒的平均直径优选为1.0 2.0μπι。由于当所述化合物Y的密度在板厚方向上均勻时能够进一步提高冲切加工性，因此关于化合物YWK从板表层至板厚10%以内的区域的化合物Y的密度)/ (从板表层至板厚40 60% ^区域的化合物Y的密度)}表示的比优选为0. 8 1. 0。冲压时的材料的变形被认为变形从表层深入，产生裂纹并断裂。因此，在表层中诸如成为裂纹的起点的结晶物(化合物Y)少的情况下，成为难以断裂的材料，从而恶化模具的寿命。通常，表层在铸造时冷却速度快，结晶物少。另一方面，在表层中存在过多的结晶物的情况下，硬的结晶物会与模具碰撞，从而磨损模具。这被认为极表层中化合物的偏析很多。相对于此，在本发明的铜合金材料料中，难以引起这样的偏析，因此能够显示出良好的冲切性。在本发明的铜合金材料的制造方法中，如果对在铸造时的冷却速度快于1°C /秒且慢于100°C /秒的条件下制出的铸块进行均质处理，然后对表面实施将正反两面总共表面切削Imm以上的工序，重复2次 4次的冷轧制和中间退火，之后实施精轧制、去应力退火，则能够工业上稳定地制备晶粒大小为1 5μπι的再结晶组织，能够抑制所得到的再结晶组织中的加工组织和粒径的偏差。此外，通过规定铸造的冷却速度，能够控制结晶物的量，可使得化合物Y的分散量为规定值，通过将表面切削Imm以上并重复冷轧制i中间退火，能够抑制化合物Y的密度在板厚方向上的偏差。在本发明的制造方法中，压延加工以冷轧制进行，而不进行热轧制。这是因为如果对本发明的铜合金材料进行热加工则有时会产生加工断裂的缘故。此外，通过重复进行冷轧制和中间退火，能够防止所得到的铜合金材料变得过硬，从而能够防止当弄薄至预定厚度时由于过硬而发生加工断裂。举出本发明的铜合金的制造方法的优选实施方式的一个例子，其每个工序如下所述。将包含Sn、P以及其它添加元素并且剩余部分为Cu的合金通过高频熔炉等来熔解并在铸造时的冷却速度快于1°C /秒且慢于100°C /秒的条件下铸造，获得铸块。在对该铸块进行850°C 600°C且0. 5小时 10小时的均质化热处理，更优选在被下述直线包围的时间-温度的条件下实施均质化热处理，该直线是连接时间和温度的关系为(780°C、0. 7 小时)、(780°C、4小时)、(600°C、10小时)、(600°C、2. 5小时)这四个点的直线。图1示出了这种优选的温度与时间的均质化热处理条件。图1中用梯形包围的范围内部为优选的均质化热处理条件的范围。均质化热处理优选在温度高时进行较短时间，在温度底时进行较长时间。如果均质化热处理温度过高，铸造中生成的结晶物就会固溶，其结果，导致有助于提高冲切加工性的化合物Y会减少。此外，当均质化热处理的温度低时，在经过长时间热处理后，化合物会变得粗大，化合物Y的数量减少，因此不优选。尤其优选严格地控制均质化处理温度。在均质化热处理之后，进行缓冷，并将表面切削Imm以上。该表面切削量优选为2mm以上。表面切削量的上限不特别限制，通常设为5mm以下的表面切削量。接着，实施 40 70%的冷轧制a，在惰性气体气氛中并在550 750°C下进行1 10小时的热处理 a，然后进行缓冷。此外，以40 80%的轧制加工率进行冷轧制b，在惰性气体气氛中并在 350 550°C下进行1 10小时的热处理b，得到5 20 μ m的平均晶粒大小的组织。在对完成该热处理b的材料以40 80%的加工率进行冷轧制c之后，以300 550°C进行10 120秒的热处理c，得到再结晶组织。接着，在以40 70%的加工率进行冷轧制d之后，以300 550°C进行5 200秒的热处理d。在热处理d中，升温速度和冷却速度分别优选为5°C /秒 80°C /秒，更优选设为40°C /秒左右。通过冷轧制d积累用于在热处理d中再结晶的驱动力，在热处理d结束时得到晶粒大小为1 5μπι的组织。化合物X主要在热处理c和热处理d中产生。另一方面，化合物Y主要在铸造、均质化加热处理、热处理a以及热处理b中产生。此外，在所述热处理d工序之后，化合物X和化合物Y均勻分散。在热处理c工序之后，为得到均勻的再结晶组织，优选将热处理a和热处理b之间的冷加工b中的加工率设为40 80%，更优选设为50 70%。如果该加工率过高，就会引起加工断裂，如果加工率过低，就会产生由于在热处理b中再结晶不结束而在热处理b之后的冷加工中引起加工断裂的问题。在热处理d之后，以加工率10 30%实施最后冷轧制，然后以150 250°C实施 0. 2小时 1. 0小时、优选0. 5小时左右的去应力热处理。在上述的合金制造条件中，能够调节本发明中规定的晶粒大小、化合物X和化合物Y的大小、生成密度的条件，除合金组成之外，还在于铸造条件、均质化热处理、热处理 (a、b、c、d)、冷轧制(a、b、c、d)等的条件，通过如上规定这些条件，能够得到目标的铜合金材料。但是，冷轧制b与热处理b、冷轧制d与热处理d是根据需要进行的，可以省略。当各个轧制的加工率为40%以上时，粗大的化合物在轧制时破碎，能够增加化合物Y的密度。本发明的铜合金材料例如能够很好地使用于连接器、端子、继电器、开关、引线框架等电气电子部件。实施例以下，基于实施例对本发明进行更加详细的说明，但本发明不被限定于这些实施例。实施例(本发明例)的合金如下制作。将包含各个实施例所述的量的Sn、0. 07质量％的P以及其它添加元素并且剩余部分为Cu的合金，通过高频熔炉来熔解，并对此在铸造时的冷却速度快于l°c /秒且慢于1001/秒的条件下实施0((01仪(^ Chill，直接激冷) 铸造，从而获得了厚度30mm、宽度100mm、长度150mm的铸块。接着，对该铸块实施在800°C下加热1小时的均质化处理，进行缓冷，并通过将两面分别表面切削2mm以上来去除了氧化膜。接着，以加工率40 70%实施冷轧制a，在惰性气体气氛中并在550 750°C下进行1 10小时的热处理a，并进行了缓冷。而且，以40 80%的轧制加工率实施冷轧制b，制成厚度2 5mm的板材，在惰性气体气氛中并在350 550°C下进行1 10小时的热处理b，获得了 5 20 μ m的平均晶粒大小的组织。在对完成该热处理b的材料以40 80%的加工率进行冷轧制c之后，以300 550°C进行了 10 120秒的热处理C。对经该热处理c的具有1 15 μ m的平均晶粒大小的组织的板材以40 70%的加工率进行冷轧制d，然后以300 550°C进行了 5 200秒的热处理d。热处理d是以40°C/秒的升温速度和冷却速度进行的。然后，以加工率10 20% 实施最后冷轧制，之后以150 250°C实施0. 5小时的去应力热处理，得到了厚度0. 2mm的板材。此外，比较例8、9是调查了改变铸造的冷却速度条件时的效果的例子。比较例8除以120°C /秒的铸造的冷却速度实施以外，比较例9除以0. 5°C /秒的铸造的冷却速度实施以外，其余均与上述的实施例相同。将如上得到的各个板材作为测试用材料进行下述的特性调查，并在表中示出了其结果。评价项的测量方法如下所述。a.机械性能(抗拉强度；TS)基于JIS-Z2241测量了与压延方向平行地从测试用材料切出的3件JIS-UB号试件，并以其平均值(MPa)示出。b.弯曲加工性
将测试用材料(板材)切出宽10mm、长25mm，以弯曲半径R = O进行弯曲角度90° 的W弯曲，并观察了弯曲部有没有断裂。该观察通过基于放大倍率为50倍的光学显微镜的目视观测进行，调查了该弯曲加工部位有无断裂。试件采取方向假定为G. W. (Good Way 弯曲的轴垂直于轧制方向)、B.W(Bad Way 弯曲的轴平行于轧制方向)，将没有断裂表示为 ΓO (良)」，将有断裂的表示为「Χ(劣)」。c.平均晶粒大小在与最后冷轧制方向平行和垂直的方向这两个方向上测量了测试用材料(板材) 的与厚度反向平行且与最后冷轧制方向(最后塑性加工方向)平行的截面上的晶粒大小。 并且，将测量值大的作为长径，小的作为短径，示出了长径和短径的各4个值的平均值。测量遵照JIS-H0501的切割法对测试用材料的截面进行镜面研磨后，进行蚀刻，并用扫描电子显微镜(SEM)放大1000倍来拍摄了照片。在该照片上划上200mm的线段，计算被该线段横穿的晶粒个数n，并通过OOOmm/(ηX 1000))的公式求出了平均晶粒大小。当被所述线段横穿的晶粒个数不足20时，拍取500倍的照片，计算被长度200mm的线段横穿的晶粒个数 n，并通过OOOmm/(ηX500))的公式进行了计算。d.第二相化合物(化合物X以及化合物Y)的大小和密度将测试用材料冲切为直径3mm，使用双喷研磨法(twin-jet polishing)进行研磨，以使从板表层至板厚40 60%的区域变为薄膜，然后使用加速电压为300kV的透射电子显微镜对任意三个位置拍摄1000 100000倍的照片，并在该照片上测量的化合物的粒度和密度。粒度分别关于化合物X的粒度范围和化合物Y的粒度范围，在表中以0. 005mm 的整数倍示出了各平均值。当测量化合物的粒度和密度时，通过以n= 10 (η为观察的视场数)测量其个数，以排除个数的局部偏倚的方式进行了测量。将该个数运算为每单位面接的个数(个/mm2)。e.压力冲切加工性在研磨模具之后，用每个样品以四角形且大小为3mmX5mm的冲切形状实施每分钟500次的连续压力加工，并在模具磨损从而在材料的冲压断裂面上产生了超过10 μ m的毛边的阶段，中止压力加工，并测量了到此为止的单行程数。该测量进行3次，并将单行程数的最小值大于等于300万次的作为冲切性特别优异而在表中示出“ ◎”，将单行程数的最小值大于等于200万次的作为冲切性良好而在表中示出“〇”，将单行程数的平均值大于等于200万次、冲切性良好，但存在单行程数的最小值小于200万次的因而存在偏差的在表中示出“Δ”，将单行程数的平均值小于200万次的样品作为冲切性差而在表中示出了 “ X ”。 该评价结果在以下的表中作为“冲切性(1)”示出。表1示出了本发明例1 18、比较例1 12的结果。[表 1]
权利要求
1.一种用于电气电子部件的铜合金材料，包含3. 0 13. 0质量％的Sn ；总量为 0.01 2.0质量％的从i^e、Ni中选择的任意一种或两种；以及0.01 1.0质量％的P ；并且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述铜合金材料的特征在于， 晶粒的平均直径为1. 0 5. 0 μ m，平均直径大于等于30nm且小于等于300nm的化合物X以密度IO4 IO8个/mm2分布， 平均直径大于0. 3 μ m且小于等于5. 0 μ m的化合物Y以密度IO2 IO6个/mm2分布， 抗拉强度大于等于600MPa。
2.一种用于电气电子部件的铜合金材料，包含3. 0 13. 0质量％的Sn ；总量为 0. 01 2. 0质量％的从Fe、Ni中选择的任意一种或两种；总量为0. 01 1. 0质量％的从 Co、Cr、Mn中选择的一种或两种以上；以及0. 01 1. 0质量％的P ；并且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述铜合金材料的特征在于， 晶粒的平均直径为1. 0 5. 0 μ m，平均直径大于等于30nm且小于等于300nm的化合物X以密度IO4 IO8个/mm2分布， 平均直径大于0. 3 μ m且小于等于5. 0 μ m的化合物Y以密度IO2 IO6个/mm2分布， 抗拉强度大于等于600MPa。
3.如权利要求1或2所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于， 所述化合物X的平均直径的平均值大于等于50nm且小于等于200nm。
4.如权利要求1或2所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于， 所述化合物Y的平均直径的平均值大于等于0. 5 μ m且小于等于3. 0 μ m。
5.如权利要求1至4中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，其特征在于， 关于所述化合物Y，以{(从表层至厚度10%以内的区域的化合物Y的密度)/ (从表层至厚度40 60%的区域的化合物Y的密度)}表示的比在0.8 1.0的范围内。
6.一种用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，用于制造权利要求1至5中任一项所述的用于电气电子部件的铜合金材料，所述制造方法的特征在于，对在铸造时的冷却速度快于rc /秒且慢于100°c /秒的条件下制出的铸块进行均质处理，并对表面实施表面切削Imm以上的工序，然后重复进行冷轧制和中间退火，之后进行精轧制、去应力退火。
7.如权利要求6所述的用于电气电子部件的铜合金材料的制造方法，其特征在于， 在300 550°C下进行精轧制之前的最后的中间退火工序。
全文摘要
一种用于电气电子部件的铜合金材料，包含3.0～13.0质量％的Sn；总量为0.01～2.0质量％的从Fe、Ni中选择的任意一种或两种；以及0.01～1.0质量％的P；并且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，晶粒的平均直径为1.0～5.0μm，平均直径大于等于30nm且小于等于300nm的化合物X以密度104～108个/mm2分布，平均直径大于0.3μm且小于等于5.0μm的化合物Y以密度102～106个/mm2分布，抗拉强度大于等于600MPa。
文档编号C22F1/08GK102257170SQ20098015142
公开日2011年11月23日 申请日期2009年12月21日 优先权日2008年12月19日
发明者佐藤浩二, 广濑清慈, 松尾亮佑, 金子洋 申请人:古河电气工业株式会社