专利名称：用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块、沉积成膜方法
技术领域：
本发明涉及一种用于在沉积成膜中固定基底的压块、沉积成膜方法，尤其涉及用于在半导体晶片上溅射沉积金属膜的压块和方法。
背景技术：
沉积成膜是一类常用的成膜方法，包括溅射沉积、蒸镀、化学气相沉积等。在其成膜过程中，成膜材料或成膜材料的前体被沿基本垂直于基底的方向朝基底传送，并在基底上形成膜层。在沉积成膜操作中，尤其是在半导体工艺的晶片溅射沉积金属膜的操作中，为了固定住基底，如图1和图2所示，需要用压块1压住基底2的边缘。但随着沉积成膜的进行， 如图3所示，在压块1压制面的外缘处(即压块与基底的交界处)也会形成膜层，从而将压块1与基底2粘在一起，产生“压块粘连”现象。压块粘连现象可能导致在将压块和基底分开时基底上的薄膜被带起损坏，降低沉积成膜质量，且由于压块上残留有薄膜，还可能划伤基底或影响此后沉积成膜操作的精度。现有的解决压块粘连现象的方法主要包括1、限制成膜厚度以减小粘连几率；但由于许多场合中所需的成膜厚度有特定要求 (例如双重扩散金属氧化半导体器件上的铝膜层)，不能随意减小，故本方法不能从根本上解决问题。2、增加额外的降温控制系统，降低膜层的流动性，从而降低在压块侧面产生薄膜沉积的几率；但本方法只能降低粘连几率，也不能从根本上杜绝压块粘连现象，且还会导致设备成本的增加以及成膜效果的下降。3、将压块作的尽量小，以减小压块与基底的接触面，从而减小粘连几率；但本方法同样只能降低粘连几率，不能从根本上解决压块粘连问题，而且还可能降低压块的固定效^ ο总之，发明人发现现有技术均不能从根本上解决压块粘连问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块，其具有可防止压块与基底粘连的优点。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种用于在沉积成膜操作中固定成膜基底的压块，包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分包括压制面，用于压制所述基底，并具有压制面外缘；压制部分外缘部，位于所述压制面所在平面的上方；所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧；
所述压制部分外缘部最低处与所述压制面所在平面间的距离为h，所述沉积成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。本发明的实施例的压块的压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧，也就是说，所述压制面的外缘相对所述压制部分整体的外缘部是向内凹的，因此在沉积成膜过程中，向压制面外缘处传递的成膜材料会被压制面外缘上方的压块部分挡住，不能传递到压制面外缘处，故压制面外缘处没有膜层形成，从而避免了压块与基底粘连的现象。本发明的实施例还提供一种在基底上沉积成膜的方法，其具有可防止压块与基底粘连的优点。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种在基底上沉积成膜的方法，包括用压块固定所述基底，所述压块具有位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分具有用于压制所述基底的压制面，所述压制部分的外缘部位于所述基底上方，且所述压制部分外缘部在所述基底上的投影位于所述压制面的外缘的外侧；所述压制部分外缘部最低处与所述基底间的距离为h ；进行所述沉积成膜操作，在所述基底和压块上形成相互分离的薄膜；所述成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。本发明的实施例的沉积成膜方法使用具有上述结构的压块，故可以防止压块与基底粘连。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为压块压在基底上的俯视结构示意图；图2为现有压块压在基底上的纵截面结构示意图；图3为现有压块压在基底上并沉积成膜后的纵截面结构示意图；图4为本发明实施例一的压块的纵截面结构示意图；图5为本发明实施例一的压块压在晶片上的纵截面结构示意图；图6为本发明实施例一的压块压在晶片上并溅射沉积金属膜后的纵截面结构示意图；图7为本发明的另一种压块的纵截面结构示意图；图8为本发明的另一种压块的纵截面结构示意图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明实施例旨在提供一种用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块，以及沉积成膜方法，其不会产生压块与基底粘连的问题。本发明实施例提供一种用于在沉积成膜操作中固定成膜基底的压块，包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分包括压制面，用于压制所述基底，并具有压制面外缘；压制部分外缘部，位于所述压制面所在平面的上方；所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧；所述压制部分外缘部最低处与所述压制面所在平面间的距离为h，所述沉积成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。本发明实施例的压块的压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧，也就是说，所述压制面的外缘相对所述压制部分整体的外缘部是向内凹的，因此在沉积成膜过程中，向压制面外缘处传递的成膜材料会被压制面外缘上方的压块部分挡住，不能传递到压制面外缘处，故压制面外缘处没有膜层形成，从而避免了压块与基底粘连的现象；而且，由于本发明实施例的压块只是对压块本身的结构做了变化，而不用对沉积系统或沉积方法作其它改变，所以其一方面实施简单，实现成本低，另一方面也不会对沉积成膜过程产生额外影响。实施例一如图4至图6所示，本发明实施例提供一种用于在半导体晶片2上溅射沉积金属膜3的过程中固定晶片2的压块1，该压块1包括在成膜操作中位于晶片2上方的压制部分 4，该压制部分4的压制面5用于压制晶片2，且压制部分4的侧面底部具有一凹槽9，从而形成了所述压制面5的外缘6和所述压制部分4的外缘部7 ；显然，由于凹槽9的存在，该压制部分外缘部7必然位于所述压制面5所在平面的上方，且其在所述压制面5所在平面上的投影8必然位于所述压制面外缘6的外侧；本实施例的压块还满足h > d，优选满足h =1.5d，其中，h为所述压制部分外缘部7最低处与所述压制面5所在平面间的距离(在本实施例中即为凹槽9的高度)，d为所需溅射的金属膜的厚度。在满足上述条件的情况下， 就可保证在溅射过程中所述压制面外缘6处不沉积金属膜，以达到避免压块粘连(本实施例中也可称作压块粘片)的目的。显然，本实施例的压块1也可采用多种其它的形式。例如，如图7所示，所述压制部分4不具有凹槽，而是具有从所述压制面外缘6 —直向上向外延伸的斜面，则该斜面的最外侧即为所述压制部分外缘部7。或压块1也可如图8所示，压制部分4不具有凹槽，而是在侧面具有凸出结构，所述凸出结构的外缘即构成所述压制部分外缘部7。总之，本发明实施例的压块1可以采用多种不同的形式，但只要其压制部分外缘部7在所述压制面5所在平面上的投影8位于所述压制面外缘6的外侧，即可实现防止压块1与基底2粘连的效果，均属于本发明的保护范围。本发明实施例提供一种在基底上沉积成膜的方法，包括用压块固定所述基底，所述压块具有位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分具有用于压制所述基底的压制面，所述压制部分的外缘部位于所述基底上方，且所述压制部分外缘部在所述基底上的投影位于所述压制面的外缘的外侧；所述压制部分外缘部最低处与所述基底间的距离为h ；进行所述沉积成膜操作，在所述基底和压块上形成相互分离的薄膜；所述成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。本发明实施例的沉积成膜方法使用具有上述结构的压块，从而可以防止压块与基底粘连。实施例二本发明实施例提供一种在晶片上溅射沉积金属膜的方法，包括步骤一、将如实施例一所示的压块1压在所述半导体晶片2的边缘从而将晶片2 固定；步骤二、在已经固定好的晶片2上溅射沉积金属膜3，同时压块1上也形成金属膜 3，由于所述压制部分4的压制面外缘6处没有金属膜，故所述晶片2和压块1上的金属膜 3必然相互分离；其中所沉积的金属膜3的厚度为d，压块满足1! > d，优选满足h = 1. 5d， 以更好的保证不发生压块粘片；步骤三、成膜完成后，将压块1从晶片2上取下，完成沉积。虽然上述实施例均以在半导体晶片上溅射沉积金属膜作为沉积成膜的例子，但显而易见，本发明也可用于使用其它沉积成膜方法(如蒸镀、化学气相沉积等)在其它基底 (如陶瓷、玻璃等)上沉积其它成分的薄膜(如化合物膜、有机物膜等)。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种用于在沉积成膜操作中固定成膜基底的压块，包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分包括压制面，用于压制所述基底，并具有压制面外缘；压制部分外缘部，位于所述压制面所在平面的上方；其特征在于，所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于所述压制面外缘的外侧；所述压制部分外缘部最低处与所述压制面所在平面间的距离为h，所述沉积成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。
2.根据权利要求1所述的压块，其特征在于，所述压块满足h= 1. 5d。
3.根据权利要求1所述的压块，其特征在于，所述压块的压制部分的侧壁的下部具有凹槽，所述凹槽的底面内侧构成所述压制面外缘，所述侧壁构成所述压制部分外缘部。
4.根据权利要求1所述的压块，其特征在于，所述压块的压制部分的侧壁具有凸出结构，所述凸出结构的外缘构成所述压制部分外缘部。
5.根据权利要求1所述的压块，其特征在于，所述压块的压制部分的侧壁包括从所述压制面外缘向外向上延伸的斜面，所述斜面的最外侧构成所述压制部分外缘部。
6.一种在基底上沉积成膜的方法，其特征在于，包括用压块固定所述基底，所述压块具有位于所述基底上方的压制部分，所述压制部分具有用于压制所述基底的压制面，所述压制部分的外缘部位于所述基底上方，且所述压制部分外缘部在所述基底上的投影位于所述压制面的外缘的外侧；所述压制部分外缘部最低处与所述基底间的距离为h ；进行所述沉积成膜操作，在所述基底和压块上形成相互分离的薄膜；所述成膜操作的成膜厚度为d，所述压块满足h > d。
7.根据权利要求6所述的在基底上沉积成膜的方法，其特征在于，所述压块满足h= 1. 5d。
8.根据权利要求6所述的在基底上沉积成膜的方法，其特征在于，所述沉积成膜操作为溅射成膜。
9.根据权利要求6所述的在基底上沉积成膜的方法，其特征在于，所述沉积成膜操作所沉积的是金属膜。
全文摘要
本发明提供一种用于在沉积成膜中固定成膜基底的压块、沉积成膜方法，属于沉积成膜领域，可解决压块与基底粘连的问题。本发明的压块包括在沉积成膜操作时位于所述基底上方的压制部分，压制部分包括用于压制所述基底的压制面，以及位于所述压制面所在平面上方的压制部分外缘部，所述压制部分外缘部在所述压制面所在平面上的投影位于压制面外缘的外侧，且所述压制部分外缘部的最低处与所述压制面所在平面间的距离大于成膜厚度。本发明的沉积成膜方法包括用上述压块固定基底后再沉积成膜。本发明的压块和沉积成膜方法可用于在半导体晶片上溅射沉积金属膜。
文档编号C23C14/34GK102234771SQ20101016150
公开日2011年11月9日 申请日期2010年4月27日 优先权日2010年4月27日
发明者赵文魁, 马万里 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司