专利名称：化学汽相沉积设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种化学汽相沉积设备，更具体地，涉及一种能够通过延长清洁循环 而改进产量的化学汽相沉积设备。
背景技术：
通常使用诸如溅射等的利用物理反应的物理汽相沉积(PVD)方法、或使用利用化 学反应的化学汽相沉积(CVD)方法在太阳能电池、半导体器件或平板显示面板的基板(例 如，晶片、塑料基板或玻璃)上沉积具有预定厚度的薄膜。如用CVD方法，首先给处理腔室提供气态组分材料，接下来通过化学反应在基板 (或晶片)上沉积所需的薄膜。与PVD方法相比，由于CVD方法的优势在于获得例如基板上 薄膜的优良的台阶覆盖这样的优良沉积特性以及优良的均勻性和产量，因此CVD方法广泛 地应用于许多领域。CVD方法可以主要分类为低压化学汽相沉积(LPCVD)、常压化学汽相沉 积(APCVD)、低温化学汽相沉积(LTCVD)、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)和金属有机 化学汽相沉积(MOCVD)。图1表示根据现有技术的化学汽相沉积设备。如图1所示，根据现有技术的化学汽相沉积设备包括具有支撑基板12的基板支 撑件14的腔室10 ；安装在腔室10上方的腔室盖20 ；和向基板12喷射处理源的源喷射组件 30，其中源喷射组件30安装在腔室10的内部并贯穿腔室盖20。腔室10提供预定的反应空间。腔室10的一侧有排出处理源的排气孔(未示出)。基板支撑件14安装在腔室10内的底部，基板支撑件14支撑从外部提供的基板 12。腔室盖20安装在腔室10的上方，腔室盖20密封腔室10的反应空间。这里，可在 腔室10与腔室盖20之间安装密封件15。源喷射组件30包括源供应管32、多个源喷射管34和多个源喷射孔36。源供应管32贯穿腔室盖20，源供应管32分支为多个支管以与多个源喷射管34连
ο多个源喷射管34以固定的间隔设置在腔室10内，多个源喷射管34与源供应管32 的分支的支管连通，由此从源供应管32提供处理源到多个源喷射管34。多个源喷射孔36以固定的间隔设置在各个源喷射管34中，由此通过多个源喷射 孔36将供应到源喷射管34的处理源(S)喷射到基板12上。在根据现有技术的化学汽相沉积设备中，腔室10的内部保持恒定的温度，由源喷 射组件30喷射处理源到反应空间，由此在基板12上沉积薄膜材料。
若应用上述薄膜沉积处理，则薄膜材料沉积到基板12上且沉积到不期望的部分 上。例如，薄膜材料可能沉积到腔室10的内壁上、基板支撑件14的除了支撑基板12的部 分之外的上表面和/或侧表面的预定部分上以及源喷射组件30的下表面上。特别是，如果 薄膜材料沉积到源喷射孔36的周围，则可能改变源喷射孔36的大小，以致很难在基板12 上形成均勻的薄膜。为了在基板12上形成均勻的薄膜，必须周期性地清洁源喷射孔36的周围，以此从 源喷射孔36的周围除去薄膜材料。然而，只要在需要进行上述清洁处理时，就必须关闭根据现有技术的化学汽相沉 积设备。接下来，在拆卸化学汽相沉积设备后，将源喷射组件30与腔室盖20分离，随后进 行清洁处理，以从源喷射孔36的周围除去薄膜材料。这些复杂的清洁步骤不可避免地造成 设备的可操作时间的减少，从而降低了设备的可操作性。另外，完成源喷射组件30的清洁 步骤后，需要额外的步骤以从腔室10的内部除去湿气和异物，并将腔室10的内部调整至稳 定的压力和温度。还有，需要在模型基板上进行测试沉积处理，以检查基板上沉积的薄膜中 的均勻性和颗粒污染程度，由于测试沉积步骤耗费许多小时，因而导致了产量的下降。最后，考虑到产量问题，最好尽可能长地延长源喷射组件30的清洁循环。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上避免了由现有技术的缺陷与不足造成的一或多个问 题的化学汽相沉积设备。本发明的一个优点是提供一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉 积设备。本发明的其它特点和方面将在随后的说明书中列出，对本领域的普通技术人员来 说，通过对下文的检验，这些特点和方面的一部分是显而易见的或者可以从本发明的实施 领会。通过说明书文字部分、权利要求书以及所附附图中特别指出的结构，可以领会与获得 本发明的目的和其它优点。为了获得这些和其它优点并根据本发明的目的，如此处所体现与概括描述的，提 供一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；具有多个第一 源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在腔室上方；用于提供处理源至多个第一源供应孔的 多个源供应管；具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于多 个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在腔室盖中；以及具有多个第三源供应 孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由喷射管支撑件支撑，其中所述多 个第三源供应孔由所述多个第二源供应孔提供处理源，所述多个源喷射孔设置为喷射处理 源到基板上。这里，所述腔室盖包括底座，在所述底座中形成多个第一源供应孔；支撑件安装 部分，在所述支撑件安装部分中可拆卸地安装所述喷射管支撑件，所述支撑件安装部分形 成在底座的背面；以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装用于冷却喷射 管支撑件的温度的冷却组件，所述冷却组件安装部分形成在底座中。根据本发明的另一方面，提供一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的 基板支撑件的腔室；安装在腔室上方的腔室盖；用于将外部提供的处理源喷射到基板上的源喷射组件，所述源喷射组件可拆卸地安装在腔室盖中；以及用于冷却源喷射组件的温度 的冷却组件，所述冷却组件安装在腔室盖内部。这里，所述腔室盖包括底座；用于提供处理源至源喷射组件的多个第一源供应 孔，所述多个第一源供应孔是通过贯穿底座以固定的间隔来形成的；支撑件安装部分，在所 述支撑件安装部分中可拆卸地安装源喷射组件，所述支撑件安装部分形成在底座的背面； 以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装冷却组件，所述冷却组件安装部 分形成在底座中。另外，所述源喷射组件包括以固定间隔设置的多个源喷射管；用于支撑多个源 喷射管的喷射管支撑件，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在底座中；形成在喷射管支撑件 中的多个第二源供应孔，所述多个第二源供应孔对应于多个第一源供应孔；形成在各个源 喷射管中的多个第三源供应孔，所述多个第三源供应孔对应于多个第二源供应孔；以及用 于喷射处理源到基板上的多个源喷射孔，所述多个源喷射孔以固定间隔形成在各个源喷射 管中。此外，所述化学汽相沉积设备还包括具有多个开口的护罩，所述多个开口对应于 多个源供应管，所述护罩可拆卸地安装在腔室盖的背面。应当理解本发明的前述概括性描述和随后的详细描述都是示例性和解释性的，意 在提供如权利要求所保护的本发明的进一步解释。
所包含的用于提供对发明的进一步的理解以及被包括在本申请中和组成本申请 的一部分的附解了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图 中图1表示根据现有技术的化学汽相沉积设备。图2是表示根据本发明的实施例的化学汽相沉积设备的透视图。图3是表示根据本发明的实施例的化学汽相沉积设备中的腔室的上部结构的透 视图。图4是表示图3所示腔室的上部结构的分解透视图。图5A和5B是表示图4所示腔室盖的透视图。图6是表示图4所示源喷射组件的分解透视图。图7是沿图3的A-A的截面图。
具体实施例方式现在将具体参考本发明的优选实施例，附图中示出了实施例的例子。在可能的情 况下，在所有附图中用相同的参考数字表示相同或相似的部件。下文中，将参考附图描述根据本发明的化学汽相沉积设备。图2表示根据本发明的实施例的化学汽相沉积设备。3是表示根据本发明的实施 例的化学汽相沉积设备中的腔室的上部结构的透视图。图4是表示图3所示腔室的上部结 构的分解透视图。参见图2至图4，根据本发明的实施例的化学汽相沉积设备包括腔室110、腔室盖120、源供应管130、源喷射组件140和冷却组件150。这里，腔室110包括用于支撑基板112 的基板支撑件114。腔室盖120安装在腔室110的上方。源供应管130连接到腔室盖120， 源供应管130给腔室盖120提供处理源。源喷射组件140可拆卸地安装在腔室盖120中， 源喷射组件140将从源供应管130供应的处理源喷射到基板112上。冷却组件150安装在 腔室盖120内部，其中冷却组件150调节源喷射组件140的温度。腔室110提供预定的反应空间。腔室110的一侧有排出源的排气孔(未示出)。基板支撑件114安装在腔室110内的底部，基板支撑件114支撑从外部提供的基 板112。基板支撑件114可以包括基板加热组件(未示出)以保持基板112在80°C至250°C。密封腔室110的反应空间的腔室盖120安装在腔室110的上方。这里，可在腔室 110与腔室盖120之间安装密封件115。源供应管130安装在腔室盖120的上部，源供应管130将来自外部源供应设备(未 示出)的处理源提供给腔室盖120。可将处理源提供给源供应管130，该处理源在腔室110中将用于薄膜沉积处理。例 如，若在基板112上形成基于ZnO的薄膜，则源供应管130可以包括提供第一处理源(Si) 的第一源供应管132和提供第二处理源(S2)的第二源供应管134。这里，第一处理源(Si) 可以是H2O,第二处理源(S2)可以是DEZ (二乙基锌(Diethyl Zinc))。第一源供应管132可以包括“M”个第一支管133，这些第一支管133被分为多组， 每组包含第一支管133中的“N”个；第二源供应管134可以包括“M”个第二支管135，这些 第二支管135被分为多组，每组包含第二支管135中的“N”个。这里第一支管133和第二 支管135交替安装在腔室盖120中，但是不限于这种结构。可以按照便于均勻地喷射处理 源至反应空间的任意结构安装第一支管133和第二支管135。这里，可以在源供应管130与 腔室盖120之间安装密封件117。如图5A和5B所示，腔室盖120包括底座200、多个第一源供应孔210、用于安装源 喷射组件的部分220和用于安装冷却组件的部分230。金属材料的底座220安装在腔室110的上方，底座200密封腔室110内部的反应空间。与源供应管130连通的同时，多个第一源供应孔210沿着底座200的下侧边和上 侧边(即，底座200的两条纵向侧边)以固定的间隔形成。通过多个第一源供应孔210的 每个，由源供应管130提供的处理源被提供给源喷射组件140。这里，当在底座200中安装 源供应管130时，通过安装在源供应管130 —端的法兰，由耦联到底座200的螺钉将源供应 管130的每个与多个第一源供应孔210的每个相接。在多个第一源供应孔210中，奇数第一源供应孔210与“M”个第一支管133的每 个连通；偶数第一源供应孔210与“M”个第二支管135的每个连通。通过在底座200的背面刻槽，形成用于安装源喷射组件的部分220。源喷射组件 140插入并安装到用于安装源喷射组件的部分220中。为此，用于安装源喷射组件的部分 220具有第一插槽222、第二插槽224和多个第三插槽226。第一插槽222平行于底座200的纵向侧边形成，更具体地，第一插槽222在底座 200的上纵向侧边形成。第二插槽224与第一插槽222相对，即第二插槽224在底座200的下纵向侧边形
7成。在各个第一和第二插槽222和224中以固定间隔形成多个第一源供应孔210。在各个第一和第二插槽222和224中还形成多个第一螺钉孔223。多个第一螺钉 孔223的每个都与多个螺钉的每个(未示出)耦联，以在腔室盖120中可拆卸地安装源喷 射组件140。多个第三插槽226与第一和第二插槽222和224垂直。多个第三插槽226包括形 成在第一和第二插槽222和224中的多个第一源供应孔210。这里，多个第三插槽226的每 个都可以具有半圆形的截面。此外，底座200包括第二螺钉孔240和第三螺钉孔250。第二螺钉孔240的每个都 形成在第一插槽222中的多个第一源供应孔210的每个与第二插槽224中的多个第一源供 应孔210的每个之间。第三螺钉孔250与多个第三插槽226的每个的两端相邻地形成，并 位于多个第三插槽226每两个之间。通过在底座200的上表面刻槽，形成用于安装冷却组件的部分230，用于安装冷却 组件的部分230以多弯曲的形状形成(例如，具有直线部分和弯曲部分的多个S型)。冷却 组件150插入并安装到用于安装冷却组件的部分230中。这里，用于安装冷却组件的部分 230可以具有U型截面。用于安装冷却组件的部分230优选位于多个第三插槽226附近。根据底座200的结构，用于安装冷却组件的部分230可以按照以下方式提供用于 安装冷却组件的部分230所包括的每个直线部分都可设置在多个第三插槽226的之间，或 者用于安装冷却组件的部分230所包括的直线部分可以平行于第一和第二插槽222和224 设置。如图6所示，图4的源喷射组件140包括多个源喷射管142、喷射管支撑件144和 多个源喷射孔146。多个源喷射管142安装在喷射管支撑件144上，多个源喷射管142分别插入到腔 室盖120的多个第三插槽226中。通过源供应管130、第一源供应孔210和喷射管支撑件 144，提供处理源给多个源喷射管142。喷射管支撑件144支撑以“N”个为一组提供的多个源喷射管142，即支撑源喷射 管142中的包含“N”个的每一组。为此，喷射管支撑件144可以具有多个第一和第二平板 144a 和 144b。面对着底座200中的第一和第二插槽222和224，可拆卸地安装多个第一和第二平 板144a和144b。因此，多个第一和第二平板144a和144b支撑以“N”个为一组提供的多个 源喷射管142的每个的两端。这里，通过焊接将第一和第二平板144a和144b与源喷射管 142连在一起。为了从第一源供应孔210提供处理源至各个源喷射管142，多个第一和第二平板 144a和144b具有多个第二源供应孔143 (参见图2)，多个第二源供应孔143与各个第一源 供应孔210连通；多个源喷射管142的每个都具有第三源供应孔147 (参见图2)，从第二源 供应孔143提供处理源给第三源供应孔147。因此，通过第一至第三源供应孔210、143和 147给多个源喷射管142提供处理源。另外，在多个第一和第二平板144a和144b的每一个中以固定间隔形成通孔145。 这里，耦联到第一和第二插槽222和224每一个中的第一螺钉孔的螺钉(未示出)被插入到通孔145中。因此，通过耦联到第一螺钉孔的螺钉的耦联，多个第一和第二平板144a和 144b分别插入到第一和第二插槽222和224中，并可拆卸地安装在腔室盖120中。这里，在 第一插槽222与多个第一平板144a之间安装密封件225，从而密封在第一插槽222中的多 个第二源供应孔143的周围。以同样的方式，在第二插槽224与多个第二平板144b之间安 装上面所述的密封件225，从而密封在第二插槽224中的多个第二源供应孔143的周围。在各个源喷射管142中形成多个源喷射孔146，以此将供应给源喷射管142的处理 源喷射到基板112上。这里，如图2所示，通过源供应管130和第一至第三源供应孔210、 143和147将处理源提供至各个源喷射管142，接着以预定的喷射角度喷射向基板112，该预 定的喷射角度由各个源喷射孔146来确定。源喷射组件140插入到并且可拆卸地安装在腔室盖120背面的第一和第二插槽 222和224中，从而喷射处理源(S1、S2)到基板112上。在图4中，以多弯曲的形状形成冷却组件150(例如，具有直线部分和弯曲部分的 多个S型)，如图5A所示；冷却组件150插入到用于安装冷却组件的部分230中。插入到 用于安装冷却组件的部分230中的冷却组件150循环在腔室盖120内部由外部温度控制器 (未示出)提供的冷却流体。这里，冷却组件150可以是管；冷却流体可以是保持在预定温 度的空气、气体和水中的任意一种。在冷却组件150通过循环冷却流体来冷却源喷射组件140的表面的温度时，多个 源喷射孔146的周围中的温度也被冷却，因此能够阻止在化学汽相沉积处理期间薄膜材料 沉积在多个源喷射孔146的周围。此外，可以提供对插入到用于安装冷却组件的部分230中的冷却组件150进行保 护的盖子232。如图7所示，盖子232的形状与用于安装冷却组件的部分230的形状相同。因此， 可以通过盖子232的使用，将插入有冷却组件150的用于安装冷却组件的部分230的上部 密封，从而保护冷却组件150。另外，根据本发明实施例的化学汽相沉积设备还可以包括护罩160，该护罩160用 于在化学汽相沉积处理中阻止薄膜材料沉积在腔室盖120的背面上。如图4和6所示，护罩160包括具有多个开口 164的护罩架162以及多个螺钉孔 168，这些螺钉孔168用于供螺钉166将护罩架162安装在腔室盖120的背面。多个开口 164以固定的间隔在护罩架162中形成。在设置多个开口 164时，各个 开口 164的纵向方向与各个源喷射管142的纵向方向相同。即，以条状设置多个开口 164。 另外，各个开口 164都插入到腔室盖120的各个第三插槽226中，以暴露分别形成在多个源 喷射管142中的多个源喷射孔146。可以按照孔状形成多个开口 164以暴露多个源喷射孔146。当在护罩架162中形成多个螺钉孔168时，对应于在腔室盖120的底座中的多个 第二螺钉孔240和第三螺钉孔250来提供这些螺钉孔168。利用插入到多个螺钉孔168并耦联到多个第二螺钉孔240的多个第一螺钉166a 以及耦联到多个第三螺钉孔250的多个第二螺钉166b，将护罩160可拆卸地安装在腔室盖 120的背面，从而在化学汽相沉积处理中阻止腔室盖120的背面被薄膜材料污染。根据取决 于化学汽相沉积处理频率的污染程度，可以将护罩160从腔室盖120分离、清洁、接着安装在腔室盖120中以再使用。根据本发明实施例的化学汽相沉积设备利用腔室盖120内的冷却组件150冷却多 个源喷射管142的温度，因此能够在化学汽相沉积处理中阻止薄膜材料沉积在多个源喷射 孔146的周围上。于是，能够通过延长源喷射组件140的清洁循环来改进产量。另外，源喷射组件140可拆卸地安装在腔室盖120的背面。因此，当需要清洁被污 染的源喷射组件140时，可以轻易地从腔室盖120分离源喷射组件140，因此，由于增加设备 的操作时间而增强了可操作性。在将多个源喷射管142分为多组和每组包括这些源喷射管142中的“N”个的情况 下，可以立即将多个源喷射管142安装在腔室盖120中。这使源喷射组件140的简易安装 或拆卸成为可能。因此，根据本发明的化学汽相沉积设备可以通过延长源喷射组件140的清洁循环 而改进产量，并且由于在源喷射组件140的清洁处理期间源喷射组件140的简易安装或拆 卸，通过增加设备的可操作时间而增强了可操作性。对于本领域的技术人员而言显而易见的是，可对本发明进行多种变型与变化而不 脱离发明的精神与范围。因此本发明旨在覆盖所附权利要求及其等同物范围内的发明的变
型与变化。
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权利要求
一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；具有多个第一源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在所述腔室上方；用于提供处理源至所述多个第一源供应孔的多个源供应管；具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于所述多个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在所述腔室盖中；以及具有多个第三源供应孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由所述喷射管支撑件支撑，其中所述多个第三源供应孔由所述多个第二源供应孔提供所述处理源，所述多个源喷射孔喷射所述处理源到所述基板上。
2.根据权利要求1所述的化学汽相沉积设备，其中所述腔室盖包括 底座，在所述底座中形成所述多个第一源供应孔；支撑件安装部分，在所述支撑件安装部分中可拆卸地安装所述喷射管支撑件，所述支 撑件安装部分形成在所述底座的背面；以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装用于冷却所述喷射管支撑件的温 度的冷却组件，所述冷却组件安装部分形成在所述底座中。
3.一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室； 安装在所述腔室上方的腔室盖；用于将外部提供的处理源喷射到所述基板上的源喷射组件，所述源喷射组件可拆卸地 安装在所述腔室盖中；以及用于冷却所述源喷射组件的温度的冷却组件，所述冷却组件安装在所述腔室盖内部。
4.根据权利要求3所述的化学汽相沉积设备，其中所述腔室盖包括 底座；用于提供所述处理源至所述源喷射组件的多个第一源供应孔，所述多个第一源供应孔 是通过贯穿所述底座以固定的间隔来形成的；支撑件安装部分，在所述支撑件安装部分中可拆卸地安装所述源喷射组件，所述支撑 件安装部分形成在所述底座的背面；以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装所述冷却组件，所述冷却组件安 装部分形成在所述底座中。
5.根据权利要求4所述的化学汽相沉积设备，其中所述源喷射组件包括 以固定间隔设置的多个源喷射管；用于支撑所述多个源喷射管的喷射管支撑件，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在所述 底座中；形成在所述喷射管支撑件中的多个第二源供应孔，所述多个第二源供应孔对应于所述 多个第一源供应孔；形成在各个源喷射管中的多个第三源供应孔，所述多个第三源供应孔对应于所述多个 第二源供应孔；以及用于喷射所述处理源到所述基板上的多个源喷射孔，所述多个源喷射孔以固定间隔形 成在各个源喷射管中。
6.根据权利要求1或5所述的化学汽相沉积设备，还包括具有多个开口的护罩，所述多 个开口对应于所述多个源喷射管，所述护罩可拆卸地安装在所述腔室盖的背面。
7.根据权利要求6所述的化学汽相沉积设备，其中所述开口以对应于所述多个源喷射 管的每个的纵向方向的条状形成，或者以对应于所述多个源喷射孔的每个的孔状形成。
8.根据权利要求1或5所述的化学汽相沉积设备，还包括用于密封所述多个第二源供 应孔的周围的密封件。
9.根据权利要求1或5所述的化学汽相沉积设备，其中所述喷射管支撑件支撑以“N” 个为一组提供的多个源喷射管，即支撑所述源喷射管中的包含“N”个的每一组。
10.根据权利要求2或4所述的化学汽相沉积设备，其中所述支撑件安装部分包括 在所述底座的背面中的彼此平行的第一插槽，在所述第一插槽中可拆卸地安装所述喷射管支撑件；以及以固定间隔设置在所述底座的背面中的多个第二插槽，所述多个第二插槽以直角与所 述第一插槽交叉，其中所述多个源喷射管分别安装在所述多个第二插槽中。
11.根据权利要求2或4所述的化学汽相沉积设备，其中所述冷却组件安装部分是通过 对所述底座的上表面进行刻槽而以多弯曲的形状来形成的。
12.根据权利要求2或4所述的化学汽相沉积设备，还包括用于将安装有所述冷却组件 的所述冷却组件安装部分覆盖的盖子。
13.根据权利要求2或4所述的化学汽相沉积设备，其中安装在所述冷却组件安装部分 中的所述冷却组件通过循环外部提供的冷却流体来将所述喷射管支撑件冷却至恒定温度。
14.根据权利要求13所述的化学汽相沉积设备，其中所述冷却流体是保持在预定温度 的空气、气体和水中的任意一种。
15.根据权利要求4所述的化学汽相沉积设备，还包括用于提供处理源至所述多个第 一源供应孔的多个源供应管。
16.根据权利要求1或15所述的化学汽相沉积设备，其中所述多个源供应管包括 用于提供第一处理源至所述多个第一源供应孔中的奇数第一源供应孔的第一源供应管；以及用于提供第二处理源至所述多个第一源供应孔中的偶数第一源供应孔的第二源供应管。
17.根据权利要求16所述的化学汽相沉积设备，其中所述第一处理源是H2O,所述第二处理源是二乙基锌DEZ。
全文摘要
一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉积设备，该设备包括具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；具有多个第一源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在腔室上方；用于提供处理源至多个第一源供应孔的多个源供应管；具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于多个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在腔室盖中；以及具有多个第三源供应孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由喷射管支撑件支撑，其中所述多个第三源供应孔由多个第二源供应孔提供处理源，所述多个源喷射孔喷射处理源到基板上。
文档编号C23C16/455GK101906619SQ20101018847
公开日2010年12月8日 申请日期2010年6月1日 优先权日2009年6月4日
发明者朴商基, 河政旼, 黄成龙 申请人:周星工程股份有限公司