一种中心导体加工模具的制作方法

文档序号:3369195阅读:329来源:国知局
专利名称:一种中心导体加工模具的制作方法
技术领域
本实用新型涉及微波隔离器用中心导体的批量生产,具体涉及一种中心导体的加 工模具。
背景技术
无线通信领域应用的微波隔离器的工作频率一般在300-5000MHZ,高频段的微波 隔离器对中心导体的精准度非常敏感,尺寸精度和表面光洁度会影响中心导体与微波铁氧 体的对中。现有技术的中心导体加工,多是通过机械加工方式进行,比如线切割或数控机床, 由于中心导体的材质为黄铜带或铍青铜带,切割后的产品边缘毛刺多,需增加打磨工序,通 过人工手动来去毛刺,导致生产效率相当低。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种生产效率高、提高产品质量的中心导体加工模具 结构。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种中心导体加工模具,包括 机台,所述机台上相连设置有清洁中心导体表面的清洁室、在中心导体表面设置防酸层的 丝印室、对中心导体酸蚀刻的蚀刻池以及去除防酸层的清洗池。本实用新型的有益效果是粗加工的中心导体在机台上依次通过清洁室清洁、丝 印室丝印防酸层、蚀刻池酸蚀刻和清洗池去除防酸层后得到的成品边缘无毛刺,各项性能 指标符合要求,在对中心导体进行批量生产时操作简单,极大提高生产效率。

图1是本实用新型的结构示意图;图2是本实用新型的加工后的中心导体示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。参照图1、图2所示,一种中心导体加工模具,包括机台1,所述机台1上相连设置 有清洁室2,用于清洁中心导体表面;丝印室3,用于在中心导体表面丝印防酸层;蚀刻池4, 用于对中心导体酸蚀刻;清洗池5,用于去除中心导体上的防酸层。粗加工的中心导体在机台1上依次通过清洁室2清洁、丝印室3丝印防酸层、蚀刻 池4酸蚀刻和清洗池5去除防酸层后得到的成品边缘无毛刺,各项性能指标符合要求,在对 中心导体进行批量生产时操作简单,极大提高生产效率。上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效,以及部分运用的实施例, 对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。
权利要求一种中心导体加工模具,包括机台(1),其特征在于所述机台(1)上相连设置有清洁中心导体表面的清洁室(2)、在中心导体表面设置防酸层的丝印室(3)、对中心导体酸蚀刻的蚀刻池(4)以及去除防酸层的清洗池(5)。
专利摘要本实用新型公开了一种中心导体加工模具,包括机台,所述机台上相连设置有清洁室、丝印室、蚀刻池以及清洗池,粗加工的中心导体在机台上依次通过清洁室清洁、丝印室丝印防酸层、蚀刻池酸蚀刻和清洗池去除防酸层后得到的成品边缘无毛刺,各项性能指标符合要求,在对中心导体进行批量生产时操作简单,极大提高生产效率。
文档编号C23G3/00GK201663221SQ201020107618
公开日2010年12月1日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者夏运海 申请人:东莞市亚马电子有限公司
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