专利名称：平板太阳能吸热镀膜板的生产装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能光热利用领域，特别涉及的是平板太阳能吸热镀膜板的生
产装置。
技术背景太阳能资源是21世纪的新能源，太阳能制冷、太阳能热水器、太阳能发电、海水净 化等都是重要的应用领域。选择性吸热薄膜具有可见光_近红外光区高吸收率、红外光区 高反射率的性能优点，其生产方法及装置成为太阳能利用技术的重要研究方向。目前所采 用太阳能选择性吸热薄膜的生产方法有以下几种类型，且都具有相应的局限性玻璃管真空管型将直径不同的两个玻璃管的两端封接在一起，两管之间的空间 形成封接时抽成真空，内管的外壁沉积有太阳能吸热涂层，吸收太能辐射能而使温度升高， 内部通水带走热能，完成光热转换过程。其不足之处在于碰撞易碎，断水时干烧易炸管，同 时在建筑节能一体化时不宜作为建筑外壁、房顶。普通平板吸热涂层采用电镀、刷涂等方式在金属基片上形成吸热涂层，其不足之 处在于外红光发射率高，太阳能吸收率低，太阳能利用效率低，同时这种生产方式对环境有
一定污染。电子枪蒸发和离子源辅助的方式沉积太阳能吸热涂层，这种方式具有沉积速率高 的优势。其缺点是单个电子枪所获得的镀材的蒸发云不足以覆盖基片的幅宽，需两支电子 枪合并使用才能满足宽度上的均勻性，同时由于沉积速率高，膜层厚度控制困难，对于沉积 金属层厚度仅为lOnm左右的介质-金属干涉膜组类型的太阳吸热膜层，光学厚度精度在2 至3nm左右时的控制更难实现。已有的连续镀膜装置如中国专利200420077693. 6所述，是一种对圆形玻璃管镀 膜，整个生产线从出口到进口到连续镀膜室如其权利要求1所述“构成闭环”，工件还要自 转，无法生产大面积(单张镀膜板的长度方向大于600毫米、宽度方向大于300毫米)的平 板太阳能吸热镀膜板
实用新型内容
鉴于以上原因，本实用新型的目的是为了克服以上不足，提供生产效率高的、膜层 厚度控制方便、工艺实现灵活、生产大面积(单张镀膜板的长度方向大于600毫米、宽度方 向大于300毫米)的，对环境污染程度小的生产平板太阳能吸热镀膜板的生产装置。本实用新型的目的是这样来实现的本实用新型平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，包括前真空锁定室、前保持室、至 少有3组磁控溅射靶与相应的溅射腔室的能在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波 反射层/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层、或者 在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜或金属介质复合 材料膜/减反射层、以此在基片上形成太阳能吸收功能膜的连续镀膜室、后保持室、后真空
3锁定室，磁控溅射靶及靶材，电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气系统，有能放置一 片或多片金属基片的由玻璃板或金属板制成的载片板，载片板以断续方式快速通过前保持 室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电 机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送载片板，在大气与前真空锁定室之间、后真空锁定室与 大气之间有真空阀门，前真空锁定室与前保持室之间，后保持室与后真空锁定室之间有真 空阀门，前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间有让载片板分批次按生 产节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室的真空阀门。该装置能在金属基片上磁控溅射沉 积太阳能吸收功能膜层，即从基片向外依次沉积红外光波反射层(金属膜)/至少一组由金 属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层(介质膜)，或者从基片向外依 次沉积红外光波反射层(金属膜)/吸热半导体材料膜或金属介质复合材料膜/减反射层 (介质膜)。装置包括至少5个镀膜功能室，分为前真空锁定室、前保持室、连续镀膜室(前、 后部分别设有缓冲室)、后保持室、后真空锁定室，它们之间有真空阀门，这些阀门的开启和 关闭使各室都能建立起镀膜工艺所需的l-gxio—ipa真空度，在大气与前(后)真空锁定室 之间，前(后)真空锁定室与前(后)保持室之间阀门开启关闭，载片板在转动辊的传送下 呈一块接一块的或几块为一批的方式有节奏的快速进入(退出)各室，前(后)保持室与 连续镀膜室之间的阀门开启关闭，载片板在转动辊的传送下呈一块接一块的或几块为一批 的方式有节奏的快速的进入(退出)连续镀膜室。上述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，在前保持室与连续镀膜室之间有载片 板由按生产节奏的断续快速的进片方式变为呈一块接一块的连续勻速行进方式进入连续 镀膜室的前缓冲区(或称前缓冲室)，基片上形成太阳能吸收功能膜后，连续镀膜室与后保 持室之间有使载片板呈一块接一块的连续勻速行进方式退出连续镀膜室后形成按生产节 奏的断续快速的出片方式的后缓冲区(或称后缓冲室)。当基片快速进入连续镀膜室之后， 转动辊的传动速度变为磁控溅射靶沉积工艺速度所需要的慢速的、连续的、勻速的载片板 运行速度，使分批次快速进入连续镀膜室的基片一片接一片或一批次接一批次的连续的经 过磁控溅射靶溅射沉积区，使片与片或批次与批次之间的距离变为尽可能的小，以使沉积 不间断、不空溅射，提高效率，减少空溅时靶材的浪费以及时间的浪费，节约成本。上述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，连续镀膜室至少3组磁控溅射靶及相 应的溅射腔室它们之间有隔板形成各自独立腔室，配有独立的抽真空系统，各自有独立磁 控溅射电源、工艺充气管路及控制单元系统，使靶、充气管道、真空抽气系统集成在一个靶 基座或腔室盖板上成为一个单独溅射模块。单独溅射模块可以放在连续镀膜室的任何工艺 需要的位置工作，以方便实现镀制不同膜系的吸热功能膜层。上述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，至少3组溅射靶及相应的溅射腔室之 间至少有一个基片得以通过的有狭缝的真空抽气室作为隔离腔室。溅射靶及相应的溅射腔 室之间至少有一个侧壁开有狭缝(能通过基片)的真空抽气室作为隔离腔室，不设门阀，通 过狭缝抽真空，若有2至3个隔离腔室，就可使溅射室之间真空度差一个数量级，以方便不 同靶腔实现不同的充气气氛和工艺条件，镀制不同材质的膜层。上述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，磁控溅射靶是直流平面靶、直流柱形 靶、中频交流平面靶、中频交流柱形靶、中频交流柱形旋转靶中的至少一种。因可以任意组 合，方便实现镀制不同膜系的吸热功能膜层，特别是干涉膜堆类型的膜系。可以采用不同金属材料的靶材用不同气氛气体实现化学计量比材质的膜层，也可以用陶瓷靶材直接镀制介 质膜。采用中频交流柱形旋转靶，可以提高溅射速率，提高生产效率，降低成本。本实用新型采用长度方向大于600毫米、宽度方向大于300毫米的大面积单张金 属片作为基片，基片放置在由玻璃板或金属板制成的载片板上，载片板上能放置一片或多 片金属基片，在水平布置的卧式镀膜装置上的连续镀膜室中，基片经过按照膜系配置的多 个溅射模块，基片从靶位下经过时依次沉积太阳能吸热功能膜中的红外光反射层/吸热功 能层/减反射层等膜层，本实用新型平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，能高效率的生产 膜层厚度控制方便、工艺实现灵活、大面积的平板太阳能吸热镀膜板，对环境污染小。本实 用新型生产的吸热镀膜板具有吸收率高、发射率低的优点，且生产效率高，成本低。
图1为本实用新型装置总体结构示意图。图2为本实用新型装置传送系统示意图。图3为本实用新型装置真空阀关闭时传送机构示意图。图4为本实用新型装置真空阀开启时传动机构示意图。图5为载片板传送方式示意图。图6为载片板另一传送方式示意图。图7为磁控溅射靶及对应的溅射腔室示意图。图8为图7 (单组)的俯视图。图9为本实用新型生产的平板太阳能吸热镀膜板结构示意图。(基片上沉积了由 金属膜组成的红外光波反射层/金属膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层)。图10为本实用新型生产的另一平板太阳能吸热镀膜板结构示意图(基片上沉积 了由金属膜组成的红外光波反射层/金属介质复合材料膜/减反射层)。图11为本实用新型生产的再一平板太阳能吸热镀膜板结构示意图(基片上沉积 了由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜/减反射层)。图12为本实用新型装置另一总体结构俯视示意图。图13为本实用新型装置再一总体结构俯视示意图。
具体实施方式
实施例1 图1 图9给出了本实施例1图。参看图1，本实施例1中的装置包括上片区1， 前真空锁定室2，前保持室3，连续镀膜室4，，后保持室5，后真空锁定室6，下片区7，以及连 接各室的真空阀门88a、8b、8c、8d、8f)，其中8a、8f分别是前、后真空锁定室与外界大气之 间的真空阀门，在连续镀膜室4的前、后端分别为前缓冲室4M、后缓冲室4N。在连续镀膜室 4内，按照实现沉积图9所示基片27上沉积由金属膜组成的红外光波反射层28/金属膜30 与介质膜29组成的干涉膜堆(两组)/减反射层31 (本实施例1太阳能吸热膜系具体为基 片/A1红外光反射层/A1N-不锈钢干涉复合膜(两组)/A1N减反射层)，在磁控溅射靶的 配置上，依次分布在8个磁控溅射靶及其相应的溅射腔室10a、10b、10c、10d、10e、lOf、10g、 lOh,依次为2个B革巴(10a、10b) /I个A靶(10c) /I个B靶(lOd) /I个A靶(lOe) /I个B靶(10f)/2个A靶(10g、10h) (A靶为用于镀制介质膜或金属-介质复合膜或吸热半导体膜的 中频交流柱形旋转靶或中频交流平面靶，B靶位用于镀制金属膜层或红外光波反射膜层的 直流平面靶)。各溅射腔室之间存在隔离腔室9(9a、9b、9C、9d、9e、9f、9g9h)以实现各溅射 腔室的工作气氛环境的独立。本装置中还设有电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气 系统。图2是本实施例装置中传送系统示意图中，载片板传送系统是由减速机11通过链 条13带动的辊轴12构成，辊轴12贯穿前后(上片区1开始，到下片区7)。减速机11 (11a、 llb、llc、lld、lle、llf、llg、llh、lli)的转速可调，可各自单独控制。图3、图4是传送机构示意图，减速机ll(lla-lli)与辊轴12通过链条(也可用齿 型带)相连，各辊轴的两端用轴承固定在腔室的底部。辊轴与辊轴之间设有托块14(也可 不设托块14)，在真空阀门8的两侧也设有托块15 (也可不设托块15)，目的是使载片板16 在辊轴上行进时其前端不至于窜入辊轴之下。随真空阀门8的开闭(图3为真空阀门8关 闭，图4为真空阀门8开启时)配合垫板15，在载片板16跨越真空阀门8时帮助载片板16 顺利跨过。图5、图6为本实施例装置的载片板传送方式示意图，图5为本实施例装置所采用 的载片板一块接一块传送方式。基片27放置在载片板16上，从上片区1进入前真空锁定 室2、前保持室3及从后保持室5退出到后真空锁定室6、下片区7，伴随真空阀门8a、8b、8e、 8f的开启关闭，呈现出快速的、断续的、有节奏的传送特点。而在前、后保持室(3和5)真空 阀门(8c和8d)的开启和关闭时，载片板快速的送人或退出连续镀膜室内的缓冲区(4M和 4N)，断续的按节奏进入、退出的基片在转动轴的减速传送下(传送节奏、速度发生变化)， 呈一片接一片连续勻速的进行均勻的沉积膜层，载片板与载片板之间的距离为20毫米至 500毫米。图6是本实施例装置可以采用的另一种传送方式，即一批接一批的方式，这种方 式增加真空阀门8开启、关闭时每一次进出本实施例装置的载片板数目，提高生产效率。图7、图8为本实施例中连续镀膜室内磁控溅射靶及对应的溅射腔室示意图(图 7、图8分别为侧视图和俯视图)。磁控溅射靶23及相应的溅射腔室32之间由隔板17分 割而形成各自独立的腔室，溅射腔室32之间有一个载片板16和基片27得以通过的有狭缝 33的真空抽气室作为隔离腔室34，可开启的靶腔箱盖18压在腔室之上(压力面有真空密 封圈)。位于靶腔箱盖上面分子泵19由气道20通入腔室，同时通过气管21与机械泵(图 中未画出)相连，构成单独的真空抽气系统；两根充气管22横贯位于溅射靶23两侧，纵贯 这个腔室，其端头经过混气箱24连接到分别控制沉积太阳能吸热功能膜所需的工艺气体 氩气、氮气和氧气的三个气体流量计25a、25b、25c的出口，形成了单独的充气控制系统。溅 射靶23为直流平面靶，通过靶腔箱盖18上的电源接头26连接到溅射电源，形成单独的溅 射靶系统。溅射靶23还根据不同的需要采用为中频交流柱形旋转靶、中频交流平面靶。上 述真空抽气系统、充气控制系统、溅射靶都集成在靶腔箱盖(靶基座)18上，形成了一个独 立的溅射模块，可按不同膜系的工艺要求移动。本实施例装置工作时，以大面积单张金属片作为太阳能镀膜板的基片27，基片27 放置在由玻璃板(或金属板)制成的载片板16上，载片板16上能放置一片或多片金属基 片，载片板以断续方式通过卧式镀膜装置中的前真空锁定室2、前保持室3、前缓冲区4M，进 入到连续镀膜室4中，连续镀膜室4有8组磁控溅射靶与相应的溅射腔室，载片板进入连续
6镀膜室由减速机拖动的水平布置转动辊轴12 —块接一块的、连续勻速的传送，基片经过磁 控溅射靶与相应的溅射腔室，在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/金属膜 与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层，以此在基片上形成太阳能吸收功能膜，连续镀膜室 后有后缓冲区4N、后保持室5和后真空锁定室6，外界大气与前真空锁定室之间、前真空锁 定室与前保持室之间、前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间、后保持室 与后真空锁定室之间、后真空锁定室与外界大气之间设有真空阀门，当前后真空锁定室和 前后保持室的真空度达到连续镀膜室的镀膜工作真空度1-9X lO—ipa，他们之间的真空阀门 开启让基片分批次按节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室，前后真空锁定室与大气之间 的阀门开闭一次进出载片板一批为一个生产节奏，载片板与载片板之间的距离为20毫米 至500毫米，基片上形成太阳能吸收功能膜后，依次从后缓冲区、后保持室和后真空锁定室 出来，生产出平板太阳能吸热镀膜板。本实施例中，为了沉积图9所示介质-金属干涉叠堆类型的一种太阳能吸热膜系 基片/A1红外光反射层/两组A1N介质层-不锈钢干涉复合层/A1N介质反射层，在磁控溅 射靶配置如下溅射靶10a、10b用于沉积采用直流平面靶，靶材为铝，只充入溅射气体Ar ； 10cU0eU0gU0h采用中频交流柱形旋转靶，靶材为不锈钢，充入溅射气体Ar和反应气体 N2 ； 10d、10f采用直流平面靶，只充入溅射气体Ar。具体工艺如下
靶位本底真空 度(Pa)充气(seem) Ar/N2/02工作候 真空度(Pa)溅射功率 (KW)基片传送速度 (m/min)10a、 10b3X10"3380/0/02-5 X10"1250. 610c3X10"210/100/02-5X10"'2510d3X10 3210/0/02-5 X 10"'3lOe3X10"!215/90/02-5 X10"128lOf3X10"3215/0/02-5X10"'1. 510h、 lOg3X10"3206/125/02-5 X10"114本实施例所获得的“干涉膜堆”类型太阳能吸热镀膜板(膜系为基片/A1红外光 反射层/A1N-不锈钢干涉复合层(两组)/AlN减反射层)的镀膜层厚度依次为60-200nm、 20-80nm、10-20nm、20-80nm、6-12nm、20-80nm，优化厚度依次为 120-180nm、40_70nm、 12-18nm、40-70nm、6-10nm、40-70nm，经过光谱测试、计算，其太阳能吸收率为93%，发射率 为6%。实施例2 图2 图8、图10、图12给出了本实用新型实施例2图。本实施例2基本与实施 例1同，不同处是本实施例主要沉积图10所示的氮氧化物的“吸热半导体材料膜系”类型 的一种太阳能吸热镀膜板，选用的膜系为基片27/A1红外光反射层28/CrNiOyNx半导体吸 收层(吸热半导体材料膜)35/SiN减反射层36，以2000X1000X0. 2mm的铝材为基片。镀 膜装置的所采用的传动系统、传动机构、基片的传送方式、溅射靶及其对应的溅射腔室的结构都与实施例1中图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8所示结构和方式一样，只是根据所沉 积的太阳能吸收膜系的不同，连续镀膜室内的溅射靶及其对应的腔室的配置做了调整，参 见图12。图12为本实施例装置总体结构示意图(俯视图)，其包括的上片区1、前真空锁 定室2、前保持室3、连续镀膜室4、后保持室5、后真空锁定室6、下片区7、真空阀8 (8a-8f) 以及连续镀膜室4的前、后端的前、后缓冲室4M、4N都与实施例1中图1所示的一样。在连 续镀膜室4内，依据要沉积的基片/A1红外光反射层/CrNiOyNx半导体吸收层/SiN减反 射层的膜系，其中CrNiOyNx中的0、N的含量在充气时调整(可见下表内充气一栏)，在溅 射靶的配置上，依次分布在7个溅射靶及其相应的溅射腔室10 (10a-10g)，依次为2个B靶 (10a、10b)/3个A靶(10c、10d、10e)/2个A靶(10f、10g)。各溅射腔室之间存在隔离腔室 9 (9a-9f)以实现各溅射腔室的工作气氛环境的独立。10aU0b用于沉积在基片上的A1红外光反射层，采用直流平面靶，铝靶材，只充入 溅射气体Ar ； 10c、10d、10e用于沉积CrNiOyNx半导体吸收层，其中CrNiOyNx中的0、N的含 量在充气时调整(可见下表内充气一栏)，采用中频交流柱形旋转靶，靶材为CrNi合金，充 入流量一样溅射气体Ar和反应气体02、N2 ； 10g、10h用于沉积SiN减反射层，采用中频交流 平面靶，充入Ar、N2。具体工艺如下 溅射靶10c、10d、10e用于沉积同一种膜层，且工艺参数一样，所在本实例中的 10c、10d、10e之间不采用隔离腔室。本实施例中所沉积的基片/A1红外光反射层/CrNiOyNx半导体吸收层/SiN减 反射层这一膜系中镀膜层厚度依次为80-200nm，60-160nm, 20-100nm,优化厚度依次为 100-160nm，80-140nm，40-80nm，经过光谱测试、计算，其太阳能吸收率为90. 5%，发射率为9%。实施例3 图2 图8、图11、图13给出了本实用新型实施例3图。本实施例3基本与实施 例1同，不同处是本实施例3主要沉积图11所示的“金属介质复合材料膜”(或称为“掺杂 金属的介质材料”)类型的一种太阳能吸热镀膜板，需用的膜系为基片27/A1红外光反射层 28/AlNx金属-介质复合材料层37/AlNy金属-介质复合材料层38/A1N减反射层39，其中 AINx中A1的填充因子高于AINy中A1的填充因子，同样也采用以2000 X 1000 X 0. 2mm的铝 材为基片。[0047]本实施例装置所采用的传动系统、传动机构、基片的传送方式、磁控溅射靶及其对 应的溅射腔室的结构都与实施例1中图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8中所示结构和方 式一样，只是根据所沉积的太阳能吸收功能膜系的不同，连续镀膜室内的磁控溅射靶及其 对应的腔室的配置做了调整，参见图13。图13为本实施例装置总体结构示意图(俯视图)，其包括的上片区1、前真空锁定 室2、前保持室3、连续镀膜室4、后保持室5、后真空锁定室6、下片区7、真空阀8 (8a-8f)以 及连续镀膜室4的前、后端的前、后缓冲室4M、4N都与实施例1中图1所示的一样。在连续 镀膜室4内，按所沉积基片/A1红外光反射层/AINx金属-介质复合材料层/AINy金属-介 质复合材料层/A1N减反射层的膜系，在溅射靶的配置上，依次分布在8个溅射靶及其相应 的溅射腔室10 (10a-10h)，依次为2个B革巴(10a、10b) /2个A靶(lOcUOd) /2个A靶(10e、 10f) /2个A靶(10g、10h)。各溅射腔室之间存在隔离腔室9 (9a-9m)，以实现各溅射腔室的 工作气氛环境的独立。10a、10b用于沉积在基片上的A1红外光反射层，采用直流平面靶，铝靶材，只充入 溅射气体Ar ； 10cU0d用于沉积AINx金属-介质复合材料层，采用中频交流柱形旋转靶，靶 材为A1，充入流量一样的溅射气体Ar和反应气体N2 ； 10eU0f用于沉积AINy金属-介质复 合材料层，采用中频交流柱形旋转靶，靶材为A1，充入溅射气体Ar和反应气体N2，但N2气 氛比例更大(即A1由70%逐渐下降到30%，而N由30%逐渐上升到70%，AINy与AINx区 别就在于此，其中y和x是表示两种A1N所含A1、N成份比例不同)；10g、10h用于沉积A1N 减反射层，采用中频交流平面靶，充入Ar、N2。具体工艺如下 工作真空度(Pa)为2-5 X 10—1本实施例中所沉积的基片/A1红外光反射层/AINx金属-介质复合材料层/AINy 金属_介质复合材料层/A1N减反射层膜系的各层厚度依次为80-200nm、20-60nm、40-80nm、 50-90nm，优化厚度依次为120-170nm、30-50nm、50-70nm、60-80nm，经过光谱测试、计算，其 太阳能吸收率为95. 5%，发射率为8%。上述各实施例是对本实用新型的上述内容作进一步的说明，但不应将此理解为本 实用新型上述主题的范围仅限于上述实施例。凡基于上述内容所实现的技术均属于本实用 新型的范围。
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权利要求平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，包括前真空锁定室、前保持室、至少有3组磁控溅射靶与相应的溅射腔室的能在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层、或者在基片上依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/吸热半导体材料膜或金属介质复合材料膜/减反射层、以此在基片上形成太阳能吸收功能膜的连续镀膜室、后保持室、后真空锁定室，磁控溅射靶及靶材，电源，工艺气体进气管及控制系统，真空抽气系统，其特征在于有能放置一片或多片基片的由玻璃板或金属板制成的载片板，载片板以断续方式快速通过前保持室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送载片板，在大气与前真空锁定室之间、后真空锁定室与大气之间有真空阀门，前真空锁定室与前保持室之间，后保持室与后真空锁定室之间有真空阀门，前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间有让载片板分批次按生产节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室的真空阀门。
2.如权利要求1所述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，其特征在于在前保持室与 连续镀膜室之间有载片板由按生产节奏的断续快速的进片方式变为呈一块接一块的连续 勻速行进方式进入连续镀膜空的前缓冲区，基片上形成太阳能吸收功能膜后，连续镀膜室 与后保持室之间有使载片板呈一块接一块的连续勻速行进方式退出连续镀膜室后形成按 生产节奏的断续快速的出片方式的后缓冲区。
3.如权利要求1或2所述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，其特征在于连续镀膜 室至少3组磁控溅射靶及相应的溅射腔室之间有隔板形成各自独立腔室，配有独立的抽真 空系统，各自有独立磁控溅射电源、工艺充气管路及控制单元系统，使靶、充气管道、真空抽 气系统集成在一个靶基座或腔室盖板上成为一个单独溅射模块。
4.如权利要求1或2所述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，其特征在于至少3组 磁控溅射靶及相应的溅射腔室间至少有一个基片得以通过的有狭缝的真空抽气室作为隔 离腔室。
5.如权利要求1或2所述的平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，其特征在于磁控溅射 靶是直流平面靶、直流柱形靶、中频交流平面靶、中频交流柱形靶、中频交流柱形旋转靶中 的至少一种。
专利摘要本实用新型提供了平板太阳能吸热镀膜板的生产装置，包括前真空锁定室、前保持室、连续镀膜室、后保持室和后锁定室，其特征是有能放置一片或多片基片的由玻璃板或金属板制成的载片板，载片板以断续方式快速通过前保持室和前真空锁定室和同样以断续方式快速通过后保持室和后真空锁定室的传送机构是电机拖动转动辊轴，辊轴表面摩擦传送载片板，在大气与前真空锁定室之间、后真空锁定室与大气之间有真空阀门，前真空锁定室与前保持室之间，后保持室与后真空锁定室之间有真空阀门，本实用新型生产的吸热镀膜板具有吸收率高、发射率低的优点。本实用新型生产效率高，成本低。
文档编号C23C14/35GK201648516SQ20102015999
公开日2010年11月24日 申请日期2010年4月15日 优先权日2010年4月15日
发明者甘国工 申请人:甘国工