镀膜件及其制造方法

文档序号:3417834阅读:347来源:国知局
专利名称:镀膜件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及其制造方法。
背景技术
现有技术,采用阳极氧化处理的方式在铝或铝合金表面形成一阳极氧化膜,在一 定程度上可改善铝或铝合金基体的硬度、耐磨性、耐腐蚀性及装饰性,但阳极氧化膜存在表 面粗糙、暗哑的缺点。
采用喷涂的方式于阳极氧化膜上喷涂一透明油漆层,可改善阳极氧化处理产品表 面的触感;但喷涂过程中容易产生积漆、油漆层厚度不均等不良现象,且喷涂形成的涂层厚 度较厚,如此将导致阳极氧化膜的颜色发生偏差、光泽度下降。此外,喷涂工艺易于造成环 境污染。用真空镀膜方式代替喷涂形成一透明状的真空镀膜层可解决上述技术问题,但由 于阳极氧化膜与真空镀膜层之间存在较大的内应力,易于导致膜层发生开裂、剥落等现象。发明内容
鉴于此,本发明提供一种可解决上述问题的镀膜件。
另外,本发明还提供一种上述镀膜件的制造方法。
一种镀膜件,包括基体、依次形成于基体上阳极氧化膜、结合层及真空镀膜层,所 述结合层为钛层或铬层,所述真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。
一种镀膜件的制造方法,其包括如下步骤提供基体;通过阳极氧化处理的方式,在该基体的表面形成阳极氧化膜;对所述阳极氧化膜表面进行抛光处理;采用真空镀膜法,以钛靶或铬靶为靶材,在抛光后的阳极氧化膜上形成结合层,该所述 结合层为钛层或铬层;采用真空镀膜法,以硅靶或铝靶为靶材,以氧气为反应气体,在结合层上形成真空镀膜 层,该真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。
本发明对所述阳极氧化膜进行抛光处理,且所述结合层及真空镀膜层均为无色透 明状,使所述镀膜件在呈现阳极氧化处理的外观的同时呈现出高的光泽度。所述结合层的 形成可提高所述真空镀膜层与阳极氧化膜之间的结合力,进而避免所述阳极氧化膜与真空 镀膜层直接结合而导致真空镀膜层发生开裂、剥落等现象。所述真空镀膜层本身具有良好 的硬度及耐磨性,可增强所述镀膜件的硬度及耐磨性。此外,该镀膜件的制造方法较为环保 且良率较好。


图1是本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图;图2是本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种镀膜件,包括基体及形成于基体表面的阳极氧化膜,其特征在于所述镀膜件还包括依次形成于该阳极氧化膜表面的结合层及真空镀膜层,所述结合层为钛层或铬层,所述真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。
2.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述结合层通过真空镀膜的方式形成。
3.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述结合层的厚度为15 40nm。
4.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述真空镀膜层的厚度为f1. 8μπι。
5.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述结合层为无色透明状。
6.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述真空镀膜层为无色透明状。
7.一种镀膜件的制造方法,其包括如下步骤 提供基体; 通过阳极氧化处理的方式,在该基体的表面形成阳极氧化膜; 对所述阳极氧化膜表面进行抛光处理; 采用真空镀膜法,以钛靶或铬靶为靶材,在抛光后的阳极氧化膜上形成结合层,该结合层为钛层或铬层; 采用真空镀膜法,以硅靶或铝靶为靶材,以氧气为反应气体,在结合层上形成真空镀膜层,该真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。
8.如权利要求7所述的镀膜件的制造方法,其特征在于形成所述结合层的方法为采用磁控溅射镀膜法,设置钛靶或铬靶的功率为6 15kw,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(T300SCCm,施加于基体的偏压为-10(T-300V,镀膜温度为1(T200°C,镀膜时间为5 IOmin0
9.如权利要求7所述的镀膜件的制造方法,其特征在于形成所述结合层的方法为采用磁控溅射镀膜法,设置硅靶或铝靶的功率为6 15kw,以氧气为反应气体,调节氧气的流量为5(T200sccm,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(T300sccm,施加于基体的偏压为-10(T-300V,镀膜温度为1(T200°C,镀膜时间为3(T40min。
10.如权利要求7所述的镀膜件的制造方法,其特征在于所述抛光处理的工艺为采 用一抛光机,所述抛光机包括一布轮,将含有氧化铝粉末的悬浮状水溶液涂覆在该布轮上,对所述阳极氧化膜的表面进行抛光,抛光的时间为3(T50min。
全文摘要
本发明提供一种镀膜件,包括基体、依次形成于基体上阳极氧化膜、结合层及真空镀膜层,所述结合层为钛层或铬层,所述真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。该镀膜件呈现出高光泽的阳极氧化处理的外观,且所述结合层的形成可提高所述真空镀膜层与阳极氧化膜之间的结合力,进而避免所述阳极氧化膜与真空镀膜层直接结合而导致真空镀膜层发生开裂、剥落等现象。本发明还提供了所述镀膜件的制造方法。
文档编号C23C28/00GK103009705SQ201110287749
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月26日 优先权日2011年9月26日
发明者陈正士, 李聪 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司
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