专利名称：非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子设备和太阳能电池技术，特别涉及一种在非晶硅薄膜的化学气相沉积过程中进行H2吹扫的装置。
背景技术：
非晶硅薄膜太阳能电池是20多年来国际上新发展起来的一项太阳能电池新技术。非晶硅薄膜太阳能电池的硅材料厚度只有1微米左右，是单晶硅太阳能电池硅材料厚度的1/200-1/300，与单晶硅太阳能电池相比，制备这种薄膜所用硅原料很少，薄膜生长时间较短，设备制造简单，容易大批量连续生产，根据国际上有关专家的估计，非晶硅薄膜太阳能电池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太阳能电池。非晶硅材料是由气相沉积形成的，目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相沉积(PECVD)法。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD 称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。薄膜化学气相沉积是非晶硅薄膜太阳能电池的规模化生产的核心工艺，实现该工艺的核心设备是电极盒。目前在进行薄膜化学气相沉积时，一般需要将电极盒的进气口通过不同管道同时与多个的配气箱连接，然后根据不同的镀膜层控制配气箱的气体压力和流量来完成镀膜。目前的化学气相沉积工艺在镀膜过程中很容易受到杂质的交叉污染，因此其工艺重复性较差，进而会对非晶硅材料的光致衰减性造成一定影响。
实用新型内容针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种能提高化学气相沉积工艺重复性，抑制非晶硅薄膜光致衰减性的装置。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案—种非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，包括一电极盒，所述电极盒的进气口通过一进气管道与一 H2配气箱连接，所述电极盒的出气口通过一排气管道与一工艺泵连接， 所述进气管道、排气管道上均设有气动阀。优选的，所述电极盒的进气口、出气口处均设有勻气板。优选的，所述电极盒为单腔多层结构。优选的，所述进气管道上还设有调压阀和手动隔膜阀。上述技术方案具有如下有益效果进行气相沉积时采用该装置可在非晶硅、微晶硅P和I层镀膜前进行氢气吹扫，从而减少杂质交叉污染，提高工艺重复性；同时进行氢气吹扫可调节本征层与P或η层介面的硅被打断共价键所产生的空缺或多余的氢原子，改善本征层与P或N层的界面态，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰减性。上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式
由以下实施例及其附图详细给出。
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选的实施例进行详细介绍。如图1所示，该非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置包括一电极盒1，该电极盒采用单腔多层结构。电极盒的进气口 1通过一进气管道4与一 H2配气箱2连接，电极盒1的出气口通过一排气管道5与一工艺泵3连接，电极盒1的进气口、出气口处均设有勻气板，这样可使进气、排气更加的均勻。进气管道4上设有气动阀7、调压阀8和手动隔膜阀9，排气管道5上设有气动阀6。在进行气相沉积过程中在非晶硅、微晶硅P和I层镀膜前，可将进气管道4上的气动阀7打开同时将排气管道5上的气动阀6关闭向电极盒1内充气，然后再将气动阀7关闭、将气动阀6打开进行排气，从而完成对电极盒1内的氢气吹扫。通过氢气吹扫，可减少杂质交叉污染，提高工艺重复性；同时进行氢气吹扫可调节本征层与P或η层介面的硅被打断共价键所产生的空缺或多余的氢原子，改善本征层与P或N层的界面态，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰减性。以上对本实用新型实施例所提供的非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有所改变，因此本说明书内容仅用来于对本实用新型实施例进行说明，不应理解为对本实用新型的限制，凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，包括一电极盒，其特征在于所述电极盒的进气口通过一进气管道与一 H2配气箱连接，所述电极盒的出气口通过一排气管道与一工艺泵连接，所述进气管道、排气管道上均设有气动阀。
2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，其特征在于所述电极盒的进气口、出气口处均设有勻气板。
3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，其特征在于所述电极盒为单腔多层结构。
4.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，其特征在于所述进气管道上还设有调压阀和手动隔膜阀。
专利摘要本实用新型公开了一种非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置，包括一电极盒，所述电极盒的进气口通过一进气管道与一H2配气箱连接，所述电极盒的出气口通过一排气管道与一工艺泵连接，所述进气管道、排气管道上均设有气动阀。进行气相沉积时采用该装置可在非晶硅、微晶硅P和I层镀膜前进行氢气吹扫，从而减少杂质交叉污染，提高工艺重复性；同时进行氢气吹扫可调节本征层与p或n层介面的硅被打断共价键所产生的空缺或多余的氢原子，改善本征层与P或N层的界面态，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰减性。
文档编号C23C16/24GK202201967SQ20112028492
公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月5日 优先权日2011年8月5日
发明者郭锋 申请人:上海曙海太阳能有限公司