专利名称：一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空镀膜技术，特别是一种高透氧化铟锡(ITO)玻璃的不同膜层在线镀的装置。
背景技术：
氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃由ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜、二氧化硅(SiO2)膜和超薄基片玻璃组成。ITO膜作为透明导电极，(Si O2)膜镀在ITO膜和基片玻璃之间，作为阻挡层，防止玻璃中的碱金属离子扩散到ITO膜中，影响其导电性能。应用中频双靶反应溅射制备二氧化硅(Si O2)膜的工艺具有沉积速率高的特点， 但是在反应磁控溅射制备二氧化硅(Si O2)的过程中，为了从Si靶上溅射出Si原子与02化合，需要充入比较多的02，02/Ar约为10% 50%(根据sio2折射率需求具体情况而定)，而在制备ITO膜过程中，只需冲入少量氧气( )，02/Ar约为1% 5%。这样，在实现反应溅射制备SiO2膜与ITO膜联镀时，就遇到反应溅射Si O2镀膜室的反应气体氧有可能漂移到 ITO镀膜室(生产上习惯用语称为“串气”)，，从而造成对ITO工艺影响的问题。如何减小串气，降低Si O2膜的生产成本，并与ITO膜的在线连镀不仅是我国而且也是国际上ITO产业面临的瓶颈难题。在中国实用新型专利说明书ZL 01258489.4中公开了具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线连镀装置，包括前端过渡真空室、ITO镀膜室和后端过渡真空室，前、 后端过渡真空室、ITO镀膜室分别接有抽气泵，其特征在于在前端过渡真空室和ITO镀膜室之间设置有中频反应磁控溅射Nb2O5和SiO2镀膜室和气体隔离装置，气体隔离装置由隔离室和抽气泵组成，隔离室连接抽气泵，隔离室的前端连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室， 隔离室的后端连接ITO镀膜室。气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成。 采用该实用新型有效的技术效果在于1、通过在二氧化硅(SiO2)镀膜室与氧化铟锡(ITO) 镀膜室之间设置两个隔离室，并通过分子泵和扩散泵进行抽气，巧妙地减少甚至隔离了连通的SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间不同气氛的相互影响，尽可能地保持各自要求的工作状态，实现了二氧化硅(SiO2)膜与氧化铟锡(ITO)膜的在线连镀。2、将中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置用于ITO玻璃生产设备上，利用中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜具有速率高、成本低等的优点，提高了产品的产量和质量，降低了生产成本。但是设置两个隔离室、溅射制备相对过多，实际上只是提高了产品的质量，生产产量并没多大提高和生产成本没有太大降低。随着人们对生产的要求不断提高，在现有的生产实践中，为了更好地隔离氧气在上述实用新型的隔离室两边各需要一个如
图1缓冲室甚至于几个缓冲室，真空室与缓冲室之间采用独立插板阀或者翻板阀隔开，其实密封效果并不好。这样在镀膜线的制作过程中就增加了成本，由于过度缓冲箱体的增加，在相同箱体的前提下镀膜靶位的减少，所以不利于充分利用设备和增加产能。发明内容本实用新型为了克服以上现有技术存在的缺点提出的，其所解决的技术问题是提供一种能够减小串气同时又能降低镀膜的生产成本、提高产能的高透氧化铟锡(ITO)玻璃不同膜层在线连镀的装置。为此，本实用新型提供了一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，主要依序连接有前端进片过渡真空室段1、Nb2O5 (五氧化二铌)镀膜室2、SiO2 (二氧化硅)镀膜室段3、SiO2 镀膜室4、隔离室5、ITO镀膜室6、ITO镀膜室7和后端出片过渡真空室段8，其特征在于 SiO2镀膜室4与ITO镀膜室6之间只有一个隔离室5、在前端进片过渡真空室段1和隔离室 4之间设置有一个Nb2O5 (镀膜室2和中频反应磁控溅射SiO2镀膜室3、Si02镀膜室4、后端出片过渡真空室段和隔离室之间有两个ITO镀膜室6、7 ；采用上述结构的一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，由于减少了隔离室，增加了一个SiO2镀膜室4和一个ITO镀膜室6，在不增加镀膜箱体的情况下，加大了整条镀膜线的产能，节约了成本。去掉了过渡室两边的插板阀，消除了 2个插板阀可能出现的故障。增加了镀膜线运作的稳定性。作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的进一步改进，SiO2镀膜室4装有1对中频孪生靶和3台分子泵。作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的进一步改进，隔离室5 装有三台分子泵。作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的进一步改进，ITO镀膜室6装有1对直流ITO靶和三台分子泵。采用上述技术方案，本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置有效的技术效果在于在镀膜线箱体不减少的情况下，减少了隔离室同时改变靶位的排布位置，增加了一对中频孪生靶位和一对直流ITO靶位，利用增加的分子泵抽取多余的氧气，使得氧气不易窜入到ITO镀膜箱体内，而且由于镀膜靶位的增加，各镀膜材料能更加合理的配合。可以适应不同膜层厚度的需要；加大了整条镀膜线的产能，节约了成本。
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细的说明。
图1为现有技术中的连镀箱体生产线结构示意图。图2为本实用新型的结构示意图。图中，1为前端进片过渡真空室段、2为Nb2O5镀膜室、3为SiO2镀膜室段、4为SiO2 镀膜室、5为隔离室、6为ITO镀膜室、7为ITO镀膜室、8为后端出片过渡真空室段、9为分子泵、10为直流靶、11为中频孪生靶、12为为直流ITO靶、41为过度缓冲箱、61为过度缓冲箱、13为插板阀。
具体实施方式
如
图1所示为现有技术中的连镀箱体生产线，隔离室5两边有过度缓冲箱41和过度缓冲箱61，镀膜设备中运用插板阀13或者翻板阀将前半段的反应所需的氧气隔离，然后再在后半段镀ITO导电层。但是利用了插板阀13或者翻板阀和隔离室5后，需要有好几个过度缓冲箱体(41、61)，这样在镀膜线的制作过程中就增加了成本，而且由于过度缓冲箱体 (41,61)的增加，在相同箱体的前提下镀膜靶位的减少，不利于充分利用设备和增加产能。 作为对现有技术的改进，本实用新型去掉了如
图1所示的隔离室5两侧的插板阀13和变换了过度缓冲箱(41、61)的功能，并改变了 ITO镀膜室6、7的直流ITO靶12和三台分子泵9
相互位置。如图2所示，一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，主要依序连接有前端进片过渡真空室段1、Nb2O5 (直流反应溅射)镀膜室2、SiO2镀膜室段3、SiO2镀膜室4、隔离室5、 ITO镀膜室6、IT0镀膜室7和后端出片过渡真空室段8，其特征在于SiO2镀膜室4与ITO 镀膜室6之间只有一个隔离室5、在前端过渡真空室段1和隔离室5之间设置有一个Nb2O5 镀膜室和六个中频反应磁控溅射SiO2镀膜室(5个SiO2镀膜室段3和1个SiO2镀膜室4)、 后端出片过渡真空室段7和隔离室4之间有ITO镀膜室6、ITO镀膜室7 ；本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的一优选实例是，Nb2O5镀膜室2 装有一对直流靶11和二台分子泵9 ；作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的进一步改进，SiO2镀膜室段3每个室内装有一对中频孪生靶11和2台分子泵9 ；作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的一优选实例是，隔离室 5装有三台分子泵9。作为对本实用新型一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置的一优选实例是，ITO镀膜室6装有1个直流ITO靶12和三台分子泵9 ； ITO镀膜室7装有二个直流ITO靶12和二台分子泵9。工作过程载有基片玻璃的基片架由前道工序经过前端进片过渡真空室段1，经直流靶10和中频孪生靶11反应磁控溅射制备Nb2O5和SiO2膜装置在其玻璃基片表面镀上 15—20nm厚的Nb2O5薄膜和90—100nm厚的膜，分子泵(9)抽取多余的氧气，使得氧气不易窜入到ITO镀膜箱体内。SiO2镀膜后，经过气体隔离室5进入ITO镀膜室(6、7)，在ITO 镀膜室(6、7)内，在己镀有SiO2膜的基片玻璃上面，再镀上一层25nm左右厚度的ITO透明导电膜，最后后端过渡真空室8进入下面的工艺室，膜层均勻性士2%。本实用新型在不改变镀膜线箱体的基础上，改变靶位的排布位置，减去少了过度缓冲箱(41、61)，中间只有一个隔离室5、通过增加了 SiO2镀膜室4和ITO镀膜室6、同时增加了一对中频孪生靶11和一对直流ITO靶12、再在SiO2镀膜室4、隔离室5和ITO镀膜室 6增加一台分子泵抽取多余的氧气，使得氧气不易窜入到ITO镀膜箱体内，充分的利用了箱体，这样我们在不增加镀膜箱体的情况下，加大了整条镀膜线的产能，节约了成本。
权利要求1.一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，主要依序连接有前端进片过渡真空室段 (1)、Nb2O5镀膜室(2)、SiOd^I膜室段(3)、SiO2镀膜室(4)、隔离室(5)、ITO镀膜室(6)、ITO 镀膜室(7)和后端出片过渡真空室段(8)，其特征在于SiO2镀膜室(4)与ITO镀膜室(6) 中间的只有一个隔离室(5)。
2.根据权利要求1所述的一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，其特征在于所述 SiO2镀膜室(4)装有1对中频孪生靶(11)和3台分子泵(9)。
3.根据权利要求1所述的一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，其特征在于所述隔离室(5)装有三台分子泵(9)。
4.根据权利要求1所述的一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，其特征在于所述ITO 镀膜室(6)装有1对直流ITO靶(12)和三台分子泵(9)。
专利摘要本实用新型公开了一种高透氧化铟锡玻璃在线连镀装置，主要依序连接有前端进片过渡真空室段1，Nb2O5镀膜室2，SiO2镀膜室段3、SiO2镀膜室4、隔离室5、ITO镀膜室6、ITO镀膜室7和后端出片过渡真空室段8，其特征在于:SiO2镀膜室4与ITO镀膜室6中间只有一个隔离室5、隔离室5有三台分子泵，与隔离室5相邻的SiO2镀膜室4有1对中频孪生靶11和3台分子泵9、与隔离室5相邻的ITO镀膜室6有1对直流ITO靶12和3台分子泵9。本实用新型安装了1对中频孪生靶11和1对直流ITO靶12、分子泵9，能抽取多余的氧气，使得氧气不易窜入到ITO镀膜箱体内，可以适应不同膜层厚度的需要、加大了整条镀膜线的产能，节约了成本。
文档编号C23C14/08GK202297762SQ20112041591
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月27日 优先权日2011年10月27日
发明者邹定嵩 申请人:东莞市润华光电有限公司