专利名称：批量式处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及批量式处理装置。
背景技术：
以往，例如为了对在液晶显示器、有机EL等平板显示器(以下称作FPD)、太阳电池模块的制造中使用的作为被处理体的玻璃基板进行成膜、蚀刻等处理，从处理速度、控制性的观点出发，多使用等离子处理，并使用单张式处理装置，以避免批量式的装置构造的复杂性、提高等离子体的性能，由此来满足与处理能力(through — put)有关的要求。然而，当然，与利用单张式的装置进行处理相比，利用批量式的装置进行处理在处理能力方面效率高，近年来，也开发出了基于批量式处理的处理装置，例如专利文献I中记载有这样的批量式处理装置。
另一方面，随着形成于玻璃基板上的TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶体管)微细化，由等离子体对作为栅极等而形成于玻璃基板上的薄膜造成的损伤严重，并且，在有机EL等的制造中，需要更低的温度的工艺(process)，根据这些要求，重新研究不使用等离子体的基于气体的工艺。在像这样的不产生等离子体而使用基于气体的处理的处理装置的情况下，由于处理装置的构造比使用等离子体的处理装置的构造简单，所以更容易采用批量式处理装置。专利文献I :日本特开平8 — 8234号公报但是，若欲简单地在大的工艺室内排列多个玻璃基板、对多个玻璃基板同时进行处理，则会发生处理气体的使用效率降低的情况。这是由于工艺室的容量变大。并且，在薄膜成膜的领域中，如下的原子层堆积法(以下称作ALD法)受到关注使基板的表面上交替流过有两种以上的前驱体气体，通过在形成于基板表面上的吸附位置(adsorption site)吸附这些前驱体气体而以原子层等级成膜薄膜。这是因为考虑到如下情况:ALD法的台阶覆盖性、膜厚均匀性、薄膜控制性优异，对于形成更加微细化的元件来说是极其有效的。例如，当前，在对具有730mmX920mm 2200mmX2500mm的大小、面积比半导体晶片的面积大很多的玻璃基板等的薄膜成膜中，为了实现薄膜的高质量化，开始研究ALD法的采用。但是，若欲对多个大面积的玻璃基板同时使用ALD法，则除了玻璃基板自身的面积大之外，收纳多个玻璃基板的工艺室自身的容量也变得巨大，因此难以对多个玻璃基板的表面分别均匀地进行前驱体气体的供给、排气。因此，例如难以在玻璃基板的表面分别均匀地形成吸附位置，难以实现前驱体气体与吸附位置之间的均匀且稳定的反应，无法得到期待质量的薄膜。
发明内容
本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。
本发明的一个方式所涉及的批量式处理装置是对多个被处理体同时实施处理的批量式处理装置，具备主室；在上述主室内沿该主室的高度方向层叠设置、且用于载置上述被处理体的多个工作台；以及针对每个上述工作台分别设置一个、且遮盖载置于上述工作台的上述被处理体的多个罩，利用上述多个工作台与上述多个罩，以包围载置于上述多个工作台的上述多个被处理体中的各个被处理体的方式，形成容量小于上述主室的容量的处理用小空间。根据本发明，能够提供处理气体的使用效率高、并且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。
图I是示出具备本发明的第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的处理 系统的一例的水平剖视图。图2是沿着图I中的II — II线的剖视图。图3中，(A)图是示出使罩上升后的状态的图，(B)图是示出使罩下降后的状态的图。图4中，(A)图是示出使升降器上升后的状态的图，(B)图是示出使升降器下降后的状态的图。图5是示出工作台与罩分离后的状态的立体图。图6中，(A)图是气体喷出孔形成区域附近的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的VIB — VIB线的剖视图。图7中，(A)图是排气槽附近的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的沿VIIB — VIIB线的剖视图。图8是示出处理用小空间内的气体的流动的图。图9中，(A) (F)是示出被处理体G的搬入、搬出动作的一例的剖视图。图10中，(A)图是第一变形例所涉及的批量式处理装置的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的XB — XB线的剖视图。图11中，(A) (C)是示出处理用小空间的形成例的剖视图。图12中，(A)图是示出第三变形例所涉及的批量式处理装置的使工作台下降后的状态的图，(B)图是示出使工作台上升后的状态的图。图13是示出第三变形例所涉及的批量式处理装置的使升降器上升后的状态的图。图14是示出垂直气体喷出方式的一例的剖视图。图15是示出水平气体喷出方式的一例的剖视图。图16中，(A)图是示出第四变形例所涉及的批量式处理装置的使升降器下降后的状态的图，(B)图是示出使升降器上升后的状态的图。图17是示出工作台的销状升降器收纳部附近的剖视图。图18中，(A)图是示出第五变形例所涉及的批量式处理装置的使罩上升后的状态的图，(B)图是示出使罩下降后的状态的图。图19是示出本发明的第二实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图20是示出本发明的第三实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图21是示出本发明的第三实施方式的变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图22是示出本发明的第四实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图23中，(A)图及(B)图是沿着图22中XXIII — XXIII线的剖视图。图24中，(A)图及(B)图是将排气槽附近放大示出的剖视图。
图25是示出第四实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图26是示出第四实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图27是示出第四实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图28是示出第四实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图29是示出第四实施方式的第五变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图30是示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图31是示出本发明的第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图32是将第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图33是将第五实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图34是示出第五实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图35是示出第五实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图36是将第五实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图37是示出第五实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图38是示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图39是示出本发明的第六实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。
图40是示出拾取器的变形例的俯视图。标号说明G…被处理体；31a…主室;101a IOly…工作台;102a 102y…罩;103…罩升降支柱；105…被处理体载置面；106…处理用小空间；107…升降器；108…升降器升降支柱；IllUlla Illc…气体供给管；113…排气通道；114…排气管；117、117a 117c…气体喷出孔；118…排气槽；119…气体排气口 ;120…O型圈;121…环状的槽;130a、130b…形成处理用小空间的凹部；140…工作台升降支柱；160…销状升降器；170…挡板；171…整流部；181…倾斜部;184…圆形部；190…工作台调温机构；192…罩调温机构。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在该说明中参照的所有附图中，对相同的部分赋予相同的参照标号。 (第一实施方式)图I是示出具备本发明的第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的处理系统的一例的水平剖视图，图2是沿着图I中的II 一 II线的剖视图。对于图I及图2所示的处理系统而言，作为被处理体而使用在FPD的制造、太阳电池模块中使用的玻璃基板，是对该玻璃基板实施成膜处理、热处理的处理系统。如图I所示，处理系统I包括加载互锁(load lock)真空室2、批量式处理装置3a、3b以及共用搬运室4。在加载互锁真空室2中，在大气侧与减压侧之间进行压力变换。在批量式处理装置3a及3b中，对被处理体G、例如玻璃基板实施成膜处理、热处理。被处理体G的尺寸的一例是730mmX920mm 2200mmX 2500mm的矩形。本例中，加载互锁真空室2、批量式处理装置3a、3b以及共用搬运室4是真空装置，分别具备能够将被处理体G置于规定的减压状态下、且气密地构成的室21、31a、31b以及41。在室21、31a、31b以及41，为了使内部为减压状态，经由排气口与真空泵等排气装置5连接。图2示出设于室31a的排气口 32以及设于室41的排气口 42。此外，在室21、31a、31b 以及 41 设有开口部 23a、23b、33a、33b、43a、43b 以及 43c。被处理体G经由这些开口部被搬入、搬出。加载互锁真空室2的室21经由开口部23a以及闸阀(gate valve)室6a与处理系统I的外部、即大气侧连通。在闸阀室6a收纳有开闭开口部23a的闸阀GV。此外，室21经由开口部23b、闸阀室6b以及开口部43a与室41连通。在闸阀室6b收纳有开闭开口部23b的闸阀GV0批量式处理装置3a的室31a经由开口部33a、收纳有开闭该开口部33a的闸阀GV的闸阀室6c、以及开口部43b而与室41连通。同样，批量式处理装置3b的室31b经由开口部33b、收纳有开闭该开口部33b的闸阀GV的闸阀室6d、以及开口部43c而与室41连通。共用搬运室4的室41的俯视形状在本例中为矩形。在矩形的四边中的三边设有开口部43a、43b、43c。在共用搬运室4的内部设置有搬运装置7。搬运装置7从加载互锁真空室2向批量式处理装置3a或者3b、从批量式处理装置3a或者3b向批量式处理装置3b或者3a、从批量式处理装置3a或者3b向加载互锁真空室2搬运被处理体G。因此，搬运装置7除了能够进行使被处理体G升降的升降动作以及使被处理体G旋转的旋转动作之夕卜，还能够进行使被处理体G进入加载互锁真空室2、批量式处理装置3a及3b的内部或从内部退避的动作。搬运装置7构成为包括拾取单元72，该拾取单元72具备对被处理体G进行支承的支承部件亦即拾取器71 ;使拾取单元72滑动的滑动单元73 ;以及驱动滑动单元73的驱动单元74。拾取器71在室41的高度方向层叠地设置有多个，多张被处理体G在室41的高度方向水平地载置在拾取器71上，从而构成为能一次搬运多个被处理体G。在滑动单元73设有滑动基座73a，拾取单元72安装于滑动基座73a，并在滑动基座73a上前后滑动。由此，拾取单元72前进、后退，从室41的内部进入室21、31a、31b的内部，或从室21、31a、31b的内部向室41的内部退避。此外，利用驱动单元74使滑动单元73升降以及旋转。由此，滑动单元73例如在共用搬运室4内升降以及旋转。像这样的处理系统I的各部的控制以及搬运装置7的控制由控制部8进行。控制 部8例如具有由微处理器(计算机)构成的工艺控制器81。为了使操作人员对处理系统I进行管理，在控制器81连接有由进行指令的输入操作等的键盘、可视化地显示处理系统I的运转状况的显示器等构成的用户界面82。此外，在工艺控制器81连接有存储部83。存储部83储存有用于利用工艺控制器81的控制来实现在处理系统I执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使处理系统I的各部执行处理的准则(recipe)。准则例如存储于存储部83中的存储介质。存储介质可以是硬盘、半导体存储器，也可以是⑶一 ROM、DVD、闪存等移动式存储介质。并且，也可以从其他的装置经由例如专用线路而适当地传送准则。根据需要，按照来自用户界面82的指示等从存储部83读取准则，工艺控制器81执行基于所读取到的准则的处理，从而处理系统I以及搬运装置7在工艺控制器81的控制下实施所希望的处理、控制。第一实施方式所涉及的处理系统I所具备的批量式处理装置3a、3b之中的批量式处理装置3a是本发明的第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置。当然，批量式处理装置3b可以使用第一实施方式所涉及的批量式处理装置，也可以使用现有的批量式处理装置。以下，对批量式处理装置3a进行详细说明。如图I及图2所示，批量式处理装置3a具备室31a。以下，将该室31a称作主室31a。如图2及图3所示，在主室31a内具备在该主室31a的高度方向层叠设置、用于载置被处理体G的多个工作台101a、101b、...、101x、101y ;以及针对每个上述工作台IOla IOly分别设置一个、且遮盖载置于工作台IOla IOly的被处理体G的多个罩102a、102b、…、102x、102yo在本例中，工作台IOla IOly由未图示的固定机构固定于主室31a，而罩102a 102y在主室31a内升降。在主室31a内，设有用于使罩102a 102y —起升降的例如4根罩升降支柱103。罩102a 102y经由固定部104固定于上述罩升降支柱103。通过使罩升降支柱103在主室31a的高度方向升降而使罩102a 102y —起升降。若使罩102a 102y从工作台IOla IOly —起上升，则工作台IOla IOly在主室31a的内部空间露出。由此，成为能够将被处理体G交接至工作台IOla IOly的被处理体载置面105上的状态。图3A示出使罩102a 102y之中的罩102a 102c —起上升后的状态。相反，若使罩102a 102y —起向工作台IOla IOly下降，并使工作台IOla IOly与罩102a 102y气密地抵接，则在工作台IOla IOly的被处理体载置面105上分别形成有处理用小空间106，该处理用小空间106分别包围在工作台IOla IOly的被处理体载置面105上分别载置有一张的被处理体G，且容量小于主室31a的内部空间的容量。图3B示出使罩102a 102y之中的罩102a 102c —起下降后的状态。在工作台IOla IOly的边缘部，设有与拾取器71之间交接被处理体G的升降器107。在本例中，例如设有4个升降器107，分别支承被处理体G的边缘部分。在主室31a内，设有用于使升降器107 —起升降的、例如4根升降器升降支柱108。升降器107经由固定部109固定于这些升降器升降支柱108。通过使升降器升降支柱108在主室31a的高度方向升降而使升降器107 —起升降。图4A示出使设于工作台IOla IOlc的边缘部的升 降器107 —起上升后的状态，相反，图4B示出使之一起下降后的状态。如图I所示，从气体供给机构、例如气箱(gas box) 110经由气体供给管Illa Illc向处理用小空间106的内部供给在处理中使用的气体。在本例中,气体供给管的根数为3根，但气体的种类、数量根据在处理用小空间106的内部进行的处理而变化，因此气体供给管的根数是任意的。并且，本例的批量式处理装置3a假定进行ALD成膜。因此，例如，从气体供给管Illa供给第一前驱体气体,从气体供给管Illb供给吹扫气体(purge gas),从气体供给管Illc供给第二前驱体气体。前驱体气体的种类根据要成膜的膜而进行各种选择，但例如在形成硅氧化膜的情况下，作为第一前驱体气体供给硅原料气体、作为第二前驱体气体供给含有氧化剂的气体即可。吹扫气体是惰性气体，例如可以举出氮气为一例。并且，利用排气装置112经由排气通道113以及排气管114对处理用小空间106的内部进行排气。另外，作为排气装置112，也可以利用图2所示的排气装置5。图5示出工作台IOla与罩102a分离后的状态的立体图。另外，其他的工作台IOlb 101y、罩102b 102y也是相同的结构。此处，作为代表例对工作台IOla以及罩102a的结构进行说明。如图5所示，在工作台IOla的被处理体载置面105形成有升降器收纳部115，下降后的升降器107被收纳于该升降器收纳部115。在升降器107下降后，升降器107被收纳于升降器收纳部115，由此能够避免升降器107比被处理体载置面105的表面向上突出，从而被处理体G能够水平地载置于被处理体载置面105。此外，在上述被处理体载置面105的周缘部的一部分设有供来自气体供给管Illa Illc的气体喷出的气体喷出孔形成区域116。图6A示出气体喷出孔形成区域附近的俯视图，图6B示出沿着图6A中的VIB - VIB线的截面。如图6A及图6B所示，从气箱110延伸出的气体供给管Illa在工作台10 Ia的附近沿与被处理体G的搬入、搬出方向正交的X方向延伸，且连接于工作台IOla的一端侧。此外，气体供给管Illa在工作台IOla的内部向与X方向交叉、例如正交的Y方向(被处理体G的搬入、搬出方向)弯曲，并朝工作台IOla的另一端侧延长形成。在气体供给管Illa的沿Y方向延长形成的部分，形成有从气体供给管Illa到达上述被处理体载置面105的表面的多个气体喷出孔117a。气体供给管Illb同样沿X方向延伸，且连接于工作台IOla的端部中央。气体供给管Illb在工作台IOla的内部、且在气体供给管Illb的延长形成部分的近前侧朝一端侧及另一端侧分支，并分别沿Y方向延长形成。在气体供给管Ulb的沿Y方向延长形成的部分形成有从气体供给管Illb到达上述被处理体载置面105的表面的多个气体喷出孔117b。气体供给管Illc同样沿X方向延伸，且连接于工作台IOla的另一端侧。气体供给管11 Ic在工作台IOla的内部向Y方向弯曲，并与气体供给管11 Ia相反地朝工作台IOla的一端侧延长形成。在气体供给管Illc的沿Y方向延长形成的部分形成有从气体供给管Illc到达上述被处理体载置面105的表面 的多个气体喷出孔117c。供给至气体供给管Illa Illc的气体从多个气体喷出孔117a 117c朝处理用小空间106的内部喷出。在本例中，气体供给管Illa Illc不在升降器107的部分中断，而是通过升降器107的下方、且遍及从一端侧到另一端侧的范围延长形成。由此，不仅从升降器107之间向处理用小空间106的内部供给气体，也能够从升降器107与一端侧之间、升降器107与另一端侧之间向处理用小空间106供给气体。根据该方法，与仅从升降器107间供给气体的情况相比，能够更均匀地向处理用小空间106的内部供给气体。在上述被处理体载置面105的与气体喷出孔形成区域116相对一侧的周缘部设有排气槽118。图7A示出排气槽附近的俯视图，图7B示出沿着图7A中的VIIB — VIIB线的截面。排气槽118从工作台IOla的一端侧朝向另一端侧地沿Y方向形成。在工作台IOla的端部中央、例如是升降器107之间的部分，连接有与上述排气管114连接的排气通道113。排气槽118经由气体排气口 119与排气通道113连接。供给至处理用小空间106的内部的气体从排气槽118被吸引，经由气体排气口 119被引导至排气通道113，从而从排气通道113经由排气管114排气。本例的排气槽118也与气体供给管Illa Illc相同，不在升降器107的部分中断，而是通过升降器107的下方，遍及从一端侧向另一端侧的范围形成。由此，与仅从升降器107之间排气的情况相比，能够更均匀地对处理用小空间106的内部进行排气。对于形成有处理用小空间106后的气体的流动，如图8所示，从基板载置面105沿气体喷出孔117a 117c向垂直方向喷出气体，利用罩102a使气体的流动方向转换为水平方向而朝向相反一侧的排气槽118。此外，在排气槽118的上方再次进行方向转换而转换为垂直方向，从而朝气体排气口 119排气。其次，对被处理体G的搬入、搬出动作进行说明。另外，对于本说明，作为代表例对相对于由工作台IOla及罩102a形成的处理用小空间106的搬入、搬出动作进行说明，但相对于由其他的工作台IOlb 101y、罩102b 102y形成的处理用小空间的搬入、搬出动作也相同。图9A 图9F是示出被处理体G的搬入、搬出动作的一例的剖视图。首先，如图9A所示，使罩102a上升至拾取器71能够进入的位置。其次，如图9B所示，使支承有被处理体G的拾取器71从共用搬运室4的内部进入主室31a内的工作台IOla的被处理体载置面105的上方。其次，如图9C所示，使升降器107上升，从拾取器71接收被处理体G。其次，如图9D所示，当升降器107接收被处理体G后，使拾取器71向共用搬运室4的内部后退。其次，如图9E所示，使升降器107下降，将被处理体G载置在被处理体载置面105上。最后，如图9F所示，使罩102a下降，使罩102a与工作台IOla气密地抵接。由此，在被处理体G的周围形成有处理用小空间106。根据这样的批量式处理装置3a，通过形成有包围被处理体G、且容量小的处理用小空间106，与例如使多个被处理体G暴露在主室31a的情况相比，能够减少不参与成膜的处理气体的量，能够提高处理气体的使用效率。并且，由于处理用小空间106的容量小于主室31a的容量，所以与相对于主室31a的气体供给以及气体排气相比，相对于处理用小空间106的气体供给以及气体排气能够在更短的时间完成。因此，能够缩短气体供给、气体排气所需要的时间，并能够将生产节拍时 间设定得较短。由于能够将生产节拍时间设定得较短，结果能够进一步得到处理能力良好的批量式处理装置。此外，由于处理用小空间106的容量小，从而也能够得到以下优点例如在现状中的具有730mmX 920mm 2200mmX 2500mm的大小的玻璃基板中，也能够采用ALD法。其次，对批量式处理装置3a的几个变形例进行说明。(第一变形例气密性的改善)图IOA是第一变形例所涉及的批量式处理装置的俯视图，图IOB是沿着图IOA中的XB - XB线的剖视图。为了提高上述的工作台IOla与罩102a之间的气密性，也可以在工作台IOla的靠被处理体载置面105侧的表面设置密封部件，例如设置O型圈120。O型圈120抵接于罩102a的与工作台IOla抵接的抵接面。此外，在第一变形例所涉及的批量式处理装置3c中，尤其如图IOB所示，在O型圈120与处理用小空间106之间设有环状的槽121。罩102a以覆盖O型圈120及环状的槽121的上方的方式与工作台IOla抵接。环状的槽121与气体供给管122连接。例如从气箱110向气体供给管122供给惰性气体、例如氮气(N2),所供给的氮气被送入环状的槽121的内部。例如利用排气装置112经由排气管114及/或者与排气管114分开设置的排气管114a对被送入环状的槽121的氮气进行排气。在环状的槽121内流动的氮气实现如下作用将欲从处理用小空间106自工作台10Ia与罩102a之间的极小的间隙漏出的气体推回至处理用小空间106，或者将其诱入环状的槽121、并与氮气一起经由排气管114以及/或者排气管114a排气。这样，通过在工作台102a的靠被处理体载置面105侧的表面设置密封部件，在本例中为设置O型圈120，能够提高工作台IOla与罩102a之间的气密性。此外，除了设置O型圈120之外，在O型圈与处理用小空间106之间设置环状的槽121，使环状的槽121中流过有惰性气体。由此，能够进一步提高工作台IOla与罩102a之间的气密性。并且，通过使环状的槽121中流过有惰性气体，能够抑制处理用小空间106内的例如具有化学反应性的环境气与O型圈120直接接触。因此，也能够得到如下优点能够抑制密封部件、例如O型圈120的随时间推移的劣化的加剧，能够减少O型圈120的更换频率。另外，在上述第一变形例中，与O型圈120并用地设置槽121，但是也可以不设置O型圈120而仅设置槽121。在该情况下，通过使从槽121供给的氮气分支而分别向处理用小空间106与主室内流动，能够得到将处理用小空间106与主室内遮断的效果。(第二变形例处理用小空间的形成例)图IlA 图IlC是示出处理用小空间的形成例的剖视图。图IIA所示的例子是上述的批量式处理装置3a。在批量式处理装置3a中，工作台IOla是平坦的，在罩102a形成有用于形成处理用小空间106的凹部130a。在该类型中，如参照图8说明的那样，经由工作台IOla的被处理体载置面105进行相对于处理用小空间106的气体供给以及气体排气。相反，图IlB所示的批量式处理装置3d是罩102a平坦、在工作台IOla设有用于形成处理用小空间106的凹部130b的例子。 在该类型中，经由工作台IOla的凹部130b的侧面进行相对于处理用小空间106的气体供给以及气体排气。在该情况下，例如，气体喷出孔117设在凹部130b的一个侧面，气体排气口 119设在凹部130b的与上述一个侧面相对的另一个侧面。这样，若将气体喷出孔117以及气体排气口 119设于凹部130b的相互相对的侧面，则从气体供给管111供给的气体的流动的行进方向在处理用小空间106的内部从气体喷出孔117至气体排气口 119为止都不会改变。因此，能够得到如下优点在处理用小空间106的内部，容易使在处理中使用的气体形成层流。通过使在处理用小空间106的内部流动的气体成为层流，例如能够进一步得到如下优点能够进一步提高对成膜的薄膜的膜厚以及薄膜质量的控制性。图IlC所示的批量式处理装置3e是在工作台IOla及罩102a双方设有用于形成处理用小空间106的凹部130a及130b的例子。这样，用于形成处理用小空间106的凹部130a及130b也能够设于工作台IOla及罩102a双方。(第三变形例罩固定、工作台升降)第三变形例所涉及的批量式处理装置与第一实施方式所涉及的批量式处理装置3a的不同之处在于罩102a 102y固定于主室31a内，工作台IOla IOly—起升降。图12A是示出第三变形例所涉及的批量式处理装置的使工作台下降后的状态的图，图12B是示出使工作台上升后的状态的图。如图12A及图12B所示，在第三变形例所涉及的批量式处理装置3f的主室内，设有用于使工作台IOla IOly —起升降的例如4根工作台升降支柱140。罩102a 102y通过未图示的固定机构固定于主室31a。工作台IOla IOly经由固定部141固定于上述工作台升降支柱140。通过使工作台升降支柱140在主室的高度方向升降，能够使工作台IOla IOly—起升降。另外，图12A及图12B示出使工作台IOla IOly之中的工作台IOla IOlc —起升降后的状态。在升降器107形成于工作台IOla IOly的各自的边缘部的情况下，升降器107也与工作台IOla IOly的升降联动地升降。当仅使升降器107升降时,例如,在工作台IOla IOlc下降后的状态下，使升降器升降支柱108升降。图13示出在工作台IOla IOlc下降后的状态下使升降器107上升后的状态。并且，也可以构成为，使升降器107与工作台IOla IOlc同时下降，并使升降器107在被处理体G的交接位置停止，之后，使工作台IOla IOlc进一步下降。由此,能够得到与使升降器107从工作台IOla IOlc上升的情况相同的效果。如第三变形例那样，在将罩102a 102y固定于主室31a内、使工作台IOla IOly一起升降的情况下，罩102a 102y无法移动，因此能够容易地在罩102a 102y安装气体喷出孔117以及气体排气口 119。进而，如果将气体喷出孔117以及气体排气口 119安装于罩102a 102y，则气体喷出方式能够选择如下两种方式中的任一种方式从垂直方向对被处理体G的被处理面喷出气体的垂直气体喷出方式(即气体喷淋(gas shower));以及从水平方向对被处理体G的被处理面喷出气体的水平气体喷出方式。图14示出垂直气体喷出方式的一例，图15示出水平气体喷出方式的一例。如图14所示，批量式处理装置3f - I的罩102a — I具有用于形成处理用小空间106的凹部130a，并且，在其内部具备气体扩散空间150。气体扩散空间150与气体供给管111连接，并由气体供给管111供给在处理中使用的气体。在罩102a — I的面向被处理体G 的表面形成有多个气体喷出孔117。多个气体喷出孔117分别与气体扩散空间150及处理用小空间106连通，例如与被处理体G的俯视形状相匹配而在罩102a — I形成为格子状。另外，多个气体喷出孔117的配置不限定于格子状，能够选择适于得到与处理内容相匹配的适当的气体分布的各种方式。并且，批量式处理装置3f — I经由图2所示的对主室内进行排气的排气口 32来进行处理用小空间106内的排气。因此，罩102a - I并未与工作台IOla完全抵接，而以带有排气用缝隙151的方式在该罩102a - I与工作台IOla之间形成处理用小空间106。处理用小空间106内的环境气经由排气用缝隙151而向主室内排气，并进一步经由形成于主室的排气口 32排气。并且，如图15所示，批量式处理装置3f — 2的罩102a — 2也具有用于形成处理用小空间106的凹部130a。气体喷出孔117设于凹部130a的一个侧面，气体排气口 119设于凹部130a的与上述一个侧面相对的侧面。在本例的情况下，罩102a — 2与工作台IOla气密地抵接。对于处理用小空间106内的排气，从气体排气口 119经由排气通道113以及排气管114来进行排气。当然，在批量式处理装置3f - 2中，也可以与批量式处理装置3f — I相同，在罩102a - 2与工作台IOla之间设置排气用缝隙，通过上述排气用缝隙而从排气口 32进行处理用小空间106的排气。这样，根据第三变形例，由于使工作台IOla IOly能够升降，并将罩102a 102y固定于主室内，因此能够得到如下的优点气体喷出方式能够选择垂直气体喷出方式以及水平气体喷出方式中的任一种方式，气体供给方式的选择的自由度提高。(第四变形例销状升降器)图16A是示出第四变形例所涉及的批量式处理装置的使升降器下降后的状态的图，图16B是示出使升降器上升后的状态的图。另外，图16A及图16B仅示出工作台IOla 101y、罩102a 102y之中的工作台101a、罩102a。如图16A及图16B所示，第四变形例所涉及的批量式处理装置3g与第一实施方式所涉及的批量式处理装置3a的不同之处在于，升降器107是销状升降器160，并非对被处理体G的周缘部进行支承，而是呈点状地对被处理体G的面内的多处位置进行支承。这样，升降器也能够置换为销状升降器160，并且也能够同样应用于第一 第三变形例中。并且，如图17所示，在作为升降器而使用销状升降器160的情况下，在处理用小空间106与主室之间形成有经由形成于工作台IOla的销状升降器收纳部161与销状升降器160之间的微小的缝隙漏气的新的漏气通路162。因此，为了遮断漏气通路162，也可以在销状升降器收纳部161与销状升降器160的例如头部下表面163之间设有密封部件、例如设有O型圈164。通过设置O型圈164，能够抑制经由通过上述微小的缝隙形成的漏气通路162的漏气。(第五变形例被处理体升降机构的削减)并且，若作为升降器使用销状升降器160，则也能够得到以下优点能够从批量式 处理装置削减使升降器升降的被处理体升降机构、例如在第一实施方式中为升降器升降支柱108以及驱动升降器升降支柱108的机构。图18A是示出第五变形例所涉及的批量式处理装置的使罩上升后的状态的图，图18B是示出使罩下降后的状态的图。另外，图18A及图18B示出使设置于工作台IOla IOly的销状升降器160之中的设置于工作台IOla IOlc的销状升降器160 —起升降后的状态。如图18A及图18B所示，对于第五变形例所涉及的批量式处理装置3h，作为被处理体升降机构的升降器具有销状升降器160，该销状升降器160贯通设于工作台IOla IOlc的销状升降器收纳部161而悬架于工作台。此外，当使罩102a 102c上升时，销状升降器160的下端与位于下方的罩102a 102c的上表面抵接。由此,销状升降器160与罩102a 102c的上升对应地上升。并且，若从图18A所示的状态开始使罩下降，则销状升降器160的下端从位于下方的罩102a 102c的上表面离开,并且,销状升降器160被收纳于销状升降器收纳部161。这样，根据第五变形例，使驱动销状升降器160升降的被处理体升降机构与使罩升降的罩升降机构联动。例如，在本例中，通过使销状升降器160与罩102a 102c的升降对应地升降，能够得到如下优点能够从批量式处理装置削减使升降器升降的被处理体升降机构、例如升降器升降支柱108以及对升降器升降支柱108进行驱动的机构。通过从批量式处理装置削减被处理体升降机构，主室的容量降低，且从主室内去掉了驱动系统，因此能够得到可抑制颗粒的产生的优点。当然，由于从主室内去掉了驱动系统，因此也能够抑制批量式处理装置的制造成本。(第二实施方式)在第一实施方式中，将气体供给机构设置于工作台IOla IOly以及罩102a 102y之中的被固定的一方。第二实施方式是研究将气体供给机构设置于工作台IOla IOly以及罩102a 102y之中的能够升降的一方的例子。图19是示出本发明的第二实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台以及罩与其附近的剖视图。另外，图19仅示出罩102a 102y之中的罩102a。
如图19所示，第二实施方式所涉及的批量式处理装置3i与第一实施方式的批量式处理装置3a的主要不同之处在于，在使罩102a 102y —起升降的罩升降支柱103的内部以及固定部104的内部形成有气体供给管111。这样，通过在罩升降支柱103的内部以及固定部104的内部形成气体供给管111，能够将包括气体供给管111以及气体喷出孔117的气体供给机构设于能够升降的罩102a 102yo并且，在本例中，将罩102a构成为与图14所示的罩102a — I相同的垂直气体喷出方式(气体喷淋)。并且，工作台IOla IOly固定。因此，相对于处理用小空间106的气体喷出方式采用垂直气体喷出方式，关于从处理用小空间106排气的气体排气方式，能够形成为从被处理体载置面105的表面经由排气槽118、气体排气口 119吸引气体的方式。并且，本例的排气槽118并非如第一实施方式那样沿工作台IOla的一边形成为一条线状，而能够以包围载置在工作台IOla上的被处理体G的边缘的方式形成为环状。这是 由于从工作台IOla的内部去掉了例如图6所示的气体供给管Illa 111c。在相对于处理用小空间106的气体喷出方式构成为垂直气体喷出方式(气体喷淋)的情况下，若从处理用小空间106排气的气体排气方式为利用形成为环状的排气槽118进行排气，则能够得到可促进从处理用小空间106的排气的均匀化的优点。(第三实施方式)图20示出第三实施方式。第三实施方式与第一实施方式、第二实施方式的不同之处在于，通过固定部104向工作台IOla供给的气体从工作台IOla与罩102a接触的接触部被供给至罩102a，并从设于罩102a的气体喷淋器通过多个气体喷出孔117向处理用空间106供给。对于从处理用空间106的气体的排气，可以在工作台IOla设置排气口(未图示)来进行排气，或者也可以通过罩102a与工作台IOla之间的间隙进行排气。但是，在罩102a与工作台IOla接触的接触部中的设置有气体通路的位置，需要以包围气体通路的方式利用密封部件确保气密性。根据第三实施方式，由于载置被处理体G的工作台IOla固定，所以能够减少对驱动机构的负荷，且能够减少被处理体G破损的危险性，并且，由于能够利用喷淋喷头从升降的罩供给气体，因此能够均匀地对被处理体G进行处理。(第三实施方式变形例)图21示出第三实施方式的变形例。在第三实施方式的变形例中，从工作台IOla供给至罩102a的气体并非从喷淋喷头而是从单一的气体导入孔供给至处理用空间106。此时，所供给的气体填充于罩102a的凹部，因此，因气体导入口偏置而产生的气体分布的偏向被缓和，在该状态下朝被处理体G供给气体。在图21中，从处理用空间106的排气通过排气管114进行，但是也可以形成为从罩102a与工作台IOla的间隙排气的结构。并且，在上述第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式中，也可以在工作台IOla IOly设置温度调节机构。温度调节机构能够使用由电阻加热器等加热器形成的加热机构。并且，作为其他的调温机构，能够使用如下机构在工作台IOla IOly的内部设置供调温介质流通的流路，从外部冷机流通被调整至规定的温度的调温介质，由此能够进行冷却或者加热，或者使双方适当切换。也可以并用由加热器形成的加热机构与基于调温介质的调温机构。
在为使用调温介质的调温机构的情况下，为了连接从外部供给调温介质的供给管，更适合在工作台IOla IOly固定的结构中使用，但是，在使用电阻加热器的加热机构的情况下，由于只配置向电阻加热器供给电力的导电线即可，因此在工作台10 Ia 10 Iy固定的结构、或者使之升降的结构中均能够适当使用。并且，温度调节机构可以是能够对工作台IOla IOly—起进行温度控制的机构，也可以是能够对各个工作台分别独立地进行温度控制的机构。在为能够分别独立地进行温度控制的机构的情况下，能够防止发生在工作台的上端及下端与中间部温度不同的情况，能够在所有的工作台以均匀的温度对被处理体G进行处理。(第四实施方式)图22是示出本发明的第四实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图，图23A及图23B是沿着图22中的XXIII — XXIII线的剖视图。另外，图23A示出打开罩后的状态，图23B示出关闭罩后的状态。 如图22、图23A及图23B所示，第四实施方式所涉及的批量式处理装置3k与第一实施方式所涉及的批量式处理装置3a的主要不同之处在于，在工作台IOla的被处理体载置面105上还设有突起物、在本例中为挡板170。除了设有挡板170之外，其他方面与第一实施方式几乎相同。本例的挡板170形成为例如沿排气槽118在与处理用小空间106中的气体的流动交叉、例如正交的方向延伸，并横截被处理体载置面105(参照图23A)。并且，挡板170的高度设定得比处理用小空间106的高度低。由此，当工作台IOla与罩102a抵接而形成处理用小空间106时，在处理用小空间106的内部，在本例中为在凹部130a的内表面与挡板170的上表面之间形成有狭缝状的间隙(参照图22及图23B)。狭缝状的间隙例如沿与处理用小空间106中的气体的流动交叉、例如正交的方向形成，并使处理用小空间106与排气槽118连通。由此，供给至处理用小空间106内的气体经由狭缝状的间隙从处理用小空间106朝排气槽118排气。通过形成狭缝状的缝隙，与直接将供给至处理空间106内的气体引入排气槽118的情况相比，能够使气体在处理空间106内变得均匀。因此，通过调整挡板170的高度等、而适当地调整狭缝状的间隙的大小，狭缝状的间隙能够作为整流部171发挥功能，该整流部171对处理用小空间106内的气体的流动进行整流而使之成为例如层流。图24A及图24B分别是将排气槽118附近放大示出的剖视图。图24A所示的例子示出不具有挡板170的情况，图24B示出具有挡板170的情况。如图24A所示，在不具有挡板170的情况下，供给至处理用小空间106的气体保持原样地被引入较大的排气槽118。与此相对，如图24B所示，在具有挡板170的情况下，在本例中形成有成为狭缝状的间隙的整流部171。与不具有挡板170的情况相比，整流部171的传导能力小。通过使传导能力变小，与不具有挡板170的情况相比，供给至处理用小空间106的气体的流量在整流部171被限制。这样，通过在处理用小空间106的内部设置整流部171来限制流量，能够对处理用小空间106内部的气体施以整流作用。通过利用该整流作用，能够在处理用小空间106的内部更加均匀地形成作为层流的气体的流动。根据像这样的第四实施方式所涉及的批量式处理装置3k，通过在处理用小空间106的内部具备整流部171，能够在处理用小空间106的内部形成更均匀的层流的气体的流动，与不具有挡板170的情况相比，能够进一步提高对在被处理体G上成膜的薄膜的膜厚及薄膜质量的控制性。进而，除了能够得到该优点，还能够得到能够进一步提高膜厚及薄膜质量在被处理体G面内的面内均匀性的优点。(第四实施方式第一变形例)图25是示出第四实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图25所示，第一变形例所涉及的批量式处理装置3k — I与图22等所示的一例所涉及的批量式处理装置3k的主要不同之处在于，利用设于工作台IOla的凹部130b与设于罩102a的凹部130a形成处理用小空间106。除此以外的方面与上述一例所涉及的批量式处理装置3k几乎相同。
这样，在将用于形成处理用小空间106的凹部(图25中为标号130a及130b)形成于工作台IOla及罩102a双方的批量式处理装置3k — I中，也能够设置挡板170。进而，在第一变形例所涉及的批量式处理装置3k - I中，也能够得到与上述一例所涉及的批量式处理装置3k相同的优点。(第四实施方式第二变形例)图26是示出第四实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图26所示，第二变形例所涉及的批量式处理装置3k — 2与图22等所示的一例所涉及的批量式处理装置3k的主要不同之处在于，罩102a平坦，在工作台IOla形成用于形成处理用小空间106的凹部130b。除此以外的方面与上述一例所涉及的批量式处理装置3k几乎相同。这样，在将用于形成处理用小空间106的凹部(图26中为标号130b)仅形成于工作台IOla的批量式处理装置3k - 2中，也能够设置挡板170。(第四实施方式第三变形例)图27是示出第四实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图27所示，第三变形例所涉及的批量式处理装置3k — 3与图26所示的第二变形例所涉及的批量式处理装置3k — 2的主要不同之处在于，与图IlB及图IlC所示的第一实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置3d、3e相同，经由工作台IOla的凹部130b的侧面来进行相对于处理用小空间106的气体供给及气体排气。除此以外的方面与上述一例所涉及的批量式处理装置3k几乎相同。这样，在经由工作台IOla的凹部130b的侧面进行相对于处理用小空间106的气体供给及气体排气的批量式处理装置3k - 3中，也能够设置挡板170。进而，在第三变形例所涉及的批量式处理装置3k - 3中，也能够获得与上述一例所涉及的批量式处理装置3k、第二变形例所涉及的批量式处理装置3k - 2等相同的优点。(第四实施方式第四变形例)图28是示出第四实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。
如图28所示，第四变形例所涉及的批量式处理装置3k — 4与图27所示的第三变形例所涉及的批量式处理装置3k - 3的主要不同之处在于，挡板170并非设于被处理体载置面105上,而设于罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上。由此,在第三变形例中，整流部171形成于挡板170的上表面与罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面之间，而在第四变形例中，整流部171形成于挡板170的下表面与工作台IOla的被处理体载置面105之间。这样，挡板170并不限于设于被处理体载置面105上，也能够设于罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上。进而，在第四变形例所涉及的批量式处理装置3k — 4中，也能够得到与上述第三变形例所涉及的批量式处理装置3k - 3等相同的优点。此外，作为由第四变形例产生的优点，可以举出以下的优点。例如，在像图27所示的第三变形例那样将整流部171形成于挡板170的上表面与罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面之间的情况下，若从被处理体G观察整流部171 的位置过高，则在处理中使用的气体有可能直接通过被处理体G的被处理面上方，或者在被处理面上方气体的浓度变低。通过使用第四变形例，将整流部171形成在挡板170的下表面与工作台IOla的被处理体载置面105之间，能够消除上述的情况。另外，第四变形例同样也能够适用于图22等所示的第四实施方式的一例、图25所示的该实施方式的第一变形例、图26所示的该实施方式的第二变形例。(第四实施方式第五变形例)图29是示出第四实施方式的第五变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图29所示，第五变形例所涉及的批量式处理装置3k — 5与图27所示的第三变形例所涉及的批量式处理装置3k - 3的主要不同之处在于，将挡板170a及170b分别设于被处理体载置面105上(标号170a)、以及罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上(标号170b)。由此，在第五变形例中，整流部171形成于挡板170a的上表面与挡板170b的下表面之间。这样，挡板170a及170b能够分别设于工作台IOla的被处理体载置面105上、以及罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上双方。进而，在第五变形例所涉及的批量式处理装置3k - 5中，也能得到与上述第三变形例所涉及的批量式处理装置3k — 3等相同的优点。并且，根据第五变形例，能够得到如下优点与第四变形例相同，能够消除在处理中使用的气体直接通过被处理体G的被处理面上方、或者被处理面上方的气体的浓度降低的可能性。此外，根据第五变形例，由于挡板170a及170b分别设于工作台IOla的被处理体载置面105上、罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上双方，因此，与第三变形例、第四变形例相比较，能够将整流部171的位置设定在被处理体G的被处理面上方的附近。因此，除了容易在处理用小空间106形成均匀的层流的气体的流动之外，也能够更加精密地控制气体的浓度。若能够更加精密地控制气体的浓度，则除了能够提高对薄膜的膜厚及薄膜质量的控制性、以及在被处理体G上的面内均匀性之外，也能够得到例如可进行成膜速度的控制的新的优点。因而，根据第五变形例，由于能够进行成膜速度的控制，因此例如能够进一步得到有利于提闻处理能力的优点。另外，第五变形例同样能够适用于图22等所示的第四实施方式的一例、图25所示的该实施方式的第一变形例、图26所示的该实施方式的第二变形例。此外，上述的第四实施方式的一例、以及第四实施方式的第一变形例 第五变形例也能够适用于第一实施方式的一例、第一实施方式的第一变形例 第五变形例、第二实施方式的一例、以及第三实施方式的一例及其变形例中的任一方。(第五实施方式)图30是作为参考例示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图30所示，例如，在像第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a那样， 从被处理体载置面105供给在处理中使用的气体、或者从被处理体载置面105排气的情况下，气体有可能在处理用小空间106的角部空间180停滞。虽然滞留在角部空间180的气体的量是微量的，但在滞留的气体为前驱体的情况下等，当随后的气体流过来时，有可能引发气相反应而在处理用小空间106内产生微量的颗粒。例如通过充分地进行排气及吹扫，能够减轻这种可能性。然而，可以预料即便进行了充分的排气及吹扫，也在角部空间180停滞有极微量的气体。并且，可以预料若考虑到今后的工艺的进一步高精度化，即便所停滞的气体极其微量，所产生的颗粒也极其微量，也将对工艺产生大的影响。第五实施方式提供如下的批量式处理装置能够在构造上抑制角部空间180处的气体的停滞，并能够应对今后的工艺的进一步高精度化。图31是示出第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图31所示，第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3m与第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a的主要不同之处在于，在处理用小空间106的角部设有例如相对于罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面倾斜的倾斜部181，以免气体在角部空间180停滞。除了设有倾斜部181之外，其他方面与第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a几乎相同。根据第五实施方式，通过在处理用小空间106的角部设有倾斜部181，能够避免气体在角部空间180停滞，也能够在角部空间180稳定地形成气体的流动。因此，第五实施方式中，与在角部不具有倾斜部181的情况相比较，能够使在角部空间180产生的颗粒更少。根据这样的第五实施方式所涉及的批量式处理装置3m，通过在处理用小空间106的角部具备倾斜部181，能够得到如下优点与不具有倾斜部181的情况相比较，能够减少在处理用小空间106内部产生的颗粒，能够得到可应对今后的工艺的进一步高精度化的批量式处理装置。(第五实施方式第一变形例)图32是将第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3m的排气槽118附近放大示出的剖视图。如图32所示，第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3m相对于第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a，在处理用小空间106的角部设有倾斜部181。在批量式处理装置3a中，当工作台IOla与罩102a抵接时，排气槽118与罩102a的侧部如虚线圆182内所示成为被隔离的状态。在被隔离的部分，相对于气体欲流动的方向，在处理用小空间106与排气槽118之间产生由被处理体载置面105形成的阶梯差。因此，与角部空间180相同，有可能使气体停滞。第一变形例还能够消除在排气槽118与罩102a的侧部被隔离的部分产生的气体的停滞。图33是示出第五实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。另外，与图32相同，图33的剖视图是将排气槽118附近放大示出的图。如图33所示，第一变形例所涉及的批量式处理装置3m — I与图32所示的批量式处理装置3m的主要不同之处在于，如虚线圆182内所示，排气槽118与罩102a的侧部未被 隔离，使排气槽118的边缘与罩102a的靠内表面侧的侧面相互一致。通过形成为该结构，在第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I中，从处理用小空间106朝向排气槽118流过来的气体如图32所示那样不会由被处理体载置面105阻碍，而是被迅速弓I入排气槽118。根据这样的第一变形例，通过使排气槽118与罩102a的靠内表面侧的侧面相互一致，能够将气体从处理用小空间106迅速地引入排气槽118，能够抑制气体在排气槽118与罩102a的侧部之间的被处理体载置面105上方停滞。因而，根据第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - 1，与一例所涉及的批量式处理装置3m相比较，能够得到如下优点能够抑制在排气槽118与罩102a的侧部之间的被处理体载置面105上方的空间产生的颗粒，并能够进一步减少在处理用小空间106的内部产生的颗粒。另外，所谓使排气槽118的边缘与罩102a的靠内表面侧的侧面相互一致的方法并不限定用于第五实施方式，也能够用于上述的在处理用小空间106的角部不具有倾斜部181的实施方式中的任一个。(第五实施方式第二变形例)图34是示出第五实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图34所示，第二变形例所涉及的批量式处理装置3m — 2与图33所示的第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I的主要不同之处在于，利用设于工作台IOla的凹部130b与设于罩102a的凹部130a形成处理用小空间106。除此之外的方面与上述第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I几乎相同。这样，在将用于形成处理用小空间106的凹部(图34中为标号130a及130b)形成于工作台IOla及罩102a双方的批量式处理装置3m — 2中，也能够设置倾斜部183。进而，在第二变形例所涉及的批量式处理装置3m - 2中，也能够得到与上述第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I等相同的优点。(第五实施方式第三变形例)图35是示出第五实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图35所示，第三变形例所涉及的批量式处理装置3m — 3与图33所示的第一变形例所涉及的批量式处理装置3m — I的主要不同之处在于，罩102a平坦，并将用于形成处理用小空间106的凹部130b形成于工作台101a。除此以外的方面与上述第一例所涉及的批量式处理装置3m - I几乎相同。这样，在将用于形成处理用小空间106的凹部(图35中为标号130b)仅形成于工作台IOla的批量式处理装置3m — 3中，也能够设置倾斜部181。进而，在第三变形例所涉及的批量式处理装置3m — 3中，也能够得到与上述第一变形例所涉及的批量式处理装置3m — I等相同的优点。并且，在第三变形例中，倾斜部181例如形成于工作台IOla的凹部130b的侧部。因此，在凹部130b的侧部的上表面与罩102a抵接的抵接面产生微小的间隙183。并且，由于微小的间隙183沿罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面产生，因此在处理中使用的气体容易进入微小的间隙183。为了抑制气体进入这样的微小的间隙183，如图36所示，例如，优选并用在参照图IOA及图IOB说明的第一实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置3c中实施的方 法。例如，若在凹部130b的侧壁面的上面形成倾斜部181，则其上表面的宽度变宽。利用该情况，在上表面例如设置O型圈120，并在O型圈120与处理用小空间106之间设置环状的槽121。进而，向环状的槽121供给惰性气体。由此，能够利用惰性气体将欲进入微小的间隙183的气体推回处理用小空间106，或者能够将其诱入环状的槽121，并与惰性气体一起经由未图示的排气管114等排气。这样，在第三变形例中，尤其优选与第一实施方式的第一变形例并用。(第五实施方式第四变形例)图37是示出第五实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图37所示，第四变形例所涉及的批量式处理装置3m — 4与图33所示的第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I的主要不同之处在于，代替在处理用小空间106的角部形成倾斜部181，例如，在罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面设有带有圆角的圆形部184。除此以外的方面与上述第一变形例所涉及的批量式处理装置3m - I几乎相同。即便这样在处理用小空间106的角部设有圆形部184，气体也不会停滞于角部空间180。进而，能够在角部空间180内稳定地形成气体的流动。因而，第四变形例中，与第五实施方式的一例、以及第五实施方式的第一变形例 第三变形例同样，能够得到如下优点与在角部不具有圆形部184的情况相比较，能够使在角部空间180产生颗粒更少。另外，第四变形例也能够用于图31等所示的第五实施方式的一例、图33所示的该实施方式的第二变形例、图34所示的该实施方式的第二变形例、以及图35等所示的第三变形例。此外，上述的第五实施方式的一例、以及第五实施方式的第一变形例 第四变形例也能够用于第一实施方式的一例及第一实施方式的第一变形例 第五变形例、第二实施方式的一例、第三实施方式的一例及变形例、以及第四实施方式的一例及第一变形例 第五变形例中的任一方。(第六实施方式)
图38是示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。在第一实施方式中，省略了设于工作台IOla的调温机构的图示。若重新简要地示出调温机构，贝1J如图38所示。如图38所示，在工作台IOla的内部具备工作台调温机构190。工作台调温机构190例如具备利用加热器等的加热机构、以及利用水等热介质作为制冷剂的冷却机构、或者它们中的任一方。图38中作为代表例示出冷机，并简要地示出了供热介质流动的热介质流路 191。这样，例如，通过在工作台IOla的内部设置工作台调温机构190，能够对工作台IOla进行调温从而能够进行对载置于被处理体载置面105上的被处理体G进行加热或冷却的温度调节。然而，在第一实施方式 第五实施方式中，虽然在工作台IOla设有工作台调温机构190，但是罩102a并不具备调温机构。 图39是示出本发明的第六实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。如图39所示，第六实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3n与第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a的主要不同之处在于，除了具备工作台调温机构190之夕卜，在罩102a具备对罩102a进行调温的罩调温机构192。除此以外与述第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3a几乎相同。罩调温机构192例如设于罩102a的内部，与工作台调温机构190同样例如具备利用加热器等的加热机构、以及利用水等热介质作为制冷剂的冷却机构、或者它们中的任一方。图39中作为代表例而例示冷机，并简要地示出了供热介质流动的热介质流路193。在第六实施方式的一例中，工作台调温机构190与罩调温机构192构成为能够分别独立地调节温度。这样，由于工作台调温机构190与罩调温机构192能够分别独立地调节温度，所以能够将工作台IOla的温度与罩102a的温度分别调节为不同的温度。根据第六实施方式，能够获得以下的优点。例如,在针对被处理体G的处理是处理用小空间106内部的压力例如低于大气压(=101325Pa)的真空处理或者减压处理的情况下，在处理用小空间106内部事实上不存在传递热的介质，或者与大气压的情况下相比传递热的介质少。因此，在仅利用工作台调温机构190进行的调温中，热不传递至罩102a、或者热难以传递至罩102a，从而罩102a的温度低于工作台IOla的温度。例如，在处理为成膜处理的情况下，原本成膜处理通过高温来实施，但在低温下，会在罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上堆积有与原本的成膜处理不同的堆积物。这样，若在低温时在上述内表面上成膜有堆积物，则成为在处理用小空间106的内部产生颗粒的一个原因。对于这样的情况，根据第六实施方式，由于在罩102a也具备罩调温机构192,因此能够将罩102a的温度调节至堆积物难以堆积的温度、或者堆积物不堆积的温度。这样，通过使用罩调温机构192调节罩102a的温度，能够抑制堆积物堆积于罩102a的靠处理用小空间106侧的内表面上的情况。这样，能够抑制堆积物的产生，结果，与不具备罩调温机构192的情况相比，能够进一步减少在处理用小空间106的内部产生颗粒的可能性。并且，在不具备罩调温机构192的情况下，例如，为了抑制在处理用小空间106的内部产生堆积物，必须对处理温度、例如成膜温度设定某一范围的制约。所谓设定制约，是指缩窄工艺窗口(process window),会导致批量式处理装置的通用性降低。对于该方面，根据第六实施方式，由于具备罩调温机构192，因此，即便不对处理温度、例如成膜温度设定某一范围的制约，也能够抑制在处理用小空间106的内部产生堆积物。并且，在第六实施方式中，能够分别独立地调节工作台IOla的温度与罩102a的温度。因此，能够进行如下的各种温度设定(I)工作台IOla的温度>罩102a的温度(2)工作台IOla的温度<罩102a的温度(3)工作台IOla的温度=罩102a的温度这样，根据第六实施方式，能够在工作台IOla与罩102a之间进行各种温度设定， 结果能够得到如下优点能够扩大工艺窗口，能够进一步提高批量式处理装置的通用性。对于像这样的第六实施方式的一例所涉及的批量式处理装置3n，还能够如下的优点在处理用小空间106内部产生的颗粒减少、且工艺窗口放大，对于今后进一步进展的工艺的高精度化也是有利的。另外，第六实施方式的一例也能够用于第一实施方式的一例及第一实施方式的第一变形例 第五变形例、第二实施方式的一例、第三实施方式的一例及变形例、第四实施方式的一例及第一变形例 第五变形例、以及第五实施方式的第一变形例 第四变形例中的
任一方。以上，根据实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，作为搬运装置7的拾取器71不限定于叉型拾取器，也能够使用图40所示的鱼骨(fish bone)型拾取器71 — I。并且，在上述实施方式中，作为批量式处理装置，假定为使用ALD法、MLD法的成膜装置，但在仅使用气体的气体成膜装置、热CVD装置、仅使用气体的气体蚀刻装置、真空烘焙装置等中也能够应用本发明。并且，本发明也可以用于等离子处理装置，当在处理中使用等离子体的情况下，优选使用如下的远程等离子方式等离子体不在处理用小空间106产生、而在与处理用小空间106不同的其他的位置产生，并将该等离子体导入处理用小空间106。通过使用远程等离子体方式，无需针对每个处理用小空间106设置生成等离子体的等离子体生成机构，能够使工作台101的厚度与罩102的厚度的总厚度变薄，即便不在高度方向增大主室，也能够增加可收纳于主室内的工作台101及罩102的数量。因此，在欲增加可一次处理的被处理体G的张数的情况下是有利的。并且，气体排气口 119设置有一处，但也可以设置有多处。并且，当在工作台101设有冷机、加热器等对被处理体G的温度进行调节的调温机构的情况下，作为冷机的调温介质，能够使用水冷、空冷中的任一方。并且，加热器也可以使用现有的发热体。此外，本发明能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变形。
权利要求
1.一种批量式处理装置，该批量式处理装置对多个被处理体同时实施处理，其特征在于， 所述批量式处理装置具备 主室； 在所述主室内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置所述被处理体的多个工作台；以及 针对每个所述工作台分别设置一个，并遮盖载置于所述工作台的所述被处理体的多个罩， 利用所述多个工作台与所述多个罩，以包围载置于所述多个工作台的所述多个被处理体中的各被处理体的方式，形成容量小于所述主室的容量的处理用小空间。
2.根据权利要求I所述的批量式处理装置，其特征在于，所述批量式处理装置还具备 驱动所述多个罩或者所述多个工作台升降的驱动机构； 使所述被处理体在所述多个工作台各自的被处理体载置面与该被处理体载置面的上方之间升降的被处理体升降机构； 向所述多个处理用小空间各自的内部供给气体的气体供给机构；以及 对所述多个处理用小空间各自的内部进行排气的排气机构。
3.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述工作台的载置所述被处理体的面平坦，在所述罩的与所述工作台对置的面设有形成所述处理用小空间的凹部。
4.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述罩的与所述工作台对置的面平坦，在所述工作台的载置所述被处理体的面设有形成所述处理用小空间的凹部。
5.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 在所述工作台的载置所述被处理体的面以及所述罩的与所述工作台对置的面分别设有形成所述处理用小空间的凹部。
6.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述驱动机构驱动所述多个罩或者所述多个工作台一起升降。
7.根据权利要求2或6所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述多个工作台固定于所述主室， 所述驱动机构驱动所述多个罩升降。
8.根据权利要求2或6所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述多个罩固定于所述主室， 所述驱动机构驱动所述多个工作台升降。
9.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构使所述多个被处理体一起升降。
10.根据权利要求2或9所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构相对于所述驱动机构独立。
11.根据权利要求2或9所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构与所述驱动机构联动。
12.根据权利要求11所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构具有贯通所述工作台而悬架于所述工作台的销状升降器， 所述销状升降器的下端与位于下方的所述罩的上表面抵接，所述销状升降器与所述罩的升降对应地升降。
13.根据权利要求7所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述气体供给机构以及所述排气机构设于所述工作台。
14.根据权利要求8所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述气体供给机构以及所述排气机构设于所述罩。
15.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 当形成所述处理用小空间的凹部设于所述罩时， 所述气体供给机构的气体喷出孔以及所述排气机构的排气孔设于所述工作台的被处理体载置面。
16.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 当形成所述处理用小空间的凹部设于所述工作台时， 所述气体供给机构的气体喷出孔以及所述排气机构的排气孔设于所述凹部的侧面。
17.根据权利要求I所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述批量式处理装置还具备对所述主室进行排气的主室排气机构， 在所述工作台的上表面与所述罩的下端之间，设定有使所述处理用小空间与所述主室内部连通的间隙， 使用所述主室排气机构经由所述间隙对所述处理用小空间进行排气。
18.根据权利要求I所述的批量式处理装置，其特征在于， 在所述工作台的上表面与所述罩的下端抵接的抵接面具有槽， 所述批量式处理装置还具备向所述槽喷出惰性气体的惰性气体喷出部。
19.根据权利要求3所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述工作台固定于所述主室， 所述气体供给机构包括使所述气体在所述工作台内流通的工作台内气体流路；向所述工作台内气体流路导入所述气体的气体导入部；使所述气体在所述罩内流通的罩内气体流路；从所述罩内气体流路向所述处理用空间喷出所述气体的气体喷出部；以及在所述工作台与所述罩接触的接触部连结所述工作台内气体流路与所述罩内气体流路、以使所述气体在所述工作台内气体流路与所述罩内气体流路流通的连结部。
20.根据权利要求19所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述气体喷出部是与所述工作台对置且具备多个气体喷出孔的喷淋喷头。
21.根据权利要求I 20中任一项所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述工作台具备温度调节机构。
22.根据权利要求21所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述温度调节机构能够对多个所述工作台分别独立地进行温度控制。
23.根据权利要求I 22中任一项所述的批量式处理装置，其特征在于， 在所述处理用小空间的内部具备对供给至该处理用小空间内的气体的流动进行整流的整流部。
24.根据权利要求23所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述整流部包括设于所述工作台的被处理体载置面与所述罩的靠所述处理用小空间侧的内表面之间的至少一个挡板；以及由该挡板在所述处理用小空间的内部形成的间隙。
25.根据权利要求24所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述挡板沿与所述处理用小空间中的气体的流动交叉的方向延伸形成。
26.根据权利要求24或25所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述挡板设于下述位置中的任一个位置所述工作台的被处理体载置面上；所述罩的靠处理用小空间侧的内表面上；以及所述工作台的被处理体载置面上与所述罩的靠处理用小空间侧的内表面上双方。
27.根据权利要求I 26中任一项所述的批量式处理装置，其特征在于， 在所述处理用小空间的角部设有倾斜部或者圆形部。
28.根据权利要求2 27中任一项所述的批量式处理装置，其特征在于， 当所述排气机构设于所述工作台、且所述排气机构具备形成于所述被处理体载置面的排气槽时，所述排气槽的边缘与所述罩的靠内表面侧的侧面相互一致。
29.根据权利要求I 28中任一项所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述罩具备对该罩进行温度调节的罩调温机构。
30.根据权利要求29所述的批量式处理装置，其特征在于， 当所述工作台具备对该工作台进行温度调节的工作台调温机构时， 所述罩调温机构与所述工作台调温机构分别独立地调节温度。
31.根据权利要求29或30所述的批量式处理装置，其特征在于， 当对所述被处理体实施处理时，使所述处理用小空间的内部的压力低于大气压。
全文摘要
本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。具备主室(31a)；在主室(31a)内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置被处理体(G)的多个工作台(101a～101y)；以及针对每个工作台(101a～101y)分别设置一个、并遮盖载置于工作台(101a～101y)的被处理体(G)的多个罩(102a～102y)，利用多个工作台(101a～101y)与多个罩(102a～102y)，以包围载置于多个工作台(101a～101y)的多个被处理体(G)中的各被处理体(G)的方式，形成容量小于主室(31a)的容量的处理用小空间(106)。
文档编号C23C16/44GK102839360SQ20121021101
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月20日 优先权日2011年6月21日
发明者里吉务, 石田宽 申请人:东京毅力科创株式会社