一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺的制作方法
【专利摘要】本发明的目的是提供一种污染极小、工艺操作简单易懂、环保的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，包括如下步骤：A、除电子脚；B、浸出银铜及贱金属；C、提取银；D、滤渣浸出金；E、还原金；本发明的原材料主要是回收电子厂淘汰的、报废的及废电路板上面的芯片、集成块里面的金银，金银主要是以硅晶体金丝引线、厚膜金浆料、含金合金或纯金丝等其它金属存在于芯片中。本发明采用污染极小的湿法工艺，工艺操作简单易懂，操作中产生的少量氮氧化物采用碱吸收以达到环保目的。
【专利说明】一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺。
【背景技术】
[0002]众所周知，含金废料中金的回收关键是必须设法使金与绝大部分其它物料(包括各种有机物质、贱金属物质和金以外的其它贵金属物质)分开。而目前含金废料的回收工艺常采用火法工艺，火法工艺因污染太大，已被淘汰。
【发明内容】
[0003]为解决上述技术问题，本发明提供一种污染极小、工艺操作简单易懂、环保的废电路板芯片、集成块提取金银工艺。
[0004]本发明的一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于，包括如下步骤:
[0005]A、除电子脚:取废电路板芯片、集成块，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400°C的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色，因芯片、集成炔基本都是用固态环氧树脂封装的，只有破坏掉环氧树脂，才有利于金的浸出。
[0006]B、浸出银铜及贱金属:把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为I: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金；
`[0007]C、提取银:向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1 %的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体(液体加铁粉置换出铜)，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值=6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100°C的条件下熔炼得纯度99.9%的白银；
[0008]D、滤渣浸出金:把滤渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成，在温度80-90°C的条件下，搅拌I 一 2小时，搅拌速率为300r/min，(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，冷确30-40°C度,然后过滤,液体含金；
[0009]E、还原金:调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45°C，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌I分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1 %的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置I小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200°C的条件下熔炼出99.9%的黄金。
[0010]与现有技术相比本发明的有益效果为:本发明的原材料主要是回收电子厂淘汰的、报废的及废电路板上面的芯片、集成块里面的金银，金银主要是以硅晶体金丝引线、厚膜金浆料、含金合金或纯金丝等其它金属存在于芯片中。
[0011]本发明的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，采用污染极小的湿法工艺，工艺操作简单易懂，操作中产生的少量氮氧化物采用碱吸收以达到环保目的。
【具体实施方式】
[0012]下面对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0013]实施例1
[0014]一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，包括如下步骤:
[0015]A、除电子脚:取废电路板芯片、集成块，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400°C的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色，因芯片、集成炔基本都是用固态环氧树脂封装的，只有破坏掉环氧树脂，才有利于金的浸出。
[0016]B、浸出银铜及贱金属:把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为
`I: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金；
[0017]C、提取银:向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1 %的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体(液体加铁粉置换出铜)，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值=6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100°C的条件下熔炼得纯度99.9%的白银；
[0018]D、滤渣浸出金:把滤渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成，在温度80-90°C的条件下，搅拌1-2小时，搅拌速率为300r/min，(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，冷确30-40°C度,然后过滤,液体含金；
[0019]E、还原金:调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45°C，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌I分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1 %的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置I小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200°C的条件下熔炼出99.9%的黄金。[0020]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于，包括如下步骤: A、除电子脚:取废电路板芯片、集成块，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400°C的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色； B、浸出银铜及贱金属:把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为1: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金； C、提取银:向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1 %的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值=6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100°C的条件下熔炼得纯度99.9%的白银； D、滤渣浸出金:把滤渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，在温度80-90°C的条件下，搅拌1-2小时，搅拌速率为300r/min，冷确30-40°C度，然后过滤，液体含金； E、还原金:调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45°C，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌2分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1 %的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置I小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200°C的条件下熔炼出99.9%的黄金。
2.根据权利要求1所述的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于:所述步骤D中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成。
【文档编号】C22B7/00GK103509951SQ201210214213
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月27日 优先权日:2012年6月27日
【发明者】王金良 申请人:王金良